專利名稱：薄膜晶體管的制造方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管的制造方法和液晶顯示元件。
背景技術(shù)：
提供給液晶顯示元件的薄膜晶體管(TFT)由在玻璃等的絕緣基板上形成的硅膜等構(gòu)成，作為液晶顯示元件的像素中設(shè)置的開關(guān)元件或外圍電路部分中形成的驅(qū)動(dòng)元件來使用。作為構(gòu)成TFT的硅膜，大多使用非晶硅膜，但近年來越來越多地使用具有更好的特性的多晶硅膜，現(xiàn)在在這方面正在進(jìn)行很多的開發(fā)工作。
以下，作為薄膜晶體管的制造方法的一個(gè)現(xiàn)有例，一邊參照?qǐng)D6，一邊說明到柵絕緣膜淀積工序?yàn)橹沟捻敄判偷亩嗑Ч鐵ET的制造方法。
首先，在基板31的整個(gè)面上淀積非晶硅膜，使其結(jié)晶后得到多晶硅膜32(圖6(a))。其次，為了使多晶硅膜32成為晶體管的半導(dǎo)體層而將其加工成規(guī)定的島狀圖形。通常，如以下那樣進(jìn)行該構(gòu)圖。最初，在多晶硅膜32上涂敷光致抗蝕劑并使其干燥后，進(jìn)行曝光和顯影，形成規(guī)定的抗蝕劑圖形34(圖6(b))。其次，將抗蝕劑圖形34作為掩模，部分地刻蝕并除去多晶硅膜32(圖6(c))。其后，將抗蝕劑圖形34浸漬于剝離液中而將其除去(圖6(d))。淀積SiO2膜35作為柵絕緣膜，使之覆蓋這樣得到的規(guī)定圖形的多晶硅膜32(圖6(e))。
此外，在多晶硅TFT的制造方法中，有時(shí)使用對(duì)多晶硅膜直接注入雜質(zhì)的工藝。一邊參照?qǐng)D7，一邊說明該工藝的一個(gè)現(xiàn)有例。
與上述的現(xiàn)有例同樣地，在基板31上將多晶硅膜32形成為島狀(圖7(a))。只在該多晶硅膜的規(guī)定的區(qū)域中有選擇地進(jìn)行磷(P)等的雜質(zhì)注入。首先，在多晶硅膜32上涂敷光致抗蝕劑并使其干燥后，進(jìn)行曝光和顯影，在未注入雜質(zhì)的區(qū)域(成為溝道的區(qū)域)上形成抗蝕劑圖形34(圖7(b))。其次，將抗蝕劑圖形34作為掩模，在多晶硅膜32中注入例如磷離子等的雜質(zhì)離子38，形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)(成為源、漏的區(qū)域)37(圖7(c))。其后，浸漬于剝離液中等以除去抗蝕劑圖形34(圖7(d))。淀積SiO2膜35作為柵絕緣膜，使之覆蓋注入了這樣得到的雜質(zhì)的多晶硅膜32(圖7(e))。
如果用上述的圖6、圖7中示出的方法制造多晶硅TFT，則由于在抗蝕劑剝離工序中多晶硅暴露于剝離液中，故多晶硅的表面或是發(fā)生化學(xué)方面的變質(zhì)、或是因剝離液中的堿成分而輕微地被刻蝕。此外，也有在剝離液或抗蝕劑的成分殘留在多晶硅的表面上的情況下直接進(jìn)入下一道工序的情況。其結(jié)果是，產(chǎn)生了引起導(dǎo)通電流的不足、閾值電壓的變動(dòng)那樣的TFT特性的惡化的問題。特別是在液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管的情況下，希望在大型基板的整個(gè)區(qū)域中抑制TFT的上述性能惡化以確保制品的可靠性。
發(fā)明的公開因此，本發(fā)明的目的在于提供實(shí)現(xiàn)在特性和可靠性方面良好的薄膜晶體管用的制造方法，此外，其目的在于提供使用了該方法的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的特征在于包含下述工序使含有臭氧的水與在基板上形成的半導(dǎo)體膜的表面接觸以便在上述表面上形成表面氧化層的工序；在上述半導(dǎo)體膜上直接形成或經(jīng)過其它膜形成規(guī)定圖形的掩模的工序；進(jìn)行從使用上述掩模進(jìn)行刻蝕和雜質(zhì)離子的注入中選出的某一處理的工序；以及在至少已露出的上述半導(dǎo)體膜的表面上形成了上述表面氧化層的狀態(tài)下除去上述掩模的工序。
