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高壓陶瓷穿芯電容器的制作方法

文檔序號:6951275閱讀:329來源:國知局
專利名稱:高壓陶瓷穿芯電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種用來有效地抑制微波爐磁控管產(chǎn)生電磁干擾的電容器,尤其涉及該電容器中的一種環(huán)氧樹脂封裝通道結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)既能獲得較好的絕緣效果,又能簡化環(huán)氧樹脂灌注工藝。
背景技術(shù)
微波爐等類似微波裝置都要求大功率微波,利用磁控管可以得到這種微波,但為了防止磁控管泄漏電磁波,而將其放置在屏蔽的金屬箱中,并利用高壓陶瓷穿芯電容器起一旁路濾波作用,防微波泄漏?,F(xiàn)有技術(shù)中,具有代表性的高壓陶瓷穿芯電容器為日本產(chǎn)品(見附圖1)和韓國產(chǎn)品(見附圖2),其結(jié)構(gòu)由上殼體2、下殼體3、導(dǎo)電芯棒4、硅橡膠套管7、陶瓷環(huán)8、底板1以及環(huán)氧樹脂封裝結(jié)構(gòu)組成,上殼體2套在底板1中央凸起側(cè)的外圈上,并形成一上部空間,下殼體3插在底板1凹陷側(cè)的內(nèi)圈上,并形成一下部空間,底板1凸臺臺面上固定陶瓷環(huán)8,一對導(dǎo)電芯棒4裝上蓋5、套上硅橡膠套管7,并插在陶瓷環(huán)8與底板1對應(yīng)的兩個孔中,蓋5將下部空間與上部空間隔離。封裝時采用二次灌注環(huán)氧樹脂工藝固化而成,一次是封裝陶瓷環(huán)孔與套管之間的間隙以及下部空間,另一次是封裝陶瓷環(huán)外部和上部空間。上述日本產(chǎn)品與韓國產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)上的區(qū)別是一個采用橢圓雙孔陶瓷體結(jié)構(gòu)(連體陶瓷環(huán)結(jié)構(gòu)),另一個采用環(huán)形陶瓷體(分體陶瓷環(huán)結(jié)構(gòu)),但是不管是那種產(chǎn)品都存在兩個共同缺點第一是陶瓷環(huán)與套管之間有一個狹窄的“死胡同”6環(huán)形腔,在灌注環(huán)氧樹脂時,內(nèi)部的氣體很難排除,造成絕緣不良,經(jīng)不起高壓試驗,因此產(chǎn)品很難達到耐壓技術(shù)要求(10KV·AC以上)。第二是環(huán)氧樹脂的封裝要采用二次灌注工藝,工藝復(fù)雜,成本高。
本實用新型的目的是提供一種便于環(huán)氧樹脂封裝時排除氣體的高壓陶瓷穿芯電容器結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)既能獲得較好的環(huán)氧樹脂封裝絕緣效果,又能簡化封裝工藝。

發(fā)明內(nèi)容
為達到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是一種高壓陶瓷穿芯電容器,包括金屬底板、殼體、兩根導(dǎo)電芯棒、兩個陶瓷環(huán),底板上設(shè)有兩個安裝孔,兩根導(dǎo)電芯棒外套有一絕緣套管,導(dǎo)電芯棒及絕緣套管分別定位于安裝孔中央,陶瓷環(huán)套設(shè)在絕緣套管外圍,并與套管形成一環(huán)柱形空隙,陶瓷環(huán)的下端面與底板電連接,陶瓷環(huán)的上端面與導(dǎo)電芯棒電連接,以此構(gòu)成陶瓷環(huán)上下端面間的電容結(jié)構(gòu),環(huán)柱形空隙的底部和頂部均設(shè)有向四周延伸的環(huán)氧樹脂灌注通道,該通道與外部封裝空間上下連通,整個封裝空間內(nèi)填充環(huán)氧樹脂。
上述技術(shù)方案的有關(guān)內(nèi)容和變化解釋如下1、上述方案中,所述“金屬底板”既作為電容器的公共極,見圖18,又作為座體或基體。所述“殼體”是一種總稱,它可以包括現(xiàn)有技術(shù)的上殼體和下殼體,也可以為其它結(jié)構(gòu)形式。所述“兩個陶瓷環(huán)”包括連體雙環(huán)結(jié)構(gòu),也包括分體單環(huán)結(jié)構(gòu)。
2、上述方案中,所述環(huán)柱形空隙的底部和頂部結(jié)構(gòu)包含以下三種變化(1)、底部架空支承,頂部敞開第一種方案是在底板頂面環(huán)繞安裝孔至少設(shè)有兩個凸肩,該凸肩從底部架空支承陶瓷環(huán),在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達,頂部敞開的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
第二種方案是在陶瓷環(huán)下端面沿圓周方向間隔設(shè)有至少兩個焊塊或其它支撐結(jié)構(gòu)作為支腳,該支腳將陶瓷環(huán)抬起,在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達,頂部敞開的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
