專利名稱：移位寄存器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種移位寄存電路，特別是涉及一種具有聞驅(qū)動(dòng)能力的移位寄存電路。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器100的移位寄存器102及像素陣列104的示意圖。移位寄存器102包含多個(gè)移位寄存電路106用以提供多個(gè)掃描訊號(hào)，通過掃描線108耦接至像素陣列104，以掃描像素陣列104中的像素。隨著液晶顯示器的尺寸與日俱增，液晶顯示器的分辨率，也就是像素的數(shù)目亦隨之提升，使得的像素陣列104所需要的掃描線108的數(shù)量增加。為了能在固定的畫面更新率(例如60Hz)掃描越來越多的像素，每一畫面周期(frame)內(nèi)每一條掃描線108的掃描速度必須增加，也就是每一條掃描線108所能掃描的時(shí)間必須縮短，以在同一畫面周期內(nèi)將所有的像素掃描完畢。然而每一條掃描線108掃描的時(shí)間縮短后，像素的充電率可能會(huì)因會(huì)掃描時(shí)間的縮短而下降或不足，影響畫面品質(zhì)。雖然以往使用提高掃描訊號(hào)電位的方法，可以解決像素充電率不足的問題，但此方法會(huì)增加移位寄存電路106的動(dòng)態(tài)功率消耗及靜態(tài)功率消耗，更由于功率消耗的增加，使得移位寄存電路106中的晶體管的尺寸無法縮小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一實(shí)施例揭示一種第N級(jí)移位寄存電路。第N級(jí)移位寄存電路包含驅(qū)動(dòng)單元、升壓?jiǎn)卧⑸侠瓎卧?、主要下拉單元。?qū)動(dòng)單元用以根據(jù)第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及高頻時(shí)鐘訊號(hào)提供柵極訊號(hào)、第一升壓控制訊號(hào)及第一傳遞控制訊號(hào)；升壓?jiǎn)卧罱佑谠擈?qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)第一升壓訊號(hào)上拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的電壓；上拉單元耦接于該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)該第一傳遞控制訊號(hào)及該柵極訊號(hào)提供第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，及用以根據(jù)該第一升壓控制訊號(hào)及第二升壓控制訊號(hào)提供第二升壓訊號(hào)；主要下拉單元耦接于該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)第二傳遞控制訊號(hào)下拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例通過提高驅(qū)動(dòng)第N級(jí)移位寄存電路的驅(qū)動(dòng)能力，進(jìn)而提高像素的充電率，減少驅(qū)動(dòng)單元的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)功率消耗，并可縮小驅(qū)動(dòng)單元中晶體管的尺寸。


圖1為先前技術(shù)液晶顯示器的移位寄存器及像素陣列的示意圖。圖2為本發(fā)明一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路的示意圖。圖3為圖2的第N級(jí)移位寄存電路的工作相關(guān)訊號(hào)波形示意圖。圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路的不意圖。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路的不意圖。圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路的不意圖。
圖7為圖6的第N級(jí)移位寄存電路的工作相關(guān)訊號(hào)波形示意圖。附圖符號(hào)說明100液晶顯示器102移位寄存器104像素陣列106移位寄存電路108掃描線200、400、500、600第N級(jí)移位寄存電路261第N-1級(jí)移位寄存電路262第N-2級(jí)移位寄存電路202驅(qū)動(dòng)單元204升壓?jiǎn)卧?06上拉單元208主要下拉單元210第一下拉控制單元212第一下拉單元214第二下拉控制單元216第二下拉單元218穩(wěn)壓?jiǎn)卧猀 (η)第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)G (η)第N級(jí)柵極訊號(hào)ST (η)第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)S (η)第N級(jí)升壓控制訊號(hào)CB (η)第N級(jí)升壓訊號(hào)Q (η+2)第Ν+2級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)G(n-l)第N_1級(jí)柵極訊號(hào)S(n-l)第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)G (n-2)第N-2級(jí)柵極訊號(hào)ST (n-2)第N-2級(jí)傳遞控制訊號(hào)
S (n-2)第N-2級(jí)升壓控制訊號(hào)CB(n+l)第N+1級(jí)升壓訊號(hào)ST (η+2)第Ν+2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η+3)第Ν+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)HCl第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC2第二高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)LCl第一低頻時(shí)鐘訊號(hào)LC2第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)
