具有熔絲陣列的半導(dǎo)體器件及其操作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件，包括：熔絲陣列，用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)；啟動控制單元，適用于產(chǎn)生用于將模式數(shù)據(jù)的輸出使能的使能信號；以及模式檢測單元，適用于響應(yīng)于所述使能信號而檢測所述模式數(shù)據(jù)的模式并且產(chǎn)生檢測信號。熔絲陣列響應(yīng)于檢測信號而輸出正常熔絲數(shù)據(jù)。
【專利說明】具有熔絲陣列的半導(dǎo)體器件及其操作方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年6月18日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0069715的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體而言，涉及一種具有熔絲陣列的半導(dǎo)體器件。

【背景技術(shù)】
[0004]通常，諸如雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM (DDR SDRAM)的半導(dǎo)體器件包括用于儲存修復(fù)目標(biāo)地址或者特定設(shè)定值的電路，并且熔絲可以作為這種電路。熔絲可以經(jīng)由編程操作來儲存期望的數(shù)據(jù)，并且編程操作可以典型地分成物理方案和電學(xué)方案。
[0005]物理方案是利用激光光束、基于要儲存的數(shù)據(jù)而將熔絲熔斷來切斷熔絲。此時使用的熔絲被稱作為物理型熔絲。由于使用激光光束來切斷熔絲的連接狀態(tài)，該熔絲也被稱作為激光熔斷型熔絲。物理型熔絲具有的缺點在于，編程操作必須在封裝之前的晶片狀態(tài)下執(zhí)行。
[0006]電學(xué)方案是基于要儲存的數(shù)據(jù)而將過電流施加至熔絲來改變?nèi)劢z的連接狀態(tài)。此時使用的熔絲被稱作為電學(xué)型熔絲。電學(xué)型熔絲可以被分成將開路狀態(tài)改變成短路狀態(tài)的反型熔絲和將短路狀態(tài)改變成開路狀態(tài)的熔斷型熔絲。在電學(xué)型熔絲的情況下，不同于物理型熔絲，可以在封裝狀態(tài)下執(zhí)行編程操作。因而，電學(xué)型熔絲被認為是設(shè)計半導(dǎo)體器件中的重要部件。
[0007]由于半導(dǎo)體器件需要執(zhí)行更多種操作，所以將半導(dǎo)體器件設(shè)計成執(zhí)行更多的功能。半導(dǎo)體器件的功能數(shù)目的增加表示使相應(yīng)功能多樣化的熔絲的數(shù)目增加。近來，已經(jīng)采用熔絲陣列結(jié)構(gòu)來更有效地管理大量的熔絲。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]各種實施例針對一種包括可以產(chǎn)生穩(wěn)定的熔絲數(shù)據(jù)的熔絲陣列的半導(dǎo)體器件。
[0009]在一個實施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括:熔絲陣列，用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)；啟動控制單元，適用于產(chǎn)生用于將模式數(shù)據(jù)的輸出使能的使能信號；以及模式檢測單元，適用于響應(yīng)于使能信號而檢測模式數(shù)據(jù)的模式，并且產(chǎn)生檢測信號。熔絲陣列響應(yīng)于檢測信號而輸出正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0010]在一個實施例中，一種半導(dǎo)體器件的操作方法可以包括以下步驟:執(zhí)行加電操作并且產(chǎn)生加電信號；檢測被編程在第一熔絲陣列中的模式數(shù)據(jù)；基于檢測結(jié)果來判斷是否將被編程在第二熔絲陣列中的正常熔絲數(shù)據(jù)的輸出使能；以及輸出正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0011]在一個實施例中，一種半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括:半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)的熔絲陣列，其中，所述半導(dǎo)體器件檢測在多個熔絲的一部分被使能時輸出的模式數(shù)據(jù)，并且產(chǎn)生檢測信號；所述控制器適用于基于檢測信號來控制半導(dǎo)體器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
[0013]圖2是說明圖1中所示的熔絲陣列的詳細圖。
[0014]圖3是說明圖1中所示的模式檢測單元的詳細圖。
[0015]圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的框圖。
[0016]圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
[0017]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。

【具體實施方式】
