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磁記錄頭以及具備其的磁盤(pán)裝置的制造方法_3

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中,如果(根據(jù)周速)將中周位置設(shè)為基準(zhǔn),則內(nèi)周側(cè):移動(dòng)時(shí)間T變大,外周側(cè):移動(dòng)時(shí)間T變小。與此相對(duì),根據(jù)本實(shí)施方式,內(nèi)周側(cè):距離L變短/周速變小,外周側(cè):距離L變長(zhǎng)/周速變大,所以磁盤(pán)的內(nèi)周/中周/外周處的介質(zhì)移動(dòng)時(shí)間T的偏差變小。由此,在本實(shí)施方式涉及的磁記錄頭中,不管在磁盤(pán)16的哪個(gè)半徑位置,都能夠進(jìn)行接近成為最佳記錄信號(hào)S/N比的介質(zhì)移動(dòng)時(shí)間T的狀態(tài)下的記錄。
[0059]圖5表示在磁盤(pán)16的中周位置進(jìn)行熱輔助磁記錄時(shí)的、磁頭33與記錄磁道50的位置關(guān)系,圖6表示圖5的狀態(tài)下的、加熱點(diǎn)中心S、主磁極60與記錄磁道50的位置關(guān)系。此時(shí),磁頭33的長(zhǎng)度方向(磁頭滑架42的長(zhǎng)度方向、中心軸線CL)與磁頭33的相對(duì)移動(dòng)方向C 一致。記錄磁道50沿著滑架42的長(zhǎng)度方向被記錄,所以被進(jìn)行記錄的加熱點(diǎn)中心S距磁極端面60b的距離L保持為沿著滑架42的長(zhǎng)度方向的距離。
[0060]圖7沿著時(shí)間軸表示在磁盤(pán)16上的I個(gè)部位、磁盤(pán)從磁頭33受到的加熱以及磁場(chǎng)的影響。如圖所示,在進(jìn)行磁記錄時(shí),磁盤(pán)16的記錄層103的記錄區(qū)域,先由近場(chǎng)光加熱、頑磁力下降,然后從主磁極60受到記錄磁場(chǎng)M而完成信號(hào)寫(xiě)入。磁盤(pán)16的記錄層103,在被加熱后,在被冷卻時(shí)頑磁力上升,在頑磁力超過(guò)從記錄頭58受到的記錄磁場(chǎng)M的時(shí)間點(diǎn),該位置處的熱輔助磁記錄完成。為了方便,用交點(diǎn)Xl表示該位置。將圖7的狀態(tài)視為可得到最佳記錄信號(hào)S/N比的狀態(tài)。在圖7中,如果距離L/(磁盤(pán)周速)變小,則記錄磁場(chǎng)M時(shí)間性地向前方移動(dòng),如果距離L/(磁盤(pán)周速)變大,則記錄磁場(chǎng)M時(shí)間性地向后方移動(dòng)。其結(jié)果,交點(diǎn)X移動(dòng),即從最佳位置錯(cuò)開(kāi)。
[0061]接下來(lái),將圖5至圖7所示的中周位置處的熱輔助磁記錄的狀態(tài)設(shè)為基準(zhǔn)以及最佳,將內(nèi)周位置以及外周位置處的磁記錄進(jìn)行比較評(píng)價(jià)。
[0062]圖8表示在磁盤(pán)16的內(nèi)周位置進(jìn)行熱輔助磁記錄時(shí)的、磁頭33與記錄磁道50的位置關(guān)系,圖9表示圖8的狀態(tài)下的、加熱點(diǎn)中心S、主磁極60與記錄磁道50的位置關(guān)系。此時(shí),磁頭33的長(zhǎng)度方向(磁頭滑架42的長(zhǎng)度方向、中心軸線CL)相對(duì)于磁頭33的相對(duì)移動(dòng)方向C,退出端(圖8中的上部)朝向磁盤(pán)中心方向(圖8中的左側(cè)),與相對(duì)移動(dòng)方向C交叉。
