專利名稱：校準(zhǔn)熱輔助磁記錄的激光寫入功率的磁盤驅(qū)動(dòng)器的制作方法
校準(zhǔn)熱輔助磁記錄的激光寫入功率的磁盤驅(qū)動(dòng)器背景技術(shù)
磁盤驅(qū)動(dòng)器包括磁盤和磁頭，該磁頭連接到致動(dòng)器臂的遠(yuǎn)端，由音圈馬達(dá)(VCM)繞 著樞軸旋轉(zhuǎn)該致動(dòng)器臂，以便在磁盤上方徑向定位磁頭。磁盤包括多個(gè)徑向間隔的同心磁 道，用于記錄用戶數(shù)據(jù)扇區(qū)和嵌入伺服扇區(qū)。嵌入伺服扇區(qū)包括磁頭定位信息(例如，磁道 地址)，該磁頭定位信息由磁頭讀取并由伺服控制器處理以便當(dāng)致動(dòng)器臂從一個(gè)磁道到另 一個(gè)磁道尋道時(shí)控制致動(dòng)器臂的速度。
通常，在被稱為飽和記錄的過(guò)程中通過(guò)調(diào)制感應(yīng)線圈中的寫入電流將磁躍遷記錄 到磁盤表面上來(lái)將數(shù)據(jù)寫入磁盤。在回讀期間，由讀取元件(例如，磁阻元件)感應(yīng)磁躍遷并 由合適的讀取信道解調(diào)所得到的讀取信號(hào)。熱輔助磁記錄(HAMR)是最新的發(fā)展，其通過(guò)在 寫入操作期間加熱磁盤表面來(lái)減少磁性介質(zhì)的矯頑力，由此使得由寫入線圈生成的磁場(chǎng)能 夠更容易地磁化磁盤表面，從而改善寫入數(shù)據(jù)的質(zhì)量。


圖1A示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例包括在磁盤上方被致動(dòng)的磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器。
圖1B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例包括在將數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)加熱磁盤的激光器的磁 頭。
圖1C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其中基于隨時(shí)間變化的激光功率調(diào)整激 光器的校準(zhǔn)間隔。
圖2A示出一個(gè)實(shí)施例，其中根據(jù)使用水平，校準(zhǔn)間隔隨著時(shí)間推移以不同速率減 少。
圖2B示出一個(gè)實(shí)施例，其中在將數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)，校準(zhǔn)間隔以更快速率減少。
圖3A示出激光器如何在不同環(huán)境溫度下以不同速率退化。
圖3B示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中基于環(huán)境溫度調(diào)整校準(zhǔn)間隔。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其中基于在讀取操作期間生成的質(zhì)量度 量調(diào)整校準(zhǔn)間隔。
圖4B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例基于質(zhì)量度量調(diào)整的校準(zhǔn)間隔。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其中基于為校準(zhǔn)間隔定時(shí)的校準(zhǔn)定時(shí)器偏置質(zhì)量度量。
圖5B不出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可以如何偏置質(zhì)量度量的不例。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其中當(dāng)校準(zhǔn)激光器的寫入功率時(shí)，圍繞當(dāng) 前設(shè)定值來(lái)測(cè)試設(shè)定值的范圍。
圖7示出本發(fā)明的實(shí)施例，其中若調(diào)整激光器的寫入功率不改善性能，則重置寫 入功率并校準(zhǔn)另一個(gè)分量。
具體實(shí)施方式
圖1A示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括在磁盤4上方被致動(dòng)的磁頭2。磁頭2 (圖1B)包括用于在將數(shù)據(jù)寫入磁盤4時(shí)加熱磁盤4的激光器6。磁盤驅(qū)動(dòng)器進(jìn) 一步包括可操作用于執(zhí)行圖1C的流程圖的控制電路8，其中接收寫命令(步驟10)，并且在 將數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)(步驟14)，將激光器的功率增加到用于加熱磁盤的寫入功率(步驟12)。 基于隨著時(shí)間施加到激光器的功率來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔(步驟16)，并且以該校準(zhǔn)間隔校準(zhǔn)寫入 功率(步驟18)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以采用任何合適的激光器6，例如激光二極管。另外，本發(fā) 明的實(shí)施例可以采用任何合適的技術(shù)來(lái)將激光聚焦到磁盤上，例如合適的波導(dǎo)、放大鏡或 其他合適的光學(xué)器件。同樣在圖1B的實(shí)施例中，磁頭2包括寫入元件20 (ff. E.)(例如，感 應(yīng)線圈)和讀取元件22 (R. E.)(例如，磁阻讀取元件)。在寫入操作期間，將施加于激光器6 的功率增加到寫入功率以便加熱磁盤，由此減少矯頑力，從而更加可靠地寫入數(shù)據(jù)。寫入功 率被定期校準(zhǔn)以確保在磁盤驅(qū)動(dòng)器的壽命期間最佳地加熱，而且由于激光器的輸出隨著時(shí) 間而退化，在本發(fā)明的實(shí)施例中，基于隨著時(shí)間推移施加于激光器的功率來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔。