按照本發(fā)明的制造方法，由于表面氧化層存在的緣故，半導(dǎo)體膜不會(huì)直接暴露于剝離液中。于是，可抑制半導(dǎo)體膜的變質(zhì)或被侵蝕。此外，也可抑制掩?；騽冸x液的成分殘留于半導(dǎo)體膜上。再者，在本發(fā)明的制造方法中，由于使用了含有臭氧的水，故可快速且均勻地使半導(dǎo)體膜的表面氧化。因而，使用含有臭氧的水的本發(fā)明的制造方法特別適合于使用大型基板的液晶顯示裝置的制造。
在上述制造方法中，雖然也可使表面氧化層按原樣留下來，但最好還包含在除去了掩模后除去表面氧化層的工序。這是因?yàn)?，即使上述成分等的污染物殘留在表面氧化層上，也可在除去表面氧化層的同時(shí)除去該污染物。
在上述制造方法中，也可再實(shí)施在形成表面氧化層之前除去半導(dǎo)體膜的表面層的工序。如果預(yù)先除去污染物，則可使半導(dǎo)體膜的表面保持得更為清潔。
表面氧化層的厚度為0.5nm～5nm、特別是1nm～5nm是合適的。如果該厚度太薄，則難以充分地得到表面保護(hù)的效果。另一方面，如果該厚度太厚，則雖然能不變地得到保護(hù)半導(dǎo)體膜的表面的效果，但在除去表面氧化層的工序中，有時(shí)玻璃面等其它的露出面被刻蝕，從而帶來麻煩。
作為圖形掩模，大多使用光致抗蝕劑。此時(shí)，在光致抗蝕劑被除去時(shí)，使用堿性剝離液即可。
作為半導(dǎo)體膜，通常使用從多晶硅膜和非晶硅膜中選出的至少一方。但是，特別是如果將本發(fā)明應(yīng)用于多晶硅膜，則可得到較大的效果。多晶硅膜與非晶硅膜相比，雖然在電特性方面較為良好，但容易受到表面污染的影響。
本發(fā)明的應(yīng)用中較為理想的代表性的工序是使用掩模的半導(dǎo)體膜的處理(刻蝕、雜質(zhì)離子的注入)。但是，本發(fā)明不限于此，只要是必須在半導(dǎo)體膜的表面已露出的狀態(tài)下除去掩模的工序，都可同樣地適用。例如，在半導(dǎo)體膜上經(jīng)至少1層絕緣膜形成規(guī)定圖形的掩模并使用該掩模來刻蝕絕緣膜的工序中，由于絕緣膜被刻蝕的緣故，半導(dǎo)體膜的表面露出。因而，即使在該工序中，在刻蝕后除去掩模時(shí)，也最好利用與含有臭氧的水的接觸在至少已露出的半導(dǎo)體層的表面上形成表面氧化層。
這樣，在本發(fā)明的制造方法中，雖然也可在半導(dǎo)體膜上直接形成掩模，但不限于此，也可在半導(dǎo)體膜與掩模之間介入1或2個(gè)以上的層。此外，表面氧化層最好在掩模除去之前形成，但根據(jù)實(shí)施形態(tài)的情況，不一定必須在掩模之前形成。
本發(fā)明中公開的液晶顯示裝置的特征在于具備應(yīng)用本發(fā)明的制造方法制造的薄膜晶體管。該液晶顯示裝置通常具備在玻璃基板上配置的薄膜晶體管陣列，反映了由本發(fā)明的制造方法得到的薄膜晶體管的良好的特性和可靠性。
附圖的簡(jiǎn)單的說明

圖1是示出本發(fā)明的制造方法的一種形態(tài)的工序圖。
圖2是示出本發(fā)明的制造方法的另一形態(tài)的工序圖。
圖3是示出本發(fā)明的制造方法的又一形態(tài)的工序圖。
圖4是示出應(yīng)用了圖3中示出的實(shí)施形態(tài)制造的TFT的一例的剖面圖。
圖5是示出應(yīng)用了本發(fā)明的一種形態(tài)得到的TFT和現(xiàn)有的TFT中的漏電流與柵電壓的依賴關(guān)系的圖。
圖6是示出現(xiàn)有的TFT制造工序的一例的工序圖。
圖7是示出現(xiàn)有的TFT制造工序的另一例的工序圖。
發(fā)明的實(shí)施形態(tài)以下，一邊參照附圖，一邊詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
(第1實(shí)施形態(tài))〔硅薄膜的刻蝕加工〕作為第1實(shí)施形態(tài)，說明將本發(fā)明應(yīng)用于多晶硅TFT的制造工序中的多晶硅膜的刻蝕工序的例子。
首先，如以下那樣在玻璃基板1上形成多晶硅膜2(圖1(a))。雖然省略了圖示，但也可在玻璃基板(例如，康寧公司制品#1737)上為了防止雜質(zhì)的擴(kuò)散、根據(jù)需要覆蓋SiO2膜。在該玻璃基板1上，例如利用減壓CYD法形成膜厚為30～150nm的非晶硅膜，其次，例如利用使用了XeCl受激準(zhǔn)分子激光的激光退火使非晶硅膜結(jié)晶來得到多晶硅膜2。