[0018]下面將參照附圖更詳細地描述各種實施例。然而，本發(fā)明可以用不同的形式實施，而不應(yīng)解釋為局限于本文所列的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本公開充分與完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。在本公開中，附圖標(biāo)記在本發(fā)明的不同附圖和實施例中與相似編號的部分直接相對應(yīng)。另外，只要未在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0019]在以下描述中，被編程在熔絲陣列中的熔絲數(shù)據(jù)加載(或者讀取和傳送)至半導(dǎo)體器件中包括的另一存儲電路(例如，寄存器)中的操作被稱作為啟動操作。
[0020]圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
[0021]參見圖1，半導(dǎo)體器件可以包括:加電檢測單元110、啟動控制單元120、熔絲陣列130和模式檢測單元140。
[0022]加電檢測單元110可以檢測施加至半導(dǎo)體器件的電源的電壓電平是否升高至預(yù)定的電壓電平或更大，以及產(chǎn)生加電信號PWR。啟動控制單元120可以響應(yīng)于加電信號PWR而產(chǎn)生使能信號EN。熔絲陣列130包括用于經(jīng)由編程操作來儲存預(yù)定的熔絲數(shù)據(jù)的多個熔絲，熔絲陣列130中包括的所述多個熔絲中的一部分響應(yīng)于使能信號EN而被使能。被編程在使能的熔絲中的數(shù)據(jù)被輸出作為模式數(shù)據(jù)DAT_PT。以下將更詳細地描述模式數(shù)據(jù)DAT_PT。模式檢測單元140可以檢測模式數(shù)據(jù)DAT_PT的模式并且產(chǎn)生檢測信號DET。熔絲陣列130響應(yīng)于檢測信號DET而將被編程在熔絲陣列130中的數(shù)據(jù)輸出作為熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS。
[0023]為了便于描述，假設(shè)設(shè)定成‘1010101010’的模式數(shù)據(jù)DAT_PT被儲存在熔絲陣列130的預(yù)定數(shù)目的熔絲中。在用于模式數(shù)據(jù)DAT_PT的檢測操作之前，模式數(shù)據(jù)DAT_PT必須被編程。
[0024]首先，當(dāng)通過檢測加電電平而激活加電信號PWR時，使能信號EN也被激活。因而，熔絲陣列130的預(yù)定數(shù)目的熔絲被使能以輸出模式數(shù)據(jù)DAT_PT。然而，由于諸如操作模式或者偏移的問題，模式數(shù)據(jù)DAT_PT可能不被輸出為預(yù)設(shè)值。即，可能輸出不穩(wěn)定的值，而不是‘1010101010’的預(yù)設(shè)值。因而，模式檢測單元140不斷地執(zhí)行監(jiān)控，直到模式數(shù)據(jù)DAT_PT被輸出為預(yù)設(shè)值。即，在加電操作之后，模式檢測單元140接收模式數(shù)據(jù)DAT_PT并且檢測模式數(shù)據(jù)DAT_PT的模式。當(dāng)模式數(shù)據(jù)DAT_PT被輸出為‘1010101010’的預(yù)設(shè)值時，檢測信號DET被激活，并且熔絲陣列130響應(yīng)于檢測信號DET而將被編程在其中的數(shù)據(jù)輸出作為正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS。
[0025]如上所述，熔絲陣列130響應(yīng)于使能信號EN而輸出模式數(shù)據(jù)DAT_PT。因為初始的模式數(shù)據(jù)DAT_PT可能不被輸出為預(yù)設(shè)值，所以必須周期性地輸出模式數(shù)據(jù)DAT_PT。針對這個操作，也必須周期性地輸出使能信號EN。因而，啟動控制單元120可以包括用于執(zhí)行周期性操作的電路。例如，啟動控制單元120可以包括用于控制半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作的電路。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件在熔絲陣列130輸出正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS之前產(chǎn)生模式數(shù)據(jù)DAT_PT、檢測模式數(shù)據(jù)DAT_PT被輸出為期望模式、然后輸出正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS。
[0027]圖2是說明圖1中所示的熔絲陣列130的詳細圖。
[0028]參見圖2，熔絲陣列130包括正常熔絲陣列210和模式化熔絲陣列220。
[0029]正常熔絲陣列210可以響應(yīng)于檢測信號DET而被編程正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS，以及可以輸出正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS。模式化熔絲陣列220可以響應(yīng)于使能信號EN而編程模式數(shù)據(jù)DAT_PT，以及輸出編程的模式數(shù)據(jù)DAT_PT。正常熔絲陣列210和模式化熔絲陣列220可以利用在相同的環(huán)境下采用相同的方式制造的單個電路來實施。
[0030]在下文中，參見圖1至圖2，將簡要地描述電路操作。
