本申請要求2015年5月6日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0062978的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本專利文件涉及存儲電路或器件及其在電子設(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

近來，隨著電子產(chǎn)品趨向小型化、低功耗、高性能和多功能等，本領(lǐng)域已需要能夠?qū)⑿畔Υ嬖诟鞣N電子產(chǎn)品(諸如計算機(jī)和便攜式通信設(shè)備等)中的半導(dǎo)體器件，且已經(jīng)對該半導(dǎo)體器件開展了研究。這樣的半導(dǎo)體器件包括可以使用其根據(jù)施加的電壓或電流而在不同電阻態(tài)之間轉(zhuǎn)換的特性來儲存數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件，例如RRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器)、PRAM(相變隨機(jī)存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器)、MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲器)、電熔絲等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本專利文件中公開的技術(shù)包括：存儲電路或器件及其在電子設(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用，以及包括具有交叉點(diǎn)架構(gòu)且能夠減小潛行電流(sneak current)的存儲器件的電子設(shè)備的實(shí)施方式。

在一種實(shí)施方式中，提供了包括半導(dǎo)體存儲器的電子設(shè)備。半導(dǎo)體存儲器可以包括：多個第一線，在第一方向上延伸，且被布置為彼此平行；多個第二線，在與所述多個第一線交叉的第二方向上延伸，且被布置為彼此平行；以及多個存儲單元(memory cell)，分別安置于所述多個第一線與所述多個第二線的交叉區(qū)域中，其中，存儲單元中的每個可以包括：選擇元件，包括彼此耦接的轉(zhuǎn)換元件和熱電元件，轉(zhuǎn)換元件具有非線性電流-電壓特性；可變電阻元件，耦接至選擇元件；以及絕熱件，圍繞至少選擇元件的側(cè)壁。

轉(zhuǎn)換元件可以包括從MIT(金屬絕緣體轉(zhuǎn)變)元件、MIEC(離子-電子混合導(dǎo)電)元件、OTS(雙向閾值轉(zhuǎn)換)元件及其組合中選擇的一種。熱電元件可以包括：第一材料層，耦接至轉(zhuǎn)換元件的一端，且具有第一功函數(shù)；以及第二材料層，耦接至轉(zhuǎn)換元件的另一端，且具有比第一功函數(shù)小的第二功函數(shù)。第一材料層和第二材料層可以具有互 補(bǔ)的導(dǎo)電類型。第一功函數(shù)可以具有與P型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值，而第二功函數(shù)具有與N型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值。第一材料層和第二材料層可以包括半導(dǎo)體材料或金屬材料。絕熱件可以包括具有隔熱性質(zhì)的材料。絕熱件可以包括從多孔材料、氣凝膠、沸石、低溫氧化物及其組合中選擇的一種。可變電阻元件包括從鐵磁材料、金屬氧化物材料、相變材料、鐵電介質(zhì)(ferrodielectric)材料及其組合中選擇的一種。

電子設(shè)備還可以包括微處理器，微處理器包括：控制單元，被配置為從微處理器的外部接收包括命令的信號，并對所述命令執(zhí)行提取、解碼，或者執(zhí)行控制微處理器的信號輸入或信號輸出；操作單元，被配置為基于控制單元解碼所述命令的結(jié)果來執(zhí)行操作；以及存儲器單元(memory unit)，被配置為儲存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址，其中，所述半導(dǎo)體存儲器是微處理器中的存儲器單元的部分。

電子設(shè)備還可以包括處理器，處理器包括：核心單元，被配置為基于從處理器的外部輸入的命令而通過使用數(shù)據(jù)來執(zhí)行與所述命令相對應(yīng)的操作；高速緩沖存儲器單元，被配置為儲存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址；以及總線接口，連接在核心單元與高速緩沖存儲器單元之間，且被配置為在核心單元與高速緩沖存儲器單元之間傳輸數(shù)據(jù)，其中，所述半導(dǎo)體存儲器是處理器中的高速緩沖存儲器單元的部分。

電子設(shè)備還可以包括處理系統(tǒng)，處理系統(tǒng)包括：處理器，被配置為將由處理器接收到的命令解碼，并控制針對基于對命令解碼的結(jié)果的信息的操作；輔助存儲器件，被配置為儲存用于解碼所述命令的程序以及儲存所述信息；主存儲器件，被配置為從輔助存儲器件調(diào)用并儲存所述程序和所述信息，使得處理器可以在運(yùn)行所述程序時使用所述程序和所述信息來執(zhí)行操作；以及接口設(shè)備，被配置為執(zhí)行處理器、輔助存儲器件和主存儲器件中的至少一個與所述外部之間的通信，其中，所述半導(dǎo)體存儲器是處理系統(tǒng)中的輔助存儲器件或主存儲器件的部分。

電子設(shè)備還可以包括數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)，數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)包括：儲存器件，被配置為儲存數(shù)據(jù)并無論電源如何都保存儲存的數(shù)據(jù)；控制器，被配置為根據(jù)從外部輸入的命令來控制數(shù)據(jù)向儲存器件的輸入以及數(shù)據(jù)從儲存器件的輸出；暫時儲存器件，被配置為暫時地儲存在儲存器件與所述外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及接口，被配置為執(zhí)行儲存器件、控制器和暫時儲存器件中的至少一個與所述外部之間的通信，其中，所述半導(dǎo)體存儲器是數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)中的儲存器件或暫時儲存器件的部分。

電子設(shè)備還可以包括存儲系統(tǒng)，存儲系統(tǒng)包括：存儲器，被配置為儲存數(shù)據(jù)并無論 電源如何都保存儲存的數(shù)據(jù)；存儲器控制器，被配置為根據(jù)從外部輸入的命令來控制數(shù)據(jù)向存儲器的輸入或數(shù)據(jù)從存儲器的輸出；緩沖存儲器，被配置為緩沖在存儲器與所述外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及接口，被配置為執(zhí)行存儲器、存儲器控制器和緩沖存儲器中的至少一個與所述外部之間的通信，其中，所述半導(dǎo)體存儲器是存儲系統(tǒng)中的存儲器或緩沖存儲器的部分。

在一種實(shí)施方式中，包括具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器的電子設(shè)備的操作方法，所述操作方法可以包括：使用具有不同幅值的四個或更多個驅(qū)動電壓來驅(qū)動彼此交叉且耦接至多個存儲單元的第一線和第二線，使得穿過所述多個存儲單元之中的被選單元的電流的方向、穿過與被選單元共享第一線的第一未選單元的電流的方向以及穿過與被選單元共享第二線的第二未選單元的電流的方向相同，以及使用所述四個或更多個驅(qū)動電壓來驅(qū)動第一線和第二線，使得穿過不與被選單元共享第一線和第二線的第三未選單元的電流的方向與穿過被選單元的電流的方向相反。

驅(qū)動電壓可以包括第一驅(qū)動電壓到第四驅(qū)動電壓。第一驅(qū)動電壓可以為接地電壓，第二驅(qū)動電壓可以具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的1/3的幅值，而第三驅(qū)動電壓可以具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的2/3的幅值。在半導(dǎo)體存儲器的設(shè)置操作中，第四驅(qū)動電壓可以被施加到耦接至被選單元的第一線，第一驅(qū)動電壓可以被施加到耦接至被選單元的第二線，第二驅(qū)動電壓可以被施加到不耦接至被選單元的第一線，而第三驅(qū)動電壓可以被施加到不耦接至被選單元的第二線。在半導(dǎo)體存儲器的重置操作中，第一驅(qū)動電壓可以被施加到耦接至被選單元的第一線，第四驅(qū)動電壓可以被施加到耦接至被選單元的第二線，第三驅(qū)動電壓可以被施加到不耦接至被選單元的第一線，而第二驅(qū)動電壓可以被施加到不耦接至被選單元的第二線。

