專利名稱：對擴散層水平方向擴散的測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用于半導體工藝中的測量方法。
背景技術(shù)：
圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)所習知的MOS場效應(yīng)晶體管(FET)的橫切面圖。該MOS晶體管一般包括源極區(qū)1s和汲極區(qū)1d、源極外延區(qū)2s和汲極外延區(qū)2d、甬道3、閘極絕緣體4以與門極5。源極區(qū)和汲極區(qū)1s及1d均為重摻雜，一般在n-型摻添是使用砷或p-型摻添是使用硼。摻添量是每立方公分的摻雜物原子量為1020。1s及1d區(qū)域的層深度一般在500-700。外延區(qū)2s及2d也是以與源極區(qū)及汲極區(qū)1s及1d同型的摻雜原子做重度摻雜，然而外延區(qū)較淺-一般深度在300至500。圖2A及2B顯示在垂直與水平方向的摻添波形(在圖1中分別順沿著箭頭A及B)。
外延區(qū)2s以及2d可與甬道區(qū)3接觸。此晶體管通過在閘極5施加偏差而操作。例如，假定區(qū)域1s、2s、2d以及1d是n-型，因此多數(shù)載子是電子。如果正電壓置于甬道3的閘極5，則將無電流在閘極5和甬道3之間流動，這是因為有薄的閘極絕緣體4存在所致。然而，此正電壓將吸引電子朝向閘極地區(qū)3，產(chǎn)生了一層連接源極外延2s到汲極外延2d的電子薄層(稱為反轉(zhuǎn)層)，可供電流在源極與汲極之間流動。當閘極5的電壓被移除時，甬道3內(nèi)的反轉(zhuǎn)層便不存在，源極即與汲極分離。以此方法，晶體管便可開及關(guān)。
在施行時，不同源極與汲極層1s、1d、2s以及2d的摻添波形并非全然陡峭(似箱型)。其通常由涉及若干熱處理循環(huán)的擴散程序形成，使得波形略呈圓滑形。例如，圖2A顯示源極外延2s的二種波形11a以及11b，如圖1的箭號A。線11a顯示相對陡峭的波形，而線11b則顯示較不陡峭的波形。這種不同的陡度分布(介于線11a及11b之間)均可能在不同的半導體晶片制造過程中發(fā)生，因為在制程中的各步驟均會有若干容差。單一制造步驟造成的差異或由一系列制造步驟累積造成的差異均可使波形失去陡度(例如可從線11a趨向線11b)。
此外，接合深度可依制程性質(zhì)(例如，退火溫度之變化)而有所不同。例如，波形11b所形成的擴散波形比波形11a深。
同樣地，水平方向的波形顯示陡度分布會依半導體晶片制程個別制造步驟的容差而有差異。圖2B顯示順著圖1箭號B的波形(箭號B依平行半導體晶片的表面且在其正下方的方向而行)。波形10sa和10da(圖2B)坡形更陡；波形10sb以及10db的陡度較小。此外，波形10sb以及10db擴散得更大，減少了源極區(qū)與汲極區(qū)之間的距離以及甬道3的長度。一般均認為由于水平方向擴散對于水平向陡度分布的減緩程度應(yīng)比對應(yīng)的垂直向陡度分布的減緩程度較小。然而，水平方向陡度分布減緩或水平方向擴散增加對于晶體管效能的影響卻超過垂直方向陡度分布減緩。造成水平方向及垂直方向陡度分布減緩的因素也可能不同，以致于某一方的測量方式并不適用于另一方。例如，表面應(yīng)力可促進摻雜原子的水平方向擴散，在垂直方向卻沒有此效應(yīng)。
水平方向擴散和陡度分布必須要小心的控制，因為它會直接地影響此晶體管的速度以及此晶體管在電路中驅(qū)動下一階段的能力。陡度分布較小，如波形10sb及10db(圖2B)，會導致接觸甬道3的源極和汲極外延2s及2b(圖1)部分的摻添量較低，因此阻性較高。水平陡度分布減緩會產(chǎn)生一系列阻性組件，導致源極1s和汲極1d之間(圖1)的電壓下降較多。這種電壓下降會減低此晶體管驅(qū)動下一階段的能力，降低電路的速度。此外，介于源極與汲極外延(2s以及2d)之間的水平距離，則定義了甬道區(qū)3的長度。此甬道的長度直接決定晶體管的某些性質(zhì)，例如截斷頻率。
某些在現(xiàn)有技術(shù)中用以測量水平方向擴散(經(jīng)退火期間接合點水平移動多遠加以確認)以及陡度分布(其系經(jīng)擴散波形之斜率定義)的方法是采用晶體管的電探測、電容原子力顯微鏡(C-AFM)、以及垂直二次離子干擾質(zhì)譜儀法(SIMS)波形。
水平方向擴散和陡度分布的干擾可能可用晶體管的電探測取得。這個步驟需要與全部的晶體管構(gòu)造接觸。因此，在制程中當摻添層已形成且此晶體管仍未完全時，無法使用電探測。在源極/汲極處理步驟之間的時間以及進行探測的第一時機會為數(shù)天或數(shù)周，大幅地降低進行實時程控的能力。
探測方法例如C-AFM，需要將晶體管切割及各種中間制備步驟。即使完成上述事項，探測也需要幾個小時，且其分辨率通常是比100差，因為太差而無法提供程控需要的擴散或陡度分布的準確測量。
假設(shè)水平和垂直方向的擴散及陡度分布均與相同的物理現(xiàn)象有關(guān)，則也可能從垂直波形(展示在圖2A內(nèi)的型態(tài))推導水平方向的擴散和陡度分布。然而，一些方法例如SIMS過于緩慢及具有破壞性，因此不適用于一般的同軸程控。此外，正如上述，在某些情況下水平方向及垂直方向的擴散和陡度分布彼此并非全然相關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明，任何半導體晶片制程技術(shù)均可經(jīng)過更改以監(jiān)控摻添層的水平方向擴散和陡度分布而作為晶片制程(或研發(fā)此類制程)的步驟之一。某些具體實施例中，這種監(jiān)控一向用于控制晶片制程技術(shù)中的一個或多個參數(shù)，例如用來改良制程的產(chǎn)率。
特定而言，在具體實施例之一中，包括一個或多個摻添區(qū)的取樣結(jié)構(gòu)在半導體晶片(例如同時和一個或多個晶體管)中形成且對該取樣結(jié)構(gòu)的一個或多個尺寸進行測量，并用以估計晶片(例如在同時形成的晶體管)內(nèi)其它摻添區(qū)中的水平方向擴散和陡度分布。