[0031]首先，加電檢測單元110通過檢測加電電平來產(chǎn)生加電信號PWR。當(dāng)在加電操作之后與熔絲陣列130的一部分相對應(yīng)的模式化熔絲陣列220響應(yīng)于使能信號EN而被使能時，輸出模式數(shù)據(jù)DAT_PT。每當(dāng)模式化熔絲陣列220響應(yīng)于使能信號EN而被周期性地使能時，模式檢測單元140檢測模式數(shù)據(jù)DAT_PT是否被穩(wěn)定地輸出。此外，當(dāng)模式檢測單元140檢測出模式數(shù)據(jù)DAT_PT被穩(wěn)定地輸出時，正常熔絲陣列210被使能以輸出正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS。結(jié)果，此時輸出的正常熔絲數(shù)據(jù)DAT_FS成為在穩(wěn)定的環(huán)境下輸出的數(shù)據(jù)。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件可以在正常熔絲陣列210被使能之前將模式化熔絲陣列220使能，并且預(yù)先檢查正常熔絲陣列21是否可以穩(wěn)定地操作。
[0033]圖3是圖1中所示的模式檢測單元140的詳細圖。
[0034]參見圖3，模式檢測單元140包括存儲部310和比較部320。
[0035]存儲部310儲存具有與模式數(shù)據(jù)DAT_PT相同模式的引導(dǎo)數(shù)據(jù)(即，測試模式數(shù)據(jù))DAT_LT,比較部320比較模式數(shù)據(jù)DAT_PT與儲存在存儲部310中的引導(dǎo)數(shù)據(jù)DAT_LT并且產(chǎn)生檢測信號DET。結(jié)果，當(dāng)模式數(shù)據(jù)DAT_PT和引導(dǎo)數(shù)據(jù)DAT_LT彼此相等時，模式檢測單元140激活檢測信號DET。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件可以比較模式數(shù)據(jù)DAT_PT和引導(dǎo)數(shù)據(jù)DAT_LT,并且檢測模式數(shù)據(jù)DAT_PT是否被正常地輸出。
[0037]當(dāng)模式數(shù)據(jù)DAT_PT被正常地輸出時，檢測信號DET被使能。因而，當(dāng)使用檢測信號DET來將檢測操作期間使用的電路即圖1中的啟動控制單元120、圖2中的模式化熔絲陣列220、以及圖3中的存儲部310和比較部320禁止時，可以減小功耗。
[0038]圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的框圖。
[0039]參見圖4，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)包括:控制器410和半導(dǎo)體器件420。
[0040]控制器410可以產(chǎn)生命令信號CMD、地址信號ADD和數(shù)據(jù)信號DAT，并且將產(chǎn)生的信號傳送至半導(dǎo)體器件420，半導(dǎo)體器件420可以接收從控制器410傳送的信號，并且執(zhí)行各種操作。
[0041]半導(dǎo)體器件420可以執(zhí)行參照圖1至圖3來描述的模式檢測操作，并且將經(jīng)由模式檢測操作產(chǎn)生的檢測信號DET傳送至控制器410。此外，控制器410可以響應(yīng)于檢測信號DET而控制命令信號CMD、地址信號ADD以及數(shù)據(jù)信號DAT的激活時間。
[0042]如參照圖1至圖3所述，檢測信號DET具有關(guān)于熔絲陣列是否可以正常輸出數(shù)據(jù)的信息。因而，半導(dǎo)體器件420響應(yīng)于檢測信號DET而輸出被編程在熔絲陣列中的數(shù)據(jù)，并且將輸出的數(shù)據(jù)加載至另一存儲電路中。對于控制器410，其可以在檢測信號DET被激活之后的加載時間內(nèi)穩(wěn)定地控制半導(dǎo)體器件420。因而，控制器410或者半導(dǎo)體器件420可以包括用于將檢測信號DET延遲所述加載時間的延遲電路。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件系統(tǒng)可以控制控制器410以在半導(dǎo)體器件420的熔絲陣列被穩(wěn)定地使能并且編程的數(shù)據(jù)被完全加載至熔絲陳列中之后將信號提供給半導(dǎo)體器件420。
[0044]圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。在圖5中，與圖1中的部件相對應(yīng)的部件由相同的術(shù)語來表示。與圖1的部件相比，僅改變了圖5的部件之中的控制單元510。
[0045]參見圖5，啟動控制單元510響應(yīng)于復(fù)位信號RST而控制是否激活使能信號EN。換言之，即使當(dāng)加電信號PWR被意外激活時，啟動控制單元510也可以響應(yīng)于復(fù)位信號RST而穩(wěn)定地控制是否激活使能信號EN。復(fù)位信號RST可以是內(nèi)部產(chǎn)生的信號、或者是經(jīng)由外部引腳施加的外部信號。
[0046]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的框圖。與圖1中的部件相比，圖6中的半導(dǎo)體器件還包括傳輸控制單元610。
[0047]參見圖6，傳輸控制單元610響應(yīng)于復(fù)位信號RST而控制從模式檢測單元輸出的檢測信號DET傳送至熔絲陣列的操作。換言之，即使檢測信號DET被意外激活時，傳輸控制單元610也可以基于復(fù)位信號RST來穩(wěn)定地控制是否傳送檢測信號DET。復(fù)位信號RST可以是內(nèi)部產(chǎn)生的信號或者從外部施加的外部信號。