存儲單元中的每個可以包括：選擇元件，包括彼此耦接的轉(zhuǎn)換元件和熱電元件，轉(zhuǎn)換元件具有非線性電流-電壓特性；可變電阻元件，耦接至選擇元件；以及絕熱件，圍繞至少選擇元件的側(cè)壁，其中，熱電元件包括第一材料層和第二材料層，第一材料層介于第二線與轉(zhuǎn)換元件之間且具有第一功函數(shù)，第二材料層介于第一線與轉(zhuǎn)換元件之間且具有比第一功函數(shù)小的第二功函數(shù)，以及其中，當(dāng)電流從第一線流向第二線時，選擇元件被熱電冷卻，而當(dāng)電流從第二線流向第一線時，選擇元件被熱電加熱。

附圖說明

圖1圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件。

圖2是圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件中的存儲單元陣列的透視圖。

圖3是沿著圖2中的A-A’線得到的存儲單元的剖視圖。

圖4是圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件中的選擇元件的電流-電壓特性的示圖。

圖5是用于描述根據(jù)一種實(shí)施方式的設(shè)置操作的示圖。

圖6是用于描述根據(jù)一種實(shí)施方式的重置操作的示圖。

圖7是基于所公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的微處理器的配置圖。

圖8是基于所公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的處理器的配置圖。

圖9是基于所公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的系統(tǒng)的配置圖。

圖10是基于所公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)的配置圖。

圖11是基于所公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的存儲系統(tǒng)的配置圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖來描述公開的技術(shù)的各種示例和實(shí)施方式。

附圖未必按比例繪制，而在某些示例中，附圖中的至少一些結(jié)構(gòu)的比例被夸大以清楚地示出所描述的示例或?qū)嵤┓绞降奶囟ㄌ卣?。在呈現(xiàn)具有多層結(jié)構(gòu)中的兩個或更多層的附圖或描述中的特定示例時，這些層的相對放置關(guān)系或安置所示層的順序體現(xiàn)出所描述的或示出的示例的特定的實(shí)施方式，且不同的相對放置關(guān)系或安置層的順序是可能的。此外，多層結(jié)構(gòu)的被描述的或被示出的示例不能體現(xiàn)出在該特定的多層結(jié)構(gòu)中所有的層都存在了(例如，一個或更多個額外的層可以存在于兩個示出的層之間)。作為特定的示例，當(dāng)在描述的或示出的多層結(jié)構(gòu)中的第一層被稱作在第二層“上”或“之上”或者在襯底“上”或“之上”時，第一層可以直接形成在第二層或襯底上，也可以表示其中在第一層與第二層或襯底之間存在一個或更多個其他中間層的結(jié)構(gòu)。

下面的實(shí)施方式涉及電子設(shè)備及其操作方法，該電子設(shè)備包括選擇元件，選擇元件能夠基本上防止具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的存儲器件中的潛行電流的出現(xiàn)，在交叉點(diǎn)架構(gòu)中存儲單元位于彼此交叉的線的交叉區(qū)。

圖1圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件。圖2是圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件中的存儲單元陣列的透視圖。圖3是沿著圖2中的A-A’線得到的存儲單元的剖視圖。圖4是圖示根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件中的選擇元件的電流-電壓特性的示圖。

參見圖1，根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件可以包括具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的存儲單元陣列10、第一驅(qū)動器20、第二驅(qū)動器30和電壓發(fā)生器40。第一驅(qū)動器20可以驅(qū)動存儲單元陣列10中的彼此交叉的多個線之中的在關(guān)于圖1的定向的行方向上延伸的第一線。第二驅(qū)動器30可以驅(qū)動彼此交叉的多個線之中的在關(guān)于圖1的定向的列方向上延伸的第二線。電壓發(fā)生器40可以提供預(yù)定的驅(qū)動電壓給第一驅(qū)動器20和第二驅(qū)動器30。

第一驅(qū)動器20和第二驅(qū)動器30可以分別被稱作行驅(qū)動器和列驅(qū)動器。第一驅(qū)動器20和第二驅(qū)動器30可以從電壓發(fā)生器40接收驅(qū)動電壓，并分別驅(qū)動存儲單元陣列10的第一線和第二線。

電壓發(fā)生器40可以提供四個或更多個具有不同幅值(magnitude)的驅(qū)動電壓給第一驅(qū)動器20和第二驅(qū)動器30。在一種實(shí)施方式中，電壓發(fā)生器40可以產(chǎn)生第一驅(qū)動電壓到第四驅(qū)動電壓。第一驅(qū)動電壓可以被設(shè)置為接地電壓，而第二驅(qū)動電壓和第三驅(qū)動電壓可以分別具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的1/3和2/3的幅值。例如，當(dāng)?shù)谒尿?qū)動電壓為3V時，第二驅(qū)動電壓和第三驅(qū)動電壓分別為1V和2V，而第一驅(qū)動電壓可以被設(shè)置為0V。從電壓發(fā)生器40提供給第一驅(qū)動器20和第二驅(qū)動器30的第一驅(qū)動電壓到第四驅(qū)動電壓可以控制穿過多個存儲單元MC的電流的方向，并防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的存儲器件中的潛行電流(sneak current)的出現(xiàn)。

參見圖2和圖3，根據(jù)一種實(shí)施方式的存儲器件中的存儲單元陣列100可以包括多個第一線110、多個第二線120和多個存儲單元MC。多個第一線110可以在第一方向上延伸，且被布置為彼此平行。多個第二線120可以在第二方向上延伸以與多個第一線110交叉，且被布置為彼此平行。多個存儲單元MC可以被布置在多個第一線110與多個第二線120的交叉處。存儲單元MC中的每個可以包括可變電阻元件140、耦接至可變電阻元件140的選擇元件130以及圍繞至少選擇元件130的側(cè)壁的絕熱件150。

第一線110可以在行方向上延伸，且被稱作行線或字線。第二線120可以在列方向上延伸，且被稱作列線或位線。第一線110和第二線120可以用來供應(yīng)橫跨存儲單元MC的電壓或電流。第一線110和第二線120中的每個可以具有包含金屬或金屬氮化物的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。金屬可以包括Pt、Ir、Ru、Al、Cu、W、Ti、Ta、Co或Ni等，而金屬氮化物可以包括TiN、TiCN、TiAlN、TiON、TaN、TaCN、TaAlN、TaON、WN或MoN等。

可變電阻元件140可以根據(jù)通過第一線110和第二線120而供應(yīng)到其的電壓或電流來在不同的電阻態(tài)之間轉(zhuǎn)換，且具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)?？勺冸娮柙?40可以包括用于RRAM、PRAM、FRAM、MRAM和STTRAM等的各種材料中的至少一種。各種 材料可以包括過渡金屬氧化物材料、金屬氧化物(諸如鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料)、相變材料(諸如硫族化合物材料)、鐵介質(zhì)材料和鐵磁材料。

參見圖3，選擇元件130可以包括轉(zhuǎn)換元件133和熱電元件136，轉(zhuǎn)換元件133和熱電元件136被插入在第一電極131與第二電極132之間，且彼此電耦接并熱耦接。

轉(zhuǎn)換元件133可以具有非線性電流-電壓特性。在一種實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)換元件133可以包括MIT(金屬絕緣體轉(zhuǎn)變，Metal Insulator Transition)元件(諸如NbO₂或TiO₂)。在其他實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)換元件133可以包括MIEC(離子-電子混合導(dǎo)電，Mixed Ion-Electron Conducting)元件(諸如ZrO₂(Y₂O₃)、Bi₂O₃-BaO或(La₂O₃)x(CeO₂)1-x)或OTS(雙向閾值轉(zhuǎn)換，Ovonic Threshold Switching)元件(諸如硫族化合物材料)。