這在圖2A中示出，其中在磁盤驅(qū)動(dòng)器的壽命期間，校準(zhǔn)激光器的寫入功率的校準(zhǔn) 間隔減少以解決激光器隨著時(shí)間的退化。校準(zhǔn)間隔減少的速度取決于在磁盤驅(qū)動(dòng)器的壽命 期間的使用水平(寫操作的頻率)，其中當(dāng)使用水平增加時(shí)，校準(zhǔn)間隔減少更快。也就是說(shuō)， 增加的寫操作頻率導(dǎo)致更快的激光器退化，并且因此以更快的速率減少校準(zhǔn)間隔以確保維 持最佳寫入功率。在一個(gè)實(shí)施例中，校準(zhǔn)間隔被減少到最小值而不是圖2A中所示的零。圖 2A的示例假設(shè)隨著時(shí)間推移的恒定使用水平，并且因此校準(zhǔn)間隔隨著時(shí)間線性減少，但由 于使用水平是隨著時(shí)間改變的，所以實(shí)際減少速率可能隨著時(shí)間而改變。
圖2B示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中在激光器功率為高的寫入時(shí)間期間，校準(zhǔn)間 隔減少更快，而在激光器功率較低或關(guān)閉的空閑時(shí)間期間，校準(zhǔn)間隔減少更慢。在一個(gè)實(shí)施 例中，在空閑時(shí)間期間可以關(guān)閉激光器功率，而在另一個(gè)實(shí)施例中，在空閑時(shí)間期間可以將 激光器功率減少到待命水平。在又一個(gè)實(shí)施例中，在將數(shù)據(jù)寫入磁盤之前的預(yù)熱間隔期間 可以增加激光器功率，其中預(yù)熱功率可以與寫入功率相同或小于寫入功率。在本發(fā)明的實(shí) 施例中，隨著時(shí)間跟蹤施加于激光器的功率，并相應(yīng)地調(diào)整校準(zhǔn)間隔。
圖3A和圖3B不出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,其中基于環(huán)境溫度,激光器輸出隨著時(shí)間 推移以不同速率退化。在圖3A所示的示例中，當(dāng)環(huán)境溫度(TEMP)增加時(shí)，激光器輸出更快 地退化，其中圖3A示出的每個(gè)曲線假設(shè)隨著時(shí)間推移的恒定激光器功率和恒定環(huán)境溫度。 為了解決變化的退化速度，在圖3B所示的實(shí)施例中，基于校準(zhǔn)間隔內(nèi)的環(huán)境溫度調(diào)整對(duì)校 準(zhǔn)間隔定時(shí)的校準(zhǔn)定時(shí)器(CAL)。實(shí)際上，基于環(huán)境溫度來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔，其中在圖3B的示 例中，由于在不同間隔內(nèi)環(huán)境溫度增加，因此校準(zhǔn)間隔減少。圖3B的示例顯示出基于環(huán)境 溫度的當(dāng)前校準(zhǔn)間隔的明顯減少，但實(shí)際上由于環(huán)境溫度的起伏，校準(zhǔn)間隔可能改變更小 的量。
圖4A示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其在圖1C的流程圖上擴(kuò)展，其中當(dāng)接收 到讀取命令時(shí)(步驟24)，從磁盤讀取數(shù)據(jù)并生成相應(yīng)的質(zhì)量度量(步驟26)。然后基于該質(zhì) 量度量調(diào)整激光器寫入功率的校準(zhǔn)間隔。在圖4B所示的示例中，可以隨著質(zhì)量度量(QM)改 變，在校準(zhǔn)間隔期間調(diào)整校準(zhǔn)定時(shí)器，由此調(diào)整校準(zhǔn)間隔。例如，如果質(zhì)量度量指示所記錄 的數(shù)據(jù)的質(zhì)量退化時(shí)，則減少校準(zhǔn)間隔，以便盡快重新校準(zhǔn)激光器寫入功率?？梢栽趶拇疟P 讀取數(shù)據(jù)時(shí)生成任何合適的質(zhì)量度量，例如比特錯(cuò)誤率或任何合適的讀取信道質(zhì)量(例如，讀取信號(hào)幅度、增益控制設(shè)定值、定時(shí)恢復(fù)度量、序列檢測(cè)器度量等)。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其在圖4A的流程圖上擴(kuò)展，其中，基于對(duì) 校準(zhǔn)間隔定時(shí)的校準(zhǔn)定時(shí)器，偏置在讀取操作期間(步驟26)生成的質(zhì)量度量(步驟30)。 然后基于所偏置的質(zhì)量度量調(diào)整校準(zhǔn)間隔(步驟32)。例如，如果質(zhì)量度量指示在校準(zhǔn)激光 器寫入功率后記錄質(zhì)量很快退化，則更有可能是由于其他問題而不是激光器寫入功率的問 題。因此，控制電路可以嘗試重新校準(zhǔn)不同的分量(例如，寫入電流幅度或讀取信道分量)而 不是嘗試再次校準(zhǔn)激光器寫入功率。但是，如果質(zhì)量度量在校準(zhǔn)間隔的末端附近退化時(shí)，更 有可能是由不正確的激光器寫入功率導(dǎo)致的。