(2)、底部架空支承,頂部漏空屏蔽第一種方案是在底板頂面環(huán)繞安裝孔至少設(shè)有兩個凸肩,該凸肩從底部架空支承陶瓷環(huán),在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙底部形成一個四通八達的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道;而環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的下端口與陶瓷環(huán)上端面電連接,形成一個頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
第二種方案是在陶瓷環(huán)下端面沿圓周方向間隔設(shè)有至少兩個焊塊或其它支撐結(jié)構(gòu)作為支腳,該支腳將陶瓷環(huán)抬起,在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道;而環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的下端口與陶瓷環(huán)上端面電連接,形成一個頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
(3)、底部懸空,頂部漏空屏蔽在環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的上端口套在導(dǎo)電芯棒上,下端口與陶瓷環(huán)上端面連接,陶瓷環(huán)下端面與底板通過導(dǎo)線連接,使環(huán)柱形空隙形成一個底部懸空設(shè)置、頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
3、上述方案中,還包括一定位支撐件,該支撐件固定在底板下側(cè),其對應(yīng)底板兩個安裝孔的位置上分別設(shè)有定位孔,該孔與套管外徑相配,定位孔的上端口處至少設(shè)有兩個定位卡,所有定位卡周向均勻相間分布,外輪廓構(gòu)成一定位圈,該定位圈的外徑與陶瓷環(huán)內(nèi)徑相配,并張緊定位陶瓷環(huán)。參見附圖15中定位卡13。
4、上述方案中,關(guān)于環(huán)氧樹脂的封裝可以采用兩種方式,第一種是直接采用液體環(huán)氧樹脂真空灌注封裝。第二種是先將陶瓷環(huán)浸絕緣漆并采用環(huán)氧粉料包封,然后裝配并真空灌注液體環(huán)氧。
由于上述技術(shù)方案運用,本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點1、把現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)柱形空隙的“死胡同”結(jié)構(gòu)通過架空支承或懸空支承方式,將其底部和頂部變?yōu)闀惩ㄍǖ溃@樣在灌注環(huán)氧樹脂時,既便于排氣,又改善了流動性,因此可以獲得最佳絕緣封裝效果。本實用新型直接采用液體環(huán)氧樹脂真空灌注封裝產(chǎn)品絕緣性能可以達到10KV·AC以上,而采用環(huán)氧粉料包封與液體環(huán)氧封裝相結(jié)合產(chǎn)品絕緣性能可以達到15KV·AC。
2、本實用新型支撐件在發(fā)揮定位作用同時,還將上殼體圍成的上部空間與下殼體圍成的下部空間隔開,見圖9,而且環(huán)柱形空隙底部和頂部均與上部空間連通,因此只要對上部空間一次灌注環(huán)氧樹脂即可整體封裝電容器。與現(xiàn)有二次灌注工藝相比可以簡化環(huán)氧樹脂封裝工藝,有效降低成本。
3、由于環(huán)氧樹脂灌注料對電容器的絕緣強度有很大影響,采用本實用新型結(jié)構(gòu)可以降低環(huán)氧樹脂的使用要求,因此采用國產(chǎn)環(huán)氧樹脂配方也能獲得較好的效果。


附圖1為現(xiàn)有日本產(chǎn)高壓陶瓷穿芯電容器結(jié)構(gòu)示意圖;附圖2為圖1的俯視圖;附圖3為圖1中導(dǎo)電芯棒結(jié)構(gòu)圖;附圖4為圖1中上蓋結(jié)構(gòu)圖;附圖5為圖1中陶瓷絕緣雙環(huán)結(jié)構(gòu)圖;
附圖6為圖5的俯視圖;附圖7為現(xiàn)有韓國產(chǎn)高壓陶瓷穿芯電容器結(jié)構(gòu)示意圖;附圖8為圖7中陶瓷絕緣單環(huán)結(jié)構(gòu)圖;附圖9為本實用新型實施例一結(jié)構(gòu)示意圖;附圖10為圖9中C-C剖面圖;附圖11為圖9的俯視圖;附圖12為圖9中的導(dǎo)電芯棒結(jié)構(gòu)圖;附圖13為圖9中的陶瓷絕緣單環(huán)結(jié)構(gòu)圖;附圖14為圖9中支撐件主視圖;附圖15為圖14的俯視圖;附圖16為圖9中的底板主視圖;附圖17為圖16的俯視圖;附圖18為本實用新型電原理圖;附圖19為本實用新型陶瓷環(huán)與套管、導(dǎo)電芯棒所形成的第一種環(huán)柱形空隙結(jié)構(gòu)示意圖(圖中環(huán)柱形空隙底部架空,頂部敞開);附圖20為本實用新型陶瓷環(huán)與套管、導(dǎo)電芯棒所形成的第二種環(huán)柱形空隙結(jié)構(gòu)示意圖(圖中環(huán)柱形空隙底部架空,頂部漏空屏蔽);附圖21為為本實用新型陶瓷環(huán)與套管、導(dǎo)電芯棒所形成的第三種環(huán)柱形空隙結(jié)構(gòu)示意圖(圖中環(huán)柱形空隙底部懸空,頂部漏空屏蔽)。