熱電元件136可以基于珀耳帖效應(yīng)(Peltier effect)(即，在兩個不同導(dǎo)體的電氣連接處存在加熱或冷卻)而根據(jù)通過選擇元件130的電流方向來熱電地冷卻或加熱選擇元件130。珀耳帖效應(yīng)歸因于通過施加電壓或電流到第一電極131和第二電極132而創(chuàng)建的溫度差。在一種實(shí)施方式中，熱電元件136可以包括第一材料層134和第二材料層135。第一材料層134可以介于轉(zhuǎn)換元件133與第二電極132之間，且具有第一功函數(shù)。第二材料層135可以介于轉(zhuǎn)換元件133與第一電極131之間且具有小于第一功函數(shù)的第二功函數(shù)。由于功函數(shù)之間的差，第一材料層134和第二材料層135可以具有互補(bǔ)的導(dǎo)電類型。在一種實(shí)施方式中，第一功函數(shù)可以具有與P型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值，而第二功函數(shù)可以具有與N型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值。在一種實(shí)施方式中，第一功函數(shù)可以等于或大于4.7eV，而第二功函數(shù)可以等于或小于4.1eV。第一材料層134和第二材料層135中的每個可以包括滿足功函數(shù)條件的半導(dǎo)體材料或金屬材料，且具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一材料層134可以由P型多晶硅形成，而第二材料層135可以由N型多晶硅形成。

選擇元件130可以使用熱電元件136來控制轉(zhuǎn)換元件133的非線性電流-電壓特性。在熱電冷卻期間，轉(zhuǎn)換元件133的截止電流的改變(即，處于截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換元件133的電阻值的改變)可以大于熱電加熱期間轉(zhuǎn)換元件133的截止電流的改變。因此，基本上能夠防止存儲單元陣列100中的潛行電流的出現(xiàn)。將參照圖4來詳細(xì)描述這種配置。

在圖4中，實(shí)線是圖示現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換元件的電流-電壓特性的示圖，而虛線是圖示包括彼此電耦接且熱耦接的轉(zhuǎn)換元件133和熱電元件136的選擇元件130的電流-電壓特性的示圖。

參見圖4，當(dāng)施加到轉(zhuǎn)換元件133的電壓的幅值等于或小于預(yù)定閾值(即，轉(zhuǎn)換元 件133處于截止?fàn)顟B(tài))時，轉(zhuǎn)換元件133可以幾乎無電流通過。另一方面，當(dāng)電壓的幅值超過預(yù)定閾值時，轉(zhuǎn)換元件133可以通過與電壓的幅值成比例地逐漸增大的雙向電流。

當(dāng)在現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換元件中正電壓和負(fù)電壓具有相同的幅值時，在兩個方向上通過的電流的幅值可以基本上彼此相等。即，雙向電流可以基本上彼此對稱。

潛行電流可以在被施加到轉(zhuǎn)換元件133的電壓的幅值等于或小于閾值時受到影響，或者被截止電流影響。隨著轉(zhuǎn)換元件133的截止電流增大，潛行電流也可以增大。特別地，潛行電流可以顯著地受到被施加了正電壓的區(qū)域中出現(xiàn)的截止電流的影響。

根據(jù)實(shí)施方式的選擇元件130可以在電壓被施加到選擇元件130使得電流從被施加了正電壓的區(qū)域(例如，第二材料層135)經(jīng)由轉(zhuǎn)換元件133流入第一材料層134時通過熱電冷卻來減小截止電流。這種操作基本上能夠防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。

另一方面，當(dāng)電壓被施加到選擇元件130使得電流從被施加了負(fù)電壓的區(qū)域(例如，第一材料層134)經(jīng)由轉(zhuǎn)換元件133流入第二材料層135時，選擇元件130可以通過熱電加熱來增大截止電流。然而，由于在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的存儲單元陣列100中的潛行電流路徑通過包括被熱電冷卻的選擇元件130的存儲單元MC來形成(參考圖5和圖6)，故基本上可以防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。具體地，由于包括被熱電冷卻的選擇元件130的存儲單元MC在低截止電流處(即，處于截止?fàn)顟B(tài))具有大電阻值，故潛行電流路徑的總電阻值可以被增大以防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。

絕熱件150可以具有圍繞選擇元件130的側(cè)壁的形狀或既圍繞選擇元件130的側(cè)壁又圍繞可變電阻元件140的側(cè)壁(即，圍繞存儲單元MC的側(cè)壁)的形狀。絕熱件150可以包括具有絕緣性質(zhì)的材料。在一些實(shí)施方式中，絕熱件150可以包括從多孔材料、氣凝膠、沸石、低溫氧化物及其組合中選擇的任意一種。

絕熱件150可以用來改善選擇元件130中的熱電元件136的溫度變化，即用來提升熱電轉(zhuǎn)化效率。作為參考，由于熱電元件136的熱電轉(zhuǎn)化效率與形成熱電元件136的材料層的厚度(即，第一材料層134和第二材料層135的厚度)成比例，故高度集成的結(jié)構(gòu)(諸如存儲器件)很難獲得滿意的熱電轉(zhuǎn)化效率。因此，由于在當(dāng)前實(shí)施方式中提供了圍繞至少選擇元件130的側(cè)壁的絕熱件150，故絕熱件150可以甚至保留熱電元件136中的細(xì)微的溫度變化，由此提升熱電轉(zhuǎn)化效率。因此，可能更有效地防止在存儲單元陣列100中潛行電流的出現(xiàn)。

由于存儲器件包括選擇元件130(在其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件133和熱電元件136彼此耦接)，故存儲器件可以基本上防止具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的存儲單元陣列 100中的潛行電流的出現(xiàn)。這將參照圖5和圖6來更詳細(xì)地描述。

圖5和圖6是用于描述根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件的操作的示圖。圖5是用于描述設(shè)置操作的示圖，而圖6是用于描述重置操作的示圖。在圖5和圖6中，箭頭指示電流方向。實(shí)線箭頭指示包括被熱電冷卻的選擇元件130的存儲單元MC中的電流方向，而虛線箭頭指示包括被熱電加熱的選擇元件130的存儲單元MC的電流方向。

在描述根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件的操作之前，假設(shè)存儲單元MC中的可變電阻元件140包括過渡金屬氧化物材料(過渡金屬氧化物材料的電阻態(tài)基于根據(jù)氧空位的行為而在其中產(chǎn)生導(dǎo)電絲還是從其中移除導(dǎo)電絲而改變)，且除被選單元SEL之外的未選單元UNSEL1到UNSEL3具有相同的電阻值。此外，假設(shè)選擇元件130中的轉(zhuǎn)換元件133是MIT元件。

可以執(zhí)行設(shè)置操作使得可變電阻元件140從高電阻態(tài)改變?yōu)榈碗娮钁B(tài)，而重置操作可以被執(zhí)行使得可變電阻元件140從低電阻態(tài)改變?yōu)楦唠娮钁B(tài)。

參見圖1到圖5，將描述根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件的設(shè)置操作。在設(shè)置操作期間，穿過多個存儲單元MC之中的被選單元SEL的電流的方向、穿過與被選單元SEL共享第一線110-1的第一未選單元UNSEL1的電流的方向以及穿過與被選單元SEL共享第二線120-1的第二未選單元UNSEL2的電流的方向可以被設(shè)置為同一方向(例如，第一電流方向)。另一方面，穿過不與被選單元SEL共享第一線110-1和第二線120-1的第三未選單元UNSEL3的電流的方向可以被設(shè)置為與第一電流方向(即，穿過被選單元SEL的電流的方向)相反的第二電流方向。