因此，校準(zhǔn)間隔被減少，以便盡快校準(zhǔn)激光器 寫入功率?？梢岳萌魏魏线m的算法偏置質(zhì)量度量(B_QM)，其中圖5B示出一個(gè)示例，其中 質(zhì)量度量(QM)乘以標(biāo)量K與隨時(shí)間遞減的校準(zhǔn)定時(shí)器相除之商。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，其用于在參考圖7所述的校準(zhǔn)間隔的末端 處重新校準(zhǔn)激光器寫入功率。在校準(zhǔn)第一寫入功率(步驟34)并利用第一寫入功率執(zhí)行多 個(gè)寫入操作之后，在校準(zhǔn)間隔的末端處重新校準(zhǔn)寫入功率(步驟38)。以第一寫入功率測(cè)量 質(zhì)量度量(步驟40)，例如通過(guò)向磁盤寫入和從磁盤讀取測(cè)試模式來(lái)進(jìn)行測(cè)量。然后將寫入 功率增加到高于第一寫入功率(步驟42)，并且以增加的寫入功率測(cè)量質(zhì)量度量(步驟44)。 如果基于質(zhì)量度量在增加的寫入功率下改善了記錄質(zhì)量(步驟46)，則逐漸增加寫入功率直 至質(zhì)量度量達(dá)到目標(biāo)值(步驟48 )。
如果質(zhì)量度量指示記錄質(zhì)量在較高寫入功率下退化(步驟46)，則寫入功率被減少 到低于第一寫入功率(步驟50)，并且在減少的寫入功率下測(cè)量質(zhì)量度量(步驟52)。如果基 于質(zhì)量度量在減少的寫入功率下改善了記錄質(zhì)量(步驟54)，則逐漸減少寫入功率直至質(zhì)量 度量達(dá)到目標(biāo)值(步驟56)。
如果質(zhì)量度量指示記錄質(zhì)量在較低寫入功率下退化(步驟54)，假設(shè)寫入功率不需 要重新校準(zhǔn)，則將寫入功率重置到第一寫入功率(步驟58)。如果質(zhì)量度量低于閥值，即指 示差的記錄質(zhì)量，則可以校準(zhǔn)不同的分量(步驟58)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，差的質(zhì)量度量 可以觸發(fā)激光器寫入功率的重新校準(zhǔn)，但是如果校準(zhǔn)程序指示當(dāng)前的寫入功率已經(jīng)是最佳 的，則控制電路可以嘗試校準(zhǔn)可能是差記錄質(zhì)量的原因的不同分量(例如，寫入電流幅度或 讀取信道分量)。
在圖6和圖7的實(shí)施例中，在重新校準(zhǔn)期間寫入功率起初從當(dāng)前設(shè)定值增加，因?yàn)?假設(shè)激光器輸出在校準(zhǔn)間隔內(nèi)是退化的。以此方式，執(zhí)行重新校準(zhǔn)程序的時(shí)間通常被最小 化，因?yàn)槎鄶?shù)時(shí)間激光器寫入功率將需要從當(dāng)前設(shè)定值增加一些設(shè)定值。但是，當(dāng)這一假設(shè) 不正確時(shí)，正確的寫入功率通常小幅遞減到低于當(dāng)前設(shè)定值。因此，通過(guò)僅測(cè)試圍繞當(dāng)前設(shè) 定值的一些設(shè)定值而不是測(cè)試全范圍的設(shè)定值(例如，通過(guò)開始于低功率設(shè)定值并逐漸增 加直至質(zhì)量度量達(dá)到目標(biāo))來(lái)最小化重新校準(zhǔn)時(shí)間。
在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)先確定激光器的額定性能特征，例如，通過(guò)評(píng)估激光器制造商 提供的性能數(shù)據(jù)。作為替換，可以通過(guò)執(zhí)行若干激光器的基準(zhǔn)測(cè)試來(lái)確定其額定性能特征， 而在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)在現(xiàn)場(chǎng)部署時(shí)，性能特征可以由每個(gè)單獨(dú)磁盤驅(qū)動(dòng)器保存并傳輸 給磁盤驅(qū)動(dòng)器制造商(例如經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)或者當(dāng)返回維修時(shí))。然后激光器的性能特征可以被 用于優(yōu)化一系列磁盤驅(qū)動(dòng)器的校準(zhǔn)間隔輪廓/曲線(profile)。也就是說(shuō)，在制造每個(gè)新磁 盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)，可以基于激光器的額定性能特征為其配置校準(zhǔn)間隔輪廓。
在一個(gè)實(shí)施例中，可以基于在現(xiàn)場(chǎng)部署時(shí)為激光器測(cè)量的實(shí)際性能特征，在每個(gè) 磁盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)調(diào)整校準(zhǔn)間隔輪廓。例如，控制電路可以測(cè)量激光器的性能特征并基于隨 著時(shí)間的總體退化、環(huán)境溫度和/或上述質(zhì)量度量來(lái)修改用于偏置對(duì)校準(zhǔn)間隔的調(diào)整的算 法。在一個(gè)實(shí)施例中，在重新校準(zhǔn)程序期間，基于寫入功率需要的調(diào)整量確定激光器的性能 特征。如果在重新校準(zhǔn)時(shí)寫入功率需要大的調(diào)整，則可以修改用于調(diào)整校準(zhǔn)間隔的算法，以 便更快地減少校準(zhǔn)間隔(從而盡快校準(zhǔn)寫入功率)。相反，如果在當(dāng)前校準(zhǔn)間隔的末端重新 校準(zhǔn)時(shí)寫入功率僅需要輕微的調(diào)整，則可以修改算法以更慢地減少校準(zhǔn)間隔。