上述取樣結(jié)構(gòu)的型態(tài)可為小型-例如邊長若干微米-且可安放在制造晶片的預(yù)定位置處。取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)的摻添區(qū)域彼此之間可規(guī)律地間隔配置，或毗連的摻添區(qū)域可改為以各種不同間隙配置。
此外或并且，可在單一晶片內(nèi)形成多重取樣結(jié)構(gòu)，在各取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)的摻添區(qū)域彼此有著規(guī)則的空間間隙，而不同的取樣結(jié)構(gòu)則有不同的空間間隙。
在另一具體實施例中，充分摻添區(qū)及未摻添區(qū)均包含在取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)。此類是用于校正接合深度更改的效應(yīng)。在另一具體實施例中，其包括測量光阻劑線寬以便校正由于微影蝕刻制程的差異所造成的線寬誤差結(jié)果。
在另一具體實施例中，在某些情況下?lián)教砭€及空間結(jié)構(gòu)可以芯片圖案的一部份的形式來提供。例如，電阻帶是摻添線。在此案例中，其為直接測量集成電路的組件主動區(qū)，而無需取樣結(jié)構(gòu)。
具體實施例之一中，在形成摻添層后立刻監(jiān)測一個或多個上述取樣結(jié)構(gòu)型態(tài)，以便對晶片制程技術(shù)進行實時控制。然而，這種裝置性質(zhì)評估也可離線進行(例如非晶片制造)，并在另一具體實施例中用以發(fā)展制程。


圖1現(xiàn)有技術(shù)的半導體晶片的橫切面圖，展示MOS場效應(yīng)晶體管的構(gòu)造。
圖2A及2B在圖中顯示前述技術(shù)的半導體晶片的摻添波形，其分別是沿著圖1的箭號A穿過外延層2s，及沿著圖1的箭號B穿過此晶體管并平行晶片表面。
圖3A在決策圖中顯示，利用依據(jù)本發(fā)明對取樣結(jié)構(gòu)尺寸的測量結(jié)果制程是否在控制之中。
圖3B在方框圖顯示，依據(jù)本發(fā)明的取樣結(jié)構(gòu)原位測量工具聯(lián)合其它晶片制程工具的用途。
圖4A及4B分別以平面圖及橫切面圖說明，本發(fā)明具體實施例之一中用以估計晶體管的摻添區(qū)的水平方向擴散的取樣結(jié)構(gòu)。
圖4C及4D分別以平面圖及橫切面圖說明顯示，圖4A及4B取樣結(jié)構(gòu)經(jīng)過去除氧化物罩11及退火。
圖5A-5E的一系列截面圖顯示產(chǎn)生圖4C及4D型態(tài)的取樣結(jié)構(gòu)的制程。
圖6流程圖展示測量的過程。
圖7A顯示在照射圖4A和4B取樣結(jié)構(gòu)的截面圖，并顯示表面載子分布和深層載子分布的反射部分。
圖7B于圖表中展示，沿著兩個鄰近摻添區(qū)14b以及14c的中央線以過量載子濃度對深度作圖，由表面反射部分PRSC測量。
圖7C于圖表中展示，沿著摻添區(qū)14d的中央線以過量載子濃度對深度作圖，由表面反射部分PRJC測量。
圖7D于圖中顯示，其以實測的訊號對參考晶片的水平方向擴散繪制校正曲線，顯示如何將測量結(jié)果轉(zhuǎn)換成水平方向擴散值以及如何設(shè)定制程的控制限值。
圖8的方框圖顯示，依圖6的方式評估取樣結(jié)構(gòu)的硬件構(gòu)造。
圖9的截面圖顯示，對具有充分摻添區(qū)與未摻添區(qū)的結(jié)構(gòu)進行掃描。
圖10顯示，由線型的斜率獲取水平方向的擴散(其在摻添提高時會顯示訊號減弱時)。
注意，此類圖標并未按照比例。
附圖標記說明wr摻添區(qū)的寬度Dr 布植區(qū)深度Vd 深度Hd 距離PIN光束PRSO、PRSC、PRJC表面反射部分Wb摻添區(qū)的間隙S間隙Su 訊號控制的上限值Sm 訊號值Sl 訊號控制的下限值Du 水平方向擴散的最大值Dm 水平方向擴散值Dl 水平方向擴散的最小值Wa 摻添區(qū)的間隙14a-14h 退火后的布植區(qū)13a-13h 布植區(qū)12a-12h 孔1s 源極區(qū)1d 汲極區(qū)2s 源極外延區(qū)2d 汲極外延區(qū)3甬道4閘極絕緣體
5閘極10sa、10da、10sb、10db、11a、波形11b10 基底11 光阻層14b、14c、14d摻添區(qū)15d、15s 濃度15 過量載子分布16 探測光束17、18、19 反射部分20、816 晶片表面21 界限24 接合點30、331 晶片310 圖案化工具311 離子布植機312 氧化物罩去除工具313 退火爐314 測量工具315 工廠計算機320 總線321、322 接點701 反應(yīng)曲線801 載子生產(chǎn)激光803 準直光束805 測量激光807、823 準直鏡
809、811 光束810 雙色鏡812、814 分光器815 接物鏡817 透鏡818 相機819 濾光器820 偵測器821 激光驅(qū)動器824 轉(zhuǎn)阻放大器825 鎖相放大器901 激光束902 位置920 水平線930 圖案941、942、943區(qū)域950 摻添區(qū)1010、1020 線1030、1041u、1041d、1042u、 點1042d、1043u、1043d、1050、10具體實施方式
本發(fā)明具體實施例之一是基于在導體晶片內(nèi)產(chǎn)生一種取樣結(jié)構(gòu)和其后對取樣結(jié)構(gòu)的一個或多個性質(zhì)進行非接觸性測量。測得的此取樣結(jié)構(gòu)的性質(zhì)可用于，例如，估計晶體管內(nèi)摻添區(qū)的水平方向擴散，例如若取樣結(jié)構(gòu)也包括摻添區(qū)。
某些具體實施例中，這樣的測量結(jié)果用于以反饋回路控制晶片制程技術(shù)。特別地，在具體實施例之一中，其在晶片制造之內(nèi)形成一個或多個取樣結(jié)構(gòu)，即與晶體管同時建造，如act 301的說明(圖3A)。如果是要評估晶體管的摻添區(qū)的水平方向擴散，這在act 301內(nèi)形成的取樣結(jié)構(gòu)可能需要植入摻雜原子，且視此具體實施例而異，可在以此晶片植入形成晶體管的同時進行植入。然而，在另一個具體實施例中，其它測試結(jié)構(gòu)亦可形成，例如若欲評估金屬層的性質(zhì)便可形成一部份金屬層。
