專利名稱：具有對比度增強(qiáng)特征的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光器件，并且更具體地，涉及應(yīng)用于電致發(fā)光器件的對比度增強(qiáng)濾光器。
背景技術(shù)：
已知的對比度增強(qiáng)濾光器包括光學(xué)干涉濾光器，如在Dobrowoiski的US5049780和Hofstra的US6411019中所描述的，其內(nèi)容合并在此作為參考。在Dobrowolski和Hofstra的某些教導(dǎo)中，對比度增強(qiáng)是通過放置在反射背電極或反射背陰極的前部的光學(xué)干涉部件提供的。如在此更為具體地描述的，使環(huán)境光反射離開背電極或背陰極與光學(xué)干涉部件結(jié)合使用，用以產(chǎn)生至少兩個(gè)異相的環(huán)境光波形，其彼此相互干涉，以引起彼此之間的至少一些抵消，并且由此減小了來自顯示器的不需要的環(huán)境光反射。
其他的已知對比度增強(qiáng)濾光器包括涂敷反射電極或陰極的光吸收材料。參看例如，Berger等人的WO00/25028，其預(yù)見了使用石墨涂敷反射背陰極。這些純吸收材料然后通過有效地將環(huán)境光轉(zhuǎn)換為熱，減小了進(jìn)入顯示器前部的環(huán)境光的反射。
但是，這些現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)不適用于希望實(shí)際利用背陰極反射性以提升發(fā)射自器件的光量的情況。換言之，雖然上述現(xiàn)有技術(shù)的器件減小了到達(dá)顯示器背陰極的環(huán)境光，但現(xiàn)有技術(shù)的器件也趨于減小向后發(fā)射朝向顯示器背部的光。實(shí)際上，在某些現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器中，已知的是選擇光發(fā)射層的適當(dāng)?shù)陌l(fā)射區(qū)域部分，以與反射電極協(xié)作，從而獲得約360°背向發(fā)射光的總相移，使得兩個(gè)光波相長性地干涉，由此增強(qiáng)器件的亮度。
假設(shè)理想的反射器和該兩個(gè)光波在其干涉時(shí)在幅度上相等，則強(qiáng)度將為Irf＝(Ef+Er)2Ef＝Er＝EIrf＝4E2，其中Ef＝前向發(fā)射光的電場，且Er＝背向發(fā)射光的電場，且Irf是由觀察者使用反射背電極看到的強(qiáng)度。
如果Er被吸收，如同暗的電極的情況，則該等式簡單地變?yōu)镮dk＝(Ef+Er)2Ef＝E，Er＝0Idk＝E2，其中Idk是由觀察者使用暗的背電極看到的強(qiáng)度。因此，Idk/Irf＝1/4＝0.25，且使用暗的背電極的器件僅是使用反射背電極器件效率的25％。
雖然使用粘附于顯示器前部的環(huán)形偏光器減小上述顯示器中的環(huán)境光反射是已知的，但環(huán)形偏光器具有的吸收某些發(fā)射光的額外影響，在某些器件中典型地是約56至約62％，并且在該器件中，反射背電極器件的效率是約38％至約44％。
標(biāo)題為“Electroluminescent Device”的PCT/CA03/00554公開了一種部分吸收(半反射)層、一個(gè)或多個(gè)光發(fā)射層、和完全反射層，其組合起來產(chǎn)生了環(huán)境光的180°相移，以及產(chǎn)生在光發(fā)射層中的光的相長性干涉。但是，通過如上所述的其他現(xiàn)技術(shù)的系統(tǒng)，產(chǎn)生在光發(fā)射層中的光的向后反射產(chǎn)生了相消性干涉，其部分地抵消了相長性干涉的優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有對比度增強(qiáng)特征的顯示器，其減輕或消除了上述現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)缺陷。
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種電致發(fā)光顯示器，其在光學(xué)干涉結(jié)構(gòu)自身中嵌入了光發(fā)射層。
