背景技術(shù)：

本公開內(nèi)容總體上涉及微電子存儲器的制造。微電子存儲器可以是非易失性的，其中，即使在斷電的情況下，存儲器也可以保留所存儲的信息。

附圖說明

在說明書的結(jié)論部分中具體指出并明確要求了本公開內(nèi)容的主題。依據(jù)以下的說明及所附權(quán)利要求書，并結(jié)合附圖，本公開內(nèi)容的前述及其他特征會變得更為顯而易見。應(yīng)理解，附圖僅描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的幾個實(shí)施例，因此這些附圖不應(yīng)認(rèn)為是限制其范圍。通過使用附圖，將以另外的特征和細(xì)節(jié)來說明本公開內(nèi)容，以便可以更易于確定本公開內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1是示出相變存儲器陣列的示意圖。

圖2是示出相變存儲器堆棧的示意圖。

圖3是示出本領(lǐng)域公知的用于存儲器陣列的具有兩個晶體管局部字線驅(qū)動器的字線驅(qū)動器的示意圖。

圖4是示出根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的用于存儲器陣列的具有單個晶體管局部字線驅(qū)動器的字線驅(qū)動器的示意圖。

圖5是示意圖，示出根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的，在選擇一條奇數(shù)字線、剩余的奇數(shù)字線是浮置的、并將偶數(shù)字線驅(qū)動到禁用(inhibit)電壓時(shí)的情況，其中所述禁用電壓用于具有單個晶體管局部字線驅(qū)動器的字線驅(qū)動。

圖6是示出本領(lǐng)域公知的用于存儲器陣列的具有兩個晶體管局部位線驅(qū)動器的位線驅(qū)動器的示意圖。

圖7是示出根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的用于存儲器陣列的具有單個晶體管局部位線驅(qū)動器的位線驅(qū)動器的示意圖。

圖8是示出根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的，在奇數(shù)字線和偶數(shù)字線選擇情況下，用于字線側(cè)和位線側(cè)的禁用和選擇條件的示意圖。

圖9是根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的選擇地址線的流程圖。

圖10是根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式

在以下具體實(shí)施方式部分中，對附圖進(jìn)行了參考，附圖說明性地示出了特定實(shí)施例，在其中可以實(shí)施所要求的主題。以足夠的細(xì)節(jié)來說明這些實(shí)施例，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┲黝}。應(yīng)理解，盡管有所不同，但多個實(shí)施例不一定是相互排斥的。例如，在不脫離所要求的主題的精神和范圍的情況下，本文結(jié)合一個實(shí)施例說明的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在其他實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。本說明書中對“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”的提及表示結(jié)合這個實(shí)施例說明的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在包含于本發(fā)明中的至少一個實(shí)現(xiàn)方式中。因此，短語“一個實(shí)施例”或“在實(shí)施例中”的使用不一定指代相同的實(shí)施例。另外，應(yīng)理解，在不脫離所要求的主題的精神和范圍的情況下，可以修改在每一個公開的實(shí)施例中的個體元件的位置或布置。因此，以下詳細(xì)說明不應(yīng)以限制性意義來理解，主題的范圍僅由適當(dāng)解釋的所附權(quán)利要求連同所附權(quán)利要求對其享有權(quán)利的全部等價(jià)范圍來定義。在附圖中，相似的附圖標(biāo)記在幾個附圖中指代相同的或相似的元件或功能，本文所示的元件相互之間不一定是按照比例的，而是可以放大或縮小個體元件，以便更易于理解本說明書的上下文中的元件。

圖1示出了存儲器陣列100，出于舉例說明的目的，其包括存儲器單元110₁-110₉的3x3陣列，圖2示出了單個存儲器單元110(類似于圖1的存儲器單元110₁-110₉中的任意一個)。每一個存儲器單元(110和110₁-110₉)都可以包括相變存儲器元件120和雙向閾值開關(guān)130。