VSSl第一參考電位VSS2第二參考電位VSS參考電位VGH高電位VGL低電位P (η)第一下拉訊號(hào)K (η)第二下拉訊號(hào)Tl 至 Τ4時(shí)段t時(shí)間軸C1、C2電容Tl至T24晶體管
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖2。圖2為本發(fā)明一實(shí)施例說明移位寄存器的多級(jí)移位寄存電路的第N級(jí)移位寄存電路200的示意圖。第N級(jí)移位寄存電路200可包含驅(qū)動(dòng)單元202、升壓?jiǎn)卧?04、上拉單元206、主要下拉單元208、第一下拉控制單元210、第一下拉單元212、第二下拉控制單元214及第二下拉單元216。為方便說明，圖2中還顯示第N-1級(jí)移位寄存電路261及第N-2級(jí)移位寄存電路 262。驅(qū)動(dòng)單元202用以根據(jù)第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HCl提供柵極訊號(hào)、第一傳遞控制訊號(hào)及第一升壓控制訊號(hào)。第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)可為從第N-2級(jí)移位寄存電路262輸出至第N級(jí)移位寄存電路的第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)，柵極訊號(hào)可為第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)，第一傳遞控制訊號(hào)可為第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)，第一升壓控制訊號(hào)可為第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η)。升壓?jiǎn)卧?04耦接于驅(qū)動(dòng)單元202，用以根據(jù)第一升壓訊號(hào)上拉第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(n)的電壓。第一升壓訊號(hào)可為從第N-1級(jí)移位寄存電路261輸出至第N級(jí)移位寄存電路的第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η)。上拉單元206耦接于驅(qū)動(dòng)單元202，用以根據(jù)第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)及第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)提供第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，并用以根據(jù)第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S(η)及第二升壓控制訊號(hào)提供第二升壓訊號(hào)。第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)可為從第N級(jí)移位寄存電路200輸出至第Ν+2級(jí)移位寄存電路的第Ν+2級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η+2)，第二升壓控制訊號(hào)可為來自第N-1級(jí)移位寄存電路261的第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-l)，第二升壓訊號(hào)可為從第N級(jí)移位寄存電路200輸出至第N+1級(jí)移位寄存電路的第N+1級(jí)升壓訊號(hào)CB (n+1)。主要下拉單元208耦接于驅(qū)動(dòng)單元202，用以根據(jù)第二傳遞控制訊號(hào)下拉第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)。第二傳遞控制訊號(hào)可為來自第Ν+3級(jí)移位寄存電路的第Ν+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η+3)。第一下拉控制單元210用以根據(jù)第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)及第一低頻時(shí)鐘訊號(hào)LCl提供第一下拉訊號(hào)P (η)。第一下拉單元212耦接于第一下拉控制單元210及驅(qū)動(dòng)單元202之間，用以根據(jù)第一下拉訊號(hào)P (η)及第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)下拉第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)及第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)。第二下拉控制單元214用以根據(jù)第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)及第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)LC2提供第二下拉訊號(hào)K (η)。第二下拉單元216耦接于第二下拉控制單元214及驅(qū)動(dòng)單元202之間，用以根據(jù)第二下拉訊號(hào)Κ(η)及第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(n)下拉第N級(jí)柵極訊號(hào)G(η)以及第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)。因?yàn)榈谝坏皖l時(shí)鐘訊號(hào)LCl與第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)LC2的相位相反，所以當(dāng)?shù)谝幌吕刂茊卧?10輸出第一下拉訊號(hào)P(n)時(shí)，第二下拉控制單元214暫停運(yùn)作；反之，當(dāng)?shù)诙吕刂茊卧?14輸出第二下拉訊號(hào)K(n)時(shí)，第一下拉控制單元210暫停運(yùn)作。