待一個或多個取樣結(jié)構(gòu)形成后，內(nèi)含此取樣結(jié)構(gòu)的晶片便與一個測量系統(tǒng)聯(lián)機(參見圖3A的act 302)，接著使用非接觸型探針測量代表此取樣結(jié)構(gòu)尺寸的訊號，(參見圖3A的act 303)?？蓪σ粋€或多個acts 302以及303重復(fù)進行，例如act 304的多重取樣結(jié)構(gòu)，并可交替的或同時的進行其它種熟悉此技術(shù)的專業(yè)人士顯見的測量。
其后，將act 303內(nèi)進行的此測量結(jié)果與預(yù)定的限制值相較，若測量結(jié)果落在限制內(nèi)，可繼續(xù)制造此晶片(參見圖3A的act 306)，接著返回act301(說明如上)以便在相同晶片內(nèi)或在另一晶片內(nèi)形成另一個取樣結(jié)構(gòu)。若測量值落在此預(yù)定限值之外，則須更改制程中使用的參數(shù)(參見圖3A的act307)，且視背離值而異可將此晶片棄除或另外再予以處理。
因此，此取樣結(jié)構(gòu)的性質(zhì)是在制造晶片時以原位方式進行，且在具體實施例之一中，測量工具314(圖3B)是和其它種晶片制造工具同放，例如退火爐313、離子布植機311、圖案化工具310以及氧化物罩去除工具312。晶片331(圖3B)可進入圖案化工具310，在此與待形成晶體管的源極與汲極外延相關(guān)的圖案、以及一個或多個取樣結(jié)構(gòu)的摻添區(qū)，即在晶片331上形成。
具體實施例之一中，在圖案轉(zhuǎn)移后及在離子植入之前，用通?？扇〉玫墓ぞ?，例如掃描電子顯微鏡(SEM)測量圖案的線寬。在此具體實施例中，線寬測量結(jié)果是用于矯正微影蝕刻的圖案轉(zhuǎn)移誤差，其會影響以后即將進行的水平方向擴散測量分析。
其后，將晶片331插入離子布植機311，在其中將摻雜原子植入。其次，以工具312將植入罩移除，在退火爐313內(nèi)待此晶片退火。其后，在此晶片內(nèi)的取樣結(jié)構(gòu)是使用工具314依上述acts 302-303進行評估。工具314產(chǎn)生的測量訊號可供傳輸?shù)娇偩€320，后者是通過接點321連接至退火爐313并通過接點322到達離子布植機311，以提供反饋訊號到此類工具311和313。此外，或額外地，總線320的測量訊號可通過接點322輸送到工廠計算機315。工廠計算機315可儲存此測量訊號意以便供將來與(例如)晶片331上的組件的電效能對應(yīng)。
在以act 303(圖3A)測量在依據(jù)本發(fā)明成品晶片上形成的測試結(jié)構(gòu)的尺寸或其它性質(zhì)時可使用任何技術(shù)上已習知的方法。例如，可使用描述于美國專利申請案號09/544,280、09/274,821以及09/799,481中的型態(tài)的一個或多個方法參照圖3A及3B的方式。甚至，視特定用途而異，任何種類的測試結(jié)構(gòu)均可在晶片制造上形成，熟悉技術(shù)的專業(yè)人士在本說明書中將可認識。
圖4A及4B在平面圖及截面圖中顯示該取樣結(jié)構(gòu)的實施例。在圖4A的實施例中，此取樣結(jié)構(gòu)包括許多離子布植區(qū)13a-13h(實施例中展示八個區(qū)域，雖然視其它因素而定，例如測量系統(tǒng)校準圖案的能力、或在集成電路模具中的空間限制，可使用較多或較少)。
晶片的取樣結(jié)構(gòu)的13a-13h區(qū)域可為形狀尺寸完全相同者(例如長方形塊狀)，彼此均平行排列，若由晶片30上方的方向C望去(圖4B)，可看出其形成一列整齊平行的區(qū)段13a-13h(圖4A)。在此實施例中，區(qū)域13a-13h的方位均垂直于共同直線E(圖4A)，而使此類布植區(qū)彼此平行。
在其中一個特別的具體實施例中，布植區(qū)13a-13h的中心對中心的間隙為S而區(qū)與區(qū)的距離為wb。在設(shè)計內(nèi)含區(qū)域13a-13h的測試結(jié)構(gòu)時，可將間距(S)縮小至微影蝕刻術(shù)的分辨率限值內(nèi)。如此將能使在尺寸有小變異時所測得的訊號(例如因水平方向擴散所致)效應(yīng)加大。例如，S可選定為0.26微米而wb可為0.13微米，視微影蝕刻的幾何形狀態(tài)而定。雖然圖4A的具體實施例中，13a-13h中任意兩個鄰近區(qū)的S以及wb均相同，在另一個具體實施例中也可使用其它種預(yù)定的幾何形狀。例如，在另一個具體實施例中，此距離S以及Wb在預(yù)定的方向內(nèi)(例如沿著線E從左至右)漸進地增加。此外，在另一具體實施例中，許多這樣的取樣結(jié)構(gòu)已形成，而雖然在取樣結(jié)構(gòu)中此距離S以及Wb系相同，此距離在不同取樣結(jié)構(gòu)中則不同。
此外，在圖4A及4B的實施例中，13a-13h各區(qū)的寬度wr均全與區(qū)域間隙距離Wb相等，例如0.13微米。然而，在此例中圖3A的方法在wr與wb不相等時便不可行。值得注意的是，當使用圖3A的方法時，條的寬度和間隙的寬度并無限制。此方法在條的寬度和間隙的寬度不相等時依然可行。
如上述所言，應(yīng)將取樣結(jié)構(gòu)的尺寸設(shè)計得盡可能的小。這種設(shè)計能達到水平方向擴散封閉空間wb的測量程度。此效應(yīng)正比于比例2d/wb，其中d是水平方向擴散距離(產(chǎn)生2的系數(shù)是由于擴散在兩側(cè)均會進行)。例如，如果此水平方向擴散是d＝.03微米而Wb是0.13微米，則此比例效應(yīng)是.06/.13，或大約50％。若wb較大，如1微米，則此效應(yīng)是只有.06/1，或大約6％。因此，可將尺寸設(shè)計得盡量小。同時，摻添區(qū)WR的寬度可選擇至少為此水平方向擴散的兩倍，而使摻添塊內(nèi)的摻雜物不致于因水平方向擴散而耗盡。
