本技術(shù)涉及存儲(chǔ)器修復(fù)，特別涉及一種自檢測(cè)電路及存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)：

1、在隨機(jī)存儲(chǔ)器，尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(dram，dynamic?random?access?memory)的制造工藝中，存在行(row)方向上的字線(wl，word?line)短路或者開(kāi)路，或者列(column)方向上的位線(bl，bite?line)短路或者開(kāi)路，再或者存儲(chǔ)單元(mc，memory?cell)損壞。

2、且隨著dram工藝的不斷縮小以及存儲(chǔ)容量的不斷增加，量產(chǎn)的dram芯片內(nèi)必然存在失效的單元。因此，對(duì)dram的修復(fù)要求也越來(lái)越高。另一方面，隨著人工智能的不斷發(fā)展，對(duì)于大算力的需求場(chǎng)景越來(lái)越多?；旌辖壎夹g(shù)可以有效的將邏輯晶圓和存儲(chǔ)晶圓鍵合到一起，大大提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)的帶寬。因此，在這種場(chǎng)景下，需要一種實(shí)時(shí)的修復(fù)方式，滿足復(fù)雜多變的修復(fù)場(chǎng)景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問(wèn)題，本技術(shù)提供一種自檢測(cè)電路及存儲(chǔ)裝置，用以解決上述問(wèn)題。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本技術(shù)采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種自檢測(cè)電路，自檢測(cè)電路耦接于控制電路和存儲(chǔ)電路之間，自檢測(cè)電路包括內(nèi)建自測(cè)試模塊和內(nèi)建自測(cè)試界面；其中，內(nèi)建自測(cè)試模塊通過(guò)內(nèi)建自測(cè)試界面和第一定制總線連接至控制電路，內(nèi)建自測(cè)試模塊被配置為通過(guò)第一定制總線和內(nèi)建自測(cè)試界面從控制電路接收測(cè)試指令，基于測(cè)試指令執(zhí)行自測(cè)試操作以偵測(cè)存儲(chǔ)電路中損壞的存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生相應(yīng)的壞點(diǎn)信息并存儲(chǔ)至存儲(chǔ)電路中。

3、在一些實(shí)施例中，內(nèi)建自測(cè)試模塊包括至少一內(nèi)建自測(cè)試子模塊，存儲(chǔ)電路包括至少一存儲(chǔ)晶粒，每個(gè)內(nèi)建自測(cè)試子模塊分別對(duì)應(yīng)一個(gè)相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒，每個(gè)存儲(chǔ)晶粒包括第一存儲(chǔ)子模塊和第二存儲(chǔ)子模塊；響應(yīng)于至少一內(nèi)建自測(cè)試子模塊基于測(cè)試指令對(duì)其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的第一存儲(chǔ)子模塊進(jìn)行自測(cè)試操作，內(nèi)建自測(cè)試子模塊偵測(cè)第一存儲(chǔ)子模塊中損壞的存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生相應(yīng)的壞點(diǎn)信息并將壞點(diǎn)信息存儲(chǔ)至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的第二存儲(chǔ)子模塊，其中，第一存儲(chǔ)子模塊作為自測(cè)試的測(cè)試用存儲(chǔ)子模塊，第二存儲(chǔ)子模塊作為自測(cè)試的測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)子模塊；響應(yīng)于至少一內(nèi)建自測(cè)試子模塊基于測(cè)試指令對(duì)其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的第二存儲(chǔ)子模塊進(jìn)行自測(cè)試操作，內(nèi)建自測(cè)試子模塊偵測(cè)第二存儲(chǔ)子模塊中損壞的存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生相應(yīng)的壞點(diǎn)信息并將壞點(diǎn)信息存儲(chǔ)至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的第一存儲(chǔ)子模塊，其中，第二存儲(chǔ)子模塊作為自測(cè)試的測(cè)試用存儲(chǔ)子模塊，第一存儲(chǔ)子模塊作為自測(cè)試的測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)子模塊。