如此的交替運(yùn)作可增加第N級(jí)移位寄存電路200中晶體管的使用期間。驅(qū)動(dòng)單元202可包含第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2及第三晶體管Τ3。第一晶體管Tl具有控制端用以接收從第Ν-2級(jí)移位寄存電路262輸出的第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(n)、用以接收第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HCl的第一端及用以提供第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)的第二端；第二晶體管Τ2具有耦接于第一晶體管Tl的控制端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第一端的第一端及用以提供第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)的第二端；第三晶體管Τ3具有耦接于第一晶體管Tl的控制端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第一端的第一端及用以提供第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η)的第二端。升壓?jiǎn)呜?04可包含第一電容Cl,第一電容Cl具有第一端用以接收從第N_1級(jí)移位寄存電路261輸出的第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η)，及耦接于第一晶體管Tl的控制端的第二端。升壓?jiǎn)卧?04可還包含第二電容C2，第二電容C2耦接于第一晶體管Tl的第二端及第一電容Cl的第一端之間,用以接收第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)并配合第一電容Cl以穩(wěn)定第一晶體管Tl的控制端至第一晶體管Tl第二端之間的電壓。上拉單元206可包含第四晶體管Τ4、第五晶體管Τ5及第六晶體管Τ6。第四晶體管Τ4具有耦接于第二晶體管Τ2的第二端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及用以提供第Ν+2級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η+2)的第二端；第五晶體管Τ5具有用以接收第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-l)的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及一第二端；第六晶體管T6具有耦接于第三晶體管T3的第二端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及耦接于第五晶體管T5的第二端的第二端，用以提供第N+1級(jí)升壓訊號(hào)CB (n+1)。

主要下拉單元208可包含第七晶體管T7。第七晶體管T7具有用以接收第N+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST(η+3)的控制端、耦接于第一晶體管Tl的控制端的第一端，及用以接收第一參考電位VSSl的第二端。第一參考電位VSS I可高于第二參考電位VSS2。第一下拉控制單元210可包含第八晶體管Τ8、第九晶體管T9、第十晶體管TlO及第i^一晶體管T11。第一下拉單元212可包含第十二晶體管T12、第十三晶體管T13及第十四晶體管T14。第八晶體管T8具有用以接收第一低頻時(shí)鐘訊號(hào)LCl的控制端、耦接于第八晶體管T8的控制端的第一端及一第二端；第九晶體管T9具有用以接收第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η)的控制端、耦接于第八晶體管Τ8的第二端的第一端及用以接收第二參考電位VSS2的第二端；第十晶體管TlO具有耦接于第八晶體管Τ8的第二端的控制端、耦接于第八晶體管Τ8的控制端的第一端及用以提供第一下拉訊號(hào)P (η)的第二端；第十一晶體管Tll具有耦接于第九晶體管T9的控制端的控制端、耦接于第十晶體管TlO的第二端的第一端及耦接于第九晶體管T9的第二端的第二端；第十二晶體管Τ12具有耦接于第十晶體管TlO的第二端的控制端、耦接于第二晶體管Τ2的控制端的第一端及耦接于第二晶體管Τ2的第二端的第二端；第十三晶體管Τ13具有耦接于第十二晶體管Τ12的控制端的控制端、耦接于第二晶體管Τ2的第二端的第一端及耦接于第九晶體管T9的第二端的第二端；第十四晶體管Τ14具有耦接于第十二晶體管Τ12的控制端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及耦接于第七晶體管Τ7的第二端的第二端。第二下拉控制單元214可包含第十五晶體管Τ15、第十六晶體管Τ16、第十七晶體管T17及第十八晶體管T18。第二下拉單元216可包含第十九晶體管T19、第二十晶體管T20及第二十一晶體管T21。第十五晶體管T15具有用以接收第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)LC2的控制端、耦接于第十五晶體管T15的控制端的第一端及一第二端；第十六晶體管T16具有用以接收第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)的控制端、耦接于第十五晶體管Τ51的第二端的第一端及耦接于第九晶體管T9的第二端的第二端；第十七晶體管Τ17具有耦接于第十五晶體管Τ15的第二端的控制端、耦接于第十五晶體管Τ15的控制端的第一端及用以提供第二下拉訊號(hào)K (η)的第二端；第十八晶體管Τ18具有耦接于第十六晶體管Τ16的控制端的控制端、耦接于第十七晶體管Τ17的第二端的第一端及耦接于第十六晶體管Τ16的第二端的第二端；第十九晶體管Τ19具有耦接于第十七晶體管Τ17的第二端的控制端、耦接于第二晶體管Τ2的控制端的第一端及耦接于第二晶體管Τ2的第二端的第二端；第二十晶體管Τ20具有耦接于第十九晶體管Τ19的控制端的控制端、耦接于第二晶體管Τ2的第二端的第一端及耦接于第十六晶體管Τ16的第二端的第二端；第二十一晶體管Τ21具有耦接于第十九晶體管Τ19的控制端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及耦接于第七晶體管Τ7的第二端的第二端。