專利名稱：耐高溫大功率二極體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種耐高溫大功率二極體。
市售常見大功率二極體如

圖1所示，其為于一外承座1的內(nèi)置槽11內(nèi)設(shè)置有晶片單元2、導(dǎo)體單元3及罩座4，該晶片單元2介于外承座1與導(dǎo)體單元3之間，其間焊接面5、6是以錫焊接方式縱向連接，而該罩座4罩蓋于內(nèi)置槽11上方，底部則抵觸導(dǎo)體單元3的焊接座31上方，其與內(nèi)置槽11接觸周緣亦以錫焊接方式連接一焊接面7，使導(dǎo)體單元3穩(wěn)固呈縱向垂直定位，如此制成一大功率二極體構(gòu)造。
此一常用的大功率二極體構(gòu)造，一般所能承受最大溫度約為175～200℃，無(wú)法突破此溫度上限，此各元件的連接皆以焊接方式來(lái)達(dá)到固定的目的，在超過(guò)175～200℃高溫的工作條件下時(shí)，其焊接面5、6、7無(wú)法達(dá)到承受如此高溫，導(dǎo)致焊錫成融溶狀態(tài)，使導(dǎo)體單元3及罩座4的焊接面7有剝落脫離的狀況，且內(nèi)置槽11內(nèi)部焊錫會(huì)上浮出溢于罩座4外部造成短路的現(xiàn)象，而晶片單元2及導(dǎo)體單元3的焊接面5、6也懸空造成開路的現(xiàn)象發(fā)生，此為現(xiàn)有大功率二極體無(wú)法適用于高溫工作條件的瓶頸。
有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)上述大功率二極體所面臨的瓶頸予以改善，基于耐高溫大功率二極體的需求，乃潛心研究，以從事此產(chǎn)業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，提供一種創(chuàng)新構(gòu)造的耐高溫大功率二極體，以供此產(chǎn)業(yè)的需求利用。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種耐高溫大功率二極體，是用比重小于焊錫的果凍絕緣膠凝結(jié)包覆晶片單元及導(dǎo)體單元形成一定位保護(hù)層，于高溫工作條件下，使其焊接面的焊錫始終保持于果凍絕緣膠下方而不液漏于外，再配合內(nèi)置槽頂部外緣具有可彎折的凸緣設(shè)計(jì)，致使罩座與外承座得以實(shí)施鉚固密封的連接定位作用，促使罩座穩(wěn)固定位不受外在溫度因素影響其連接性，讓導(dǎo)體單元的焊接座穩(wěn)固受頂持，使晶片單元及導(dǎo)體單元的焊接面始終保持接觸導(dǎo)通，可避免外承座內(nèi)、外部有開路或短路的現(xiàn)象，進(jìn)而達(dá)到可承受超過(guò)300℃以上高溫工作條件的大功率二極體構(gòu)造。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種耐高溫大功率二極體，果凍絕緣膠在高溫工作條件下呈一固液狀態(tài)，可供由晶片單元側(cè)邊膠體毛細(xì)孔滲入保護(hù)晶片，使晶片單元整體結(jié)構(gòu)得以避免高溫膨脹導(dǎo)致表層的龜裂(crack)現(xiàn)象，具有保護(hù)晶片的效果。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種耐高溫大功率二極體，主要包括有外承座、晶片單元、導(dǎo)體單元及罩座，該晶片單元、導(dǎo)體單元及罩座置設(shè)于外承座中間的內(nèi)置槽內(nèi)，該晶片單元介于外承座與導(dǎo)體單元之間，其間有以錫焊接方式縱向連接的接觸面；其特征在于焊接于內(nèi)置槽內(nèi)的晶片單元及導(dǎo)體單元上方用以一比重小于焊錫密度的果凍絕緣膠凝結(jié)包覆成一定位保護(hù)層；該外承座的內(nèi)置槽于頂部外緣突出一段差凸緣，與罩座最大外徑的卡接部相互卡套配合鉚固連接定位，罩座始終穩(wěn)固抵觸導(dǎo)體單元的焊接座。
該果凍絕緣膠在高溫下為固液狀態(tài)；可供由晶片單元側(cè)邊的膠體毛細(xì)孔滲入保護(hù)晶片，使晶片單元整體結(jié)構(gòu)得以避免高溫膨脹導(dǎo)致表層的龜裂(crack)現(xiàn)象，以形成保護(hù)晶片的作用。
通過(guò)本實(shí)用新型耐高溫大功率二極體，克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，達(dá)到了上述創(chuàng)作的目的，本實(shí)用新型能承受300℃以上高溫工作條件。
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是已知大功率二極體的剖面示意圖；圖2是本實(shí)用新型的立體外觀圖；圖3是本實(shí)用新型的分解示意圖；圖4是本實(shí)用新型的剖面示意圖。
請(qǐng)參閱圖2至圖4所示，本實(shí)用新型耐高溫大功率二極體主要包括有外承座1、晶片單元2、導(dǎo)體單元3及罩座4。該晶片單元2、導(dǎo)體單元3及罩座4置設(shè)于外承座1中間的內(nèi)置槽11內(nèi)，且該晶片單元3介于外承座1與導(dǎo)體單元3之間，其間焊接面5、6是以錫焊接方式縱向連接。
