專利名稱：有源點陣裝置和顯示器的制作方法
背景技術：
發(fā)明領域本發(fā)明涉及一種例如用作顯示器的有源點陣裝置。該裝置可包括一個動態(tài)液晶點陣顯示器，該液晶示器由薄膜晶體管(TFT)技術實現，例如，基于非晶硅，或高溫或低溫聚合硅的技術。這種顯示器可適用于電池供電的便攜式設備。
相關技術描述附

圖1描述一種傳統(tǒng)型的有源點陣裝置。該有源點陣裝置包括一個N行和M列圖像元素(象素)如2的有源點陣1。每列象素經各自的數據線(如4所示)連接到數據線驅動器3。數據線驅動器3有一個輸入端5，用于接收定時信號，控制信號和數據信號。
每行象素經各自的掃描線，例如6，連接到掃描線驅動器7。掃描線驅動器7由輸入端5來的定時信號同步，并按一個重復時序每次激活一條掃描線6。
附圖2描述四個已知類型的有源點陣象素。每個象素包括一個TFT(薄膜晶體管)10。其柵極連接至掃描線6，而其源極連接至數據線4。該TFT10的漏極連接至一個象素電極11和存儲電容器12的第一連接端。該電容器的第二連接端連接到公共電極線13，同一行象素的所有存儲電容器12共享該公共電極線13。所有行的公共電極線13連接至共用直流電壓源。
在使用中，象素的TFT10作用像開關，由掃描線6上的信號控制其開關切換。然后，有源點陣的每個象素2按稱作為幀頻的某一頻率更新。一幀圖像數據的更新通常是逐行進行的。對于每一行象素，數據線驅動器3接收要顯示的一行圖像數據，并將M數據線4充電至相應的模擬電壓。掃描線驅動器7激活一條掃描線6，以致接通所有連接在該激活掃描線上的晶體管TFT 10。TFT 10將電荷從數據線4遷移至存儲電容器12，直到每個電容器上的電壓等于數據線上的電壓。然后，掃描線驅動器7釋放該行的TFT 10。它們的源-漏極通路恢復到高阻狀態(tài)。
有源點陣尋址可進一步分成兩種類型，也就是面采樣-保持(panel-sample-and-hold)尋址(也稱為每次點(point-at-a-time)尋址)和每次線(line-at-a-time)尋址。在前一種方案中，每激活一條掃描線時，數據線通常是與數據線驅動器3的數據線充電電路隔離的。在后一種方案中，在掃描線激活期間，繼續(xù)驅動數據線。
當每個TFT10斷開時，TFT管的非無窮大阻抗將導致那列中每個存儲電容器12和數據線4之間的充電電流或漏電流。這將導致象素電極11上電壓產生不希望的變化，隨之損害了圖像質量。電壓的變化幅度取決于漏電流的大小，存儲電容器12的電容和象素更新的持續(xù)時間，即幀頻。
通過修改裝置的設計能夠減少TFT管的漏電流，這要求改變制造工藝。例如，可以引入輕摻雜的漏極(LDD)，該漏極除了減小高漏電場(high drainfields)外，還增加溝道的電阻?？梢詫⒚總€TFT開關實現為一個雙柵極或三柵極裝置，有效地在數據線和象素電極間串接入兩個或三個開關。這將增加溝道電阻，并降低TFT管“導通”(on)性能。
美國專利申請5517150公布一種如圖3中所示的配置。該象素配置不同于附圖2所示，另外還提供了一個TFT15，其源-漏極通路連接在TFT10管的漏極和象素電極11之間。并且，另一個電容16連接在公共線13與TFT10和15的連接點之間。
當激活某一特殊象素的掃描線6時。兩個晶體管10和15都導通，因此，從數據線4對兩個電容器12和16進行充電。當掃描線釋放(deactivate)時，兩個晶體管都被斷開。如上所述，通過晶體管10的電荷泄漏將導致電容器16上的電壓變化。然而，晶體管15上的電壓下降很小，因此漏電流也很小。所以電容器12上的電壓變化很小，因此象素電極11的電壓變化也很小。
通過增加存儲電容器12的電容可減少由電荷泄漏引起的象素電壓變化。然而，存儲電容器的電容不能任意變大。例如，如果顯示器是傳遞型(transmissive type)，一個大容量的存儲電容器可能減小象素的孔徑比，并因此減小顯示亮度。用一個相對較小的TFT晶體管也不可能在掃描線的有效激活期內，將一個相對較大的存儲電容器完全充電。對于面采樣和保持(panel-sample-and-hold)顯示器，帶有電容C1的數據線上的電荷與存儲電容器共享，其電容為Cs。結果，寫入象素的電壓與數據線4上的采樣電壓(V1)不相同。該電壓差ΔV隨存儲電容器的電容變大而增加，如果假定存儲電容器最初沒有充電，電壓差ΔV用下式表示Δv=CsCs+Clvl]]>雖然可能增加幀頻，以最小化象素電壓保持恒定的持續(xù)時間，這不是一種實用的選擇。例如，這不可能在減小的尋址周期內對數據線或存儲電容器進行充電，或可能增加功耗至超過可以接受的程度。對于低功耗應用情況，希望為了減小功耗，以相對較低的幀頻更新有源點陣。