[0048]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件可以提供陣列熔絲輸出穩(wěn)定熔絲數(shù)據(jù)的環(huán)境，使得可以將可靠的熔絲數(shù)據(jù)提供給相應(yīng)的電路。
[0049]此外，在使用所述半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件系統(tǒng)中，在通過被編程在陣列熔絲中的數(shù)據(jù)而完全設(shè)定半導(dǎo)體器件之后，控制器控制半導(dǎo)體器件的操作。因而，可以準(zhǔn)確地執(zhí)行半導(dǎo)體器件系統(tǒng)的整體操作。
[0050]盡管已經(jīng)出于說明性的目的描述了各種實施例，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進行各種變化和修改。
[0051]在上述實施例中，描述了在加電操作之后執(zhí)行模式檢測操作。然而，模式檢測操作可以基于從外部施加的預(yù)定信號來執(zhí)行。
[0052]通過以上實施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0053]1.一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0054]熔絲陣列，所述熔絲陣列用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)；
[0055]啟動控制單元，所述啟動控制單元適用于產(chǎn)生用于將所述模式數(shù)據(jù)的輸出使能的使能信號；以及
[0056]模式檢測單元，所述模式檢測單元適用于響應(yīng)于所述使能信號而檢測所述模式數(shù)據(jù)的模式，以及產(chǎn)生檢測信號，
[0057]其中，所述熔絲陣列響應(yīng)于所述檢測信號而輸出所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0058]2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，還包括加電檢測單元，所述加電檢測單元適用于通過檢測加電電平來產(chǎn)生加電信號，以及控制所述啟動控制單元。
[0059]3.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述啟動控制單元在加電操作之后的預(yù)定時段將所述使能信號激活。
[0060]4.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述熔絲陣列包括:
[0061]第一熔絲陣列，所述第一熔絲陣列被編程所述模式數(shù)據(jù)；以及
[0062]第二熔絲陣列，所述第二熔絲陣列被編程所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0063]5.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述模式檢測單元包括:
[0064]存儲部，所述存儲部適用于儲存具有與所述模式數(shù)據(jù)相同模式的引導(dǎo)數(shù)據(jù)；以及
[0065]比較部，所述比較部適用于比較所述模式數(shù)據(jù)和所述引導(dǎo)數(shù)據(jù)，以及產(chǎn)生所述檢測信號。
[0066]6.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述啟動控制單元響應(yīng)于復(fù)位信號而將所述使能信號激活，所述復(fù)位信號是內(nèi)部產(chǎn)生的信號、或者經(jīng)由外部引腳施加的外部信號。
[0067]7.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，還包括傳輸控制單元，所述傳輸控制單元適用于響應(yīng)于復(fù)位信號而控制從所述模式檢測單元輸出的所述檢測信號傳送至所述熔絲陣列的操作。
[0068]8.一種半導(dǎo)體器件的操作方法，所述操作方法包括以下步驟:
[0069]執(zhí)行加電操作并且產(chǎn)生加電信號；
[0070]檢測被編程在第一熔絲陣列中的模式數(shù)據(jù)；
[0071]基于檢測結(jié)果來判斷是否將被編程在第二熔絲陣列中的正常熔絲數(shù)據(jù)的輸出使能；以及
[0072]輸出所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0073]9.如技術(shù)方案8所述的操作方法，其中，在所述加電操作之后周期性地執(zhí)行檢測所述模式數(shù)據(jù)的步驟。
[0074]10.如技術(shù)方案8所述的操作方法，其中，檢測所述數(shù)據(jù)包括以下步驟:比較所述模式數(shù)據(jù)與預(yù)定的引導(dǎo)數(shù)據(jù)。
[0075]11.如技術(shù)方案8所述的操作方法，還包括以下步驟:當(dāng)檢測所述模式數(shù)據(jù)的輸出信號被激活時，將檢測所述模式數(shù)據(jù)去激活。
[0076]12.如技術(shù)方案8所述的操作方法，還包括以下步驟:在檢測所述模式數(shù)據(jù)之前，在被使能的熔絲上執(zhí)行預(yù)定的弓I導(dǎo)數(shù)據(jù)的編程操作。