根據(jù)如圖5中所示的第一電流方向，較高電壓(例如，第四驅(qū)動電壓(3V))可以被施加到被選單元SEL和第一未選單元UNSEL1所耦接的第一線110-1，而具有比較高電壓低的電平的較低電壓(例如，第一驅(qū)動電壓(0V)和第三驅(qū)動電壓(2V))可以被施加到被選單元SEL所耦接的第二線120-1以及第一未選單元UNSEL1所耦接的第二線120-2。此外，較高電壓(例如，第二驅(qū)動電壓(1V))可以被施加到第二未選單元UNSEL2所耦接的第一線110-2，而具有比較高電壓低的電平的較低電壓(例如，第一驅(qū)動電壓(0V))可以被施加到第二未選單元UNSEL2所耦接的第二線120-1。結(jié)果，能夠熱電冷卻被選單元SEL以及第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2中的選擇元件130，因?yàn)閷τ诒贿x單元SEL以及第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2中的每個，第一電壓被施加到對應(yīng)的第一線而比第一電壓低的第二電壓被施加到對應(yīng)的第二線。

類似地，根據(jù)第二電流方向，較低電壓(例如，第二驅(qū)動電壓(1V))可以被施加 到耦接至第三未選單元UNSEL3的第一線110-2，而具有比較低電壓高的電平的較高電壓(例如，第三驅(qū)動電壓(2V))可以被施加到耦接至第三未選單元UNSEL3的第二線120-2，由此熱電加熱第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130。

更具體地，第一驅(qū)動器20可以用從電壓發(fā)生器40接收到的第四驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至被選單元SEL和第一未選單元UNSEL1的第一線110-1，以及用從電壓發(fā)生器40接收到的第二驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至第二未選單元UNSEL2和第三未選單元UNSEL3的第一線110-2。第二驅(qū)動器30可以用從電壓發(fā)生器40接收到的第一驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至被選單元SEL和第二未選單元UNSEL2的第二線120-1，以及用從電壓發(fā)生器40接收到的第三驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至第一未選單元UNSEL1和第三未選單元UNSEL3的第二線120-2。由于第一驅(qū)動電壓是接地電壓而第二驅(qū)動電壓和第三驅(qū)動電壓具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的1/3和2/3的幅值，故穿過被選單元SEL以及第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2的電流可以具有第一電流方向，而穿過第三未選單元UNSEL3的電流可以具有第二電流方向。

位于關(guān)于被選單元SEL的潛行電流路徑上的第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2中的選擇元件130的截止?fàn)顟B(tài)電阻值可以通過熱電冷卻來增大。由于包括被熱電冷卻的選擇元件130的第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2可以增大潛行電流路徑的總電阻值，故可以基本上防止在設(shè)置操作期間潛行電流的出現(xiàn)。

另一方面，第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130的截止?fàn)顟B(tài)電阻值(或截止電流)可以通過熱電加熱來減小(增大)。然而，由于轉(zhuǎn)換元件133的非線性電流-電壓特性，處于截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換元件133通過熱電冷卻而導(dǎo)致的電阻值改變可以大于通過熱電加熱而導(dǎo)致的電阻值改變，且選擇元件130的截止電流可以受到較大電阻值的影響。因此，盡管第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130被熱電加熱，但對第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130的截止電流的影響小。因此，可以基本上防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。

接下來，參見圖1到圖4以及圖6，將描述根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件的重置操作。在重置操作期間，穿過多個存儲單元MC之中的被選單元SEL的電流的方向、穿過與被選單元SEL共享第一線110-1的第一未選單元UNSEL1的電流的方向以及穿過與被選單元SEL共享第二線120-1的第二未選單元UNSEL2的電流的方向可以被設(shè)置為相同的方向(例如，第二電流方向)，而穿過不與被選單元SEL共享第一線110-1和第二線120-1的第三未選單元UNSEL3的電流的方向可以被設(shè)置為與第二電流方向(即，穿過被選單元SEL的電流的方向)相反的第一電流方向。因此，在重置操作期間，被選單元SEL、第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2可以包括被熱電加熱的選擇元件130， 而第三未選單元UNSEL3可以包括被熱電冷卻的選擇元件130。

更具體地，第一驅(qū)動器20可以用從電壓發(fā)生器40接收到的第一驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至被選單元SEL和第一未選單元UNSEL1的第一線110-1，以及用從電壓發(fā)生器40接收到的第三驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至第二未選單元UNSEL2和第三未選單元UNSEL3的第一線110-2。第二驅(qū)動器30可以用從電壓發(fā)生器40接收到的第四驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至被選單元SEL和第二未選單元UNSEL2的第二線120-1，以及用從電壓發(fā)生器40接收到的第二驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接至第一未選單元UNSEL1和第三未選單元UNSEL3的第二線120-2。由于第一驅(qū)動電壓是接地電壓而第二驅(qū)動電壓和第三驅(qū)動電壓具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的1/3和2/3的幅值，故穿過被選單元SEL以及第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2的電流可以具有第二電流方向，而穿過第三未選單元UNSEl3的電流可以具有第一電流方向。

位于關(guān)于被選單元SEL的潛行電流路徑上的第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130的截止?fàn)顟B(tài)電阻值可以通過熱電冷卻來增大，從而包括被熱電冷卻的選擇元件130的第三未選單元UNSEL3可以增大潛行電流路徑的總電阻值。因此，能夠基本上防止在重置操作期間的潛行電流的出現(xiàn)。盡管第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2中的選擇元件130在重置操作期間被熱電加熱(這與設(shè)置操作期間的第三未選單元UNSEL3中的選擇元件130類似)，但對第一未選單元UNSEL1和第二未選單元UNSEL2中的選擇元件130的截止電流的影響小。因此，可以基本上防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。

通常已知的是，可變電阻元件在重置操作期間需要比設(shè)置操作期間的驅(qū)動電壓高的驅(qū)動電壓。例如，在重置操作期間，可變電阻元件中在設(shè)置操作期間已經(jīng)由氧空位產(chǎn)生的導(dǎo)電絲需要被移除。因此，重置操作期間需要的驅(qū)動電壓具有比設(shè)置操作期間所需要的驅(qū)動電壓大的幅值。這樣，在包括可變電阻元件的存儲器件中，在設(shè)置操作與重置操作期間所需的驅(qū)動電壓之間的平衡(或?qū)ΨQ)可以被打破。

然而，根據(jù)實(shí)施方式的存儲器件可以降低重置操作期間所需的驅(qū)動電壓的幅值，因?yàn)檫x擇元件被熱電加熱以降低可變電阻元件的激活能。因此，包括選擇元件的存儲器件可以改善重置操作與設(shè)置操作期間所需的驅(qū)動電壓之間的平衡。

根據(jù)實(shí)施方式，其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此基本上防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。此外，能夠改善在設(shè)置操作與重置操作期間被施加到可變電阻元件的偏置之間的平衡(或?qū)ΨQ)。

此外，存儲器件可以使用對應(yīng)于最大驅(qū)動電壓的1/3和2/3的驅(qū)動電壓來驅(qū)動耦接 至未選單元的線，由此更有效地防止?jié)撔须娏鞯某霈F(xiàn)。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲器可以應(yīng)用到各種電子設(shè)備或系統(tǒng)。圖7到圖11示出可以實(shí)施本文中公開的半導(dǎo)體存儲器的電子設(shè)備或系統(tǒng)的一些示例。