以上附圖中1、底板;2、上殼體;3、下殼體;4、導(dǎo)電芯棒;5、上蓋;6、“死胡同”;7、套管;8、陶瓷環(huán);9、內(nèi)孔;10、封裝空間;11、支撐件;12、定位孔;13、定位卡;14、凸肩;15、凸臺;16、凹腔;17、網(wǎng)罩;18、導(dǎo)線;19、連接導(dǎo)體;20、連接點;21、安裝孔。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述實施例一參見附圖9~圖17所示,一種高壓陶瓷穿芯電容器,由金屬底板1、上殼體2、支撐件11、導(dǎo)電芯棒4、硅橡膠套管7、陶瓷環(huán)8以及環(huán)氧樹脂封裝結(jié)構(gòu)組成。金屬底板1既是一個基座又是一個公共電極(見圖18),該底板1中央設(shè)有凸起部,凸起部一側(cè)為凸臺15,另一側(cè)為凹腔16,凸起部上對稱設(shè)有兩個安裝孔21。上殼體2套在底板1中央凸起側(cè)的外圈上,并形成一上部封裝空間10,兩根導(dǎo)電芯棒4外均套有一硅橡膠套管7,套管7及導(dǎo)電芯棒4位于安裝孔21中。兩個陶瓷環(huán)8分別套在套管7外圍,并與套管7形成一環(huán)柱形空隙。支撐件11外圈為一下殼體,中間設(shè)有兩套定位結(jié)構(gòu),每套定位結(jié)構(gòu)對應(yīng)一組導(dǎo)電芯棒4、套管7和陶瓷環(huán)8。支撐件11從下方向上插在底板1凹腔16的內(nèi)圈上,并形成一下部空間。兩套定位結(jié)構(gòu)對應(yīng)兩個安裝孔21位置,并設(shè)有定位孔12,該孔與套管7外徑相配,以此定位套管7和導(dǎo)電芯棒4,定位孔12的上端口處設(shè)有四個定位卡13,四個定位卡13周向均勻相間分布,外輪廓構(gòu)成一圓,該圓的外徑與陶瓷環(huán)8內(nèi)徑相配,以此張緊定位陶瓷環(huán)8。底板1頂面環(huán)繞安裝孔21設(shè)有四個凸肩14,四個凸肩14沿圓周均勻分布,凸肩14之間留有空缺,凸肩14與陶瓷環(huán)8下端面接觸并電連接,四個凸肩14從底部架空支承陶瓷環(huán)8,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達,頂部敞開的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。圖12中,導(dǎo)電芯棒4頂部設(shè)有連接導(dǎo)體19,連接導(dǎo)體下部兩側(cè)分別設(shè)有連接點20,連接點20與陶瓷環(huán)8的上端面電連接。由于支撐件11一方面對陶瓷環(huán)8與套管7和導(dǎo)電芯棒4進行周向定位,另一方面將上部空間與下部空間進行隔開,由于環(huán)柱形空隙的底部和頂部均設(shè)有向四周延伸的環(huán)氧樹脂灌注通道,而且該通道與外部封裝空間上下連通,只要一次填充環(huán)氧樹脂進行整個封裝即可。本實施例環(huán)柱形空隙結(jié)構(gòu)示意見附圖19。
實施例二參見附圖20所示,一種高壓陶瓷穿芯電容器,其結(jié)構(gòu)與實施例一不同之處在于環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩17,該網(wǎng)罩17的下端口與陶瓷環(huán)8上端面連接,形成一個底部四通八達、頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。其它與實施例相同。
實施例三參見附圖21所示,一種高壓陶瓷穿芯電容器,其結(jié)構(gòu)與實施例一不同之處在于在環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩17,該網(wǎng)罩17的上端口套在導(dǎo)電芯棒4上,下端口與陶瓷環(huán)8上端面連接,陶瓷環(huán)8下端面與底板1通過導(dǎo)線18連接,使環(huán)柱形空隙形成一個底部懸空設(shè)置、頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。其它與實施例相同。