其次，使多晶硅膜2的表面氧化，形成厚度約為1～5nm的表面氧化層3(圖1(b))。在表面氧化層的形成中，使用溶解了臭氧的水(臭氧水)。如果使用臭氧水，則可形成在基板的整個(gè)面上厚度的均勻性良好的表面氧化層3而不對(duì)多晶硅膜2造成損傷。而且，能以低成本實(shí)施由臭氧水進(jìn)行的氧化。此外，由于臭氧水具有清洗作用，故由臭氧水進(jìn)行的氧化也可兼作清洗工序，除去基板表面的微粒等的污物。例如，最好一邊使基板旋轉(zhuǎn)，一邊使臭氧水滴到多晶硅膜的表面上。
臭氧水中的臭氧濃度最好為5mg/L以上。如果臭氧濃度過低，則有時(shí)表面氧化層的厚度不夠。臭氧濃度的上限不作特別的限定。但是，如果臭氧濃度過高，則由于為了確保裝置的耐久性而必須使用特殊的材料或涂層，故臭氧濃度在25mg/L以下是合適的。臭氧濃度為5mg/L～25mg/L時(shí)的處理時(shí)間為幾秒即可，但如果例如進(jìn)行10秒～3分鐘的處理，則可得到足夠厚度的氧化層。
再有，在表面氧化層的形成之前，可使多晶硅膜的表面與稀氫氟酸或緩沖氫氟酸等接觸，預(yù)先除去該膜的表面層。這是因?yàn)檫@樣做可進(jìn)一步提高多晶硅膜表面的清潔度。
其次，利用光刻和刻蝕，實(shí)施只在形成TFT的區(qū)域中留下多晶硅膜2用的工序。在光刻工序中，首先用旋轉(zhuǎn)涂敷等的方法涂敷光致抗蝕劑，利用曝光、顯影得到規(guī)定的抗蝕劑圖形4(圖1(c))。作為抗蝕劑圖形，例如使用正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制品OFPR-800等)，膜厚例如約為2微米，預(yù)烘烤溫度例如約90℃即可。在曝光后的顯影中，例如可使用有機(jī)堿顯影液(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制品NMD-W等)。
在刻蝕工序中，進(jìn)行多晶硅膜2的刻蝕，只在被抗蝕劑圖形4覆蓋的區(qū)域中留下多晶硅膜2。作為刻蝕方法，例如使用由CF4等的氣體進(jìn)行的干法刻蝕(RIE、ICP、CDE(化學(xué)干法刻蝕)等)即可。接著，剝離抗蝕劑圖形4(圖1(d))?？墒褂美缂訙氐?0℃的剝離液(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制品104剝離液等)來進(jìn)行該剝離。具體地說，在將每塊基板暴露于剝離液中后，用異丙醇和水進(jìn)行清洗，再使其干燥即可。
其次，暴露于稀氫氟酸中，刻蝕并除去表面氧化層3(圖1(e))。在稀氫氟酸的處理中，為了避免從玻璃基板1溶解到稀氫氟酸中的雜質(zhì)殘留在多晶硅的表面上，最好一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊滴下稀氫氟酸。如果這樣做，則可常時(shí)地在基板上供給清潔的稀氫氟酸，將溶解了氧化層的陳舊的稀氫氟酸甩開。稀氫氟酸中的氫氟酸濃度約為0.2～1％是合適的，處理時(shí)間定為約10～120秒即可。
在除去了氧化層后，在整個(gè)面上迅速地淀積柵絕緣膜5。作為柵絕緣膜，例如將原硅酸乙酯(TEOS)作為原料氣體，利用等離子CVD法，以例如100nm的厚度在整個(gè)面上淀積SiO2膜即可。其后，例如以400nm的厚度形成例如由Ta構(gòu)成的柵電極6。然后，以該柵電極6為掩模，通過離子摻雜磷，在多晶硅膜2中形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)(源、漏區(qū))7。再者，作為層間絕緣膜8，利用將TBOS作為原料氣體，利用等離子CVD法，在整個(gè)面上淀積SiO2膜，再形成接觸孔9，用濺射法淀積例如鋁，作為源電極和漏電極10。最后，通過利用光刻和刻蝕對(duì)這些電極進(jìn)行構(gòu)圖，完成多晶硅TFT(圖1(f))。
(第2實(shí)施形態(tài))〔對(duì)硅薄膜的雜質(zhì)離子的摻雜〕作為第2實(shí)施形態(tài)，說明將本發(fā)明應(yīng)用于多晶硅TFT的制造工序中的對(duì)多晶硅膜的雜質(zhì)離子的摻雜工序的例子。