4、在一些實(shí)施例中，每個(gè)內(nèi)建自測(cè)試子模塊分別包括通用配置單元、流程選擇單元、時(shí)序產(chǎn)生單元及壞點(diǎn)偵測(cè)單元。通用配置單元被配置為連接控制電路以接收測(cè)試指令，基于測(cè)試指令進(jìn)行測(cè)試項(xiàng)的配置和測(cè)試功能的調(diào)度；流程選擇單元被配置為連接通用配置單元，流程選擇單元基于通用配置單元中測(cè)試項(xiàng)的配置信息和測(cè)試功能的調(diào)度信息，選擇相應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)并啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的子狀態(tài)機(jī)；時(shí)序產(chǎn)生單元被配置為連接通用配置單元和流程選擇單元，時(shí)序產(chǎn)生模塊基于流程選擇模塊中的子狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生相應(yīng)的邏輯控制時(shí)序，內(nèi)建自測(cè)試子模塊基于邏輯控制時(shí)序執(zhí)行相應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)的自測(cè)試操作；壞點(diǎn)偵測(cè)單元被配置為連接通用配置單元和時(shí)序產(chǎn)生單元，壞點(diǎn)偵測(cè)單元基于測(cè)試項(xiàng)的自測(cè)試操作偵測(cè)相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中損壞的存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生壞點(diǎn)信息。

5、在一些實(shí)施例中，壞點(diǎn)偵測(cè)單元包括校驗(yàn)子單元、壞點(diǎn)信息產(chǎn)生子單元、壞點(diǎn)信息產(chǎn)生子單元及壞點(diǎn)信息回寫子單元。校驗(yàn)子單元被配置為連接通用配置單元和時(shí)序產(chǎn)生單元，校驗(yàn)單元基于測(cè)試項(xiàng)的自測(cè)試操作確定相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的存儲(chǔ)單元的寫入和讀取數(shù)據(jù)是否一致，并產(chǎn)生相應(yīng)的校驗(yàn)結(jié)果；壞點(diǎn)信息產(chǎn)生子單元被配置為連接校驗(yàn)子單元，壞點(diǎn)信息產(chǎn)生子單元基于校驗(yàn)結(jié)果確定相應(yīng)的存儲(chǔ)單元是否損壞，并產(chǎn)生相應(yīng)的壞點(diǎn)信息以標(biāo)記損壞的存儲(chǔ)單元；壞點(diǎn)信息回寫子單元被配置為連接壞點(diǎn)信息產(chǎn)生子單元，壞點(diǎn)信息回寫子單元被配置為將壞點(diǎn)信息寫入至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)子模塊；壞點(diǎn)信息讀取子單元被配置為讀取對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒中的測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)子模塊存儲(chǔ)的壞點(diǎn)信息，并反饋壞點(diǎn)信息至控制電路，以使控制電路基于壞點(diǎn)信息進(jìn)行冗余映射修復(fù)。

6、在一些實(shí)施例中，通用配置單元包括測(cè)試功能配置寄存器組、多個(gè)指令配置寄存器組、數(shù)據(jù)類型選擇寄存器組及其他配置寄存器組。測(cè)試功能配置寄存器組用于基于測(cè)試指令寄存各個(gè)測(cè)試項(xiàng)的配置；多個(gè)指令配置寄存器組用于寄存每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的相關(guān)信息；數(shù)據(jù)類型選擇寄存器組用于寄存不同類型的測(cè)試數(shù)據(jù)，以在執(zhí)行任一測(cè)試項(xiàng)時(shí)，選擇性地輸出相應(yīng)的測(cè)試數(shù)據(jù)；其它配置寄存器組用于寄存其它的非常用測(cè)試項(xiàng)。

7、在一些實(shí)施例中，流程選擇單元包括多個(gè)子狀態(tài)機(jī)，多個(gè)子狀態(tài)機(jī)與通用配置單元中的寄存器組一一對(duì)應(yīng)連接，用于基于啟動(dòng)信號(hào)及獲取寄存器組中測(cè)試項(xiàng)的相關(guān)信息執(zhí)行對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)的自測(cè)試操作。

8、在一些實(shí)施例中，自檢測(cè)電路還包括存儲(chǔ)器操作處理電路，存儲(chǔ)器操作處理電路連接控制電路和存儲(chǔ)電路，其中，存儲(chǔ)器操作處理電路基于控制電路傳輸來(lái)的用戶指令信息，執(zhí)行存儲(chǔ)器操作，存儲(chǔ)器操作包括寫操作和讀操作。