上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高壓陶瓷穿芯電容器,包括金屬底板、殼體、兩根導(dǎo)電芯棒、兩個陶瓷環(huán),底板上設(shè)有兩個安裝孔,兩根導(dǎo)電芯棒外套有一絕緣套管,導(dǎo)電芯棒及絕緣套管分別定位于安裝孔中央,陶瓷環(huán)套設(shè)在絕緣套管外圍,并與套管形成一環(huán)柱形空隙,陶瓷環(huán)的下端面與底板電連接,陶瓷環(huán)的上端面與導(dǎo)電芯棒電連接,以此構(gòu)成陶瓷環(huán)上下端面間的電容結(jié)構(gòu),其特征在于環(huán)柱形空隙的底部和頂部均設(shè)有向四周延伸的環(huán)氧樹脂灌注通道,該通道與外部封裝空間上下連通,整個封裝空間內(nèi)填充環(huán)氧樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于所述底板頂面環(huán)繞安裝孔至少設(shè)有兩個凸肩,該凸肩從底部架空支承陶瓷環(huán),在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達,頂部敞開的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于所述底板頂面環(huán)繞安裝孔至少設(shè)有兩個凸肩,該凸肩從底部架空支承陶瓷環(huán),在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙底部形成一個四通八達的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道;而環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的下端口與陶瓷環(huán)上端面電連接,形成一個頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于所述陶瓷環(huán)下端面沿圓周方向間隔設(shè)有至少兩個焊塊或其它支撐結(jié)構(gòu)作為支腳,該支腳將陶瓷環(huán)抬起,在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達,頂部敞開的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于所述陶瓷環(huán)下端面沿圓周方向間隔設(shè)有至少兩個焊塊或其它支撐結(jié)構(gòu)作為支腳,該支腳將陶瓷環(huán)抬起,在保持與底板電連接同時,使環(huán)柱形空隙形成一個底部四通八達的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道;而環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的下端口與陶瓷環(huán)上端面電連接,形成一個頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于所述環(huán)柱形空隙的頂部設(shè)有一網(wǎng)罩,該網(wǎng)罩的上端口套在導(dǎo)電芯棒上,下端口與陶瓷環(huán)上端面連接,陶瓷環(huán)下端面與底板通過導(dǎo)線連接,使環(huán)柱形空隙形成一個底部懸空設(shè)置、頂部漏空屏蔽的環(huán)氧樹脂封裝灌注通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的高壓陶瓷穿芯電容器,其特征在于還包括一定位支撐件,該支撐件固定在底板下側(cè),其對應(yīng)底板兩個安裝孔的位置上分別設(shè)有定位孔,該孔與套管外徑相配,定位孔的上端口處至少設(shè)有兩個定位卡,所有定位卡周向均勻相間分布,外輪廓構(gòu)成一定位圈,該定位圈的外徑與陶瓷環(huán)內(nèi)徑相配,并張緊定位陶瓷環(huán)。
專利摘要一種高壓陶瓷穿芯電容器,包括金屬底板、殼體、兩根導(dǎo)電芯棒、兩個陶瓷環(huán),底板上設(shè)有兩個安裝孔20,兩根導(dǎo)電芯棒外套有一絕緣套管,導(dǎo)電芯棒及絕緣套管分別定位于安裝孔中央,陶瓷環(huán)套設(shè)在絕緣套管外圍,并與套管形成一環(huán)柱形空隙,陶瓷環(huán)的下端面與底板電連接,其特征在于環(huán)柱形空隙的底部和頂部均設(shè)有向四周延伸的環(huán)氧樹脂灌注通道,該通道與外部封裝空間上下連通。本方案把現(xiàn)有環(huán)柱形空隙的“死胡同”結(jié)構(gòu)通過架空或懸空支承方式,改進成底部和頂部均暢通的通道,這樣在灌注環(huán)氧樹脂時,既便于排氣,又改善了流動性,因此可以獲得最佳絕緣封裝效果。另外本方案只需一次灌注環(huán)氧樹脂即可整體封裝,既簡化環(huán)氧樹脂封裝工藝,又可以降低成本。
文檔編號H01G4/35GK2583787SQ0225860
公開日2003年10月29日 申請日期2002年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月15日
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