美國專利申請6023074公布一種相似于美國專利申請5517150中公布的一個象素TFT的配置。然而，該存儲電容器是金屬氧化物半導體(MOS)電容器。如附圖4所示，由一個晶體管18構成一個MOS電容器，該晶體管的柵極g構成電容器的一個連接端，而它的源極和漏極連接在一起構成另一個連接端。通過重摻雜半導體而不是通過對隔離內部互連層的“電駔”型接觸連接實現源極和漏極間的連接。該裝置的有效電容是依賴電壓，如圖4中的曲線所示。低于MOS裝置的閾值電壓Vt時，其電容等于柵-源極與柵-漏極的疊加電容總和。高于閾值電壓Vt時，該電容變成除了疊加電容外，還包括MOS氧化物電容。
美國專利申請5835170公布一種如附圖5所示的配置，其中省略了公共電極線13，并且將電容器12的第二連接端連接至鄰近一行象素的掃描線6。這種柵極上電容器(capacitor-on-gate)配置的優(yōu)點是，橫越有源點陣1的水平信號總數比圖2所示的配置小一半。因此可達到更高的象素孔徑比。然而，有源點陣1的掃描方向是固定的。特別是，必須從圖5中的底部行起向上掃描有源點陣行。
發(fā)明概述按照本發(fā)明，提供一種有源點陣裝置，該裝置包括一列圖像元件，每個圖像元件包括一個成像元件，一個連接于該成像元件的第一電荷存儲元件，和一個將數據線連接到第一電荷存儲元件和該成像元件的第一半導體開關。其特征在于，每個圖像元件包括一個第二電荷存儲元件和一個第二半導體開關。該開關的切換與第一開關無關，并將第二電荷存儲元件連接到第一電荷存儲元件和成像元件，以致增加電荷存儲能力。
每個成像元件可以是一個光調節(jié)元件并且可以傳遞或反射。例如，每個成像元件可以是液晶元件。
每個圖像元件可以是一個光發(fā)射元件。
第一和第二開關中的每一個可以是薄膜晶體管。
第二電荷存儲元件的電荷存儲能力可以大于第一電荷存儲元件。
對于每個圖像元件，第二電荷存儲元件和第二開關可以串聯后并接在第一個電荷存儲元件的兩端。
圖像元件可排列成行和列，其中每列的圖像元件連接至一條各自的數據線，而每行的圖像元件連接至一條各自的掃描線。
每行圖像元件的第二開關可以有連接于一條各自控制線的控制端。這些控制線可以連接在一起。
對于每個圖像元件，第二開關可以有一個連接于第一和第二電荷存儲元件第一連接端的控制端。
每行圖像元件的第一和第二電荷存儲元件可以有連接于一條各自公共線的第一連接端。
鄰近的每對圖像元件行的第一和第二電荷存儲元件可以有連接于一條各自公共線的第一連接端。
每行圖像元件的第一和第二電荷存儲元件可以有連接于鄰近行掃描線的第一連接端。
每個圖像元件的第一和第二電荷存儲元件可分別包括第一和第二電容器。每個圖像元件的第一和第二電容器可有一個公共極板。該公共極板可包括一部分柵極金屬互連層。每個圖像元件的第一電容器可以有另外一塊極板，該極板包括一部分源極金屬互連層。每個圖像元件的第二電容器可以有另外一塊極板，該極板包括一部分重摻雜硅層。
每個圖像元件的第二電容器可以有包含柵極氧化物的電介質。每個圖像元件的第二電容器可以包括一個金屬氧化硅電容器。該金屬氧化硅電容器可構成第二開關，并可有連接于第一開關和圖像元件的源極和漏極連接端。每個圖像元件的第一電容器包括金屬氧化硅電容器的柵/源極疊加電容和柵/漏極疊加電容。金屬氧化硅電容器可以有一個在柵電極下面的輕摻雜漏極。
按照本發(fā)明的另外一個方面，提供一種顯示器。該顯示器包括按照本發(fā)明的第一個方面的裝置。
這樣就可能提供一種可改變每個象素的存儲能力的裝置，以致允許有源點陣按不同方式工作，例如只要優(yōu)化圖像質量和功耗性能。例如，這種裝置可以以低存儲能力工作，允許快速和更精確地更新，以致能工作于相對高的幀頻，并具有高質量的圖像。對于低功耗，可選擇低幀頻方式，該方式的象素具有較高的存儲能力，以致減少或防止在象素更新之間的間隔期間由電荷泄漏引起的圖像劣化。