存儲器陣列100可以包括列線150₁、150₂和150₃(圖2中示出為元件150)和行線140₁、140₂和140₃(圖2中示出為元件140)，用以在寫或讀操作過程中選擇陣列的一個特定存儲器單元。列線150、150₁、150₂和150₃與行線140、140₁、140₂和140₃也可以稱為“地址線”，因?yàn)檫@些線可以用于在編程或讀取過程中對存儲器單元110、110₁-110₉進(jìn)行尋址。列線150、150₁、150₂和150₃也可以稱為“位線”，行線140、140₁、140₂和140₃也可以稱為“字線”。此外，應(yīng)理解，圖1的3x3陣列僅是示例性的，且可以是任何適當(dāng)?shù)拇笮?即，任意數(shù)量的存儲器單元)。

相變存儲器元件120可以通過雙向閾值開關(guān)130連接到列線150、150₁、150₂和150₃，并可以耦合到行線140、140₁、140₂和140₃。每一個雙向閾值開關(guān)130都可以串聯(lián)連接到每一個相變存儲器元件120，并可以用于在每一個相變存儲器元件120的編程或讀取過程中尋址每一個相變存儲器元件120。當(dāng)選擇了特定存儲器單元(例如，圖2的存儲器單元110)時(shí)，電壓可以被施加到其相關(guān)聯(lián)的列線(例如，圖2的元件150)和行線(例如，圖2的元件140)，用以橫跨存儲器單元施加電壓。應(yīng)理解，每一個雙向閾值開關(guān)130都可以位于每一個相變存儲器元件120與列線150、150₁、150₂和150₃之間，其中每一個相變存儲器元件120都可以耦合到行線140、140₁、140₂和140₃。還應(yīng)理解，在每一個存儲器單元110、110₁-110₉中可以使用多于一個的雙向閾值開關(guān)130。

相變存儲器元件120基于相變材料層的相位變化特性而操作，相變材料層介于上電極和下電極之間(在下電極與相變層之間具有電阻加熱元件)(未示出)。隨著施加了電流，由于電阻加熱元件所產(chǎn)生的熱量(借助焦耳效應(yīng))，相變材料層經(jīng)歷了在非晶態(tài)與晶態(tài)之間的相位變化。

非晶態(tài)的相變材料元件120的比電阻高于晶態(tài)的相變材料元件120的比電阻。因此，在讀模式中，感測流過相變材料元件102的電流確定了存儲的信息具有“1”還是“0”的邏輯值。

相變存儲器元件120可以包括硫族化物層，在其中作為相變元件。硫族化物層可以包括周期表的VI族的元素(例如，硒(Se)、碲(Te)等)，常常與IV和V族元素(例如，鍺(Ge)、砷(As)、銻(Sb)等)組合。

本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，可以分別通過產(chǎn)生字線和位線信號的字線和位線驅(qū)動器來訪問相變存儲器單元(例如，110、110₁-110₉)。電流相位存儲器陣列可以包括字線驅(qū)動器和位線驅(qū)動器，其每一個都使用兩個或更多個晶體管來驅(qū)動到字線或位線的禁用電壓或選擇電壓(取決于選擇哪一個交叉點(diǎn)相變存儲器元件)。然而，由于為了更高的效率和成本降低而按比例縮小了相變存儲器陣列，就必須縮小驅(qū)動器以將CMOS區(qū)保持在小的存儲器結(jié)構(gòu)下面。使用具有兩個或更多個晶體管的現(xiàn)有字線和位線驅(qū)動器設(shè)計(jì)，就變得難以充分地按比例縮小晶體管尺寸以將存儲器區(qū)與CMOS區(qū)保持為彼此相當(dāng)。