具體地說，光發(fā)射有機(jī)層安置在半反射結(jié)構(gòu)和反射結(jié)構(gòu)之間，其中選擇反射結(jié)構(gòu)厚度和材料，以引起環(huán)境光的至少某些相消性光學(xué)干涉，且選擇半反射結(jié)構(gòu)和全反射結(jié)構(gòu)之間的層的厚度，以提供經(jīng)過通過這些層并被向后反射的環(huán)境光相對于由半反射結(jié)構(gòu)所反射的光的凈0°相移。而且，選擇光發(fā)射區(qū)域離開全反射表面的距離，以提供所產(chǎn)生的發(fā)射光的相長性干涉(即傳播在觀察者方向中的發(fā)射光光線與初始傳播遠(yuǎn)離觀察者并且然后完全向后反射朝向觀察者的發(fā)射光光線同相)。


以下將通過示例方式并參考附圖描述本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明總的方面的有機(jī)電致發(fā)光器件的光發(fā)射和對比度增強(qiáng)層的側(cè)面剖面圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的側(cè)面剖面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的側(cè)面剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考圖1，半反射薄膜BL1安置在相鄰于微腔的一側(cè)，該微腔包括諸如ITO、AlSiO等的無機(jī)層(在圖1中標(biāo)識(shí)為“無機(jī)1”、“無機(jī)2”)，在該無機(jī)層之間安置有光發(fā)射層(標(biāo)識(shí)為“有機(jī)1”、“有機(jī)2”)，而反射結(jié)構(gòu)BL2安置在相鄰于該微腔的相對側(cè)。如下文將結(jié)合圖2和圖3所討論的，層BL2可以是全反射的或可以是部分透射的，并且對被反射離開另外的全反射層(例如Al層)的光進(jìn)行相移。光發(fā)射層通過電致發(fā)光產(chǎn)生光，并且由通常對進(jìn)入器件的環(huán)境光是透明的材料制成，并且其引起該環(huán)境光的相移，如將在下文中詳細(xì)討論的。
半反射結(jié)構(gòu)BL1可以包括單層膜或多層膜，如將在下文中詳細(xì)討論，并且其用作兩個(gè)目的1.它將入射光分為反射光線和透射光線；和2.它使反射光相對于反射自背電極的光相移約180°。注意，近似10-15％的光被向后反射朝向觀察者。
但是，為了獲得導(dǎo)致器件具有低反射性并因此呈現(xiàn)黑色的相消性干涉，由位于半反射和反射薄膜之間的有機(jī)層提供的總相對相移應(yīng)為約0°。當(dāng)光傳播中兩次通過有機(jī)層是發(fā)生該凈0°總相移一次是當(dāng)其進(jìn)入該結(jié)構(gòu)時(shí)，且另一次是反射時(shí)(即，2×180°＝360°＝0°)。
根據(jù)本發(fā)明，通過選擇有機(jī)層、和任何ITO或其他有機(jī)層、和BL2層(其中BL2僅是部分反射)的總厚度，可以獲得環(huán)境光的相消性干涉，并且維持相長性干涉條件，以對于傳播通過這些層、反射離開背陰極，并且向后傳播出器件之外的光提供相對于反射自前部半反射結(jié)構(gòu)的光的約凈0°相移，且獨(dú)立地控制“有機(jī)1”、“有機(jī)2”和反射背電極的界面處的發(fā)射區(qū)域之間的距離。
應(yīng)該注意，在單一膜BL1結(jié)構(gòu)中，自第一層反射的光從其前表面和背表面這兩個(gè)表面被反射。這是相抵消的這些180°相移光的光線的結(jié)果求和，并且因此，該層的厚度被選擇為提供180°相移。在多層BL1結(jié)構(gòu)中，光自第一層反射，在(一個(gè)或多個(gè))隨后層中發(fā)生相移，并且然后反射離開(一個(gè)或多個(gè))隨后層。
為了獲得來自圖1的器件的低反射值，BL1的材料通常具有與其相關(guān)的某種程度的吸收性，即光吸收常數(shù)k，其中光密度由折射率n所定義。n、k和厚度的組合被選擇為用于獲得相移和所需的反射程度這兩者。
吸收常數(shù)k和BL1結(jié)構(gòu)厚度的組合導(dǎo)致了光也被由BL1結(jié)構(gòu)所吸收。這導(dǎo)致了某些發(fā)射光在其離開器件時(shí)被吸收。
半反射結(jié)構(gòu)BL1可以位于器件中的多種位置，可以假定其位于者和光發(fā)射層“有機(jī)1”和“有機(jī)2”之間，并且相對于反射自該第一半反射結(jié)構(gòu)的光的總內(nèi)部相移是約0°。例如，在器件內(nèi)存在典型的透明傳導(dǎo)材料(“無機(jī)1”)的層(例如氧化銦錫)，其用作傳導(dǎo)電流至器件，并提供用于發(fā)射光離開器件并到達(dá)觀察者的手段。
