技術(shù)總結(jié)
為了提供新的非易失性鎖存電路以及使用非易失性鎖存電路的半導體器件，非易失性鎖存電路包括：鎖存部分，具有循環(huán)結(jié)構(gòu)，其中第一元件的輸出電連接到第二元件的輸入，并且第二元件的輸出電連接到第一元件的輸入；以及數(shù)據(jù)保存部分，配置成保存鎖存部分的數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)保存部分中，將使用氧化物半導體作為用于形成溝道形成區(qū)的半導體材料的晶體管用作開關(guān)元件。另外，包括電連接到晶體管的源電極或漏電極的電容器。

技術(shù)研發(fā)人員：加藤清;小山潤
受保護的技術(shù)使用者：株式會社半導體能源研究所
文檔號碼：201510084681
技術(shù)研發(fā)日：2010.11.16
技術(shù)公布日：2017.08.11