請(qǐng)參考圖2與圖3。圖3為圖2的第N級(jí)移位寄存電路200的工作相關(guān)訊號(hào)波形示意圖，其中橫軸t為時(shí)間軸。在圖3中，由上往下的訊號(hào)分別為第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n)、第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-l)、第N-2級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n_2)、第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC1、第二高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC2、第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3、第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4、第N-2級(jí)柵極訊號(hào)G (n-2)、第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G (η-1)、第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)及第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)。第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC1、第二高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC2、第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3及第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4的高電位都為VGH而低電位都為VGL，且其頻率都高于第一低頻時(shí)鐘訊LCl及第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)LC2。第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC1、第二高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC2、第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3及第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4為依順序循環(huán)施加于各級(jí)移位寄存電路的時(shí)鐘訊號(hào)。舉例而言,第Ν-2級(jí)移位寄存電路可接收第三高頻 時(shí)鐘訊號(hào)HC3、第N-1級(jí)移位寄存電路可接收第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4、第N級(jí)移位寄存電路可接收第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC1，第Ν+1級(jí)移位寄存電路可接收第二高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC2，第Ν+3級(jí)移位寄存電路可接收第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4，以此類推。第一參考電位VSS I可為低電位VGL,第一參考電位VSSl可高于第二參考電位VSS2。另外，第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)、第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)與第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η)波型相同;第N-1級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST(n-l)、第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n_l)與第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-l)波型相同；第N-2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST(n-2)、第N-2級(jí)柵極訊號(hào)G(n_2)與第N-2級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-2)波型相同。第N+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST(η+3)與第Ν+3級(jí)柵極訊號(hào)G (η+3)波型相同且會(huì)在Τ4時(shí)段結(jié)束時(shí)隨著第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4由低電位VGL切換至高電位VGH。如圖3所示，于Tl時(shí)段，第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n-l)與第N_1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n-l)在低電位VGL，第N-2級(jí)升壓控制訊號(hào)S (n-2)、第N-2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (n-2)與第N-2級(jí)柵極訊號(hào)G(n-2)隨著第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3由低電位VGL切換至高電位VGH，并持續(xù)至T2時(shí)段。