此外，半反射結(jié)構(gòu)BL1可以位于觀察者和ITO之間，或ITO可以位于半反射結(jié)構(gòu)BL1和觀察者之間。特別是在后一情況中，ITO的厚度是沒有限制的(盡管其可以與所需電氣操作相關(guān)進(jìn)行選擇，諸如根據(jù)器件的操作電壓)。在第一種情況中，考慮了ITO的厚度，以獲得約0°的相對相移。
應(yīng)該注意，如果BL1的第一半反射層是與器件的有機(jī)層相接觸，則這些層也可以被選擇為具有適當(dāng)?shù)墓瘮?shù)。另一方面，功函數(shù)匹配層也可以被插入在半反射層和有機(jī)層之間作為“無機(jī)1”的一部分。
有機(jī)層典型地包括空穴注入層(例如TPD)和電子注入層(例如AlQ3)，其中光產(chǎn)生在其界面處。這些層的位置取決于該器件是其中陽極位于最接近于觀察者的“底發(fā)射器件”(圖2)，還是其中陰極位于最接近于觀察者的“頂發(fā)射器件(圖3)。在上述兩種情況的任何一種中，在SMOLED器件中，光發(fā)射區(qū)域位于50-200的這些兩層的界面。為發(fā)生發(fā)射光的相長性干涉，該界面相對于反射背電極的位置是仔細(xì)選擇的。為發(fā)生相消性干涉，這些層的總厚度也是仔細(xì)選擇的。通過將傳導(dǎo)有機(jī)材料(典型地是CuPc)層插入在相鄰于背電極或前電極，也可以控制該多種距離。
最后，反射結(jié)構(gòu)BL2包括單一金屬層(例如鋁)或若干層薄膜器件(諸如現(xiàn)有技術(shù)中已知并且其可以調(diào)諧到特定的反射程度)。在最簡單的器件中，大多數(shù)光被向后反射，以與反射自第一半反射層結(jié)構(gòu)的光相干涉。在另一實(shí)施例中，對若干層薄膜器件的反射性進(jìn)行調(diào)諧，以確保反射自該區(qū)域的光的幅度類似于反射自第一半反射結(jié)構(gòu)的光的幅度，注意某些光在其通過經(jīng)過半反射結(jié)構(gòu)時(shí)將被吸收。
同樣，反射自這些背部層的光可以進(jìn)行相移，以增強(qiáng)光的抵消性，并對其他層(即有機(jī)疊層和第一半反射結(jié)構(gòu))的相移要求添加一定自由度。
在特別涉及頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例中，第一半反射結(jié)構(gòu)可以用作電極，消除了對諸如ITO的透明傳導(dǎo)材料的需求。其也可以用作緩沖層，以保護(hù)下面的有機(jī)材料免于損壞性的工藝，諸如在標(biāo)題為“TRANSPARENT-CATHODE FOR TOP-EMISSION ORGANICLIGHT-EMITTING DIODES”共同擁有的加拿大專利申請No.2,412,279中所描述的，其內(nèi)容合并在此作為參考。
如果半反射結(jié)構(gòu)位于器件中使得其能夠?qū)щ姡瑒t有可能該結(jié)構(gòu)將被構(gòu)圖為與其相接觸的電極的形狀。但是，在另一實(shí)施例中，通過使用絕緣層，該結(jié)構(gòu)可以是與結(jié)構(gòu)電氣絕緣。在頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中，這要求將絕緣體淀積在前電極的頂部，并且之后淀積半反射結(jié)構(gòu)。然后在透射光的相移中考慮絕緣層的厚度。在底發(fā)射器件中，半反射結(jié)構(gòu)與絕緣層一起淀積到基片上，以使其與前透明電極絕緣。再一次地，在透射光的相移中考慮絕緣層的厚度。優(yōu)點(diǎn)在于，不再需要對半反射結(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)圖，并且光學(xué)干涉效應(yīng)發(fā)生在像素之間，也發(fā)在像素自身上。
在另一實(shí)施例中，如果第一半反射結(jié)構(gòu)自身是絕緣體，則可以移除絕緣層。
在另一實(shí)施例中，有機(jī)材料可以包括光發(fā)射聚合物或無機(jī)光發(fā)射材料。
示例性實(shí)施例示出在圖2和圖3如下底發(fā)射器件(圖2)圖2的底發(fā)射器件制造在玻璃或塑料基片上。半反射(半吸收)結(jié)構(gòu)BL1首先淀積該基片上，隨后是氧化銦錫(ITO)的傳導(dǎo)層。然后淀積緩沖層CuPc，隨后是空穴載運(yùn)層(TPD)和電子載運(yùn)層AlQ3。為與圖1一致，示出了第二全反射結(jié)構(gòu)BL2。但是，在實(shí)踐中，可以消除BL2結(jié)構(gòu)，因?yàn)槿瓷涫怯勺罱K的鋁層提供的。