本說明書的實(shí)施例涉及地址線驅(qū)動器和非易失性存儲器器件的操作。在至少一個實(shí)施例中，單個晶體管可以用于驅(qū)動每一條地址線，或者是字線或者是位線。可以在不同時(shí)刻，通過這些單個晶體管器件來驅(qū)動禁用電壓和選擇電壓，這可以借助引入用于地址線(即，字線和位線)的奇數(shù)和偶數(shù)指定標(biāo)識(designation)來實(shí)現(xiàn)。在一個操作實(shí)施例中，可以將所選擇的地址線驅(qū)動到選擇電壓，使得具有與所選擇的地址線相同的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線浮置。將不同于所選擇的地址線的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線驅(qū)動到禁用電壓。相鄰禁用地址線可以充當(dāng)對所選擇的地址線的屏蔽線，這可以避免由在一些相變存儲器單元上的浮置條件造成的失效(misfiring)，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的。

借助于將地址線驅(qū)動器所需的晶體管數(shù)量減少到每一個為一個晶體管，根據(jù)本公開內(nèi)容，可以使得在存儲器結(jié)構(gòu)下面的CMOS區(qū)更小。

圖3示出了字線驅(qū)動器200，其具有兩個晶體管結(jié)構(gòu)局部字線驅(qū)動器202_{n_m}(其中，n是存儲器陣列的全局字線設(shè)置內(nèi)的全局字線的數(shù)量，將其示出為32條全局字線(即，0-31)，m是存儲器陣列中每一個全局字線設(shè)置的局部字線的數(shù)量，將其示出為32條局部字線(即，0-31)，如本領(lǐng)域公知的)。如圖所示，局部字線NMOS(N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管204_{n_m}用于驅(qū)動局部字線選擇電壓WL_SEL<31:0>，局部字線PMOS(P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管206_{n_m}可以用于驅(qū)動局部字線禁用電壓V_{inh_WL}。如本領(lǐng)域公知的，選擇電壓是用于對存儲器單元進(jìn)行編程的電壓，例如如圖1和2所示的相變存儲器和開關(guān)存儲器單元110、110₁-110₉，禁用電壓是禁止編程的電壓。如圖所示，局部字線NMOS場效應(yīng)晶體管204_{n_m}和局部字線PMOS場效應(yīng)晶體管206_{n_m}在產(chǎn)生局部字線LWL_{n_m}過程中的操作是本領(lǐng)域中公知的，在此將不再論述。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，在存儲器陣列中可以使用任意適當(dāng)數(shù)量的全局字線和局部字線。

如圖3進(jìn)一步示出的，字線驅(qū)動器200還可以包括全局字線驅(qū)動器212_n，每一個都包括全局字線NMOS場效應(yīng)晶體管214_n和全局字線PMOS場效應(yīng)晶體管216_n(以及偏置NMOS場效應(yīng)晶體管218_n和旁路NMOS場效應(yīng)晶體管222_n)。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，為了選擇特定字線，導(dǎo)通用以選擇特定字線LWL_{n_m}的全局字線NMOS場效應(yīng)晶體管214_n和局部字線NMOS場效應(yīng)晶體管204_{n_m}器件。如圖所示，全局字線驅(qū)動器212_n根據(jù)用于電流限制(電流鏡)的相關(guān)偏置電壓V_bias和旁路電流鏡電壓V_pass而在產(chǎn)生全局字線GWL_n中的操作是本領(lǐng)域中公知的，在此將不再論述。

在圖3的字線驅(qū)動器200中，每一條局部字線LWL_{n_m}都需要局部字線NMOS場效應(yīng)晶體管204_{n_m}和局部字線PMOS場效應(yīng)晶體管206_{n_m}，它們在存儲器結(jié)構(gòu)下占用了相當(dāng)大的空間。如圖所示，每一條局部字線LWL_{n_m}都需要2.125個晶體管(即，局部字線NMOS場效應(yīng)晶體管204_{n_m}、局部字線PMOS場效應(yīng)晶體管206_{n_m}和全局字線驅(qū)動器212_n的4/32個晶體管)。