[0063]相對(duì)于記錄磁道50,主磁極60向磁盤(pán)16的內(nèi)周側(cè)傾斜,所以記錄磁道50上的磁極端面60b的中心(與中心軸線CL的交點(diǎn))向比圖6所示的位置靠?jī)?nèi)周側(cè)處移動(dòng)。進(jìn)行磁記錄的距離L比圖6所示的中周位置處的進(jìn)行磁記錄的距離L短。同時(shí),磁盤(pán)16的周速變得在內(nèi)周位置比在中周位置小,所以距離L/ (周速)相抵消,變得與中周位置的距離L/ (周速)大致相等。
[0064]圖10沿著時(shí)間軸表示在圖9所示的狀態(tài)下的磁盤(pán)16上的I個(gè)部位、磁盤(pán)16從磁頭33受到的加熱以及磁場(chǎng)的影響。如圖所示,在進(jìn)行磁記錄時(shí),磁盤(pán)16的記錄層103的記錄區(qū)域,首先由近場(chǎng)光加熱、頑磁力下降,然后從主磁極60受到記錄磁場(chǎng)M而完成信號(hào)寫(xiě)入。磁盤(pán)16的記錄層103,在被加熱后,在被冷卻時(shí)頑磁力上升,在頑磁力超過(guò)從記錄頭58受到的記錄磁場(chǎng)M的時(shí)間點(diǎn),該位置處的熱輔助磁記錄完成。為了方便,用交點(diǎn)X2來(lái)表示該位置。
[0065]如前所述,內(nèi)周位置處的距離L/ (周速)與中周位置處的距離L/ (周速)大致一致,所以交點(diǎn)X2的位置也與圖7所示的交點(diǎn)Xl大致相等。距離L以及周速不限于以相同比率增減,所以交點(diǎn)X2可能與交點(diǎn)Xl不同,但其錯(cuò)開(kāi)量與以往的磁頭相比大幅減小。因此,即使在磁盤(pán)16的內(nèi)周位置,也能夠以最佳記錄信號(hào)S/N比來(lái)進(jìn)行熱輔助磁記錄。
[0066]圖11表示在磁盤(pán)16的外周位置進(jìn)行熱輔助磁記錄時(shí)的、磁頭33與記錄磁道50的位置關(guān)系,圖12表示圖11的狀態(tài)下的、加熱點(diǎn)中心S、主磁極60與記錄磁道50的位置關(guān)系。此時(shí),磁頭33的長(zhǎng)度方向(磁頭滑架42的長(zhǎng)度方向、中心軸線CL),相對(duì)于磁頭33的相對(duì)移動(dòng)方向C,退出端(圖12中的上部)朝向與磁盤(pán)中心相反的方向(圖12中的右側(cè)),與相對(duì)移動(dòng)方向C交叉。
[0067]相對(duì)于記錄磁道50,主磁極60向磁盤(pán)16的外周側(cè)傾斜,所以記錄磁道50上的磁極端面60b的中心(與中心軸線CL的交點(diǎn))向比圖6所示的位置靠外周側(cè)的位置移動(dòng)。被進(jìn)行磁記錄的距離L變得比在圖6所述的中周位置被進(jìn)行磁記錄的距離L長(zhǎng)。同時(shí),在外周位置磁盤(pán)16的周速比在中周位置大,所以外周位置處的距離L/ (周速)被抵消,變得與中周位置的距離L/ (周速)大致相等。
[0068]圖13沿著時(shí)間軸表示在圖12所示的狀態(tài)下的磁盤(pán)16上的I個(gè)部位、磁盤(pán)16從磁頭33受到的加熱以及磁場(chǎng)的影響。如圖所示,在進(jìn)行磁記錄時(shí),磁盤(pán)16的記錄層103的記錄區(qū)域先由近場(chǎng)光加熱、頑磁力下降,然后從主磁極60受到記錄磁場(chǎng)M而完成信號(hào)寫(xiě)入。磁盤(pán)16的記錄層103,在被加熱后在被冷卻時(shí)頑磁力上升,在頑磁力超過(guò)從記錄頭58受到的記錄磁場(chǎng)M的時(shí)間點(diǎn),該位置處的熱輔助磁記錄完成。為了方便,用交點(diǎn)X3來(lái)表示該位置。
[0069]如前所述,外周位置處的距離L/ (周速)與中周位置處的距離L/ (周速)大致一致,所以交點(diǎn)X3的位置也與圖7所示的交點(diǎn)Xl大致相等。距離L以及周速不限于以相同比率增減,所以交點(diǎn)X3可能與交點(diǎn)Xl不同,但該錯(cuò)開(kāi)量與以往的磁頭相比大幅減小。因此,即使在磁盤(pán)16的外周位置,也能夠以最佳記錄信號(hào)S/N比來(lái)進(jìn)行熱輔助磁記錄。
