對(duì)的第二換能器在帶傳送的預(yù)期方向上大約對(duì)齊。
[0039] 圖1A說明基于帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化的帶驅(qū)動(dòng)器100,基于帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng) 可W在本發(fā)明的背景下被利用。雖然帶驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)具體的實(shí)現(xiàn)在圖1A中示出，但是應(yīng)當(dāng) 注意的是，本文描述的實(shí)施例可W在帶驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的任何類型的背景下實(shí)現(xiàn)。
[0040] 如示出的，帶供應(yīng)盒120和收帶盤121被提供W支撐帶122。一個(gè)或更多盤可W 組成可移除的盒的一部分，并且不必是系統(tǒng)100的一部分。諸如圖1A中說明的帶驅(qū)動(dòng)器還 可W包括驅(qū)動(dòng)帶供應(yīng)盒120和收帶盤121的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，W在任何類型的帶頭126上移動(dòng)帶 122。該樣的頭可W包括讀取器、寫入器或該兩者的陣列。
[0041] 引導(dǎo)器125引導(dǎo)帶122越過帶頭126。該樣的帶頭126又經(jīng)由線纜130禪合到控 制器128。控制器128可W是或者可W包括用于控制驅(qū)動(dòng)器100的任何子系統(tǒng)的處理器和 /或任何邏輯。例如，控制器128典型地控制頭功能，例如伺服跟隨、寫數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)等。控 制器128可W在本領(lǐng)域中已知的邏輯W及本文公開的邏輯下操作?？刂破?28可W禪合到 可W存儲(chǔ)由控制器128可執(zhí)行的指令的任何已知類型的存儲(chǔ)器136。另外，控制器128可W 被配置和/或可編程W執(zhí)行或控制一些或所有本文呈現(xiàn)的方法。因此，控制器可W被考慮 而被配置為通過被編程到巧片的邏輯、軟件、固件或?qū)μ幚砥骺捎玫钠渌噶畹萕及它們 的組合來執(zhí)行各種操作。
[00創(chuàng)線纜130可W包括讀/寫電路W向頭126發(fā)射將被記錄于帶122的數(shù)據(jù)，并且接 收由頭126從帶122讀取的數(shù)據(jù)。制動(dòng)器132控制頭126相對(duì)帶122的位置。
[0043] 如都將被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的，接口 134也可W被提供用于在帶驅(qū)動(dòng)器100和 主機(jī)（組成的或外部的）之間進(jìn)行通信W傳送和接收數(shù)據(jù)，W及用于控制帶驅(qū)動(dòng)器100的 操作和向主機(jī)發(fā)送帶驅(qū)動(dòng)器100的狀態(tài)。
[0044] 圖1B說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的示例性帶盒150。該樣的帶盒150可W與例如圖1A 中示出的系統(tǒng)一起使用。如示出的，帶盒150包括殼體152、殼體152中的帶122W及禪合 到殼體152的非易失的存儲(chǔ)器156。在一些實(shí)施例中，如圖1B所示，非易失的存儲(chǔ)器156可 W被嵌入殼體152內(nèi)側(cè)。在更多實(shí)施例中，非易失的存儲(chǔ)器156可W被附于殼體152的內(nèi) 側(cè)或外側(cè)，而不變更殼體152。例如，非易失的存儲(chǔ)器可W被嵌入自粘標(biāo)簽154。在一個(gè)優(yōu) 選實(shí)施例中，非易失的存儲(chǔ)器156可W是嵌入或禪合到帶盒150的內(nèi)側(cè)或外側(cè)的閃速存儲(chǔ) 器設(shè)備、ROM設(shè)備等。非易失的存儲(chǔ)器可W通過帶驅(qū)動(dòng)器和帶操作軟件（驅(qū)動(dòng)器軟件）和/ 或其他設(shè)備訪問。
[0045] 通過例子，圖2說明可W在本發(fā)明的背景下實(shí)現(xiàn)的平纏繞、雙向、兩模塊磁帶頭 200的側(cè)視圖。如示出的，頭包括一對(duì)底座202,每一個(gè)被裝備了模塊204,并且關(guān)于彼此成 小角度a地固定。底座可W是膠粘地禪合在一起的"U型梁扣-beam)"。每一個(gè)模塊204 包括基板204A和具有薄膜部分的封閉物（closure) 204B，該薄膜部分通常被稱為"間隙"， 讀取器和/或?qū)懭肫?06在該間隙中形成。在使用中，帶208W示出的方式沿著介質(zhì)（帶） 支承面209在模塊204上移動(dòng)，W便使用讀取器和寫入器來在帶208上讀和寫數(shù)據(jù)。帶208 在進(jìn)入和退出平的介質(zhì)支撐面209的邊沿處的纏繞角（wrapangle) 0通常在大約0.1度 和大約3度之間。