可以采用任何合適的控制電路來(lái)實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例中的流程圖，例如任何合適的 一個(gè)或多個(gè)集成電路。例如，可以在讀取信道集成電路內(nèi)或在與讀取信道獨(dú)立的組件例如 磁盤控制器中實(shí)施該控制電路，或者上述某些步驟可以由讀取信道執(zhí)行，而其他的步驟由 磁盤控制器執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施例中，讀取信道和磁盤控制器被實(shí)施為單獨(dú)的集成電路，而在 可替換的實(shí)施例中，它們被構(gòu)造成單個(gè)集成電路或片上系統(tǒng)(S0C)。此外，控制電路可以包 括實(shí)施為單獨(dú)的集成電路、集成到讀取信道或磁盤控制器電路內(nèi)或集成到SOC內(nèi)的前置放 大器電路。
在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路包括執(zhí)行指令的微處理器，這些指令可操作用于促使 微處理器執(zhí)行本文所述的流程圖的步驟。指令可以被存儲(chǔ)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。在一 個(gè)實(shí)施例中，它們可以被存儲(chǔ)在微處理器外面的或與微處理器集成在SOC中的非易失性半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器上。在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器被加電時(shí)，指令被存儲(chǔ)在磁盤上并被讀取 到易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中。在又一個(gè)實(shí)施例中，控制電路包括合適的邏輯電路，例如狀態(tài)機(jī) 電路。
權(quán)利要求
1.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括磁盤；在所述磁盤上方被致動(dòng)的磁頭，其中所述磁頭包括用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的激光器；以及控制電路，其可操作用于接收寫入命令；將所述激光器的功率增加到用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的寫入功率；基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔；以及以所述校準(zhǔn)間隔校準(zhǔn)所述寫入功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路進(jìn)一步可操作用于隨著時(shí)間減少所述校準(zhǔn)間隔以補(bǔ)償激光器退化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路進(jìn)一步可操作用于基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率和環(huán)境溫度來(lái)調(diào)整所述校準(zhǔn)間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路可操作用于隨著所述環(huán)境溫度增加而減少所述校準(zhǔn)間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路進(jìn)一步可操作用于基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率和從所述磁盤讀取的數(shù)據(jù)的質(zhì)量度量來(lái)調(diào)整所述校準(zhǔn)間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述質(zhì)量度量包括從所述磁盤讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述質(zhì)量度量包括讀取信道質(zhì)量度量。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路進(jìn)一步可操作用于基于對(duì)所述校準(zhǔn)間隔定時(shí)的校準(zhǔn)定時(shí)器來(lái)偏置所述質(zhì)量度量。
9.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括磁盤；在磁盤上方被致動(dòng)的磁頭，其中所述磁頭包括用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的激光器；以及控制電路，其可操作用于校準(zhǔn)所述激光器的第一寫入功率；利用所述第一寫入功率執(zhí)行多個(gè)寫入操作；以及在執(zhí)行所述多個(gè)寫入操作后，通過(guò)以下方式重新校準(zhǔn)所述激光器的寫入功率將所述寫入功率增加到高于所述第一寫入功率并測(cè)量質(zhì)量度量；以及當(dāng)所述質(zhì)量度量指示在較高寫入功率下的退化性能時(shí)，將所述寫入功率減少到低于所述第一寫入功率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述控制電路進(jìn)一步可操作用于通過(guò)以下方式校準(zhǔn)所述激光器的寫入功率將測(cè)試模式寫入所述磁盤；以及通過(guò)從所述磁盤讀取所述測(cè)試模式來(lái)測(cè)量所述質(zhì)量度量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)所述質(zhì)量度量指示在較低寫入功率下的退化性能時(shí)，所述控制電路進(jìn)一步可操作用于將所述寫入功率重置到所述第一寫入功率；以及校準(zhǔn)所述磁盤驅(qū)動(dòng)器的至少一個(gè)其他分量。