9、在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器操作處理電路包括用戶界面、命令譯碼模塊、具有冗余映射替換功能的尋址模塊、糾錯(cuò)編碼模塊、端口物理層模塊及糾錯(cuò)解碼模塊。用戶界面通過(guò)第二定制總線連接控制電路；命令譯碼模塊連接用戶界面；具有冗余映射替換功能的尋址模塊連接用戶界面；糾錯(cuò)編碼模塊連接用戶界面；端口物理層模塊連接命令譯碼模塊、尋址模塊、糾錯(cuò)編碼模塊和存儲(chǔ)電路；糾錯(cuò)解碼模塊連接存儲(chǔ)電路和用戶界面；其中，響應(yīng)于存儲(chǔ)器操作為寫操作，用戶界面通過(guò)第二定制總線從控制電路接收相應(yīng)的用戶指令信息；命令譯碼模塊解析用戶界面?zhèn)鬏攣?lái)的用戶指令信息中的命令信息；具有冗余映射替換功能的尋址模塊基于自測(cè)試操作偵測(cè)的壞點(diǎn)信息和用戶界面?zhèn)鬏攣?lái)的用戶指令信息中的尋址信息，確定是否執(zhí)行冗余映射替換，并執(zhí)行相應(yīng)的尋址操作；糾錯(cuò)編碼模塊對(duì)用戶界面?zhèn)鬏攣?lái)的用戶指令信息中的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行糾錯(cuò)編碼；端口物理層模塊用于生成相應(yīng)的時(shí)序控制信號(hào)，以時(shí)序地基于解析的命令信息，將糾錯(cuò)編碼后的數(shù)據(jù)信息寫入尋址操作對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電路的相應(yīng)的存儲(chǔ)單元中；響應(yīng)于存儲(chǔ)器操作為讀操作，用戶界面通過(guò)第二定制總線從控制電路接收相應(yīng)的用戶指令信息；命令譯碼模塊解析用戶界面?zhèn)鬏攣?lái)的用戶指令信息中的命令信息；具有冗余映射替換功能的尋址模塊基于自測(cè)試操作偵測(cè)的壞點(diǎn)信息和用戶界面?zhèn)鬏攣?lái)的用戶指令信息中的尋址信息，確定是否執(zhí)行冗余映射替換，并執(zhí)行相應(yīng)的尋址操作；端口物理層模塊用于生成相應(yīng)的時(shí)序控制信號(hào)；對(duì)應(yīng)于時(shí)序控制信號(hào)，存儲(chǔ)電路基于解析的命令信息，將與尋址操作對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)信息讀出；糾錯(cuò)解碼模塊對(duì)讀出的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行糾錯(cuò)解碼，并通過(guò)用戶界面和第二定制總線輸出。

10、在一些實(shí)施例中，內(nèi)建自測(cè)試模塊連接存儲(chǔ)器操作處理電路，以復(fù)用存儲(chǔ)器操作處理電路執(zhí)行自測(cè)試操作；其中，在執(zhí)行自測(cè)試操作時(shí)，內(nèi)建自測(cè)試模塊基于測(cè)試指令完成測(cè)試項(xiàng)的初始化配置，命令譯碼模塊解析配置后的測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試寫命令，具有冗余映射替換功能的尋址模塊執(zhí)行測(cè)試項(xiàng)對(duì)應(yīng)測(cè)試寫命令的尋址操作，糾錯(cuò)編碼模塊對(duì)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)編碼，端口物理層模塊用于生成相應(yīng)的時(shí)序控制信號(hào)，以時(shí)序地基于解析的測(cè)試寫命令，將測(cè)試數(shù)據(jù)寫入尋址操作對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中，以完成自測(cè)試操作中的寫操作；命令譯碼模塊還依序解析配置后的測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試讀命令，具有冗余映射替換功能的尋址模塊執(zhí)行測(cè)試項(xiàng)對(duì)應(yīng)測(cè)試讀命令的尋址操作，端口物理層模塊用于生成相應(yīng)的時(shí)序控制信號(hào)，存儲(chǔ)電路基于解析的測(cè)試讀命令，將與尋址操作對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試數(shù)據(jù)讀出，糾錯(cuò)解碼模塊對(duì)讀出的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)解碼，并將讀出的測(cè)試數(shù)據(jù)傳輸至內(nèi)建自測(cè)試模塊，以使內(nèi)建自測(cè)試模塊比較寫入的測(cè)試數(shù)據(jù)和讀出的測(cè)試數(shù)據(jù)，以確定存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)單元是否為損壞的存儲(chǔ)單元。