附圖簡述以下參照附圖和實例進一步描述本發(fā)明，其中圖1示意性表示一種已知的有源點陣顯示器；圖2是一個電路圖，示出一種已知顯示器類型的有源點陣象素；圖3是一個電路圖，示出另一種已知顯示器類型的有源點陣象素；圖4表示一種MOS電容器，以及這種裝置中相對于柵/源極電壓的電容；圖5是一個電路圖，進一步示出一種已知類型裝置的象素；圖6是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第一實施例的裝置的象素；圖7是一個波形圖，表示如圖6中所示的象素以兩種工作方式時的模擬工作；圖8是一個波形圖，表示圖6所示的象素在面采樣和保持裝置中模擬工作的結果；圖9是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第二實施例的裝置的四個象素；圖10是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第三實施例的裝置的四個象素；圖11是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第四實施例的裝置的四個象素；圖12是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第五實施例的裝置的四個象素；圖13是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第六實施例的裝置的四個象素；圖14表示一個圖13所示裝置的一個象素的掩模版圖設計例子；圖15是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第七實施例的裝置的四個象素；圖16表示一個圖15所示類型的一個象素的掩模版圖設計例子；圖17示意性表示MOS電容器的工作；圖18是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第八實施例的裝置的四個象素；圖19表示圖18所示一個象素的掩模版圖設計例子；及圖20是一個電路圖，示出構成本發(fā)明第八實施例的裝置的四個象素。
全部圖中，相同的參照號涉及相同的部件。
較佳實施例描述圖6示出一種有源點陣裝置的四個象素，例如按液晶顯示板的格式。每個象素包括一個TFT10，一個存儲電容器12，和一個如上文中描述的象素電極11，例如根據圖2所示。另外，每個象素包括另外一個TFT20，它的漏極(或源極)連接到象素電極11，而它的源極(或漏極)連接到另一個存儲電容器21的第一極，該電容器的另一極連接到公共電極線13。TFT20的柵極連接到一條電容器選擇線，該選擇線通常接至該行象素。電容器21的電容Cs2不需與電容器12的電容Cs1相同，而且實際上，例如可以更高，例如為5倍的電容值。
每個象素有與它相關的一條垂直信號線和三條水平信號線。垂直線由源極金屬互連層構成，而水平線用柵極金屬互連層構成。
有源點陣裝置可以以兩種方式中任一種方式工作。在第一種方式，電容器選擇線連接至一個相對較低的電壓。在這種方式中，所有象素的TFT20都斷開，因此電容器21有效地斷開與象素電極11的連接。這是一種電容相對較小的方式，在該方式中，每個象素的存儲電容實際上等于存儲電容器12的電容值Cs1。在另一種大電容的方式，線22連接至一個相對較高的電壓，因此所有象素上的晶體管20都導通，而電容器21并行地連接于每個象素的電容器12。在這種方式，存儲電容等于電容器12和21的電容值Cs1和C s2的總和。
圖7是一張波形圖，示出對應于時間(以微秒為單位)的電壓(以伏為單位)波形，表示圖6的裝置以兩種小電容和大電容方式工作時的模擬結果。該模擬表示一個液晶象素單元接收某一幀中的-3.5V電壓和下一幀中的+3.5V電壓的情況。象素電壓與一個6伏的計數器電極電位有關，所以供給象素電極11的電壓為第一幀的2.5伏和第二幀的9.5伏。調節(jié)掃描線的激勵頻率和泄漏，以使在一個合理的模擬時間內觀測到相對的影響。電容器12的電容值Cs1為100fF，為小型直視有源點陣液晶顯示器的典型值。電容器21的電容值CS2為500fF。