如上所討論，半反射結(jié)構(gòu)BL1部分反射入射的環(huán)境光，并部分透射環(huán)境光。環(huán)境光被反射離開外表面，以產(chǎn)生反射光光線R1。透射光在部分反射離開BL1和ITO層之間的界面之前相移了90°，由此反射光經(jīng)歷了另一個(gè)90°相移，從而R2是與R1相差了180°相位，導(dǎo)致了相消性干涉(即反射光的抵消)。通過ITO、CuPC、TPD和AlQ3層透射的環(huán)境光在反射離開BL2(或Al)表面之前經(jīng)歷了另一個(gè)180°相移，由此反射光經(jīng)歷了另一180°相移，這導(dǎo)致了向內(nèi)經(jīng)過通過BL1/ITO界面的環(huán)境光之間相對于向外經(jīng)過通過BL1/ITO界面的環(huán)境光的凈360°相移。因此，R3在其相位特性發(fā)明類似于R2(即R3經(jīng)歷了與入射環(huán)境光的相消性干涉)。另一方面，產(chǎn)生在有機(jī)層中(即空穴層TPD和電子層AlQ3的界面處)的光是同相的(即R4和R5是同相的)，從而受益于相長性干涉。
用于多種結(jié)構(gòu)層的示例性厚度和厚度范圍如下進(jìn)行設(shè)置其中，注意到該若干層是完全可選的(即厚度為0)。但是，選擇整體厚度和材料，以確保對于經(jīng)過通過BL1和反射表面(即BL2或Al)之間的層的環(huán)境光產(chǎn)生凈360°＝0°相移的折射率。同樣重要的是，選擇在TPD和AlQ3有機(jī)層界面處的光發(fā)射區(qū)域的位置，以確保對于產(chǎn)生在該區(qū)域光的同相特性，并通過半反射結(jié)構(gòu)BL1與全反射層BL2或Al層之間的微腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行反射。
BL1可以是寬范圍的材料，并可以包括一個(gè)或多個(gè)層。典型的BL1結(jié)構(gòu)包括AlSiO(比例為3∶2，5.5nm)，SiO2(60nm)和鋁(10nm)。
ITO典型厚度是約1200，但是在約0至約2500范圍內(nèi)。
CuPc典型厚度為約250，但在約0至約500的范圍內(nèi)。ITO和CuPC層的組合厚度是約1450，以在一次經(jīng)過上提供180°相移(假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)n，k值和有機(jī)材料(TPD和AlQ3)也提供180°相移)。
TPD或“有機(jī)1”優(yōu)選地是約450，但在200-500的范圍內(nèi)。
AlQ3或“有機(jī)2”優(yōu)選地是約600，但在200-800的范圍。
應(yīng)該注意，ITO、CuPC、TPD和AlQ3層厚度的和優(yōu)選地是約2500，以允許在發(fā)射光的兩次經(jīng)過時(shí)的360°相移(假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的n，k值)。例如CuPc的緩沖層可以用于減小兩個(gè)有機(jī)層的厚度。
BL2可以使用寬的材料范圍，包括一氧化硅鋁。鋁對一氧化硅的比例必須改變，以提供所需的反射率值。在優(yōu)化的器件中，BL2結(jié)構(gòu)可以省略(即厚度為0)，以獲得來自背電極(Al)的最大反射，如上所述。
Al約1500。
頂發(fā)射器件(圖3)在圖3的頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中，提供了玻璃或塑料基片，在其上將鋁層淀積到約1200的厚度。然后，將ITO、CuPc和AlQ3的連續(xù)層淀積到如上文結(jié)合圖2所述的相同厚度和相似的指標(biāo)。最后，BL1結(jié)構(gòu)淀積成一個(gè)或多個(gè)層的形式，如上文結(jié)合圖1所討論的。典型的結(jié)構(gòu)包括AlSiO(比例為3∶2，5.5nm)SiO2(60nm)、和鋁(10nm)。
當(dāng)光常數(shù)被訂制為滿足所需的半反射結(jié)構(gòu)的要求時(shí)，ITO可以用作BL1。摻雜有鋁或銀的ITO已知用于增加吸收性(作為其副產(chǎn)生，傳導(dǎo)性增加)。在此情況下，ITO是約450厚。