在13a-13h鄰近區(qū)域的間隙S為漸進式增加的具體實施例中，其可由.26增加至.5微米并使其間距固定(相等的條寬及缺口)。此外，S可自.26增加至.5微米并使其缺口固定在0.13微米而變化摻添條的長度，或固定摻添條的寬度在0.13微米而變化缺口。
在具體實施例之一中，用于形成區(qū)域13a-13h(圖4A)的離子布植物的能量及劑量與用于形成存在于此半導體晶片中的晶體管(為正常的電子線路的一部份)的源極/汲極外延區(qū)的離子布植物完全相同。取樣結(jié)構(gòu)的此能量以及劑量可選定成與此MOS晶體管一致，其原因有二第一，它最能代表真實的晶體管摻添，第二則是其不需要再另外進行制造步驟。在圖4A及4B的具體實施例中，此摻雜原子的布植深度多達Dr(圖4B)，可為例如，50。此類布植物可為非常淺，一般＜100。在此具體實施例中，此布植參數(shù)是布植物(B、As、P、Sb、等)、能量(一般為0.2至2keV)、以及劑量(一般為1×1014至3×1015原子/公分2)。其退火參數(shù)一般是其溫度(約在1000℃)、時間(即刻至10秒)、升至溫度的加溫速率(50至200℃/秒)以及降溫時間(與加溫速率相同)。
此布植區(qū)域13a-13h的長度(圖4A)(在垂直此圖4B的紙平面的方向)一般是若干微米(約或大于10微米)，以便供激光點與(在測量時將會用到，如下述)和此取樣結(jié)構(gòu)對準。因此，如果可將目前所用的點尺寸3微米(如下述)將來成比例地建造得較小，則線長L(約10微米)將來可以更小。目前該方法的分辨率在具體實施例之一中少于10。
在晶片30退火之后，其布植區(qū)域的尺寸由于擴散而增加，如展示于圖4C。原來在晶片30形成之區(qū)域13a-13h以虛線展示，而在退火之后變得較大且以區(qū)域14a-14h標記。區(qū)域14a-14h(圖4C及4D)的區(qū)間隙為wa，其中wa＜wb。示范的數(shù)值如wb＝200nm；wa＝120nm。
一種制造上述圖4A及4B型態(tài)的取樣結(jié)構(gòu)的方法如圖5A-5D所展示，作為具體實施例。首先，將光阻層11施用于晶片30表面(圖5A)。其次，光阻劑經(jīng)過曝光及顯影使光阻層11產(chǎn)生圖案，在光阻層11上制造孔12a-12h(圖5B)。
上述方法(如先前段落所述)也適用于產(chǎn)生硅晶片晶體管的一個或多個部份。例如，源極與汲極區(qū)、及其外延區(qū)也可在形成區(qū)域13a-13h的同時形成，視具體實例而定。若然，則除了形成取樣結(jié)構(gòu)所需的孔12a-12h之外，層11在晶體管即將形成的區(qū)域也帶有孔。此外，晶片30上各種不同的晶體管的所有區(qū)域均可分別且依照與上述不同的方法形成，視具體實施例而異。
采用離子植入是為了在孔12a-12h下方(及在任何可能在形成晶體管時出現(xiàn)的額外孔的下方)形成區(qū)域13a-13h。光阻層11則阻擋了其它的離子布植物(圖5C)。其后將光阻劑11移除，在基底10上留下布植區(qū)域13a-13h(圖5D)。
值得注意的是圖案區(qū)13a-13h的寬度可能異于微影蝕刻圖案轉(zhuǎn)移罩上所用的寬度。例如，如果此圖案是過度曝光，此線可能會變寬。某些具體實施例中，線寬知識用來導出水平方向擴散測量。此時，一些制程的具體實施例便在此時進行使用SEM測量真實的線寬。
最后，使此晶片退火，引起布植區(qū)13a-13h發(fā)生擴散，形成膨脹的摻添區(qū)14a-14h(圖5E)。此膨脹的摻添區(qū)14a-14h超過對應(yīng)的布植區(qū)域13a-13h的深度有Vd，且水平尺寸也超過距離Hd。此水平尺寸的改變Hd與對應(yīng)的垂直尺寸Vd的相關(guān)性系依循下列準則水平方向的擴散約為垂直向的0.7倍。本文中的一種方法可免除依賴這種準則，因為其為實際測量水平方向的擴散。正如上文所言，此道步驟可與晶體管的制造步驟合并進行，例如浸蝕接觸窗或門極結(jié)構(gòu)。因此，無須使用額外的罩或制造步驟來形成取樣結(jié)構(gòu)，除了一些正常用來形成集成電路的，即在無取樣結(jié)構(gòu)的情況下也須要的。
在退火期間水平方向擴散橫跨距離Hd會造成摻添區(qū)14a-14h(也稱為″摻添手指″)之間的間隙縮小。因此，本發(fā)明其中一個具體實施例即以測量空間縮小程度wa-wb來估算源極與汲極外延2s及2d之間的水平方向擴散。此間隙縮少的測量試驗在退火前后以測量距離wb及wa進行，例如參考下述圖6。在其中一個實施例中，退火前的距離Wb等于印刷罩的寬度，且可用SEM測量；退火后的距離使用本文前述的方法測量。不過，正如上述所言，也可采用其它方法來測量此間隙。而某些具體實施例中并未計算間隙的縮小值wa-wb，而是用間隙wa或間隙wb或兩者個別地用于施行制程控制。
測量摻添區(qū)的間隙wa或wb時，視具體實施例而定，有一或兩道光束照射在取樣結(jié)構(gòu)上。特定而言，第一光束(亦稱為″泵光束″)，其光子位于半導體材料能隙之上，最初是瞄準在取樣結(jié)構(gòu)(如圖6 act 601說明)。取樣結(jié)構(gòu)經(jīng)此照射后會產(chǎn)過量載子，且過量載子的濃度在較低摻添區(qū)較高，在較高摻添布植區(qū)較低。此外，第二光束(也稱為″探測光束″)是用于測量(如圖6的act602)，且在圖7A中兩道光束(其為同時)是由箭號16代表，其亦標記成PIN。載子濃度的差異會造成載子分布在交叉斜線區(qū)15(參見圖7A)高于摻添區(qū)14a-14h。
圖7B以及圖7C顯示過量載子濃度為深度的函數(shù)。這些圖標均顯示由泵光束照射所造成的過量載子濃度；亦即，載子濃度隨著光束的頻率調(diào)整而變化(而非總載子濃度，因為有背景載子而較高)。