首先，在玻璃基板1上，只在形成TFT的區(qū)域中以島狀形成多晶硅膜2(圖2(a))。在該構(gòu)圖中，可應(yīng)用現(xiàn)有的方法(圖6(a)～圖6(e))，但最好參照?qǐng)D1(a)～圖1(e)應(yīng)用在第1實(shí)施形態(tài)中已說明的方法。
其次，使用臭氧水，對(duì)多晶硅膜2的表面進(jìn)行氧化，形成厚度約為1～5nm的表面氧化層3(圖2(b))。利用在上述中已說明的條件進(jìn)行該氧化即可。
再者，利用光刻和離子摻雜，進(jìn)行在多晶硅膜2中有選擇地形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)7的工序(圖2(c))。在光刻工序中，在多晶硅膜2中的未注入雜質(zhì)的區(qū)域中形成抗蝕劑圖形4。然后，在接著進(jìn)行的離子摻雜工序中，以抗蝕劑圖形4為掩模，通過進(jìn)行例如使用了氫稀釋的磷化氫(PH3)的等離子體的加速電壓20kV、劑量8×1014/cm2的離子摻雜，在多晶硅膜2中有選擇地注入離子12，形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)(源區(qū)和漏區(qū))7。
再有，如果如以往進(jìn)行的那樣對(duì)多晶硅膜32直接注入雜質(zhì)離子(圖7(c))，則也有多晶硅的結(jié)晶性下降的情況。與此不同，在本實(shí)施形態(tài)中，由于經(jīng)表面氧化層3對(duì)多晶硅膜注入離子，故也可緩和多晶硅的結(jié)晶性下降。
接著，剝離抗蝕劑圖形4(圖2(d))，再除去表面氧化層3(圖2(e))。利用在第1實(shí)施形態(tài)中已說明的方法除去抗蝕劑圖形和表面氧化層3即可。
其后，作為柵絕緣膜5，例如在整個(gè)面上以100nm的厚度淀積SiO2膜，作為柵電極6，例如以400nm的厚度淀積Ta，將其寬度形成為比抗蝕劑圖形4的寬度細(xì)。然后，以該柵電極6為掩模，通過使用例如氫稀釋的磷化氫(PH3)的等離子體、在加速電壓70kV、劑量2×1013/cm2的條件下進(jìn)行離子摻雜，在多晶硅膜2中形成低雜質(zhì)濃度區(qū)11(輕摻雜漏LDD區(qū))。為了謀求已注入的離子的更可靠的激活，也可再進(jìn)行400℃以上的退火或由RTA(快速熱退火)進(jìn)行的局部的加熱。接著，作為層間絕緣膜8，在整個(gè)面上淀積SiO2膜，其次，形成接觸孔9，再設(shè)置由鋁構(gòu)成的源電極和漏電極10，完成多晶硅TFT(圖2(f))。
測(cè)定了應(yīng)用第1和第2實(shí)施形態(tài)得到的TFT的漏電流與柵電壓的依賴關(guān)系(Id-Vg特性)。在圖5中示出其結(jié)果是。為了比較起見，示出除了在離子注入時(shí)在多晶硅膜中不形成表面氧化層這一點(diǎn)外用相同的工藝制造的TFT的特性。從圖中可知，應(yīng)用本發(fā)明得到的TFT表現(xiàn)出導(dǎo)通電流高、上升陡峭且良好的晶體管特性。再有，即使對(duì)于除了在多晶硅膜的構(gòu)圖時(shí)不形成表面氧化層這一點(diǎn)外用與上述實(shí)施形態(tài)相同的工藝制造的另外的比較例，也表現(xiàn)出與圖示的比較例大致同樣的特性。
(第3實(shí)施形態(tài))〔絕緣膜的刻蝕加工〕作為第3實(shí)施形態(tài)，說明將本發(fā)明應(yīng)用于多晶硅TFT的制造工序中的刻蝕抑止層的刻蝕工序的例子。
首先，在基板1上按下述順序淀積非晶硅膜22、用作刻蝕抑止層的絕緣膜15、抗蝕劑圖形4(圖3(a))。非晶硅膜22與第1實(shí)施形態(tài)同樣地形成即可，如在該實(shí)施形態(tài)已說明的那樣，可利用激光退火等進(jìn)行結(jié)晶，但在此，假定在非晶質(zhì)的狀態(tài)下使用。作為絕緣膜15，例如使用利用減壓CVD法形成的氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等即可，膜厚定為約50～200nm即可。關(guān)于抗蝕劑圖形4的形成，也與第1實(shí)施形態(tài)同樣，使用光致抗蝕劑來形成即可。