圖7是基于公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的微處理器的配置圖的示例。

參見圖7，微處理器1000可以執(zhí)行任務(wù)以控制并協(xié)調(diào)一連串進(jìn)程：從各種外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)以及將處理結(jié)果輸出到外部設(shè)備。微處理器1000可以包括存儲器單元1010、操作單元1020和控制單元1030等。微處理器1000可以為各種數(shù)據(jù)處理單元，諸如中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、數(shù)字信號處理器(DSP)和應(yīng)用處理器(AP)。

存儲器單元1010是微處理器1000中作為處理器寄存器或寄存器等儲存數(shù)據(jù)的部分。存儲器單元1010可以包括數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器和浮點(diǎn)寄存器等。除此之外，存儲器單元1010還可以包括各種寄存器。存儲器單元1010可以執(zhí)行功能：暫時地儲存要被操作單元1020執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)和執(zhí)行操作的結(jié)果數(shù)據(jù)以及用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)被儲存的地址。

存儲器單元1010可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的一種或更多種。例如，存儲器單元1010可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及布置在多個第一線與多個第二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括選擇元件(其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，存儲器單元1010和微處理器1000可以具有改善的可靠性。

操作單元1020可以根據(jù)控制單元1030解碼命令的結(jié)果來執(zhí)行四個算術(shù)運(yùn)算或邏輯運(yùn)算。操作單元1020可以包括至少一個算術(shù)邏輯單元(ALU)等。

控制單元1030可以從存儲器單元1010、操作單元1020和微處理器的外部設(shè)備接收信號、執(zhí)行對命令的提取、解碼和控制微處理器1000的信號的輸入和輸出以及執(zhí)行由程序表示的處理。

根據(jù)本實(shí)施方式的微處理器1000可以額外包括高速緩沖存儲器單元1040，高速緩沖存儲器單元1040可以暫時地儲存要從外部設(shè)備而非存儲器單元1010輸入的數(shù)據(jù)或要 被輸出到外部設(shè)備的數(shù)據(jù)。在這種情形下，高速緩沖存儲器單元1040可以通過總線接口1050來與存儲器單元1010、操作單元1020和控制單元1030交換數(shù)據(jù)。

圖8是基于公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的處理器的配置圖的示例。

參見圖8，處理器1100可以通過包含不同于微處理器的功能(執(zhí)行任務(wù)以控制并協(xié)調(diào)一連串進(jìn)程：從各種外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)以及將處理結(jié)果輸出到外部設(shè)備)的各種功能來改善性能并實(shí)現(xiàn)多功能。處理器1100可以包括用作微處理器的核心單元1110、用來暫時地儲存數(shù)據(jù)的高速緩沖存儲器單元1120以及用于在內(nèi)部設(shè)備與外部設(shè)備之間傳送數(shù)據(jù)的總線接口1130。處理器1100可以包括各種片上系統(tǒng)(SoC)，諸如多核心處理器、圖形處理單元(GPU)和應(yīng)用處理器(AP)。

本實(shí)施方式的核心單元1110是對從外部設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)執(zhí)行算術(shù)邏輯運(yùn)算的部分，且可以包括存儲器單元1111、操作單元1112和控制單元1113。

存儲器單元1111是處理器1100中作為處理器寄存器或寄存器等儲存數(shù)據(jù)的部分。存儲器單元1111可以包括數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器和浮點(diǎn)寄存器等。除此之外，存儲器1111還可以包括各種寄存器。存儲器單元1111可以執(zhí)行功能：暫時地儲存對其的操作要被操作單元1112執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、執(zhí)行操作的結(jié)果數(shù)據(jù)以及用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)被儲存在的地址。操作單元1112是處理器1100中執(zhí)行操作的部分。操作單元1112可以根據(jù)控制單元1113解碼命令的結(jié)果來執(zhí)行四個算術(shù)運(yùn)算或邏輯運(yùn)算等。操作單元1112可以包括至少一個算術(shù)邏輯單元(ALU)等?？刂茊卧?113可以從存儲器單元1111、操作單元1112和處理器1100的外部設(shè)備接收信號，執(zhí)行對命令的提取、解碼和控制處理器1100的信號的輸入和輸出，以及運(yùn)行由程序表示的處理。

高速緩沖存儲器單元1120是暫時地儲存數(shù)據(jù)以補(bǔ)償高速地操作的核心單元1110與低速地操作的外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)處理速度的差的部分。高速緩沖存儲器單元1120可以包括主儲存部1121、二級儲存部1122和三級儲存部1123。總而言之，高速緩沖存儲器單元1120包括主儲存部1121和二級儲存部1122，而在需要高儲存容量的情形下可以包括三級儲存部1123。根據(jù)場合要求，高速緩沖存儲器單元1120可以包括更多的儲存部。也就是說，被包括在高速緩沖存儲器單元1120中的儲存部的數(shù)目可以根據(jù)設(shè)計而改變。主儲存部1121、二級儲存部1122和三級儲存部1123儲存和辨別數(shù)據(jù)的速度可以相同或不同。在相應(yīng)的儲存部1121、1122和1123的速度不同的情形下，主儲存部1121的速度可以是最大的。高速緩沖存儲器單元1120的主儲存部1121、二級儲存部1122和三級儲存部1123中的至少一種儲存部可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的一種或更多種。例如，高速緩沖存儲器單元1120可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平 行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與多個第二線之間的相應(yīng)的交叉點(diǎn)處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，高速緩沖存儲器單元1120和處理器1100可以具有改善的可靠性。

盡管在圖8中示出了所有的主儲存部1121、二級儲存部1122和三級儲存部1123被配置在高速緩沖存儲器單元1120的內(nèi)部，但需要注意的是，高速緩沖存儲器單元1120的所有的主儲存部1121、二級儲存部1122和三級儲存部1123可以被配置在核心單元1110的外部，且可以補(bǔ)償核心單元1110與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)處理速度的差。同時，需要注意，高速緩沖存儲器單元1120可以安置在核心單元1110的內(nèi)部，而二級儲存部1122和三級儲存部1123可以被配置在核心單元1110的外部增強(qiáng)補(bǔ)償數(shù)據(jù)處理速度差的功能。在另一種實(shí)施方式中，主儲存部1121和二級儲存部1122可以安置在核心單元1110的內(nèi)部而三級儲存部1123可以安置在核心單元1110的外部。

總線接口1130是連接核心單元1110、高速緩沖存儲器單元1120和外部設(shè)備而允許高效地傳輸數(shù)據(jù)的部分。

根據(jù)本實(shí)施方式的處理器1100可以包括多個核心單元1110，且多個核心單元1110可以共享高速緩沖存儲器單元1120。多個核心單元1110與高速緩沖存儲器單元1120可以直接連接或者通過總線接口1130來連接。多個核心單元1110可以以與上述的核心單元1110的配置相同的方式來配置。在處理器1100包括多個核心單元1110的情形下，高速緩沖存儲器單元1120中的主儲存部1121可以對應(yīng)于多個核心單元1110的數(shù)目而被配置在每個核心單元1110中，而二級儲存部1122和三級儲存部1123可以以諸如通過總線接口1130而被共享的方式來配置在多個核心單元1110的外部。主儲存部1121的處理速度可以大于二級儲存部1122和三級儲存部1123的處理速度。在另一種實(shí)施方式中，主儲存部1121和二級儲存部1122可以對應(yīng)于多個核心單元1110的數(shù)目而被配置在每個核心單元1110中，而三級儲存部1123可以以諸如通過總線接口1130而被共享的方式來配置在多個核心單元1110的外部。