在小電容工作方式，象素充電非?？?。然而，當掃描線變低時，存在從TFT10的疊加電容注入的相當多的電荷。從存儲電容器12的泄漏也非常大。因為在大電容工作方式，象素電極電壓要升高至數據線電壓，象素的充電時間需更長。當晶體管10斷開時，電荷注入較少，而泄漏實際上較少。
模擬結果沒有說明在面采樣和保持型顯示器中，由于共享充電對數據線電壓所產生的劣化現象。對于小型直視有源點陣液晶顯示器，數據線電容通常為10pF。對于相等的存儲電容，在小電容方式，象素上發(fā)生的電壓變化約為所需數據線電壓的1％。在大電容方式，電壓變化接近6％。這種影響在圖8中描述。恰好在第二個掃描期之前，數據線最初在9.5伏。當掃描線激活時，數據線與電容器12和21共享充電。該純影響是象素電極11達到9.1伏，而不是所需的9.5伏。
在每個象素中實施的500fF額外電容器21和額外TFT20，實際上減少了小型傳遞液晶顯示器中的象素孔徑比，尤其是，如果用柵極和源極金屬互連層構成平板存儲電容器。然而，象素孔徑比實際上不影響反射或傳遞反射型顯示器。在顯示器中，額外元件20和21可安排在反射電極下面。
要求仔細地考慮大電容方式工作中增加的象素充電時間，特別是在TFT10和20為非晶體硅時。這種裝置的遷移率非常低，例如1cm2/Vs，限止了數據線4到存儲電容器12和21的充電速率。因此，為了使象素完全充電，必須或希望放慢有源點陣尋址。換句話說，可能連續(xù)幾幀將相同的圖像數據寫入有源點陣，以致保證象素的良好充電。通過修改數據線驅動器3和掃描線驅動器7中的定時時序可實現這種技術。在用高性能聚合硅TFT10和20晶體管制作的顯示器中，具有超過50cm2/Vs的遷移率，不必需要用大電容方式來延長象素的充電周期。
在大電容方式的每次點(point-at-a-time)顯示尋址中減少的精度可在數據線驅動器或在連接于顯示器的液晶驅動控制器(未示出)中進行補償。這種補償是一種規(guī)范措施，因為通常需要對液晶象素的非線性電壓/傳遞響應進行補償；即通常稱為“伽馬校正(gamma correction)”。在大電容和小電容方式的驅動電路間實施兩種補償方案需要一筆額外開銷(overhead)。很可能是顯示器工作于減少幀頻的大電容方式，主要是為了減少功耗。在這種場合時，達到高灰度(high grey-scale)精度是不重要的。例如，顯示器可以以低幀頻1比特顏色方式工作。任何在這種1比特顏色方式中共享充電引起的誤差，實際上未必存在圖像質量問題。
圖9描述的實施例不同于圖6中描述的實施例在于TFT20和電容器21的位置已經互換了。然而這種互換不影響工作。
圖10描述的實施例不同于圖6中描述的實施例在于圖5描述的柵極上電容器類型的技術用于減少若干橫過每行有源點陣的水平信號之一。這樣，電容器12和21的下面極板連接到鄰近象素行的掃描線6上，因此不需要公共線13。掃描線用于將一個直流電壓供給電容器12和21的下邊連接端，并且掃描線大部分時間為零伏。然而，掃描線6依次接通一個高直流電壓，以激活該行象素中的TFT10。為了避免損壞儲存于電容器12和21中的電壓，應當在電容器充電之前，進行這種開關操作。這樣，圖10描述的有源點陣應當從低層行向上掃描。
圖11描述的裝置不同于在圖6中描述的裝置在于由連接于電容器12和21另一極板和TFT20晶體管的柵極的一條線24代替公共電極線13和電容器選擇線22。因為一旦選擇了工作方式，電容器選擇信號基本上是一個直流信號，就能允許這種代替。在小電容方式，線24連接到地，因此TFT20切斷，并由電容器12提供有效存儲電容。在大電容方式，線24連接到正電源電壓Vdd，因此TFT20晶體管導通，將電容器21并接在電容器12上。這種技術也可應用在下文中描述的實施例中。
圖12描述的裝置不同于在圖11中描述的裝置在于，每個電容器的選擇和公共電極線24由鄰近一對象素行共享。這樣平均只有1.5個通過每行象素運行的水平信號。這種技術也可應用在下文描述的實施例中。