11、在一些實(shí)施例中，自檢測(cè)電路還包括路徑切換模塊，可切換地連接在糾錯(cuò)解碼模塊與用戶界面或者內(nèi)建自測(cè)試模塊之間，當(dāng)執(zhí)行存儲(chǔ)器操作時(shí)，路徑切換模塊連接用戶界面，以被配置執(zhí)行存儲(chǔ)器操作中的讀操作；當(dāng)執(zhí)行自測(cè)試操作時(shí)，路徑切換模塊連接內(nèi)建自測(cè)試模塊，以被配置執(zhí)行自測(cè)試操作的讀操作。

12、在一些實(shí)施例中，自檢測(cè)電路還包括：測(cè)試界面，連接內(nèi)建自測(cè)試模塊，并通過(guò)測(cè)試引腳溝通外界，其中，測(cè)試機(jī)臺(tái)可通過(guò)測(cè)試引腳而連接測(cè)試界面和內(nèi)建自測(cè)試模塊，以控制內(nèi)建自測(cè)試模塊執(zhí)行功能測(cè)試。

13、在一些實(shí)施例中，以廣播方式接收控制電路發(fā)送的測(cè)試指令，其中，廣播方式發(fā)送的測(cè)試指令中含有被選中的內(nèi)建自測(cè)試子模塊的地址信息，基于廣播方式發(fā)送的測(cè)試指令中的地址信息，相應(yīng)地址的內(nèi)建自測(cè)試子模塊被選中，并基于測(cè)試指令對(duì)相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒執(zhí)行自測(cè)試操作。

14、在一些實(shí)施例中，測(cè)試指令中的地址信息包括第一地址信息和第二地址信息；響應(yīng)于第一地址信息為預(yù)設(shè)值，與第二地址信息匹配的內(nèi)建自測(cè)試子模塊被選中，并基于測(cè)試指令對(duì)相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒執(zhí)行自測(cè)試操作；響應(yīng)于第一地址信息為非預(yù)設(shè)值，地址不大于第一地址信息的多個(gè)內(nèi)建自測(cè)試子模塊被選中，并基于測(cè)試指令對(duì)相應(yīng)的存儲(chǔ)晶粒分別執(zhí)行自測(cè)試操作。

15、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本技術(shù)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包括控制電路、存儲(chǔ)電路及上述任意實(shí)施例的自檢測(cè)電路。

16、在一些實(shí)施例中，控制電路和處理電路集成在同一邏輯晶粒中，存儲(chǔ)電路集成在存儲(chǔ)晶粒中；邏輯晶粒和存儲(chǔ)晶粒三維集成在一起。

17、區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)的存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)電路、控制電路和自檢測(cè)電路，在本技術(shù)的自檢測(cè)電路包括內(nèi)建自測(cè)試模塊和內(nèi)建自測(cè)試界面，本技術(shù)的自檢測(cè)電路可以通過(guò)內(nèi)建自測(cè)試界面配置相關(guān)測(cè)試項(xiàng)，且可以通過(guò)內(nèi)建自測(cè)試模塊對(duì)存儲(chǔ)電路執(zhí)行自測(cè)試操作以偵測(cè)存儲(chǔ)電路中損壞的存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生相應(yīng)的壞點(diǎn)信息并進(jìn)行存儲(chǔ)，通過(guò)上述方式，本技術(shù)的自檢測(cè)電路可以對(duì)存儲(chǔ)電路中的損壞的存儲(chǔ)單元采取壞點(diǎn)自動(dòng)測(cè)試，減少外部操作，可以實(shí)時(shí)獲取存儲(chǔ)電路中的壞點(diǎn)信息，且自動(dòng)化程度、通用化程度及并行化程度都較高。