[0046] 基板204A典型地由耐磨的材料（例如陶瓷）構(gòu)成。封閉物204B由與基板204A 相同的或類似的陶瓷制成。
[0047] 讀取器和寫入器可W被排布為背負(fù)的或融合的結(jié)構(gòu)。說明性的背負(fù)的結(jié)構(gòu)包括在 (磁屏蔽的）讀取器換能器（例如磁阻式讀取器等）的上方（或下方）的（磁導(dǎo)的）寫入 器換能器，其中寫入器的極和讀取器的屏蔽一般是分離的。說明性的融合的結(jié)構(gòu)包括與一 個(gè)寫入器極在相同的物理層中的一個(gè)讀取器屏蔽（從而"融合"）。讀取器和寫入器也可W 被排布為交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。替代地，通道（channel)的每一個(gè)陣列可W僅僅是讀取器或?qū)懭肫?。?些陣列的任何一個(gè)可W包含用于讀取介質(zhì)上的伺服數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)伺服軌道讀取器。
[0048] 圖2A說明取自圖2的線2A的模塊204的一個(gè)的帶支承面209。表示性的帶208 W短劃線示出。模塊204優(yōu)選地足夠長(zhǎng)W能夠在頭在數(shù)據(jù)帶之間行走時(shí)支撐帶。
[0049] 在該個(gè)例子中，帶208包括4至22個(gè)數(shù)據(jù)帶，例如圖2A所示在半英寸寬的帶208 上具有8個(gè)數(shù)據(jù)帶和9個(gè)伺服軌道210。數(shù)據(jù)帶被限定在伺服軌道210之間。每一個(gè)數(shù)據(jù) 帶可W包括許多數(shù)據(jù)軌道，例如1024個(gè)數(shù)據(jù)軌道（未示出）。在讀/寫操作期間，讀取器和 /或?qū)懭肫?06被定位到數(shù)據(jù)帶的一個(gè)內(nèi)的具體的軌道位置。外部讀取器（有時(shí)稱為伺服 讀取器）讀伺服軌道210。伺服信號(hào)又被用來在讀/寫操作期間保持讀取器和/或?qū)懭肫?206與特定組的軌道對(duì)齊。
[0050] 圖2B描繪在圖2A的圓2B中的模塊204的間隙218中形成的多個(gè)讀取器和/或 寫入器206。如示出的，讀取器和寫入器206的陣列包括例如；16個(gè)寫入器214、16個(gè)讀取 器216W及兩個(gè)伺服讀取器212,但是元件的數(shù)量可W改變。說明性的實(shí)施例包括每個(gè)陣列 具有8、16、32、40W及64個(gè)活動(dòng)的讀取器和/或?qū)懭肫?06,和替代地具有奇數(shù)數(shù)量的讀取 器或?qū)懭肫鳎ɡ?7、25、33等）的交錯(cuò)的設(shè)計(jì)。說明性的實(shí)施例包括每個(gè)陣列具有32個(gè) 讀取器和/或每個(gè)陣列具有32個(gè)寫入器，其中換能器元件的實(shí)際數(shù)量可W更大，例如33、34 等。該允許帶更慢地傳送從而減小速度引發(fā)的跟蹤和機(jī)械困難，和/或執(zhí)行更少的"纏繞" W填充或讀帶。
[0化1] 雖然讀取器和寫入器可W被排布為如圖2B所示的背負(fù)的結(jié)構(gòu)，但是讀取器216和 寫入器214也可W被排布為交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)。替代地，讀取器和/或?qū)懭肫?06的每一個(gè)陣列 可W僅僅是讀取器或?qū)懭肫?，并且陣列可W包含一個(gè)或多個(gè)伺服讀取器212。如通過一起考 慮圖2和圖2A-2B而注意到的，每一個(gè)模塊204可W包括用于例如雙向讀和寫、同時(shí)讀寫能 力、向后兼容等的讀取器和/或?qū)懭肫?06的補(bǔ)充組。
[0化2] 圖2C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁帶頭200的補(bǔ)充模塊的部分帶支承面視圖。在該 個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)模塊具有在普通基板204A上形成的背負(fù)結(jié)構(gòu)中的多個(gè)讀/寫（R/W)對(duì) 222,W及可選的電絕緣層236。雖然寫入器（由寫換能器214例示）和讀取器（由讀換能 器216例示）示出為與帶介質(zhì)上的傳送的預(yù)期方向平行地排列，但是如將在下文中詳細(xì)討 論的（例如參見圖10A-10B)，根據(jù)其他實(shí)施例，R/W對(duì)222的每一個(gè)的寫換能器214和讀換 能器216可W在其沉積的平面中偏移。