根據(jù)本實(shí)施方式的處理器1100還可以包括儲存數(shù)據(jù)的嵌入存儲器單元1140、可以以有線或無線的方式來將數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備或從外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)的通信模塊單元1150、驅(qū)動外部存儲器件的存儲器控制單元1160以及處理被處理器1100處理過的數(shù)據(jù) 或從外部輸入設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)并將處理過的數(shù)據(jù)輸出到外部接口設(shè)備的媒體處理單元1170等。除此之外，處理器1100還可以包括多個各種模塊和器件。在這種情形下，添加的多個模塊可以通過總線接口1130來與核心單元1110和高速緩沖存儲器單元1120以及彼此交換數(shù)據(jù)。

嵌入存儲器單元1140可以不僅包括非易失性存儲器還可以包括非易失性存儲器。易失性存儲器可以包括DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、移動DRAM、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)以及具有與上述的存儲器類似的功能的存儲器等。非易失性存儲器可以包括ROM(只讀存儲器)、或非(NOR)快閃存儲器、相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲器(STTRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、具有類似功能的存儲器。

通信模塊單元1150可以包括能夠與有線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊、能夠與無線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊以及這兩種模塊。有線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括局域網(wǎng)絡(luò)(LAN)、通用串行總線(USB)、以太網(wǎng)和電源線通信(PLC)(諸如通過傳輸線來發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備)等。無線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括紅外數(shù)據(jù)通訊(IrDA)、碼分多址(CDMA)、時分多址(TDMA)、頻分多址(FDMA)、無線LAN、物聯(lián)網(wǎng)、泛在傳感器網(wǎng)絡(luò)(USN)、藍(lán)牙、射頻識別(RFID)、長期演進(jìn)(LTE)、近場通信(NFC)、無線廣播網(wǎng)絡(luò)(無線寬帶)、高速下行分組接入(HSDPA)、寬帶CDMA(WCDMA)和超寬帶(UWB)(諸如在無傳輸線的情況下發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備)等。

存儲器控制單元1160是用來管理并處理在處理器1100與不同的通信標(biāo)準(zhǔn)而操作的外部儲存設(shè)備之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。存儲器控制單元1160可以包括各種存儲器控制器，例如，可以控制IDE(集成設(shè)備電路)、SATA(串行高級技術(shù)連接)、SCSI(小型計算機(jī)系統(tǒng)接口)、RAID(獨(dú)立磁盤冗余陣列)、SSD(固態(tài)磁盤)、eSATA(外部SATA)、PCMCIA(個人計算機(jī)存儲卡國際協(xié)會)、USB(通用串行總線)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等。

媒體處理單元1170可以處理在處理器1100中處理過的數(shù)據(jù)或以圖像形式、聲音形式或其他形式從外部輸入設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)輸出到外部接口設(shè)備。媒體處理單元1170可以包括圖形處理單元(GPU)、數(shù)字信號處理器(DSP)、高清晰度音頻設(shè)備(HD音頻)和高清晰度多媒體接口(HDMI)控制器等。

圖9是基于公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見圖9，作為用于處理數(shù)據(jù)的裝置的系統(tǒng)1200可以執(zhí)行輸入、處理、輸出、通信、儲存等以進(jìn)行對數(shù)據(jù)的一系列操縱。系統(tǒng)1200可以包括處理器1210、主存儲器件1220、輔助存儲器件1230和接口設(shè)備1240等。本實(shí)施方式的系統(tǒng)1200可以為使用處理器來操作的各種電子系統(tǒng)，諸如計算機(jī)、服務(wù)器、PDA(個人數(shù)字助手)、便攜式計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)板、無線電話、移動電話、智能電話、數(shù)字音樂播放器、PMP(便攜式多媒體播放器)、照相機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、攝像機(jī)、錄音機(jī)、遠(yuǎn)程信息處理、視聽(AV)系統(tǒng)和智能電視等。

處理器1210可以解碼輸入的命令以及處理針對儲存在系統(tǒng)1200中的數(shù)據(jù)的操作、比較等，并控制這些操作。處理器1210可以包括微處理器單元(MPU)、中央處理單元(CPU)、單/多核心處理器、圖形處理單元(GPU)、應(yīng)用處理器(AP)和數(shù)字信號處理器(DSP)等。

主存儲器件1220是可以在程序被執(zhí)行時暫時地儲存、調(diào)用并執(zhí)行來自輔助存儲器件1230的程序編碼或數(shù)據(jù)且可以甚至在電源被切斷時仍保留存儲的內(nèi)容的儲存器。主存儲器件1220可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中一種或更多種。例如，主存儲器件1220可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與第二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，主存儲器件1220和系統(tǒng)1200可以具有改善的可靠性。

而且，主存儲器件1220還可以包括易失性存儲器類型(在其中當(dāng)電源被切斷時，所有的內(nèi)容都被擦除)中的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)等。與此不同，主存儲器件1220可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括易失性存儲器類型(在其中當(dāng)電源被切斷時，所有的內(nèi)容都被擦除)中的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)等。

輔助存儲器件1230是用于儲存程序編碼或數(shù)據(jù)的存儲器件。雖然輔助存儲器件1230的速度低于主存儲器件1220，但輔助存儲器件1230可以儲存更大量的數(shù)據(jù)。輔助存儲器件1230可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的一種或更多種。例如，輔助存儲器件1230可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與多個第 二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，輔助存儲器件1230和系統(tǒng)1200可以具有改善的可靠性。

而且，輔助存儲器件1230還可以包括數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)(見圖10中的附圖標(biāo)記1300)，諸如使用磁性的磁帶、磁盤、使用光學(xué)的光盤、既使用磁性又使用光學(xué)的磁光盤、固態(tài)盤(SSD)、USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等。與此不同，輔助存儲器件1230可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)(見圖10中的附圖標(biāo)記1300)，諸如使用磁性的磁帶、磁盤、使用光學(xué)的光盤、既使用磁性又使用光學(xué)的磁光盤、固態(tài)盤(SSD)、USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等。

接口設(shè)備1240可以用來執(zhí)行本實(shí)施方式的系統(tǒng)1200與外部設(shè)備之間的命令和數(shù)據(jù)的交換。接口設(shè)備1240可以為小鍵盤、鍵盤、鼠標(biāo)、揚(yáng)聲器、麥克風(fēng)、顯示器、各種人機(jī)接口設(shè)備(HID)和通信設(shè)備等。通信設(shè)備可以包括能夠與有線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊、能夠與無線網(wǎng)絡(luò)連接的模塊以及這二者。有線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括局域網(wǎng)絡(luò)(LAN)、通用串行總線(USB)、以太網(wǎng)和電源線通信(PLC)(諸如通過傳輸線來發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備)等。無線網(wǎng)絡(luò)模塊可以包括紅外數(shù)據(jù)通訊(IrDA)、碼分多址(CDMA)、時分多址(TDMA)、頻分多址(FDMA)、無線LAN、物聯(lián)網(wǎng)、泛在傳感器網(wǎng)絡(luò)(USN)、藍(lán)牙、射頻識別(RFID)、長期演進(jìn)(LTE)、近場通信(NFC)、無線廣播網(wǎng)絡(luò)(無線寬帶)、高速下行分組接入(HSDPA)、寬帶CDMA(WCDMA)和超寬帶(UWB)(諸如在無傳輸線的情況下發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的各種設(shè)備)等。

圖10是基于公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見圖10，數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300可以包括作為用于儲存數(shù)據(jù)的部件的具有非易失性特性的儲存器件1310、控制儲存器件1310的控制器1320、用于與外部設(shè)備的連接的接口1330以及用于暫時地儲存數(shù)據(jù)的暫時儲存器件1340。數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300可以為盤型(諸如硬盤驅(qū)動(HDD)、只讀光盤(CDROM)、數(shù)字化視頻光盤(DVD)和固態(tài)盤(SSD) 等)以及卡型(諸如USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體(MMC)卡、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等)。