該焊接于內(nèi)置槽11內(nèi)的晶片單元2及導(dǎo)體單元3，為了使其焊接面5、6能在高溫工作條件下，不致呈融溶狀態(tài)時(shí)發(fā)生上浮液漏于內(nèi)置槽11外的情形，乃在晶片單元2及導(dǎo)體單元3上方用以一比重小于焊錫密度的果凍絕緣膠8凝結(jié)包覆，以形成一定位保護(hù)層，因此焊接面5、6在高溫工作條件下，雖會(huì)呈融溶狀態(tài)，但其焊錫密度比重較重，且被果凍絕緣膠8凝結(jié)包覆，故焊錫始終保持在果凍絕緣膠8下方位置，即能避免上浮液漏于內(nèi)置槽11外。
該外承座1的內(nèi)置槽11于頂部外緣突出一段差凸緣12，供與罩座4最大外徑的卡接部41相互卡套配合，因此罩座4的中心穿套導(dǎo)體單元3的接腳32，而卡接部41卡套于段差凸緣12內(nèi)，即能實(shí)施鉚固連接定位方式，致使外承座1的段差凸緣12彎折罩固罩座4的卡接部41，罩座4得以始終穩(wěn)固定位罩蓋于內(nèi)罩槽11上方，底部則抵觸導(dǎo)體單元3的焊接座31，讓晶片單元2與導(dǎo)體單元3兩者始終保持一定接觸導(dǎo)通性；另外罩座4于中心凸緣42可進(jìn)一步實(shí)施壓擠作業(yè)，讓凸緣42形成三點(diǎn)緊箍導(dǎo)體單元3的接腳32的定位作用。
由上述得知，本實(shí)用新型所構(gòu)成的大功率二極體在高溫工作條件下實(shí)施時(shí)，該晶片單元2及導(dǎo)體單元3的焊錫焊接面5、6雖會(huì)呈融溶狀態(tài)，但受果凍絕緣膠8包覆不致有上浮液漏于內(nèi)置槽11外部，同時(shí)罩座4采鉚固定位于內(nèi)置槽11上，讓導(dǎo)體單元3的焊接座31穩(wěn)固受頂持，該罩座4不受高溫影響連接性，致使晶片單元2及導(dǎo)體單元3的焊接面5、6始終保持接觸導(dǎo)通，可避免外承座1內(nèi)、外部有開路或短路的現(xiàn)象；如此，本實(shí)用新型所構(gòu)成的大功率二極體有利于高溫條件下運(yùn)作，經(jīng)本創(chuàng)作者反復(fù)實(shí)驗(yàn)得知，如此利用果凍絕緣膠8凝結(jié)包覆晶片單元2及導(dǎo)體單元3所形成一定位保護(hù)層，配合罩座4與外承座1實(shí)施鉚固連接的方式，得以突破常用大功率二極體無(wú)法耐高溫的瓶頸，讓其可在超過(guò)300℃以上的高溫工作條件下運(yùn)作，極具實(shí)用價(jià)值。
另外，本實(shí)用新型所提供的果凍絕緣膠8，在高溫下為呈一固液狀態(tài)，可供由晶片單元2側(cè)邊的膠體21毛細(xì)孔滲入保護(hù)晶片，使晶片單元2整體結(jié)構(gòu)得以避免高溫膨脹導(dǎo)致表層的龜裂(crack)現(xiàn)象，以具有保護(hù)晶片的效益，極具進(jìn)步性。
綜上所述，本實(shí)用新型所提供的耐高溫大功率二極體，其果凍絕緣膠凝結(jié)包覆晶片及導(dǎo)體單元所形成定位保護(hù)層，配合罩座與外承座實(shí)施鉚固連接的方式，能達(dá)到預(yù)期的目的及實(shí)用價(jià)值，可供此產(chǎn)業(yè)上需求利用。
權(quán)利要求1.一種耐高溫大功率二極體，主要包括有外承座、晶片單元、導(dǎo)體單元及罩座，該晶片單元、導(dǎo)體單元及罩座置設(shè)于外承座中間的內(nèi)置槽內(nèi)，該晶片單元介于外承座與導(dǎo)體單元之間，其間有以錫焊接方式縱向連接的接觸面；其特征在于焊接于內(nèi)置槽內(nèi)的晶片單元及導(dǎo)體單元上方用以一比重小于焊錫密度的果凍絕緣膠凝結(jié)包覆成一定位保護(hù)層；該外承座的內(nèi)置槽于頂部外緣突出一段差凸緣，與罩座最大外徑的卡接部相互卡套配合鉚固連接定位，罩座始終穩(wěn)固抵觸導(dǎo)體單元的焊接座。
2.如權(quán)利要求1所述的耐高溫大功率二極體，其特征在于該果凍絕緣膠在高溫下為固液狀態(tài)。
專利摘要一種耐高溫大功率二極體,主要包括有外承座、晶片單元、導(dǎo)體單元及罩座,焊接于內(nèi)置槽內(nèi)的晶片單元及導(dǎo)體單元上方,用以一比重小于焊錫密度的果凍絕緣膠凝結(jié)包覆形成一定位保護(hù)層;外承座的內(nèi)罩槽于頂部外緣突出一段差凸緣,罩座始終穩(wěn)固抵觸導(dǎo)體單元的焊接座;本實(shí)用新型在高溫工作條件下,該晶片單元及導(dǎo)體單元的焊錫焊接面受果凍絕緣膠包覆不致有上浮液漏于內(nèi)置槽外部,晶片單元及導(dǎo)體焊接面始終保持接觸導(dǎo)通,進(jìn)而避免外承座內(nèi)、外部有開路或短路的現(xiàn)象,有利于高溫條件下運(yùn)作。
文檔編號(hào)H01L29/66GK2472350SQ0120732
公開日2002年1月16日 申請(qǐng)日期2001年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月15日
發(fā)明者林金鋒 申請(qǐng)人:林金鋒