此時(shí)，第N-1級(jí)移位寄存電路261輸出的第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η)將第一電容Cl第一端的電位維持在第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n-l)的低電位VGL，且來自第N-2級(jí)移位寄存電路262的第N-2級(jí)柵極訊號(hào)G (n-2)通過第一電容Cl的第二端,對(duì)第一電容Cl充電,并將第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η)從第一參考電位VSSl上拉至第一電位VI，且導(dǎo)通第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2及第三晶體管Τ3。于Τ2時(shí)段，第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n-l)與第N_1級(jí)升壓控制訊號(hào)S (n_l)隨著第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4由低電位VGL切換至高電位VGH，并持續(xù)至T3時(shí)段。此時(shí)第N-1級(jí)移位寄存電路261輸出的第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η)上拉第一電容Cl第一端的電位至第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n-l)的高電位VGH并通過電容稱合作用將第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(n)從第一電位Vl上拉至第二電位V2。第N-2級(jí)升壓控制訊號(hào)S (n-2)、第N-2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (n-2)與第N-2級(jí)柵極訊號(hào)G (n-2)可在T2時(shí)段結(jié)束前由高電位VGH切換至低電位VGL。于T3時(shí)段，第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HCl由低電位VGL切換至高電位VGH，通過第一晶體管Tl、第二晶體管T2及第三晶體管T3分別將第N級(jí)柵極訊號(hào)G(n)、第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)及第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η)上拉至高電位VGH，并且通過第一電容Cl及第二電容C2的電容耦合作用將第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η)從第二電位V2上拉至第三電位V3。在另一實(shí)施例中，可以不設(shè)置第二電容C2，而是設(shè)置第三電容C3于第一晶體管Tl的控制端及第二端之間，利用第三電容C3的電容耦合作用將第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η)由第二電位V2上拉至第三電位V3。第N-1級(jí)柵極訊號(hào)G(n-l)與第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S(n_l)可在T3時(shí)段結(jié)束前由高電位VGH切換至低電位VGL。于T3時(shí)段結(jié)束，T4時(shí)段開始時(shí)，第一高頻時(shí)鐘訊號(hào)HCl由高電位VGH切換至低電位VGL，使第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)、第N級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η)及第N級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η)下降為低電位VGL，通過如Τ3時(shí)段所述的電容耦合作用，將第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q(η)從第三電位V3下拉至第四電位V4。第四電位V4可高于第三電位V3。于Τ4時(shí)段結(jié)束時(shí)，第四高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC4由低電位VGL切換至高電位VGH，上拉第Ν+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η+3)，并導(dǎo)通第七晶體管Τ7，下拉第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)至第一參考電位VSSI。請(qǐng)參考圖4。 圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路400的不意圖。圖4與圖2的差異為第N級(jí)移位寄存電路400中，第一參考電位VSSl及第二參考電位VSS2耦接于同一端點(diǎn)的參考電位VSS，參考電位VSS電位可為低電位VGL。第N級(jí)移位寄存電路400其他部份的電路架構(gòu)與工作原理與圖2及圖3相同，不再贅述。請(qǐng)參考圖5。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路500的不意圖。第N級(jí)移位寄存電路500為圖4的第N級(jí)移位寄存電路400還包含穩(wěn)壓?jiǎn)卧?18。穩(wěn)壓?jiǎn)卧?18可包含第二十二晶體管Τ22。第二十二晶體管Τ22具有耦接于第十二晶體管Τ12的控制端的控制端、耦接于第一電容Cl的第一端的第一端及耦接于第七晶體管Τ7的第二端的第二端。穩(wěn)壓?jiǎn)卧?18可還包含第二十三晶體管Τ23。