在摻添區(qū)14a-14h之間的區(qū)域中，過量載子濃度15s(圖7B)由表面20到在基底10內(nèi)摻添區(qū)的終點均保持不變(圖7B)。摻添區(qū)的深度也許在200至400左右。此濃度在較深處-數(shù)微米約略維持不變。載子濃度的數(shù)值15s依泵光束的強度而異。就以受照射級數(shù)在5mW的激光強度照射的晶片表面20而言，當受波長830毫微米的光束聚焦在直徑3微米的點時，在光束直徑范圍內(nèi)(即照射區(qū))的過量載子濃度15s可能落在1x1078載子/公分3的等級。此過量載子濃度在光束以外逐漸變細。不過，在此光束直徑以外發(fā)生的事對于此測量方法并不重要，只要此探測光束點落在泵的區(qū)域內(nèi)即可。
沿著一條垂直線穿過摻添區(qū)14d，距離表面20愈遠，其過量載子濃度15d(圖7C)會愈高。摻添區(qū)14d與區(qū)14a-14h是完全相同的。根據(jù)此理由，相同的波形也出現(xiàn)在圖7A，有一條垂直切線7C-7C穿過摻添區(qū)14g。過量載子濃度15d是沿著切線穿過任何摻添線段14a-14h的濃度波形。一條穿過二個摻添線段14g及14h缺口的第二切線7B-7B在圖7B中沿著此切割線有過量載子波形。
在14a-14h各摻添區(qū)的下方，通常是在界限(21)的下方數(shù)百(200-300)處，其濃度15d(圖7C)大約等于濃度15s(圖7B)。不過，當沿著此垂直線從基底10朝向晶片表面20垂直向上時，濃度15d最初維持固定不變，直到抵達摻添區(qū)14d的水平界限21，且在這個界限21處濃度15d遽降且其幅度低于濃度15s達數(shù)階。在圖7A，虛線24代表每個摻添區(qū)的界限21所在的水平面。
水平陡度分布測量根據(jù)下式得出，因為其凈訊號是(％缺口的面積)×表面之訊號+(％摻添區(qū)的面積)×接合點24的訊號)。當水平方向擴散增加時，摻添區(qū)的面積百分比增加且非摻添區(qū)的面積百分比下降。因此，所測得的訊號是測量水平方向擴散。同時，所測得的訊號是接合深度24的函數(shù)，因此深度為此測量的一部分，而接合深度可由圖10所示得出且如下文討論。
硅的折射率已知是其傳導性的函數(shù)，且根據(jù)下式隨著過量載子濃度呈線性增加Δn=q2N2ϵ0ϵsm*ω2---(1)]]>其中Δn是折射率的變化，N為過量載子濃度(在本案例中，其為在黑暗中的濃度與在產(chǎn)生載子的條件(例如光照)下的濃度差異)，εo是真空電容率，εs是硅的介電常數(shù)，m*是此載子的有效質(zhì)量，q是電價，以及w是照射載子的光的頻率。此關(guān)系式來自已知的Drude傳導模式(參見Jackson，Electrodynamics)。
由于過量載子濃度造成折射率改變，因而在摻添區(qū)之間的晶片表面20會發(fā)生急速的折射率梯度，而在擴散區(qū)域14a-14h的較低界面21則會出現(xiàn)較和緩的梯度。不過，此表面梯度在摻添區(qū)內(nèi)已大為縮小(因為在摻添區(qū)內(nèi)的過量載子濃度較小)。同時，深度24的梯度在摻添區(qū)14a-14h的缺口處并不存在，因為缺口區(qū)域的深度并沒有摻添步驟。
探測光束16(圖7A)可沿著擴散區(qū)14a-14h的長軸極化(即沿著垂直于圖7A中紙的平面的線極化)，不過探測光束16也可未經(jīng)極化，視具體實施例而異。美國專利申請案序號09/521,232(申請日期2000年3月8日)曾提及使平行于長軸的泵光束或探測光束其中之一或兩者極化，能提高其對于摻添區(qū)以及介于區(qū)域間的空間存在的敏感度。當探測光束撞擊在半導體晶片30上時，便出現(xiàn)了不同的反射部分，如圖7A中箭頭17、18以及19所展示。反射部分17從表面20前方出現(xiàn)，因為其材質(zhì)是從空氣改成硅。無論過量載子分布15是否存在，此探測光束反射部分17依然出現(xiàn)。另一個反射部分18也出自表面20，且其是由于半導體10表面20上的過量載子濃度15s中的急速梯度造成部份的折射率所致。不過，另一個反射部分19則是由于在摻添區(qū)14a-14h的較低邊沿21上的過量載子濃度15d的梯度所引起。
其中一個具體實施例包括調(diào)控第一光束，以及用鎖相放大器測量第二光束經(jīng)過調(diào)控后的反射部分的強度，例如act 603(圖6)的展示。然而，因為反射部分18以及19只有在過量載子存在時才出現(xiàn)，因此要分辨這些反射部分與其它反射部分時，只須將載子生產(chǎn)(例如通過第一光束)開及關(guān)便可。測量第二光束的反射時可因此先轉(zhuǎn)開第一光束，然后再關(guān)閉第一光束，取此兩個測量結(jié)果的差值，進行act 603。
若是要調(diào)控第一光束的強度，在具體實施例之一中此調(diào)控頻率是低于未摻添區(qū)內(nèi)載子生命期的倒數(shù)。在某些具體實施例中這是用以形成圖7C所述的載子分布。就生命周期100微秒者，其頻率可選定在10kHz以下，在其它具體實施例可能有所不同。可測量的訊號將出現(xiàn)在較高頻，但也可能弱化。較佳的具體實施例中，因此，使用較低頻。在較高的頻率下，載波也將產(chǎn)生。在此案例中，上述的過量載子濃度分布(其結(jié)果乃為一個靜態(tài)擴散公式之解答)并不符合，且此訊號將是載波反射與靜態(tài)分布重疊的結(jié)果，后者才是所欲得的訊號。
特別言之，以頻率ω周期性激發(fā)下，具時間依存性的擴散公式如下∂2n∂z2-nD(1τ-jω)=0---(2)]]>其中D是散射率，i是生命周期，n為過量載子濃度，而j是(-1)的平方根。當ω＞＞1/τ時，第二項便不存在，產(chǎn)生了波型解。相反地，當ω＜＜1/τ，即產(chǎn)生了靜態(tài)解。
其中，因過量載子的表面濃度產(chǎn)生的反射部分18其相對強度是水平方向擴散的函數(shù)。例如，試想在極端狀況下，水平方向擴散將擴散區(qū)之間的空間完全用盡(wa＝0)。此時，反射部分18為零。相反地在無水平方向擴散時，反射部分18最大。因此，反射部分18將僅隨著水平方向擴散而異，而其強度的測量結(jié)果則與水平方向擴散有關(guān)。