圖13描述的裝置類似于圖6描述的裝置在于，每行象素有一條公共線13和一條電容器選擇線22。然而，電容器12和21共享一塊公共極板，該極板形成完整結構的柵極金屬互連層的一部分，在該金屬互連層中構成TFT10和20。電容器12的另一塊極板包括一部分源極金屬互連層，而電容器21的另一塊極板構成一部分重摻雜非晶體或聚合硅層，例如N型材料。在典型的TFT結構中，電容器21的電介質是柵極氧化物，因此，對于電容器21的每單位基層面積的電容，實際上大于電容器12的電容。這允許電容器21的電容Cs2達到較大值。
圖14示出在圖13中所示的類型的裝置的掩膜設計，用聚合硅雙柵極TFT結構組成一種反射液晶顯示器。在源極金屬互連層(SL)上實現數據線4。該數據線4通過通孔30與TFT10的源極相連接，在象素的右手邊垂直地通過。該TFT10為雙柵極結構。掃描線6橫越過TFT10兩次。該掃描線6在柵極金屬互連層GL上構成，因此，兩個串行連接的TFT通道互相形成為直角。這種排列使該裝置更結實，以避免掩膜校正誤差。
在TFT10的漏極，一個通孔31將該連接端連接到一個大型SL電極，該SL電極形成電容器12的一塊極板，電容器的另一極板由部分GL電極線形成。電極SL也與反射電極(RE)32接觸。TFT10的漏極也連接到構成晶體管20的聚合硅軌道(track)，由電容器選擇線22交叉地穿過形成該晶體管20。然后，聚合硅軌道連接到重摻雜聚合硅電極，該電極連同GL公共電極線13形成電容器21。
柵極層下的非晶硅或聚合硅層的重摻雜通常不能用傳統(tǒng)TFT工藝流程來達到，并且似乎需要另一個掩膜來確定重摻雜區(qū)域。
圖15描述的裝置具有與圖13描述相類似的類型，但是用圖11所示的單個電容器選擇和公共電極線24，并配備有MOS電容器型的電容器12和21。當該線24連接至低電壓時，例如接至地，TFT20晶體管切斷，而電容器12是由SL和GL層間一個平板電容器構成。當該線24上的選擇信號為高電平時，例如為Vdd時，TFT20接通，而電容值為Cs2的MOS電容器并行于電容器12。由柵極電極下的非晶硅或聚合硅層構成MOS電容器35。由分布在GL層上的電容器選擇信號線形成柵極電極，并因此處于高電位。該電位大于MOS結構35的閾值電壓Vt。那時，總電容等于氧化物電容和上文中參考圖4所述的疊加電容的總和。
圖16描述在圖15裝置中的掩膜設計，該設計按反射聚合硅雙柵極TFT結構實施。只有兩個水平信號通過象素。MOS電容器的聚合硅層延伸到電容器的柵極金屬層外面。在普通的自對準TFT制作流程中，該區(qū)域被重摻雜。如同33所指，為了形成必需的源-漏極連接，該區(qū)域連續(xù)圍繞MOS電容器的三邊。
MOS結構的電容依施加到公共電極上的電壓而變化。圖17描述兩種情況下，MOS電容器35的端電壓。在圖17的上部框圖中，公共電極為15伏，為有源點陣裝置典型的電源電壓。在典型裝置中，象素電極11可以為1.5伏到10.5伏之間的任意值。為了使電容器處于大電容狀態(tài)，MOS的閾值電壓必須小于4.5伏，該值一般適合于非晶硅或聚合硅象素TFT的情況。
在圖17底部框圖描述的配置中，公共電極為零伏。為了使電容器處于小電容狀態(tài)，MOS閾值電壓必須大于-1.5伏，該值一般適合于非晶硅或聚合硅象素TFT的情況。這樣，通過切換公共電極本身的電壓，就可能在兩個MOS電容器狀態(tài)間，改變選擇兩種不同的存儲電容。
圖18所示的裝置利用這種能力，并且不同于在圖15中所示，在于，因為MOS結構35執(zhí)行電容的切換，省略了TFT20。該裝置的一個象素的掩膜設計在圖19中描述。
圖20描述的裝置不同于在圖18中描述的裝置在于，省略了由互連層形成的平板電容器。因此不需要在互連層SL上形成一個電極，并且這將構成一個非常簡單的象素電路。由疊加電容提供固定連接的存儲電容器，而自動開關電容器是由氧化物電容產生，并且僅在該線24切換到高電壓時，如Vdd時，該自動開關電容器經切換連接到電路?？捎靡阎腡FT溝道工程技術選擇該固定連接的存儲電容器的電容值Cs1，例如通過在柵極電極下并入一個輕摻雜漏極(LDD)的技術。
權利要求
1.一種有源點陣裝置，其特征在于，該裝置包括一個圖像元件陣列，每個圖像元件包括一個成像元件，一個連接于該成像元件的第一電荷存儲元件，和一個將數據線連接到第一電荷存儲元件和該成像元件的第一半導體開關，其特征在于，每個圖像元件包括一個第二電荷存儲元件和一個第二半導體開關，該開關的切換與第一開關無關，并將第二電荷存儲元件連接到第一電荷存儲元件和成像元件，以致增加電荷存儲能力。