儲存器件1310可以包括半永久地儲存數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。非易失性存儲器可以包括ROM(只讀存儲器)、或非(NOR)快閃存儲器、與非(NAND)快閃存儲器、相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)等。

控制器1320可以控制儲存器件1310與接口1330之間的數(shù)據(jù)的交換。出于此目的，控制器1320可以包括處理器1321以執(zhí)行用于處理通過接口1330而從數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300的外部等輸入的命令的操作。

接口1330用來執(zhí)行數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300與外部設(shè)備之間的命令和數(shù)據(jù)的交換。在數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300是卡型的情形下，接口1330可以與設(shè)備中使用的接口(諸如USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等)兼容，或者可以與在類似于以上提到的設(shè)備的設(shè)備中使用的接口兼容。在數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300是盤型的情形下，接口1330可以與接口(諸如IDE(集成設(shè)備電路)、SATA(串行高級技術(shù)連接)、SCSI(小型計算機(jī)系統(tǒng)接口)、eSATA(外部SATA)、PCMCIA(個人計算機(jī)存儲卡國際協(xié)會)和USB(通用串行總線)等)兼容，或者可以與類似于上面提到的接口的接口兼容。接口1330可以與彼此具有不同的類型的一個或更多個接口兼容。

暫時儲存器件1340可以暫時地儲存數(shù)據(jù)以根據(jù)與外部設(shè)備、控制器和系統(tǒng)的接口的多樣化和高性能來在接口1330與儲存器件1310之間高效地傳送數(shù)據(jù)。用于暫時地儲存數(shù)據(jù)的暫時儲存器件1340可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的一種或更多種。例如，暫時儲存器件1340可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與多個第二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，暫時儲存器件1340和數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)1300可以具有改善的可靠性。

圖11是基于公開的技術(shù)來實(shí)施存儲電路的存儲系統(tǒng)的配置圖的示例。

參見圖11，存儲系統(tǒng)1400可以包括作為用于儲存數(shù)據(jù)的部件的具有非易失性特性的存儲器1410、控制存儲器1410的存儲器控制器1420以及用于與外部設(shè)備的連接的接口1430等。存儲系統(tǒng)1400可以是卡型(諸如固態(tài)盤(SSD)、USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等)。

用于儲存數(shù)據(jù)的存儲器1410可以包括上述的根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的一種或更多種。例如，存儲器1410可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與多個第二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，儲存器1410和存儲系統(tǒng)1400可以具有改善的可靠性。

而且，根據(jù)本實(shí)施方式的存儲器1410還可以包括具有非易失性特性的ROM(只讀存儲器)、或非(NOR)快閃存儲器、與非(NAND)快閃存儲器、相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)等。

存儲器控制器1420可以控制存儲器1410與接口1430之間的數(shù)據(jù)的交換。出于此目的，存儲器控制器1420可以包括處理器1421以執(zhí)行用于處理通過接口1430而從存儲系統(tǒng)1400的外部輸入的命令的操作。

接口1430用來執(zhí)行存儲系統(tǒng)1400與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)的交換。接口1430可以與設(shè)備中使用的接口(諸如USB存儲器(通用串行總線存儲器)、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)和緊湊式快閃(CF)卡等)兼容，或者可以與在類似于以上提到的設(shè)備的設(shè)備中使用的接口兼容。接口1430可以與彼此具有不同的類型的一個或更多個接口兼容。

根據(jù)本實(shí)施方式的存儲系統(tǒng)1400還可以包括緩沖存儲器1440以根據(jù)與外部設(shè)備、存儲器控制器和存儲系統(tǒng)的接口的多樣化和高性能來在接口1430與存儲器1410之間高效地傳送數(shù)據(jù)。例如，緩沖存儲器1440可以包括在一個方向上延伸且被布置為彼此平行 的多個第一線、與多個第一線交叉來延伸且被布置為彼此平行的多個第二線以及被布置在多個第一線與多個第二線之間的相應(yīng)的交叉處的多個存儲單元。存儲單元中的每個可以包括其中具有非線性電流-電壓特性的轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件、耦接至選擇元件的可變電阻元件以及圍繞至少選擇元件的絕熱件。其中轉(zhuǎn)換元件與熱電元件彼此耦接的選擇元件可以被提供以減小選擇元件的截止電流，由此防止在具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的單元陣列中潛行電流的出現(xiàn)。即，能夠通過提供上述的選擇元件來改善器件的操作特性和可靠性。通過這樣，緩沖存儲器1440和存儲系統(tǒng)1400可以具有改善的可靠性。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式的緩沖存儲器1440還可以包括具有易失特性的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)等，以及具有非易失特性的相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲器(STTRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)等。與此不同，緩沖存儲器1440可以不包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，而可以包括具有易失特性的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)等，以及具有非易失特性的相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲器(STTRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)等。

圖7到圖11中的基于本文件中公開的存儲器件的電子設(shè)備或系統(tǒng)的以上示例中的特征可以以各種設(shè)備、系統(tǒng)或應(yīng)用來實(shí)施。一些示例包括移動電話或其他便攜式通信設(shè)備、平板計算機(jī)、筆記本或膝上型計算機(jī)、游戲機(jī)、智能電視機(jī)、電視機(jī)頂盒、多媒體服務(wù)器、具有或不具有無線通信功能的數(shù)據(jù)相機(jī)、具有無限通信能力的手表或其他可穿戴設(shè)備。

雖然本專利文件包含很多細(xì)節(jié)，但這些細(xì)節(jié)不應(yīng)當(dāng)被解釋為對任何發(fā)明的范圍或被要求權(quán)利的范圍的限制，而應(yīng)當(dāng)被解釋為對對于特定發(fā)明的特定實(shí)施例可能是特定的特征的描述。單獨(dú)的實(shí)施例的環(huán)境中的在本專利文件中描述了的特定的特征也可以在單個實(shí)施例中組合地實(shí)施。相反地，在單個實(shí)施例的環(huán)境中描述的各種特征也可以在多個實(shí)施例中單獨(dú)地實(shí)施或在任意適合的子組合中實(shí)施。此外，盡管以上特征被描述為以特定組合來作用，甚至最初被要求權(quán)利為如此，但在某些情形下來自被要求權(quán)利的組合的一個或更多個特征可以從該組合被刪去，且被要求權(quán)利的組合可以指向子組合或子組合的變化。

類似地，雖然在附圖中以特定的次序描述了操作，但這不應(yīng)當(dāng)被理解為需要以示出的次序或順序地執(zhí)行這些操作或執(zhí)行所有示出的操作，以取得期望的結(jié)果。此外，在本專利文件中描述的實(shí)施例中的各種系統(tǒng)部件的分離不應(yīng)當(dāng)被理解為在所有的實(shí)施例中都需要這種分離。

僅描述了若干實(shí)施方式和示例。可以基于本專利文件中所描述的和所示出的來作出其他實(shí)施方式、優(yōu)化和變化。

通過以上實(shí)施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。

技術(shù)方案1.一種包括半導(dǎo)體存儲器的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器包括：

多個第一線，在第一方向上延伸，且被布置為彼此平行；

多個第二線，在與所述多個第一線交叉的第二方向上延伸，且被布置為彼此平行；以及

多個存儲單元，分別安置在所述多個第一線與所述多個第二線的交叉區(qū)域中，

其中，存儲單元中的每個包括：

選擇元件，包括彼此耦接的轉(zhuǎn)換元件和熱電元件，轉(zhuǎn)換元件具有非線性電流-電壓特性；

可變電阻元件，耦接至選擇元件；以及

絕熱件，至少圍繞選擇元件的側(cè)壁。

技術(shù)方案2.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，其中，轉(zhuǎn)換元件包括從金屬絕緣體轉(zhuǎn)變MIT元件、離子-電子混合導(dǎo)電MIEC元件、雙向閾值轉(zhuǎn)換OTS元件及其組合中選擇的一種。