第二十三晶體管Τ23具有耦接于第十九晶體管Τ19的控制端的控制端、耦接于第一電容Cl的第一端的第一端及耦接于該第七晶體管Τ7的第二端的第二端。當(dāng)?shù)谝幌吕刂茊卧?10提供第一下拉訊號(hào)P (η)時(shí)，第二十二晶體管Τ22可用以根據(jù)第一下拉訊號(hào)P (η)下拉第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η);當(dāng)?shù)诙吕刂茊卧?14提供第二下拉訊號(hào)Κ(η)時(shí)，第二十三晶體管Τ23可用以根據(jù)第二下拉訊號(hào)K (η)下拉第N級(jí)升壓訊號(hào)CB (η)。如此可確保第N級(jí)移位寄存電路500的升壓訊號(hào)CB (η)于圖3的第N-1級(jí)升壓控制訊號(hào)S (η-1)為低電位VGL時(shí)仍可維持低電位VGL，不受第N級(jí)柵極訊號(hào)G(n)的干擾。第N級(jí)移位寄存電路500的其他電路架構(gòu)及工作原理和圖4及圖3相同，不再贅述。請(qǐng)參考圖6。圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例說明第N級(jí)移位寄存電路600的不意圖。第N級(jí)移位寄存電路600為圖4的第N級(jí)移位寄存電路400的主要下拉單元208還包含第二十四晶體管T24。第二十四晶體管T24具有耦接于第七晶體管T7的控制端的控制端、耦接于第一晶體管Tl的第二端的第一端及耦接于該第七晶體管T7的第二端的第二端。第N級(jí)移位寄存電路600的第七晶體管T7的控制端用以接收來自第N+2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η+2)。第N級(jí)移位寄存電路600的其他電路架構(gòu)和圖4相同，不再贅述。圖7為圖6的第N級(jí)移位寄存電路600的工作相關(guān)訊號(hào)波形示意圖。圖7的訊號(hào)動(dòng)作及Tl、Τ2及Τ3時(shí)段工作方式如圖3的訊號(hào)動(dòng)作及Tl、Τ2及Τ3時(shí)段所述，不再贅述。如圖7所示，圖6與圖4的差異為圖6的第七晶體管Τ7于第Ν+2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST(η+2)上升至高電位VGH時(shí)，亦即在圖7的Τ4時(shí)段結(jié)束時(shí)，第三高頻時(shí)鐘訊號(hào)HC3由低電位VGL切換至高電位VGH，上拉第Ν+2級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (η+2)，并導(dǎo)通第七晶體管Τ7及第二十四晶體管Τ24時(shí)，就下拉第N級(jí)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)Q (η)至參考電位VSS，并下拉第N級(jí)柵極訊號(hào)G (η)至低電位VGL，確保第N級(jí)柵極訊號(hào)G(η)維持在低電位VGL。而圖4的第七晶體管T7則是等到第N+3級(jí)傳遞控制訊號(hào)ST (n+3)上升至高電位VGH時(shí)才下拉上述第N級(jí)的多個(gè)訊號(hào)，亦即圖7的T4時(shí)段的時(shí)間較圖3的T4時(shí)段的時(shí)間短。上述圖5及圖6的實(shí)施例以耦接至參考電位VSS為例說明，但本發(fā)明不限于此，上述實(shí)施例亦可為圖2的變化型實(shí)施例。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過連續(xù)三次上拉第N級(jí)移位寄存電路的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，亦即先上拉驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至第一電位VI，再上拉驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至第二電位V2，再上拉驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至第三電位V3，以提高驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。如此可在不提高第N級(jí)移位寄存電路輸出的柵極訊號(hào)(也就是掃描訊號(hào))的高電位VGH的前提下，提高驅(qū)動(dòng)第N級(jí)移位寄存電路的驅(qū)動(dòng)能力，所以可提高像素的充電率，減少驅(qū)動(dòng)單元的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)功率消耗，并且可縮小驅(qū)動(dòng)單元中晶體管的尺寸。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種移位寄存器包含多級(jí)移位寄存電路，其中一第N級(jí)移位寄存電路，包含 一驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)一第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及一高頻時(shí)鐘訊號(hào)，提供一柵極訊號(hào)、一第一升壓控制訊號(hào)及一第一傳遞控制訊號(hào)； 一升壓?jiǎn)卧?