[0070]圖14表示第I實(shí)施方式涉及的記錄頭的主磁極與加熱點(diǎn)中心的磁道下行方向以及橫跨磁道方向的位置關(guān)系。如圖15所不,HDD的條件設(shè)為,磁盤(pán)的轉(zhuǎn)速為5400rpm,磁頭的歪扭角:在最內(nèi)周(R=14mm)為+ 17°,在中周(R=22mm)為0°,在最外周(R=33mm)為一17°,計(jì)算各半徑位置處的周速、歪扭角。
[0071]如圖14所示,設(shè)為在距加熱點(diǎn)中心S滑架的長(zhǎng)度方向(磁道下行方向)的距離L為10nm的位置具有磁極端面60b的主磁極60。此時(shí),如果計(jì)算磁盤(pán)的各半徑處的加熱點(diǎn)中心S-磁極端面60b間的移動(dòng)所需要時(shí)間,則如圖16所示。在以往構(gòu)造(比較例)的記錄頭,內(nèi)周位置、中周位置、外周位置的加熱點(diǎn)中心S-磁極端面60b間的移動(dòng)所需要時(shí)間的偏差D約為6.2ns,與此相對(duì),如圖16所示,在上述構(gòu)成的記錄頭中,可知內(nèi)周/中周/外周處的移動(dòng)所需要時(shí)間的偏差D約為2.5ns,已大幅度地縮短。
[0072]根據(jù)如上所述那樣構(gòu)成的HDD,與要記錄的半徑位置無(wú)關(guān),不管在介質(zhì)的內(nèi)周/中周/外周的哪里都能夠在能得到最佳信號(hào)品質(zhì)的定時(shí)進(jìn)行磁記錄。由此,能夠提供不管在記錄介質(zhì)的哪個(gè)半徑位置都可得到最佳記錄信號(hào)S/N比、且磁道方向的記錄特性提高了的磁記錄頭以及具備其的磁盤(pán)裝置。
[0073]接下來(lái),對(duì)其他的實(shí)施方式涉及的HDD以及磁記錄頭進(jìn)行說(shuō)明。另外,在下面所述的其他實(shí)施方式中,對(duì)于與上述第I實(shí)施方式相同的部分,標(biāo)注與第I實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記并將其詳細(xì)的說(shuō)明省略。
[0074](第2實(shí)施方式)
[0075]圖17表示第2實(shí)施方式涉及的HDD中的記錄頭的主磁極與加熱點(diǎn)中心的磁道下行方向以及橫跨磁道方向的位置關(guān)系。
[0076]圖17所不,根據(jù)第2實(shí)施方式,在HDD的記錄頭58中,與近場(chǎng)光發(fā)光兀件65相對(duì)的主磁極60的磁極端面60b,相對(duì)于在主磁極60的寬度方向(橫跨磁道方向)的中心以及加熱點(diǎn)中心S通過(guò)并在滑架的長(zhǎng)度方向(磁頭相對(duì)于磁盤(pán)16相對(duì)移動(dòng)的方向)上延伸的中心軸線CL形成為左右不對(duì)稱。磁極端面60b由在中央部彎曲的平坦面形成,相對(duì)于在中心軸線CL與磁極端面60b的交點(diǎn)通過(guò)并在與中心軸線CL垂直的橫跨磁道方向上延伸的平面CT傾斜。具體地說(shuō),在磁極端面60b上,相對(duì)于中心軸線CL,介質(zhì)內(nèi)周方向的第I區(qū)域60(IN)以從加熱點(diǎn)中心S進(jìn)一步離開(kāi)的方式按角度Θ I傾斜,介質(zhì)外周方向的第2區(qū)域60(OUT)向更接近加熱點(diǎn)中心S的方向按角度Θ2傾斜。角度Θ 1、Θ 2根據(jù)磁盤(pán)的徑、周速等在0° < Θ1、Θ2<90°的
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