技術(shù)方案3.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，其中，熱電元件包括：

第一材料層，耦接至轉(zhuǎn)換元件的一端，且具有第一功函數(shù)；以及

第二材料層，耦接至轉(zhuǎn)換元件的另一端，且具有比第一功函數(shù)小的第二功函數(shù)。

技術(shù)方案4.如技術(shù)方案3所述的電子設(shè)備，其中，第一材料層和第二材料層具有互補(bǔ)的導(dǎo)電類型。

技術(shù)方案5.如技術(shù)方案3所述的電子設(shè)備，其中，第一功函數(shù)具有與P型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值，而第二功函數(shù)具有與N型多晶硅的功函數(shù)相對應(yīng)的值。

技術(shù)方案6.如技術(shù)方案3所述的電子設(shè)備，其中，第一材料層和第二材料層包括半導(dǎo)體材料或金屬材料。

技術(shù)方案7.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，其中，絕熱件包括具有隔熱性質(zhì)的材料。

技術(shù)方案8.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，其中，絕熱件包括從多孔材料、氣凝膠、沸石、低溫氧化物及其組合中選擇的一種。

技術(shù)方案9.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，其中，可變電阻元件包括從鐵磁材料、金屬氧化物材料、相變材料、鐵電介質(zhì)材料及其組合中選擇的一種。

技術(shù)方案10.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，還包括微處理器，微處理器包括：

控制單元，被配置為：從微處理器的外部接收包括命令的信號，并對所述命令執(zhí)行提取、解碼，或者執(zhí)行控制微處理器的信號輸入或信號輸出；

操作單元，被配置為基于控制單元解碼所述命令的結(jié)果來執(zhí)行操作；以及

存儲器單元，被配置為：儲存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址，

其中，所述半導(dǎo)體存儲器是微處理器中的存儲器單元的部分。

技術(shù)方案11.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，還包括處理器，處理器包括：

核心單元，被配置為基于從處理器的外部輸入的命令而通過使用數(shù)據(jù)來執(zhí)行與所述命令相對應(yīng)的操作；

高速緩沖存儲器單元，被配置為儲存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址；以及

總線接口，連接在核心單元與高速緩沖存儲器單元之間，且被配置為在核心單元與高速緩沖存儲器單元之間傳輸數(shù)據(jù)，

其中，所述半導(dǎo)體存儲器是處理器中的高速緩沖存儲器單元的部分。

技術(shù)方案12.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，還包括處理系統(tǒng)，處理系統(tǒng)包括：

處理器，被配置為：將由處理器接收到的命令解碼，并控制針對基于對命令解碼的結(jié)果的信息的操作；

輔助存儲器件，被配置為儲存用于解碼所述命令的程序以及儲存所述信息；

主存儲器件，被配置為：從輔助存儲器件調(diào)用并儲存所述程序和所述信息，使得處理器能夠在運(yùn)行所述程序時使用所述程序和所述信息來執(zhí)行操作；以及

接口設(shè)備，被配置為：執(zhí)行處理器、輔助存儲器件和主存儲器件中的至少一個與外部之間的通信，

其中，所述半導(dǎo)體存儲器是處理系統(tǒng)中的輔助存儲器件或主存儲器件的部分。

技術(shù)方案13.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，還包括數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)，數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)包括：

儲存器件，被配置為儲存數(shù)據(jù)并無論電源如何都保存儲存的數(shù)據(jù)；

控制器，被配置為根據(jù)從外部輸入的命令來控制數(shù)據(jù)向儲存器件的輸入以及數(shù)據(jù)從儲存器件的輸出；

暫時儲存器件，被配置為暫時地儲存在儲存器件與所述外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及

接口，被配置為：執(zhí)行儲存器件、控制器和暫時儲存器件中的至少一個與所述外部之間的通信，

其中，所述半導(dǎo)體存儲器是數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)中的所述儲存器件或暫時儲存器件的部分。

技術(shù)方案14.如技術(shù)方案1所述的電子設(shè)備，還包括存儲系統(tǒng)，存儲系統(tǒng)包括：

存儲器，被配置為儲存數(shù)據(jù)并無論電源如何都保存儲存的數(shù)據(jù)；

存儲器控制器，被配置為根據(jù)從外部輸入的命令來控制數(shù)據(jù)向存儲器的輸入或數(shù)據(jù)從存儲器的輸出；

緩沖存儲器，被配置為緩沖在存儲器與所述外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及

接口，被配置為：執(zhí)行存儲器、存儲器控制器和緩沖存儲器中的至少一個與所述外部之間的通信，

其中，所述半導(dǎo)體存儲器是存儲系統(tǒng)中的所述存儲器或緩沖存儲器的部分。

技術(shù)方案15.一種電子設(shè)備的操作方法，所述電子設(shè)備包括具有交叉點(diǎn)架構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器，所述操作方法包括：

使用具有不同幅值的四個或更多個驅(qū)動電壓來驅(qū)動彼此交叉且耦接至多個存儲單元的第一線和第二線，使得穿過所述多個存儲單元之中的被選單元的電流的方向、穿過與被選單元共享第一線的第一未選單元的電流的方向以及穿過與被選單元共享第二線的第二未選單元的電流的方向相同，以及

使用所述四個或更多個驅(qū)動電壓來驅(qū)動第一線和第二線，使得穿過不與被選單元共享第一線和第二線的第三未選單元的電流的方向與穿過被選單元的電流的方向相反。

技術(shù)方案16.如技術(shù)方案15所述的操作方法，其中，驅(qū)動電壓包括第一驅(qū)動電壓到第四驅(qū)動電壓，以及

其中，第一驅(qū)動電壓為接地電壓，第二驅(qū)動電壓具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的1/3的幅值，而第三驅(qū)動電壓具有對應(yīng)于第四驅(qū)動電壓的幅值的2/3的幅值。

技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的操作方法，其中，在半導(dǎo)體存儲器的設(shè)置操作中， 第四驅(qū)動電壓被施加到耦接至被選單元的第一線，第一驅(qū)動電壓被施加到耦接至被選單元的第二線，第二驅(qū)動電壓被施加到不耦接至被選單元的第一線，而第三驅(qū)動電壓被施加到不耦接至被選單元的第二線。

技術(shù)方案18.如技術(shù)方案16所述的操作方法，其中，在半導(dǎo)體存儲器的重置操作中，第一驅(qū)動電壓被施加到耦接至被選單元的第一線，第四驅(qū)動電壓被施加到耦接至被選單元的第二線，第三驅(qū)動電壓被施加到不耦接至被選單元的第一線，而第二驅(qū)動電壓被施加到不耦接至被選單元的第二線。

技術(shù)方案19.如技術(shù)方案15所述的操作方法，其中，存儲單元中的每個包括：

選擇元件，包括彼此耦接的轉(zhuǎn)換元件和熱電元件，轉(zhuǎn)換元件具有非線性電流-電壓特性；

可變電阻元件，耦接至選擇元件；以及

絕熱件，圍繞至少選擇元件的側(cè)壁，

其中，熱電元件包括第一材料層和第二材料層，第一材料層介于第二線與轉(zhuǎn)換元件之間且具有第一功函數(shù)，第二材料層介于第一線與轉(zhuǎn)換元件之間且具有比第一功函數(shù)小的第二功函數(shù)，以及

其中，當(dāng)電流從第一線流向第二線時，選擇元件被熱電冷卻，而當(dāng)電流從第二線流向第一線時，選擇元件被熱電加熱。