，耦接于該?qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)一第一升壓訊號(hào)，上拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的電壓； 一上拉單元，耦接于該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)該第一傳遞控制訊號(hào)及該柵極訊號(hào)，提供一第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，及用以根據(jù)該第一升壓控制訊號(hào)及一第二升壓控制訊號(hào)，提供一第二升壓訊號(hào) '及 一主要下拉單元，耦接于該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)一第二傳遞控制訊號(hào)，下拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的第N級(jí)移位寄存電路，還包含 一第一下拉控制單元，用以根據(jù)該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及一第一低頻時(shí)鐘訊號(hào)，提供一第一下拉訊號(hào) '及 一第一下拉單元，耦接于該第一下拉控制單元及該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)該第一下拉訊號(hào)，下拉該柵極訊號(hào)、該第一傳遞控制訊號(hào)及該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的第N級(jí)移位寄存電路，還包含 一第二下拉控制單元，用以根據(jù)該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及一第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)，提供一第二下拉訊號(hào) '及 一第二下拉單元，耦接于該第二下拉控制單元及該驅(qū)動(dòng)單元，用以根據(jù)該第二下拉訊號(hào)，下拉該柵極訊號(hào)、該第一傳遞控制訊號(hào)及該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該驅(qū)動(dòng)單元包含 一第一晶體管，具有用以接收該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的一控制端，用以接收該高頻時(shí)鐘訊號(hào)的一第一端，及用以提供該柵極訊號(hào)的一第二端； 一第二晶體管，具有耦接于該第一晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第一端的一第一端，及用以提供該第一傳遞控制訊號(hào)的一第二端；及 一第三晶體管，具有耦接于該第一晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第一端的一第一端，及用以提供該第一升壓控制訊號(hào)的一第二端。
5.如權(quán)利要求4所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該上拉單元包含 一第四晶體管，具有耦接于該第二晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及用以提供該第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的一第二端； 一第五晶體管，具有用以接收該第二升壓控制訊號(hào)的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及一第二端；及 一第六晶體管，具有耦接于該第三晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第五晶體管的第二端的一第二端，用以提供該第二升壓訊號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二升壓控制訊號(hào)是由第N-1級(jí)移位寄存電路提供的升壓控制訊號(hào)，且該第二升壓訊號(hào)是由第N級(jí)移位寄存電路輸出的升壓訊號(hào)。
7.如權(quán)利要求5所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該升壓?jiǎn)卧坏谝浑娙?，具有用以接收該第一升壓訊?hào)的一第一端，及耦接于該第一晶體管的控制端的一第二端。
8.如權(quán)利要求7所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該升壓?jiǎn)卧€包含一第二電容，耦接于該第一晶體管的第二端及該第一電容的第一端之間。
9.如權(quán)利要求7所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第一升壓訊號(hào)是由第N-1級(jí)移位寄存電路提供的升壓訊號(hào)。
10.如權(quán)利要求9所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該主要下拉單元包含 一第七晶體管，具有用以接收該第二傳遞控制訊號(hào)的一控制端，耦接于該第一晶體管的控制端的一第一端，及用以接收一第一參考電位的一第二端。
11.如權(quán)利要求10所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二傳遞控制訊號(hào)是由第N+3級(jí)移位寄存電路提供的傳遞控制訊號(hào)。
12.如權(quán)利要求10所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第一下拉控制單元包含 一第八晶體管，具有用以接收該第一低頻時(shí)鐘訊號(hào)的一控制端，耦接于該第八晶體管的控制端的一第一端，及一第二端； 一第九晶體管，具有用以接收該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的一控制端，耦接于該第八晶體管的第二端的一第一端，及用以接收一第二參考電位的一第二端； 一第十晶體管，具有耦接于該第八晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第八晶體管的控制端的一第一端，及用以提供該第一下拉訊號(hào)的一第二端；及 一第十一晶體管，具有耦接于該第九晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第十晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第九晶體管的第二端的一第二端。
13.如權(quán)利要求12所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二參考電位的電壓電平實(shí)質(zhì)上等于該第一參考電位的電壓電平。