圖2和圖3的兩個(gè)實(shí)施例中的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例在在約555nm可見光處是約0％的反射率，并且其效率相比于沒有環(huán)形偏光器的調(diào)諧反射陰極器件的理想情況是約45至約50％。
本發(fā)明的上述實(shí)施例意在是本發(fā)明的示例，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以對其進(jìn)行變更和修改。例如，通過仔細(xì)的材料選擇，可以在可見范圍上擴(kuò)展的寬帶中獲得360度相移效果(和180度相消性效果)。必須選擇具有隨波長增加的折射率的特定材料。AlSiO混合物提供了適當(dāng)?shù)牟牧辖M。通過將特定厚度的這些材料插入到微腔中(例如通過替換ITO或部分有機(jī)材料)，該腔的光學(xué)厚度對于可見波長保持近似恒定(即400nm至700nm)。確信所有這些修改和變更是在由所附權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.一種電致發(fā)光器件，包括半反射結(jié)構(gòu)、反射結(jié)構(gòu)、和用于光產(chǎn)生的多個(gè)中間層，其中選擇所述光反射結(jié)構(gòu)的厚度，以引起由此所反射的環(huán)境光的相消性光學(xué)干涉，并且所述中間層具有被選擇用于創(chuàng)建微腔的厚度，該微腔用于引起產(chǎn)生于其中的光的相長性光學(xué)干涉、和自所述半反射結(jié)構(gòu)經(jīng)過從其穿過的所透射環(huán)境光的約360°相位改變，從而所述透射的環(huán)境光在所述半反射結(jié)構(gòu)內(nèi)經(jīng)歷了進(jìn)一步的相消性光學(xué)干涉。
2.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括空穴載運(yùn)層和電子載運(yùn)層，且具有位于其之間的界面處的光產(chǎn)生區(qū)域。
3.權(quán)利要求2的電致發(fā)光器件，其中，其中所述空穴載運(yùn)層包括TPD，且所述電子載運(yùn)層包括AlQ3。
4.權(quán)利要求3的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括相鄰于所述TPD層的CuPC的緩沖層。
5.權(quán)利要求4的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括相鄰于所述CuPC層的ITO的傳導(dǎo)層。
6.權(quán)利要求5的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層厚度如下AlQ3＝200至800，TPD＝200至500，CuPC＝0至500，ITO＝0至2500。
7.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)Al、SiO2和Cr的層。
8.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)包括Al層。
9.權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的電致發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)淀積在基片上，從而形成頂發(fā)射器件。
10.權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)淀積透明基片上，從而形成底發(fā)射器件。
11.權(quán)利要求10的電致發(fā)光器件，其中，所述基片是清潔塑料或玻璃中的任何一個(gè)。
12.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括光發(fā)射聚合物或有機(jī)光發(fā)射材料中的任何一個(gè)。
13.權(quán)利要求7的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)包括AlSiO(比例為3∶2，5.5nm)、SiO2(60nm)和鋁(10nm)。
14.權(quán)利要求6的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層的厚度如下AlQ3＝600，TPD＝450，CuPC＝250，TIO＝1200。