12.—種操作磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法，其中所述磁盤驅(qū)動(dòng)器包括在磁盤上方被致動(dòng)的磁頭， 其中所述磁頭包括用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的激光器，所述方法包括接收寫入命令；將所述激光器的功率增加到用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的寫入功率；基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔；以及以所述校準(zhǔn)間隔校準(zhǔn)所述寫入功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括隨著時(shí)間減少所述校準(zhǔn)間隔以補(bǔ)償激光退化。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率和環(huán)境溫度來(lái)調(diào)整所述校準(zhǔn)間隔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括隨著所述環(huán)境溫度增加而減少所述校準(zhǔn)間隔。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括基于隨著時(shí)間施加到所述激光器的功率和從所述磁盤讀取的數(shù)據(jù)的質(zhì)量度量來(lái)調(diào)整所述校準(zhǔn)間隔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述質(zhì)量度量包括從所述磁盤讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述質(zhì)量度量包括讀取信道質(zhì)量度量。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其進(jìn)一步包括基于對(duì)所述校準(zhǔn)間隔定時(shí)的校準(zhǔn)定時(shí)器來(lái)偏置所述質(zhì)量度量。
20.一種操作磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法，其中所述磁盤驅(qū)動(dòng)器包括在磁盤上方被致動(dòng)的磁頭， 其中所述磁頭包括用于在將數(shù)據(jù)寫入所述磁盤時(shí)加熱所述磁盤的激光器，所述方法包括校準(zhǔn)所述激光器的第一寫入功率；利用所述第一寫入功率執(zhí)行多個(gè)寫入操作；以及在執(zhí)行所述多個(gè)寫入操作后，通過(guò)以下方式重新校準(zhǔn)所述激光器的寫入功率將所述寫入功率增加到高于所述第一寫入功率并測(cè)量質(zhì)量度量；以及當(dāng)所述質(zhì)量度量指示在較高寫入功率下的退化性能時(shí)，將所述寫入功率減少到低于所述第一寫入功率。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其進(jìn)一步包括通過(guò)以下方式校準(zhǔn)所述激光器的寫入功率將測(cè)試模式寫入所述磁盤；以及通過(guò)從所述磁盤讀取所述測(cè)試模式來(lái)測(cè)量所述質(zhì)量度量。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中當(dāng)所述質(zhì)量度量指示在較低寫入功率下的退化性能時(shí)，所述方法進(jìn)一步包括將所述寫入功率重置到所述第一寫入功率；以及校準(zhǔn)所述磁盤驅(qū)動(dòng)器的至少一個(gè)其他分量。
全文摘要
本發(fā)明公開一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括在磁盤上方被致動(dòng)的磁頭，其中該磁頭包括用于在將數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)加熱磁盤的激光器。該磁盤驅(qū)動(dòng)器接收寫入命令，并且將激光器的功率增加到用于在將數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)加熱磁盤的寫入功率。基于隨著時(shí)間施加到激光器的功率來(lái)調(diào)整校準(zhǔn)間隔，并且以該校準(zhǔn)間隔校準(zhǔn)寫入功率。
文檔編號(hào)G11B5/58GK103021426SQ201210369248
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者M·亞歷克斯 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司