偵測器的訊號可用反射部分17、18以及19描述如下。源自表面20的反射振幅是反射部分17和18的總和，可記述成rs＝rs0+Δrs(3)其中右邊第一項為反射部分17，而第二項為反射部分18。反射部分19，源自擴散區(qū)較低邊21的反射振幅，則通過光線運輸而相位轉(zhuǎn)移到較低邊21及后方，描述成rj(z)＝rjej2nkz(4)其中n為硅的折射率，k＝2/λ是其波數(shù)，其中λ為波長，而Z為表面20及擴散區(qū)21較低邊之間的距離。
偵測器的功率是反射值總和的平方，如下述；P=|rs0+Δrs+rjej2nkz|2=rs02+2rs0Δrs+2rs0rjcos(2nkz)---(5)]]>在上式中，二次方項已忽略，因為反射部分rso數(shù)值通常大于其它項的數(shù)次方。若將訊號過濾以移除dc反射部分，則僅剩下最后兩項，P＝2rs0(Δrs+rjcos(2nkz))(6)其中在括號內(nèi)有兩項。此兩項的相對量相當于晶片表面的摻添區(qū)和未摻添區(qū)的相對寬度。此外，第二項是摻添區(qū)垂直深度的函數(shù)。
上式中，可知測得的訊號是來自摻添區(qū)及未摻添區(qū)的訊號的線性重疊。在極端狀況之一，晶片未經(jīng)摻添(摻添區(qū)寬度為零)，訊號取自未摻添的晶片。在另一極端狀況，晶片是充分摻添(未摻添區(qū)-介于摻添線之間的缺口-的寬度是零)而其訊號是取自經(jīng)摻添的晶片。訊號以摻添區(qū)未摻添區(qū)表面面積的比例作為函數(shù)，在此兩種極端之間呈線性變化。
在一個具體實施例中，其陡度分布使用圖7D的圖形取得。對以現(xiàn)有技術(shù)方法測試的參考晶片進行獨立的校正實驗可求得反應(yīng)曲線701。在這些實驗中，取樣結(jié)構(gòu)的樣品建立于參考晶片中并依序在較長的時間或溫度下經(jīng)歷退火。這些樣品依上述圖6所言測量而產(chǎn)生訊號。此退火后擴散區(qū)的深度Dr(圖4B)可依常見方法例如SIMS(其中提供擴散量估計值)而求得。在一個實施例中，此曲線701根據(jù)下表定義圖7D的符號值Sf20,000μV/條件化的Sl17,600μV/條件化的Sm18,000μV/條件化的Su18,500μV/條件化的Df500Du200Dm250Dl300在圖7D展示的實施例中，取樣結(jié)構(gòu)由摻添線寬2800和線的間隔2400形成。所測得的訊號其接合深度為400。
參見圖7D，在曲線701斜坡部份之后有一段平臺區(qū)，其理由如下。某些退火時間及/或溫度最大的參考晶片其擴散作用能將擴散區(qū)域完全連接，使得間隔wa為零且曲線701呈平坦狀，如所展示的大于Dx的大量水平方向擴散(圖4D)。因此，Dx的位置能用以測量水平方向擴散Hd對垂直擴散Vd的比例(圖4D)，因為當水平方向擴散Hd的值等于介于布植區(qū)之間的間隔wb的一半時，則距離wb便由罩的圖案設(shè)定。
然后此校正曲線701(圖7D)可用以控制生產(chǎn)中晶片(亦稱為″晶片制造″)的擴散過程。依上述圖6的方式測試未知樣品并得到一個訊號值SM。此訊號相當于一個從曲線701求得的水平方向擴散數(shù)值DM。訊號控制的上限及下限值SU及SL可設(shè)定為對應(yīng)于水平方向擴散的最大值以及最小值Du以及DL。當測得的訊號超出這些極限值SU或SL時，會激活警訊及/或自動調(diào)節(jié)。
較佳的硬件構(gòu)造展示于圖8。載子生產(chǎn)激光801為波長830毫微米的二極泵激光(Spectra Diode Labs，San Jose CA)。其輸出是以準直鏡823校正平行，成為準直光束803。測量激光805為波長980毫微米的二極泵激光(Spectra Diode Labs，San Jose CA)。其輸出是以準直鏡807校正平行，成為準直光束809。
使用雙色鏡810合并光束809及803以產(chǎn)生合并的光束811。此光束通過50∶50分光器812、90∶10分光器814、以及接物鏡815(100X，Olympus，Tokyo，Japan)。透鏡815將光束811對準到晶片表面816之上。反射訊號部分再經(jīng)透鏡815校正平行。分光器814將10％的回歸光束轉(zhuǎn)向透鏡817及相機818，供應(yīng)一種將光點對齊圖案的系統(tǒng)。
在圖8未顯示的是自動對焦系統(tǒng)，其中包括針孔、塞孔以及偵測器，其亦利用一部分經(jīng)分光器814轉(zhuǎn)向的回歸光束。此回歸光束然后進入分光器812，再通過濾光器819。過濾器819讓從測量激光805發(fā)出的光通過，但阻擋了生產(chǎn)激光801發(fā)出的光。
該穿透部分會到達偵測器820，其為一種硅光電二極管。此光電二極管的電流經(jīng)轉(zhuǎn)阻放大器824轉(zhuǎn)換成電壓，其輸出則朝往鎖相放大器825。鎖相放大器825的輸出通往數(shù)字計算機，在收取信號后并展現(xiàn)給使用者或其它數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)。鎖相825包括一個頻率參考用于調(diào)控激光驅(qū)動器821，其能提供經(jīng)調(diào)控驅(qū)動輸出給激光發(fā)送器801。
上述討論顯示本發(fā)明的某些具體實施例。其它的具體實施例以及此描述的具體實施例的變更就熟悉此技術(shù)的專業(yè)人士的專業(yè)而言均有可能。
例如，上述具體實施例之一意指光阻劑作為布植罩層11的用途。然而，其它材料也可使用，在為了將取樣結(jié)構(gòu)的形成與晶片制程通常使用的流程整合為一時甚至為較佳上選。
例如，罩的材料可為一些沉淀的材料，例如二氧化硅、多晶硅及/或氮化硅。
某些具體實施例與過程控制有關(guān)。不過，其它具體實施例可應(yīng)用在制程發(fā)展。例如，當發(fā)展工程師想要比較以不同的激光退火處理后所可能產(chǎn)生的陡度(亦即使用激光束加熱硅的局部部位以活化摻雜原子)，此測試方法便可提供資料。就此案例而言，取樣結(jié)構(gòu)的可能性便擴大了，因為再也不須配合標準流程了。例如，可使用狹窄聚線的罩，然后放置間隙器(氮化硅層在聚線的一邊，如同一般常施用在晶體管的多晶硅光閘上)，然后在去除此罩之前先行退火以減少間隙器可能帶來的緊迫效應(yīng)。其它在發(fā)展制程時的可能特制結(jié)構(gòu)并無限制，不過仍會使用上述文中的一種或多種原理。
