專利名稱：利用特定晶體管取向的cmos制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
，給基片施加縱向拉應(yīng)力的具體技術(shù)是公知的，因此，在本說(shuō)明書中，不再對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施例中，使用一種高拉力的滲氮(nitride)電介質(zhì)。這種高拉力的滲氮電介質(zhì)，在此也被稱之為用來(lái)施加拉應(yīng)力的“應(yīng)力器”結(jié)構(gòu)。此外，在另一個(gè)實(shí)施例中，“應(yīng)力器”結(jié)構(gòu)也可以是一種拉力的淺溝槽隔離(STI)填充物。雖然這兩種“應(yīng)力器”是作為實(shí)例給出，但本說(shuō)明書中所使用的名詞“應(yīng)力器”，是代表任何一種能夠引起拉應(yīng)力的結(jié)構(gòu)。此外，形成電流在<100>方向上流動(dòng)的取向晶體管，也是較為簡(jiǎn)單的。例如，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的取向技術(shù)(就{100}硅晶片而言)，或是將基底半導(dǎo)體晶片轉(zhuǎn)動(dòng)45°，或是將制造掩模轉(zhuǎn)動(dòng)45°，即能夠做到這一點(diǎn)。
雖然本說(shuō)明書展示和說(shuō)明了本發(fā)明的具體實(shí)施例及應(yīng)用，但應(yīng)當(dāng)知道，本發(fā)明并不僅僅局限于在此所公開(kāi)的具體結(jié)構(gòu)和部件。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不偏離本發(fā)明精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明所公開(kāi)的方法和系統(tǒng)的布置、運(yùn)用及具體細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改進(jìn)、變化和變動(dòng)，是顯而易見(jiàn)的。
由于根據(jù)上述詳細(xì)說(shuō)明能夠進(jìn)行各種改進(jìn)。因此，不應(yīng)當(dāng)把在附屬權(quán)利要求中所使用的名詞，認(rèn)作為是將本發(fā)明局限于在說(shuō)明書和權(quán)利要求中所描述的具體實(shí)施例。相反，本發(fā)明的范圍完全根據(jù)權(quán)利要求的解釋原則由附屬權(quán)利要求來(lái)確定。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，包括NMOS器件，形成在半導(dǎo)體基片上；PMOS器件，形成在所述半導(dǎo)體基片上，其中，所述NMOS器件和所述PMOS器件的取向，是使電流沿著所述半導(dǎo)體基片上的<100>方向流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述半導(dǎo)體基片是用{100}硅制成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述半導(dǎo)體基片的至少一部分是處于拉應(yīng)力之下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其中，所述拉應(yīng)力為縱向拉應(yīng)力。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，所述縱向拉應(yīng)力是通過(guò)一種高拉力的滲氮電介質(zhì)或一種拉力的淺溝槽隔離填充物來(lái)引入的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述器件為晶體管。
7.一種裝置，包括用{100}硅所制成的半導(dǎo)體基片；PMOS晶體管，形成在所述半導(dǎo)體基片上，所述PMOS晶體管有用來(lái)輸送電流的PMOS溝道，而且所述PMOS晶體管的取向是使電流在<100>方向上流動(dòng)；NMOS晶體管，形成在所述半導(dǎo)體基片上，所述NMOS晶體管有用來(lái)輸送電流的NMOS溝道，而且所述NMOS晶體管的取向是使電流在<100>方向上流動(dòng)；以及應(yīng)力器，它在所述NMOS溝道或所述PMOS溝道上引起縱向拉應(yīng)力。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其中，所述應(yīng)力器為一種高拉力的滲氮電介質(zhì)或一種拉力的淺溝槽隔離填充物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其中，所述器件為晶體管。
10.一種方法，包括在半導(dǎo)體基片上形成NMOS器件，其中，所述NMOS器件的取向是使電流在所述半導(dǎo)體基片上的<100>方向上流動(dòng)；在半導(dǎo)體基片上形成PMOS器件，其中，所述PMOS器件的取向是使電流在所述半導(dǎo)體基片上的<100>方向上流動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體基片是用{100}硅制成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括將拉應(yīng)力作用在所述半導(dǎo)體基片的至少一部分上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述拉應(yīng)力為縱向拉應(yīng)力。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述縱向拉應(yīng)力是通過(guò)使用應(yīng)力器來(lái)引入的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述應(yīng)力器為一種高拉力的滲氮電介質(zhì)或一種拉力的淺溝槽隔離填充物。
全文摘要
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管形成在硅基片上?；哂衶100}結(jié)晶取向。形成在基片上的晶體管的取向，是使電流在晶體管溝道內(nèi)的流動(dòng)方向平行于<100>方向。此外，在溝道上還施加縱向拉應(yīng)力。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK1478297SQ01819761
公開(kāi)日2004年2月25日 申請(qǐng)日期2001年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月29日
發(fā)明者馬克·阿姆斯特朗, 格哈德·施羅姆, 克林·J·庫(kù)恩, 保羅·A·帕茨卡恩, 蘇尼特·D·佳格, 斯科特·E·湯普森, D 佳格, E 湯普森, 施羅姆, A 帕茨卡恩, J 庫(kù)恩, 馬克 阿姆斯特朗 申請(qǐng)人:英特爾公司