[0053] 應(yīng)當(dāng)注意的是，帶傳送的預(yù)期方向有時(shí)在本文中被稱為帶傳送的方向，并且該樣 的術(shù)語可W相互替換地使用。該樣的帶傳送的方向可W從系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中推斷出，例如通過 檢查引導(dǎo)器、觀測(cè)帶傳送相對(duì)參考點(diǎn)的實(shí)際方向等。另外，在可操作用于雙向讀和/或?qū)懙?系統(tǒng)中，在兩個(gè)方向上的帶傳送的方向典型的是平行的，從而兩個(gè)方向可W被考慮為彼此 等效。
[0054] 幾個(gè)R/W對(duì)222可W存化例如8、16、32對(duì)等。示出的R/W對(duì)222在一般地與帶 傳送的方向垂直的方向上線性地排列。然而，該對(duì)也可W斜線地排列等。伺服讀取器212 被定位于R/W對(duì)的陣列的外側(cè)，R/W對(duì)的功能是眾所周知的。
[0055] 另外，伺服讀取器212可W包括換能器的對(duì)（未示出），該換能器的對(duì)（未示出） 在其沉積的平面上偏移。根據(jù)各種實(shí)施例，可W使用在下文詳細(xì)描述的實(shí)施例的任何一個(gè) 來確定伺服讀取器212的換能器之間的偏移。另外，雖然換能器對(duì)被描繪為伺服讀取器212 的每一個(gè)具有共同屏蔽，但是根據(jù)其他實(shí)施例，例如圖11B中說明的，換能器的每一個(gè)可W 具有它們各自的屏蔽。
[0化6] 通過繼續(xù)參考圖2C，磁帶介質(zhì)一般沿著帶傳送的預(yù)期方向的正方向或反方向移 動(dòng)，如箭頭220指示的。磁帶介質(zhì)和頭組件200W本領(lǐng)域眾所周知的方式W換能關(guān)系操作。 背負(fù)的MR頭裝配200包括一般同樣構(gòu)造的兩個(gè)薄膜模塊224和226。
[0化7] 模塊224和226W它們的封閉物204B之間存在間隔（部分地示出）的方式連結(jié) 到一起W形成單物理單元，從而通過激活引導(dǎo)（leading)模塊的寫入器和尾隨（trailing) 模塊的讀取器來提供同時(shí)讀寫能力，該尾隨模塊的讀取器與引導(dǎo)模塊的寫入器對(duì)齊，寫入 器平行于帶相對(duì)于該寫入器傳送的方向。當(dāng)背負(fù)頭200的模塊224、226被構(gòu)造時(shí)，一般 W如下順序在例如為AlTiC的導(dǎo)電基板204A(部分地示出）上產(chǎn)生的間隙218中形成 用于R/W對(duì)222的層；絕緣層236、第一屏蔽232(典型地是鐵合金，例如Ni化（-)，CZT 或Al-Fe-Si(Semlust;鐵娃侶合金））、用于感測(cè)磁介質(zhì)上的數(shù)據(jù)軌道的傳感器234、第二 屏蔽238(典型地是鐵鑲合金，例如~80/20at% (原子百分比）NiFe，也稱為坡莫合金 (permalloy))、第一和第二寫入器極尖（poletip)228、230W及線圈（未圖示）。傳感器可 W是任何已知的類型，包括基于MR、GMR、AMR、隧穿磁阻（TMR)等的傳感器。
[0化引第一和第二寫入器極228、230可W從高磁矩材料（例如~45/55NiFe)制造。需 要注意的是，該些材料僅僅通過例子被提供，并且可W使用其他材料。例如在屏蔽和/或極 尖之間的附加的絕緣層W及圍繞傳感器的絕緣層可W存在。說明性的絕緣材料包括氧化侶 和其他氧化物、絕緣聚合物等。
[0059] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的帶頭126的結(jié)構(gòu)包括多個(gè)模塊，優(yōu)選為=個(gè)或更多。在 讀-寫-讀（W-R-W)頭中，用于寫的外部模塊位于用于讀的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊的側(cè)面。 參考圖3,描繪W-R-W結(jié)構(gòu)，外部模塊252、256每一個(gè)包括寫入器260的一個(gè)或多個(gè)陣列。 圖3的內(nèi)部模塊254包括類似結(jié)構(gòu)的讀取器258的一個(gè)或多個(gè)陣列。多模塊頭的變化包括 R-W-R頭（圖4)、R-R-W頭、W-W-R頭等。在其他變化中，模塊的一個(gè)或多個(gè)可W具有換能器 的讀/寫對(duì)。另外，可W存在多于S個(gè)模塊。在另外的實(shí)施例中，兩個(gè)外部模塊可W位于兩 個(gè)或更多內(nèi)部模塊的側(cè)面，例如WW-R-R-W、R-W-W-R布置等。為