在另一具體實施例中，充分摻添區(qū)及未摻添區(qū)均包含在測試圖案內(nèi)。如圖9所展示，在測試結(jié)構(gòu)中可包括五個圖案930、941、942、943及950，其中圖案930為充分摻添區(qū)(無條紋圖案，100％摻添)。圖案950為充分未摻添區(qū)(無離子布植，0％摻添)。在各圖案中，圖案941、942以及943的摻添條(也稱為″布植區(qū)域″)的寬度不變，三個圖案的未摻添區(qū)的寬度則漸增加。其它具體實施例可使用別種圖案或不同數(shù)目的圖案。在此實施例內(nèi)，在退火前的尺寸(被稱為此印刷尺寸)是圖案941(50％摻添)的條寬0.1微米以及0.1微米間隔，圖案942(40％摻添)的條寬0.1微米以及0.15微米間隔，圖案943(33％摻添)的條寬0.1微米以及0.2微米間隔。
上述取樣結(jié)構(gòu)型態(tài)的測量結(jié)果是在圖案930、941-943以及950的位置進行。例如，第一個測量是在圖案930上進行。然后以位置901上的激光束沿著水平線920掃瞄至測量終點圖案950的位置902，沿著水平線920在每一個數(shù)字位點上均進行測量。例如，在內(nèi)含圖案930、941、942、943以及950的這五個區(qū)域進行五個測量結(jié)果。在另一具體實施例以內(nèi)含大規(guī)模測量次數(shù)的線掃描進行，例如在位置901以及902之間沿著線920在進行100個固定增量區(qū)間進行測量而取得101個測試值。在一個實施例中，各圖案均是10微米寬及區(qū)間0.5微米，以便在101道步驟中完成50微米長的圖案。
當晶片中的一部份區(qū)域受光束照射并測取其反射光束，所測取的訊號是此摻添區(qū)及未摻添區(qū)在此測試部位內(nèi)的訊號的重疊，以下式表示S＝SD×FD+SU×FU(7)當S是訊號，SD以及SU分別是來自充分摻添區(qū)以及未摻添區(qū)的訊號，而FD以及Fu分別是摻添以及未摻添的測量面積分率。其中，摻添以及未摻添的測量面積比例由下式表示FD=WPD+2δP---(8)]]>FU=WPU-2δP---(9)]]>其中δ是水平方向擴散距離，P是間距(在條與條之間由中心-到-中心的間隔距離)，WPD以及WPU分別是摻添區(qū)以及未摻添區(qū)的印刷寬度(P＝WPD+WPU)，此訊號的公式如下S=SDFPD+SUFPU-2δP(SD-SU)---(10)]]>其中FPD以及FPU是摻添及未摻添的測量面積的印刷分率。上式經(jīng)過整理后，可得出在水平方向的擴散δ=P2×SDFPD+SUFPU-S(SD-SU)---(11)]]>使用如圖9所示的測試結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于，上述所有公式的數(shù)值均為已知，因此可直接計算求得。特定而言，間距p是由經(jīng)微影蝕刻的罩設(shè)定且已預(yù)先知道。摻添以及未摻添的印刷分率FPD以及FPU可從測量光阻罩的罩或SEM兩者之一得知。摻添區(qū)的訊號SD可由測量位置930而得知。從未摻添區(qū)SD發(fā)出的訊號則是由位置950測量出。各區(qū)941、942和942有不同印刷分率FPD以及FPU其由間距及摻添條的寬度設(shè)定。
圖10展示一個具體實施例的實測訊號，其為印刷摻添的測試面積的分率的函數(shù)。若無水平方向擴散，則訊號將如線形1010。點1030等于充分摻添區(qū)950的訊號(其可為，例如，2000μV及接合深度350)。點1050等于在完全未摻添區(qū)950的訊號，其可為20,000μV。在零水平方向擴散和30毫微米水平方向擴散的情況下，其訊號如下表。

若無水平方向擴散，點1041u、1042u以及1043u是在區(qū)941、942以及943測得。這些點落在連接著點1050(對整個完全未摻添區(qū)950施測)和點1030(對整個充份摻添區(qū)930施測)的直線上。不過，若有水平方向擴散，此對應(yīng)的點會落在斜率較小的線上，例如線1020。此線1020連接著點1030、1041d、1042d、以及1043d，且與垂直軸交會于位在點1050下方的點1051。將源自區(qū)域941、942或943三者其中之二的訊號(訊號1041d、1042d、或1043d)代入上述公式11即可求得水平方向擴散δ。這些結(jié)果可由一個區(qū)域中求得，或取數(shù)個區(qū)的平均值以改善準確度。
如是多種該修飾、更動及變化均涵蓋于本文隨附的權(quán)利要求范圍。
權(quán)利要求
1.一種評估半導體晶片的方法，該方法包含在半導體材料中形成具有預(yù)定幾何形狀的取樣結(jié)構(gòu)，該取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)含數(shù)個彼此獨立的區(qū)域，這數(shù)個區(qū)域中至少有一個區(qū)域的性質(zhì)與這數(shù)個區(qū)域中的另外區(qū)域不同；測量源自該取樣結(jié)構(gòu)的反射光，該反射光具有一部分，此部分包含來自具不同電子性質(zhì)的區(qū)域中振幅或相位不同的反射光的重疊部分；分析測得的訊號以決定區(qū)域內(nèi)水平方向擴散的程度；以水平方向擴散結(jié)果決定是否接受或拒絕該晶片做進一步處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中這數(shù)個區(qū)域包含至少一個近乎完全摻添的第一區(qū)，及一個近乎未摻添的第二區(qū)；及該方法包含測量源自取樣結(jié)構(gòu)的反射光，該反射光具有源自每一該第一區(qū)及該第二區(qū)的光的部分。