[0077]13.—種半導(dǎo)體系統(tǒng)，包括:
[0078]半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有熔絲陣列，所述熔絲陣列用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)，其中，所述半導(dǎo)體器件檢測在多個熔絲的一部分被使能時輸出的所述模式數(shù)據(jù)，以及產(chǎn)生檢測信號；以及
[0079]控制器，所述控制器適用于基于所述檢測信號來控制所述半導(dǎo)體器件。
[0080]14.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體器件響應(yīng)于所述檢測信號而讀取被編程在所述熔絲陣列中的所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
[0081]15.如技術(shù)方案14所述的半導(dǎo)體系統(tǒng)，還包括延遲單元，所述延遲單元適用于將所述檢測信號延遲讀取所述正常熔絲數(shù)據(jù)的時間。
[0082]16.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體系統(tǒng)，其中，所述控制器響應(yīng)于所述檢測信號而控制傳送至所述半導(dǎo)體器件的信號的激活時間。
[0083]17.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體器件包括:
[0084]熔絲陣列，所述熔絲陣列包括所述多個熔絲；
[0085]啟動控制單元，所述啟動控制單元適用于產(chǎn)生用于將所述模式數(shù)據(jù)的輸出使能的使能信號；以及
[0086]模式檢測單元，所述模式檢測單元適用于響應(yīng)于所述使能信號而檢測所述模式數(shù)據(jù)的模式，以及產(chǎn)生所述檢測信號。
[0087]18.如技術(shù)方案17所述的半導(dǎo)體系統(tǒng)，其中，所述啟動控制單元在所述半導(dǎo)體器件的加電操作之后的預(yù)定時段將所述使能信號激活。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件,包括: 熔絲陣列，所述熔絲陣列用于經(jīng)由編程操作來儲存正常熔絲數(shù)據(jù)和模式數(shù)據(jù)； 啟動控制單元，所述啟動控制單元適用于產(chǎn)生用于將所述模式數(shù)據(jù)的輸出使能的使能信號；以及 模式檢測單元，所述模式檢測單元適用于響應(yīng)于所述使能信號而檢測所述模式數(shù)據(jù)的模式，以及產(chǎn)生檢測信號， 其中，所述熔絲陣列響應(yīng)于所述檢測信號而輸出所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括加電檢測單元，所述加電檢測單元適用于通過檢測加電電平來產(chǎn)生加電信號，以及控制所述啟動控制單元。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述啟動控制單元在加電操作之后的預(yù)定時段將所述使能信號激活。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述熔絲陣列包括: 第一熔絲陣列，所述第一熔絲陣列被編程所述模式數(shù)據(jù)；以及 第二熔絲陣列，所述第二熔絲陣列被編程所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述模式檢測單元包括: 存儲部，所述存儲部適用于儲存具有與所述模式數(shù)據(jù)相同模式的引導(dǎo)數(shù)據(jù)；以及 比較部，所述比較部適用于比較所述模式數(shù)據(jù)和所述引導(dǎo)數(shù)據(jù)，以及產(chǎn)生所述檢測信號。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述啟動控制單元響應(yīng)于復(fù)位信號而將所述使能信號激活，所述復(fù)位信號是內(nèi)部產(chǎn)生的信號、或者經(jīng)由外部引腳施加的外部信號。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括傳輸控制單元，所述傳輸控制單元適用于響應(yīng)于復(fù)位信號而控制從所述模式檢測單元輸出的所述檢測信號傳送至所述熔絲陣列的操作。
8.一種半導(dǎo)體器件的操作方法，所述操作方法包括以下步驟: 執(zhí)行加電操作并且產(chǎn)生加電信號； 檢測被編程在第一熔絲陣列中的模式數(shù)據(jù)； 基于檢測結(jié)果來判斷是否將被編程在第二熔絲陣列中的正常熔絲數(shù)據(jù)的輸出使能；以及 輸出所述正常熔絲數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求8所述的操作方法，其中，在所述加電操作之后周期性地執(zhí)行檢測所述模式數(shù)據(jù)的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的操作方法，其中，檢測所述數(shù)據(jù)包括以下步驟:比較所述模式數(shù)據(jù)與預(yù)定的引導(dǎo)數(shù)據(jù)。
【文檔編號】G11C17/16GK104240764SQ201310689348
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】黃正太 申請人:愛思開海力士有限公司