圖4示出了根據(jù)本說明書的一個實(shí)施例的字線驅(qū)動器300，其具有單個晶體管的結(jié)構(gòu)，用以驅(qū)動局部字線LWL_{n_m}。如圖所示，禁用電壓V_{inh_WL}或選擇電壓(奇數(shù)字線選擇信號WL_{O_SEL<31:0>}或偶數(shù)字線選擇信號WL_{E_SEL<31:0>})可以在不同時(shí)刻通過相應(yīng)的單個場效應(yīng)晶體管304_{n_m}。應(yīng)理解，盡管將單個場效應(yīng)晶體管304_{n_m}示出為NMOS晶體管，但單個場效應(yīng)晶體管304_{n_m}也可以是PMOS晶體管。應(yīng)進(jìn)一步理解，在給定存儲器陣列中可以使用任何適當(dāng)數(shù)量的全局字線和局部字線。

將局部字線LWL_{n_m}劃分成交替的奇數(shù)和偶數(shù)指定標(biāo)識。例如，局部字線LWL_{n_0}、LWL_{n_2}、(未具體示出)、……、LWL_{n_28}(未具體示出)、和LWL_{n_30}(未具體示出)是“偶數(shù)”，即電耦合到偶數(shù)字線選擇信號WL_{E_SEL<31:0>}，局部字線LWL_{n_1}(未具體示出)、LWL_{n_3}(未具體示出)、……、LWL_{n_29}(未具體示出)、和LWL_{n_31}是“奇數(shù)”，即電耦合到奇數(shù)字線選擇信號WL_{O_SEL<31:0>}。

為了正確地通過適當(dāng)?shù)膯蝹€場效應(yīng)晶體管304_{n_m}傳送禁用電壓，將全局字線分別劃分為偶數(shù)和奇數(shù)全局字線GWL_{n_e}和GWL_{n_o}，它們由全局字線驅(qū)動器312_n產(chǎn)生。此外，每一個全局字線驅(qū)動器312_n都可以包括兩個晶體管對(即，第一全局字線NMOS場效應(yīng)晶體管314_n與第一全局字線PMOS場效應(yīng)晶體管316_n配對，第二全局字線NMOS場效應(yīng)晶體管324_n與第二全局字線PMOS場效應(yīng)晶體管326_n配對)，以區(qū)分用于每一條局部字線LWL_{n_m}的偶數(shù)選擇和奇數(shù)選擇，如本領(lǐng)域技術(shù)人員通過參考圖4會理解的那樣。全局字線驅(qū)動器312_n還可以包括偏置NMOS場效應(yīng)晶體管318_n和旁路NMOS場效應(yīng)晶體管322_n；本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解它們在全局字線驅(qū)動器312中的操作。應(yīng)理解，圖7中所示的具體電路和晶體管選擇僅僅是示例性的，任何適當(dāng)?shù)碾娐泛途w管選擇都可以用于產(chǎn)生偶數(shù)全局位線GWL_{n_e}和奇數(shù)全局位線GWL_{n_o}。

在圖4的字線驅(qū)動器300中，每一條局部字線LWL_{n_m}都僅需要一個局部字線場效應(yīng)晶體管304_{n_m}作為驅(qū)動器。這樣，每一條局部字線都會僅需要1.1875個晶體管(即，局部字線場效應(yīng)晶體管304_{n_m}和全局字線驅(qū)動器312_n的6/32個晶體管)。

在偶數(shù)字線選擇的情況下，通過全局字線驅(qū)動器312_n由傳送禁用電壓V_{inh_WL}來禁用所有奇數(shù)字線，以觸發(fā)奇數(shù)全局字線GWL_{n_o}，并導(dǎo)通連接到指定的奇數(shù)字線(即，連接到奇數(shù)字線選擇信號WL_{O_SEL<31:0>})的所有局部場效應(yīng)晶體管304_{n_m}。對于偶數(shù)字線，只有單條解碼的偶數(shù)字線被選擇，其余偶數(shù)字線被保持浮置(例如，施加的既不是選擇電壓也不是禁用電壓)。