其次，將形成為規(guī)定的圖形的抗蝕劑圖形4作為掩模，刻蝕絕緣膜15(圖3(b))。例如使用緩沖氫氟酸來進(jìn)行該刻蝕即可。
再者，使臭氧水與非晶硅膜22的表面接觸，形成表面氧化層3(圖3(c))。與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行表面氧化層3的形成即可。
在本實(shí)施形態(tài)中，假定在刻蝕后形成表面氧化層3。在第1和第2實(shí)施形態(tài)中，假定在半導(dǎo)體膜(多晶硅膜)上直接形成抗蝕劑圖形。因此，在形成抗蝕劑圖形之前形成了表面氧化層，以免在抗蝕劑圖形的除去后半導(dǎo)體膜的表面從抗蝕劑除去區(qū)域露出。與此不同，在本實(shí)施形態(tài)中，在形成抗蝕劑圖形的區(qū)域中預(yù)先介入了絕緣膜15。因而，也可在形成了抗蝕劑圖形后(只在未形成抗蝕劑圖形的區(qū)域中)形成表面氧化層。為了在絕緣膜15的刻蝕除去時(shí)不同時(shí)除去表面氧化層3，如上述中已說明的那樣，最好在絕緣膜15的刻蝕后在已露出的半導(dǎo)體膜的表面上形成表面氧化層3。
接著，剝離抗蝕劑圖形(圖3(d))，再刻蝕并除去表面氧化層3(圖3(e))。也與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行這些工序即可。
以這種方式在非晶硅膜22上形成絕緣膜15，例如在制造圖4中示出的那樣的TFT的工序中作為進(jìn)行隔離源、漏兩電極10用的刻蝕時(shí)的刻蝕抑止層來利用。再有，在圖4中示出的TFT中，在非晶硅膜22與玻璃板20之間預(yù)先形成柵電極6和柵絕緣膜8，但圖3中省略其下部結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)的圖示，歸納為基板1來表示。圖4的圖編號(hào)16是表面保護(hù)膜，圖編號(hào)23是n+硅膜。
在第1和第2實(shí)施形態(tài)中，在半導(dǎo)體層的表面上形成了表面氧化層之后在該表面氧化層上形成抗蝕劑圖形，將該抗蝕劑圖形作為掩模實(shí)施半導(dǎo)體層的刻蝕或離子注入，再用剝離液除去了抗蝕劑圖形。在這些實(shí)施形態(tài)中，表面氧化層保護(hù)半導(dǎo)體膜的表面使之不受剝離液的影響。另一方面，在第3實(shí)施形態(tài)中，在半導(dǎo)體層的表面上形成了絕緣膜之后在該絕緣膜上形成抗蝕劑圖形，以該抗蝕劑圖形為掩模，實(shí)施絕緣膜的刻蝕，再在因刻蝕而露出的半導(dǎo)體膜的表面上形成了表面氧化層后，用剝離液除去了抗蝕劑圖形。在該實(shí)施形態(tài)中，表面氧化層和已被構(gòu)圖的絕緣膜保護(hù)半導(dǎo)體膜的表面使之不受剝離液的影響。
如以上所說明的那樣，按照本發(fā)明，可減輕TFT制造工序中的硅膜表面的損傷。由此，可提供在特性和可靠性方面良好的薄膜晶體管以及液晶顯示裝置。
此外，通過使用含有臭氧的水，也可省略清洗工序。清洗工序的省略與包含稀氫氟酸等的酸的廢液的削減相聯(lián)系。再者，如果將使用了含有臭氧的水的氧化工序與例如利用自然氧化形成氧化膜的工序相比，由于可在極短的時(shí)間內(nèi)實(shí)施(可將約20小時(shí)的氧化時(shí)間縮短為約1分鐘)，故也可實(shí)現(xiàn)制造效率的提高、保管場(chǎng)所的削減等。保管場(chǎng)所的削減(特別是大型液晶面板的保管場(chǎng)所的削減)與工廠的建設(shè)費(fèi)的削減相聯(lián)系，也就節(jié)約了建設(shè)資金材料或建設(shè)中所需要的能量。這樣，本發(fā)明提供了可實(shí)現(xiàn)伴隨廢液削減、工廠建設(shè)的對(duì)環(huán)境的影響的減少等的有利于環(huán)境的制造方法。