15.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，選擇所述中間層，使得360°相位改變擴(kuò)展到可見光的范圍。
16.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中該層被選擇為具有隨波長而增加的折射率。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件，包括半反射結(jié)構(gòu)、反射結(jié)構(gòu)、和用于光產(chǎn)生的多個(gè)中間層，其中選擇所述光反射結(jié)構(gòu)的厚度，以引起由此所反射的環(huán)境光的相消性光學(xué)干涉，并且所述中間層具有被選擇用于創(chuàng)建微腔的厚度，該微腔用于引起產(chǎn)生于其中的光的相長性光學(xué)干涉、和自所述半反射結(jié)構(gòu)經(jīng)過從其穿過的所透射環(huán)境光的約360°相位改變，從而所述透射的環(huán)境光在所述半反射結(jié)構(gòu)內(nèi)經(jīng)歷了進(jìn)一步的相消性光學(xué)干涉。
2.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括空穴載運(yùn)層和電子載運(yùn)層，且具有位于其之間的界面處的光產(chǎn)生區(qū)域。
3.權(quán)利要求2的電致發(fā)光器件，其中，其中所述空穴載運(yùn)層包括TPD，且所述電子載運(yùn)層包括AlQ3。
4.權(quán)利要求3的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括相鄰于所述TPD層的CuPC的緩沖層。
5.權(quán)利要求4的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括相鄰于所述CuPC層的ITO的傳導(dǎo)層。
6.權(quán)利要求5的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層厚度如下AlQ3＝200至800，TPD＝200至500，CuPC＝0至500，ITO＝0至2500。
7.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)Al、SiO2和Cr的層。
8.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)包括Al層。
9.權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的電致發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)淀積在基片上，從而形成頂發(fā)射器件。
10.權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)淀積透明基片上，從而形成底發(fā)射器件。
11.權(quán)利要求10的電致發(fā)光器件，其中，所述基片是清潔塑料或玻璃中的任何一個(gè)。
12.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層包括光發(fā)射聚合物或有機(jī)光發(fā)射材料中的任何一個(gè)。
13.權(quán)利要求7的電致發(fā)光器件，其中，所述半反射結(jié)構(gòu)包括AlSiO(比例為3∶2，5.5nm)、SiO2(60nm)和鋁(10nm)。
14.權(quán)利要求6的電致發(fā)光器件，其中，所述中間層的厚度如下AlQ3＝600，TPD＝450，CuPC＝250，TIO＝1200。
全文摘要
提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其具有發(fā)射層，該發(fā)射層具有提供了發(fā)射光的相長性光學(xué)干涉的材料和厚度。該器件包括附加層，其通過進(jìn)入該器件的環(huán)境光的相消性光學(xué)干涉，提供了對比度增強(qiáng)。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1729584SQ200380103237
公開日2006年2月1日 申請日期2003年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月13日
發(fā)明者里查德·P·伍德, 大衛(wèi)·J·約翰遜 申請人:Luxell技術(shù)有限公司