類似地，在奇數(shù)字線選擇的情況下，通過經(jīng)由全局字線驅(qū)動器312_n傳送禁用電壓V_{inh_WL}來禁用所有偶數(shù)字線，以觸發(fā)全局偶數(shù)字線GWL_{n_e}，并導(dǎo)通連接到指定的偶數(shù)字線的所有局部場效應(yīng)晶體管304_{n_m}(即，連接到偶數(shù)字線選擇信號WL_{E_SEL<31:0>})。對于奇數(shù)字線，只有單條解碼的奇數(shù)字線被選擇，其余奇數(shù)字線被保持浮置。

例如，圖5示出了當(dāng)選擇奇數(shù)字線(標(biāo)記為0)且其余奇數(shù)字線(未選定的)浮置(標(biāo)記為f₁-f₅)時(shí)的狀況。在此狀況下，將所有偶數(shù)字線驅(qū)動到禁用(或者“取消選定”)電壓(標(biāo)記為i₁-i₆)。注意，圖5中垂直于字線工作的位線簡單地標(biāo)明為BL₁-BL₁₂，為了清楚沒有標(biāo)明它們的狀況，但將在有關(guān)于單個晶體管位線驅(qū)動器的論述后對它們進(jìn)行論述并舉例說明。在這個方案中，未選定的字線的浮置狀況不受存儲器操作的影響，因?yàn)樵谧志€選擇過程中，將它們的與所選擇的字線相鄰的禁用字線驅(qū)動到禁用電壓。

對于根據(jù)本說明書的位線驅(qū)動器，可以使用與針對圖4中所示的字線驅(qū)動器實(shí)施例所介紹的類似的概念。這樣，通過引入偶數(shù)和奇數(shù)局部位線指定標(biāo)識，以及偶數(shù)和奇數(shù)全局位線，位線驅(qū)動器也可以從兩個或更多個晶體管簡化到單個晶體管。

圖6示出了本領(lǐng)域公知的位線驅(qū)動器400，包括用以驅(qū)動局部位線LBL_{x_y}的兩個晶體管結(jié)構(gòu)。如圖所示，局部位線驅(qū)動器402_{x_y}(其中，x是存儲器陣列的全局位線設(shè)置內(nèi)的全局位線的數(shù)量，將其示出為64條全局位線(即，0-63)，y是存儲器陣列中每一個全局位線設(shè)置的局部位線的數(shù)量，將其示出為32條局部位線(即，0-31))包括：局部位線PMOS選擇場效應(yīng)晶體管404_{x_y}，用于驅(qū)動位線選擇電壓VBL；和局部位線PMOS禁用場效應(yīng)晶體管406_{x_y}，用于驅(qū)動局部位線禁用電壓V_{inh_BL}。如圖所示，局部位線驅(qū)動器402_{x_y}根據(jù)相關(guān)聯(lián)的局部位線選擇信號BL_SEL<31:0>、位線選擇電壓VBL、局部位線禁用信號BL_{SEL_inh<31:0>}、和局部位線禁用電壓V_{inh_BL}而在產(chǎn)生局部位線LBL_{x_y}中的操作是本領(lǐng)域中公知的，在此將不再論述。會理解，在存儲器陣列中可以有任意適當(dāng)數(shù)量的全局位線和局部位線。

如圖6進(jìn)一步示出的，位線驅(qū)動器400還可以包括全局位線驅(qū)動器412_x，包括配對的全局字線NMOS場效應(yīng)晶體管414_x和全局字線PMOS場效應(yīng)晶體管416_x。全局位線驅(qū)動器412_x根據(jù)相關(guān)聯(lián)的全局位線選擇GBL_SEL<63:0>、位線選擇電壓VBL、和全局位線禁用電壓VPGBL而在產(chǎn)生全局位線GBL_x中的操作是本領(lǐng)域中公知的，在此將不再論述。