14.如權(quán)利要求12所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第一下拉單元包含 一第十二晶體管，具有耦接于該第十晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第二晶體管的控制端的一第一端，及耦接于該第二晶體管的第二端的一第二端； 一第十三晶體管，具有耦接于該第十二晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第二晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第九晶體管的第二端的一第二端；及 一第十四晶體管，具有耦接于該第十二晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第七晶體管的第二端的一第二端。
15.如權(quán)利要求14所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二下拉控制單元包含 一第十五晶體管，具有用以接收該第二低頻時(shí)鐘訊號(hào)的一控制端，耦接于該第十五晶體管的控制端的一第一端，及一第二端； 一第十六晶體管，具有用以接收該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的一控制端，耦接于該第十五晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第九晶體管的第二端的一第二端； 一第十七晶體管，具有耦接于該第十五晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第十五晶體管的控制端的第一一端，及用以提供該第二下拉訊號(hào)的一第二端；及 一第十八晶體管，具有耦接于該第十六晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第十七晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第十六晶體管的第二端的一第二端。
16.如權(quán)利要求15所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二下拉單元包含 一第十九晶體管，具有耦接于該第十七晶體管的第二端的一控制端，耦接于該第二晶體管的控制端的一第一端，及耦接于該第二晶體管的第二端的一第二端； 一第二十晶體管，具有耦接于該第十九晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第二晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第十六晶體管的第二端的一第二端；及 一第二十一晶體管，具有耦接于該第十九晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第七晶體管的第二端的一第二端。
17.如權(quán)利要求16所述的第N級(jí)移位寄存電路，還包含 一穩(wěn)壓?jiǎn)卧罱佑谠撋龎簡(jiǎn)卧?，用以根?jù)該第一下拉訊號(hào)或該第二下拉訊號(hào)，下拉該第一升壓訊號(hào)。
18.如權(quán)利要求17所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該穩(wěn)壓?jiǎn)卧? 一第二十二晶體管，具有耦接于該第十二晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一電容的第一端的一第一端，及耦接于該第七晶體管的第二端的一第二端。
19.如權(quán)利要求18所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該穩(wěn)壓?jiǎn)卧€包含 一第二十三晶體管，具有耦接于該第十九晶體管的一控制端的控制端，耦接于該第一電容的第一端的一第一端，及耦接于該第七晶體管的第二端的一第二端。
20.如權(quán)利要求10所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該主要下拉單元還包含 一第二十四晶體管，具有耦接于該第七晶體管的控制端的一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端的一第一端，及耦接于該第七晶體管的第二端的一第二端。
21.如權(quán)利要求20所述的第N級(jí)移位寄存電路，其中該第二傳遞控制訊號(hào)是由第N+2級(jí)移位寄存電路提供的傳遞控制訊號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種移位寄存器。該移位寄存器包含多級(jí)移位寄存電路，第N級(jí)移位寄存電路包含驅(qū)動(dòng)單元、升壓?jiǎn)卧?、上拉單元、主要下拉單元。?qū)動(dòng)單元用以根據(jù)第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)及高頻時(shí)鐘訊號(hào)提供柵極訊號(hào)、第一升壓控制訊號(hào)及第一傳遞控制訊號(hào)，升壓?jiǎn)卧靡愿鶕?jù)第一升壓訊號(hào)上拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的電壓，上拉單元用以根據(jù)該第一傳遞控制訊號(hào)及該柵極訊號(hào)提供第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，及用以根據(jù)該第一升壓控制訊號(hào)及第二升壓控制訊號(hào)提供第二升壓訊號(hào)，主要下拉單元用以根據(jù)第二傳遞控制訊號(hào)下拉該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)。
文檔編號(hào)G11C19/28GK103035297SQ20121052820
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者詹秉燏, 楊欲忠, 陳勇志, 蔡明諺 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司