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中位于該至少一個區(qū)域內(nèi)的一部份摻添為已知；及分析包括使用這部分摻添來決定水平方向擴散的程度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含以第一光束照射至少一部份取樣結(jié)構(gòu)以產(chǎn)生數(shù)個電荷載子；以第二光束照射以便測量半導體晶片的至少一個區(qū)域，該晶片的數(shù)個電荷載子中至少有一部份是因第一光束的照射而產(chǎn)生的。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中第一光束及第二光束的每一個為同時發(fā)生。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中第一光束及第二光束其中至少一個經(jīng)過偏極化。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該取樣結(jié)構(gòu)包括數(shù)個摻添區(qū)，每一摻添區(qū)與彼此鄰近的另一摻添區(qū)分離；且偏極化是與各摻添區(qū)平行。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一光束及第二光束均經(jīng)過偏極化。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，還包含將第一光束的強度調(diào)控在一預(yù)定的頻率；及在測量中使用該預(yù)定的頻率。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中各摻添區(qū)與其毗連的摻添區(qū)相隔一段固定距離。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中各摻添區(qū)與其毗連的摻添區(qū)相隔一段不同的距離。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該測量會顯示圖案化后的線寬。
13.一種評估半導體晶片的方法，該方法包含在半導體晶片中形成具有預(yù)定幾何形狀的取樣結(jié)構(gòu)；測量代表取樣結(jié)構(gòu)尺寸的訊號，該訊號源自至少一近乎完全摻添區(qū)及一近乎未摻添區(qū)；且視測量所得的訊號而定，改變晶片制程的制造參數(shù)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包含以至少一道電磁輻射光束照射取樣結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中光束經(jīng)過偏極化。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，還包含以第一光束照射取樣結(jié)構(gòu)以產(chǎn)生數(shù)個電荷載子；及以第二光束照射取樣結(jié)構(gòu)以感應(yīng)由第一光束產(chǎn)生的電荷載子的濃度。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中將第一光束調(diào)控在一預(yù)定的頻率；及在測量步驟中使用該預(yù)定頻率。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中測量還額外包括測量在該摻添部分是已知的至少一區(qū)域中的反應(yīng)；及摻添部分是用來決定制程參數(shù)的改變。
19.一種用于評估半導體晶片的設(shè)備，該設(shè)備包含用以在半導體晶片中形成具有預(yù)定幾何形狀的取樣結(jié)構(gòu)的裝置；及用以測量代表取樣結(jié)構(gòu)尺寸的訊號的裝置。
20.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，還包含用于以一道電磁輻射光束照射取樣結(jié)構(gòu)的裝置。
21.一種評估半導體晶片的方法，該方法包含在半導體材料中形成條紋幾何形狀的取樣結(jié)構(gòu)，取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)含數(shù)個彼此獨立的區(qū)域，每一區(qū)域的摻添濃度均與另一相鄰區(qū)域不同；測量源自取樣結(jié)構(gòu)的反射光，該反射光具有一部分來自至少一個區(qū)域的光；分析測得的訊號以決定區(qū)域內(nèi)水平方向擴散的程度；以水平方向擴散結(jié)果決定是否接受或拒絕晶片做進一步處理。
全文摘要
可改變?nèi)魏伟雽w晶片制程技術(shù)來監(jiān)控在摻添層水平方向的陡度分布，以作為晶片制程技術(shù)的另一附加步驟。在具體實施例之一中，包括一個或多個摻添區(qū)的取樣結(jié)構(gòu)形成在制造晶片(例如，同時和一個或多個晶體管一同被形成)中，并測量該取樣結(jié)構(gòu)的一或多個尺寸，并以其來估計晶片內(nèi)其它摻添區(qū)(例如，在同時形成的晶體管)中的陡度分布。取樣結(jié)構(gòu)內(nèi)的摻添區(qū)域彼此之間可以規(guī)律間隙配置，或毗連的摻添區(qū)域可改為以各種不同間隙配置。此外或并且，可在單一晶片內(nèi)形成多重測試構(gòu)造，在各測試構(gòu)造內(nèi)的摻添區(qū)域彼此有著規(guī)則的空間間隔，而不同的測試構(gòu)造則有不同的空間間隔。
文檔編號H01L23/544GK1695240SQ03825155
公開日2005年11月9日 申請日期2003年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月23日
發(fā)明者彼得·G·博登 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司