圖7示出了根據(jù)本說明書一個實(shí)施例的位線驅(qū)動器500，其具有單個局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y}，用以驅(qū)動局部位線LBL _{x_y}。如圖所示，禁用電壓V_{inh_BL}或選擇電壓(奇數(shù)位線選擇信號BL_{O_SEL<15:0>}或偶數(shù)字線選擇信號BL_{E_SEL<15:0>})可以在不同時(shí)刻通過相應(yīng)的單個場效應(yīng)晶體管502_{x_y}。應(yīng)理解，盡管將局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y}示出為PMOS場效應(yīng)晶體管，但局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y}也可以是NMOS場效應(yīng)晶體管。應(yīng)進(jìn)一步理解，在給定存儲器陣列中可以使用任意數(shù)量的全局位線和局部位線。

可以基于局部位線LBL_{x_y}耦合到的局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y}是耦合到偶數(shù)局部位線選擇信號BL_{E_SEL<15:0>}，還是耦合到奇數(shù)局部位線選擇信號BL_{O_SEL<15:0>}，來以交替的方式將局部位線LBL_{x_y}分別指定為“奇數(shù)”或者“偶數(shù)”。

如圖7進(jìn)一步示出的，位線驅(qū)動器500還可以包括：偶數(shù)全局位線驅(qū)動器512_{x_e}，包括配對的偶數(shù)全局位線NMOS場效應(yīng)晶體管514_{x_e}和偶數(shù)全局位線PMOS場效應(yīng)晶體管516_{x_e}；以及奇數(shù)全局位線驅(qū)動器512_{x_o}，包括配對的奇數(shù)全局位線NMOS場效應(yīng)晶體管514_{x_o}和奇數(shù)全局位線PMOS場效應(yīng)晶體管516_{x_o}。如圖所示，偶數(shù)和奇數(shù)全局位線驅(qū)動器512_{x_e}和512_{x_o}(分別)根據(jù)它們的相關(guān)聯(lián)的偶數(shù)全局位線選擇信號GBL_{E_SEL<63:0>}和奇數(shù)全局位線選擇信號GBL_{O_SEL<63:0>}(分別地)、位線選擇電壓VBL、和全局位線禁用電壓V_{inh_BL}而在產(chǎn)生偶數(shù)全局位線GBL_{x_e}和奇數(shù)全局位線GBL_{x_o}中的操作是本領(lǐng)域中公知的，在此將不再論述。應(yīng)理解，圖7中所示的具體電路和晶體管選擇僅僅是示例性的，任何適當(dāng)?shù)碾娐泛途w管選擇都可以用于產(chǎn)生偶數(shù)全局位線GBL_{x_e}和奇數(shù)全局位線GBL_{x_o}。

在偶數(shù)位線選擇的情況下，僅有一個偶數(shù)場效應(yīng)晶體管(即，耦合到偶數(shù)局部位線選擇信號BL_{E_SEL<15:0>}的局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y})“導(dǎo)通”(接地)連接到所選擇的偶數(shù)全局位線GBL_{x_e}。此外，所有奇數(shù)位線驅(qū)動器(即，耦合到奇數(shù)局部位線選擇信號BL_{O_SEL<15:0>}的局部位線場效應(yīng)晶體管502_{x_y})“導(dǎo)通”連接到由禁用電壓驅(qū)動的奇數(shù)全局位線(即，全局位線禁用電壓V_{inh_BL})。結(jié)果，除了所選擇的以外的所有偶數(shù)位線被浮置，將所有奇數(shù)位線驅(qū)動到禁用電壓。