再有，只要不脫離本發(fā)明的意圖和本質(zhì)的特征，本發(fā)明可包含其它的具體的形態(tài)。本說明書中已公開的形態(tài)在全部方面是說明性的而不是限定性的。本發(fā)明的范圍由以下記載的權(quán)利要求書的范圍而不由上述說明來表示，在此包含了處于與權(quán)利要求范圍中記載的發(fā)明均等的范圍內(nèi)的全部的變更。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包含下述工序使含有臭氧的水與在基板上形成的半導(dǎo)體膜的表面接觸以便在上述表面上形成表面氧化層的工序；在上述半導(dǎo)體膜上形成規(guī)定圖形的掩模的工序；進(jìn)行從使用上述掩模進(jìn)行刻蝕和雜質(zhì)離子的注入中選出的某一處理的工序；以及在至少已露出的上述半導(dǎo)體膜的表面上形成了上述表面氧化層的狀態(tài)下除去上述掩模的工序。
2.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于還包含在除去了掩模后除去表面氧化層的工序。
3.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于還包含在形成表面氧化層之前除去半導(dǎo)體膜的表面層的工序。
4.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于表面氧化層的厚度為0.5nm～5nm。
5.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于圖形掩模是光致抗蝕劑。
6.如權(quán)利要求5中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于使用堿性的剝離液除去光致抗蝕劑。
7.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于半導(dǎo)體膜是從多晶硅膜和非晶硅膜中選出的至少一方。
8.如權(quán)利要求7中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于半導(dǎo)體膜是多晶硅膜。
9.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于基板是玻璃板。
10.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于使用掩模來刻蝕半導(dǎo)體膜。
11.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于使用掩模對(duì)半導(dǎo)體膜注入雜質(zhì)離子。
12.如權(quán)利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于在半導(dǎo)體膜上經(jīng)至少1層絕緣膜形成規(guī)定圖形的掩模，使用上述掩模來刻蝕上述絕緣膜。
13.如權(quán)利要求12中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于在刻蝕了絕緣膜后，在已露出的半導(dǎo)體膜的表面上形成表面氧化層。
14.一種液晶顯示裝置，其特征在于具備使用權(quán)利要求1中所述的方法得到的薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供下述的薄膜晶體管的制造方法和利用該制造方法制造的液晶顯示裝置，其中，使含有臭氧的水與在基板上形成的半導(dǎo)體膜的表面接觸以便在該表面上形成表面氧化層，通過在至少已露出的半導(dǎo)體膜的表面上形成了表面氧化層的狀態(tài)下除去為了刻蝕、雜質(zhì)離子注入等而形成的掩模來保護(hù)半導(dǎo)體膜的表面。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1401142SQ01805072
公開日2003年3月5日 申請(qǐng)日期2001年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月15日
發(fā)明者生田茂雄 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社