本申請涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種數(shù)據(jù)讀取方法、僅選擇存儲器及存儲器系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、3d?xpoint存儲器(3d磁存儲器)中，存儲單元由選擇器(用作單元選擇元件的開關(guān))和存儲元件(相變存儲器pcm)組成；也即，3d?xpoint存儲器具有1s1r配置。

2、som(selector?only?memory，僅選擇器存儲器)中，存儲單元僅包括了選擇器。相較于3d?xpoint存儲器，som能夠適應(yīng)更小的加工尺寸，即使加工尺寸為15nm，som中的高閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)也可以保持；另外，som器件的寫入時間更短，寫入時間在reset和set狀態(tài)之間基本可以保持一致；并且，som的寫循環(huán)的壽命也比1s1r配置的存儲器更多。

3、然而，som器件讀取過程中仍然存在讀干擾(read?disturb)的問題，會出現(xiàn)ea(激活能)降低的問題，從而引起器件的閾值電壓發(fā)生變化，對器件的性能產(chǎn)生不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)讀取方法、僅選擇存儲器及存儲器系統(tǒng)，能夠，能夠減少讀干擾問題，保證所存儲的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。

2、本申請實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀取方法，應(yīng)用于僅選擇器存儲器，包括：將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓，并檢測選定位線的位線讀取電壓；響應(yīng)于所述選定位線的所述位線讀取電壓小于參考電壓，讀取目標(biāo)數(shù)據(jù)為0；將所述選定位線的電壓升高至第一補(bǔ)償電壓。

4、在本申請的一些實(shí)施例中，所述第一補(bǔ)償電壓大于接地端的電壓。

5、在本申請的一些實(shí)施例中，所述檢測選定位線的位線讀取電壓之后，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：響應(yīng)于所述選定位線的所述位線讀取電壓大于參考電壓，讀取目標(biāo)數(shù)據(jù)為1。

6、在本申請的一些實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：響應(yīng)于所述選定字線的電壓升高至所述字線讀取電壓，將未選定位線的電壓升高至第二補(bǔ)償電壓。

7、在本申請的一些實(shí)施例中，所述第二補(bǔ)償電壓小于所述字線讀取電壓，且大于接地端的電壓。

8、在本申請的一些實(shí)施例中，所述將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓之前，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：將所述選定位線放電至起始位線電壓；所述起始位線電壓小于所述參考電壓。

9、在本申請的一些實(shí)施例中，讀取所述目標(biāo)數(shù)據(jù)之后，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：將所述選定字線和所述選定位線接地。

10、本申請實(shí)施例還提供一種僅選擇存儲器，包括：存儲單元陣列和外圍電路；其中，所述存儲單元陣列包括：多行字線和多列位線，以及耦接在字線和位線之間的存儲單元；所述外圍電路，耦接所述多行字線和所述多列位線；所述外圍電路，被配置為將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓，并檢測選定位線的位線讀取電壓；以及，響應(yīng)于所述選定位線的所述位線讀取電壓小于參考電壓，讀取目標(biāo)數(shù)據(jù)為0；以及，將所述選定位線的電壓升高至第一補(bǔ)償電壓。

11、在本申請的一些實(shí)施例中，所述外圍電路，還被配置為響應(yīng)于所述選定字線的電壓升高至所述字線讀取電壓，將未選定位線的電壓升高至第二補(bǔ)償電壓；其中，所述第二補(bǔ)償電壓小于所述字線讀取電壓，且大于接地端的電壓。

12、本申請實(shí)施例還提供一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于，包括：一個或多個如上述方案中所述的僅選擇存儲器，以及，存儲器控制器；所述存儲器控制器與所述僅選擇存儲器耦接；所述存儲器控制器控制所述僅選擇存儲器。

13、可以理解的是，在選定位線的電壓小于參考電壓的情況下，也即，在som器件中存儲數(shù)據(jù)“0”的情況下，在完成了對目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀取之后，將選定位線的電壓升高至第一補(bǔ)償電壓。這樣，針對“0”態(tài)的som器件進(jìn)行補(bǔ)償，能夠針對性地減少讀干擾問題，也即，解決了“0”態(tài)的som器件易出現(xiàn)讀干擾的問題。

技術(shù)特征：

1.一種數(shù)據(jù)讀取方法，應(yīng)用于僅選擇器存儲器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述檢測選定位線的位線讀取電壓之后，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓之前，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，讀取所述目標(biāo)數(shù)據(jù)之后，所述數(shù)據(jù)讀取方法還包括：

8.一種僅選擇存儲器，其特征在于，包括：存儲單元陣列和外圍電路；其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的僅選擇存儲器，其特征在于，

10.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于，包括：一個或多個如權(quán)利要求8或9所述的僅選擇存儲器，以及，存儲器控制器；

技術(shù)總結(jié)
本申請實(shí)施例公開了一種數(shù)據(jù)讀取方法、僅選擇器存儲器及存儲器系統(tǒng)。數(shù)據(jù)讀取方法包括：將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓，并檢測選定位線的位線讀取電壓；響應(yīng)于選定位線的位線讀取電壓小于參考電壓，讀取目標(biāo)數(shù)據(jù)為0；將選定位線的電壓升高至第一補(bǔ)償電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：彭文林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新存科技（武漢）有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6