圖8示出了在奇數(shù)字線和奇數(shù)位線選擇情況下，字線和位線側(cè)的禁用和選擇狀況，其中，將所選擇的奇數(shù)字線標(biāo)記為“0”，將剩余的奇數(shù)字線浮置(標(biāo)記為f₁wl-f₅wl)，將偶數(shù)字線驅(qū)動到禁用電壓(標(biāo)記為i₁wl-i₆wl)，其中，將所選擇的奇數(shù)位線標(biāo)記為“1”，將剩余的奇數(shù)位線浮置(標(biāo)記為f₁bl-f₅bl)，將偶數(shù)位線適當(dāng)?shù)仳?qū)動到禁用電壓(標(biāo)記為i₁bl-i₆bl)。

圖9示出了選擇地址線的過程600的流程圖。如塊610中所示的，可以以交替的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識來分配地址線?？梢赃x擇一條地址線，如塊620中所示的。使得具有與所選擇的地址線相同的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線浮置，如塊630中所示的那樣。如塊640中所示的，將具有與所選擇的地址線不同的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線設(shè)置為禁用電壓。

圖10示出了利用本說明書的主題的微電子系統(tǒng)700的實(shí)例。微電子系統(tǒng)700可以是任何電子設(shè)備，包括但不限于便攜式設(shè)備，例如便攜式計(jì)算機(jī)、移動電話、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音樂播放器、上網(wǎng)本、個人數(shù)字助理、尋呼機(jī)、即時(shí)通訊設(shè)備、或其他設(shè)備。微電子系統(tǒng)700也可以適用于無線地發(fā)送和/或接收信息，例如通過無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、無線個域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)、和/或蜂窩網(wǎng)。

微電子系統(tǒng)700可以包括經(jīng)由總線750彼此耦合的控制器710、輸入/輸出(I/O)設(shè)備720(例如，小鍵盤、顯示器等)、存儲器730和無線接口740。應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍不限于具有任何或全部這些部件的實(shí)施例。

控制器710例如可以包括一個或多個微處理器、數(shù)字信號處理器、專用集成電路、微控制器等。存儲器730可以用于存儲發(fā)送到系統(tǒng)700或由系統(tǒng)700發(fā)送的消息。存儲器730還可以可任選地用于存儲指令，所述指令由控制器710在系統(tǒng)700運(yùn)行過程中執(zhí)行，并可以用于存儲用戶數(shù)據(jù)。存儲器730可以由一種或多種不同類型的存儲器提供。例如，存儲器730可以包括任意類型的隨機(jī)存取存儲器、易失性存儲器、非易失性存儲器，諸如閃速存儲器，和/或諸如本文所述的PCMS存儲器之類的存儲器，其中，地址驅(qū)動器可以包括單個晶體管。

I/O設(shè)備720可以由用戶用于產(chǎn)生消息。系統(tǒng)700可以使用無線接口740而以射頻(RF)信號向無線通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)送消息和從無線通信網(wǎng)絡(luò)接收消息。無線接口740的實(shí)例可以包括天線或無線收發(fā)機(jī)，盡管本發(fā)明的范圍在此方面不受限制。

通過參考圖10的微電子系統(tǒng)700，本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，微電子系統(tǒng)700或計(jì)算機(jī)可以包括存儲在計(jì)算機(jī)可讀存儲器或介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中，計(jì)算機(jī)程序可以適于在微電子系統(tǒng)700內(nèi)或計(jì)算機(jī)上執(zhí)行，以便于以本文所述的方式，以交替的奇數(shù)和偶數(shù)指定標(biāo)識來分配地址線，選擇一條地址線，使得具有與所選擇的地址線相同的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線浮置，并將具有與所選擇的地址線不同的奇數(shù)或偶數(shù)指定標(biāo)識的地址線設(shè)置為禁用電壓。

如此詳細(xì)說明了本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)理解，由所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明不受以上說明書中所闡述的具體細(xì)節(jié)的限制，在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下，其許多顯而易見的變化也是可能的。