2.如權利要求1的裝置，其特征在于，每個成像元件是一個光調節(jié)元件。
3.如權利要求2的裝置，其特征在于，每個圖像元件是透射型的。
4，如權利要求2的裝置，其特征在于，每個圖像元件是反射型的。
5.如權利要求2的裝置，其特征在于，每個圖像元件是液晶元件。
6.如權利要求1的裝置，其特征在于，每個圖像元件是光發(fā)射元件。
7.如權利要求1的裝置，其特征在于，第一和第二開關中的每一個都是薄膜晶體管。
8.如權利要求1的裝置，其特征在于，第二電荷存儲元件的電荷存儲能力大于第一電荷存儲元件。
9.如權利要求1的裝置，其特征在于，對于每個象素，第二電荷存儲元件和第二開關可以串行后并接在第一電荷存儲元件的兩端。
10.如權利要求1的裝置，其特征在于，圖像元件可排列成行和列，其中每列的圖像元件連接至一條各自的數據線，而每行的圖像元件連接至一條各自的掃描線。
11.如權利要求10的裝置，其特征在于，每行圖像元件的第二開關有連接于一條各自控制線的控制端。
12.如權利要求11的裝置，其特征在于，所述的控制線可以連接在一起。
13.如權利要求1的裝置，其特征在于，對于每個圖像元件，第二開關有一個連接于第一和第二電荷存儲元件第一連接端的控制端。
14.如權利要求10的裝置，其特征在于，每行圖像元件的第一和第二電荷存儲元件有連接于一條各自公共線的第一連接端。
15.如權利要求10的裝置，其特征在于，鄰近的每對圖像元件行的第一和第二電荷存儲元件有連接于一條各自公共線的第一連接端。
16.如權利要求10的裝置，其特征在于，每行圖像元件的第一和第二電荷存儲元件可以有連接于鄰近行掃描線的第一連接端。
17.如權利要求1的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第一和第二電荷存儲元件可分別包括第一和第二電容器。
18.如權利要求17的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第一和第二電容器可有一個公共極板。
19.如權利要求18的裝置，其特征在于，該公共極板包括一部分柵極金屬互連層(GL)。
20.如權利要求19的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第一電容器有另外一塊極板，該極板包括一部分源極金屬互連層(SL)。
21.如權利要求19的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第二電容器可以有另外一塊極板，該極板包括部分重摻雜硅層。
22.如權利要求17的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第二電容器有包含柵極氧化物的電介質。
23.如權利要求22的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第二電容器可以包括一個金屬氧化硅電容器。
24.如權利要求23的裝置，其特征在于，該金屬氧化硅電容器構成第二開關，并有連接于第一開關和成像元件的源極和漏極連接端。
25.如權利要求23的裝置，其特征在于，每個圖像元件的第一電容器包括金屬氧化硅電容器的柵/源極疊加電容和柵/漏極疊加電容。
26.如權利要求25的裝置，其特征在于，該金屬氧化硅電容器(35)有一個在柵電極下面的輕摻雜漏極。
27.一種顯示器，其特征在于，該顯示器包括如權利要求1的裝置。
全文摘要
一種有源點陣裝置包括一個圖像元件陣列。每個圖像元件包括一個成像元件,例如連接到第一存儲電容器12的LCD元件(11)。當由掃描線6上的掃描信號激活時,通過一個薄膜晶體管10將該元件(11)安排連接到一條數據線4上。需要時,通過另一個薄膜晶體管20將第二存儲電容器21并接到第一電容器12上,以增加象素的存儲能力。
文檔編號H01L21/336GK1372242SQ0210667
公開日2002年10月2日 申請日期2002年2月27日 優(yōu)先權日2001年2月27日
發(fā)明者G·A·凱恩斯, C·R·M·A·達赫斯, M·J·布朗恩羅, 海瀨泰佳 申請人:夏普株式會社