技術編號：40646602
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及存儲器修復，特別涉及一種自檢測電路及存儲裝置。背景技術、在隨機存儲器，尤其是動態(tài)隨機存儲器(dram，dynamic?random?access?memory)的制造工藝中，存在行(row)方向上的字線(wl，word?line)短路或者開路，或者列(column)方向上的位線(bl，bite?line)短路或者開路，再或者存儲單元(mc，memory?cell)損壞。、且隨著dram工藝的不斷縮小以及存儲容量的不斷增加，量產的dram芯片內必然存在失效的單元。因此，對dram的修...
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