專利名稱：具有有源緩沖器的功率開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此所描述的實(shí)施例涉及電子電路與半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，并且更尤其涉及具有有源緩沖器(active snubber)的功率開關(guān)的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在使用同步的低壓側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的DC-DC降壓變換器應(yīng)用中，在高壓側(cè)MOSFET導(dǎo)通時(shí)可能出現(xiàn)大的電壓過沖。這種過沖可能是由于低壓側(cè)MOSFET體二極管的“活躍(snappy)”的性質(zhì)導(dǎo)致的，并且可導(dǎo)致電壓過沖，和在將低壓側(cè)MOSFET的漏極連接到高壓側(cè)MOSFET的源極的節(jié)點(diǎn)上的過多振鈴(ringing)。電壓過沖可超過低壓側(cè)MOSFET的電壓額定值，這引起穩(wěn)定性問題，例如，性能降低、壽命縮短或故障。振鈴振蕩可能擾動(dòng)附近的敏感的電路，并且來自振鈴的噪聲還引起了電磁干擾(EMI)。圖I說明了示例性DC-DC降壓變換器電路100，依據(jù)常規(guī)技術(shù)，降壓變換器電路100包括低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110和高壓側(cè)MOSFET開關(guān)120。應(yīng)該理解的是，低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110包括體二極管(未示出)。MOSFET體二極管是制造處理產(chǎn)生的副作用，并通常不被認(rèn)為是“好”的二極管。與離散高速二極管(discrete high-speed diode)相比，體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間很長(zhǎng)，例如，當(dāng)流過的電流改變方向時(shí)，體二極管花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間來關(guān)斷。在反向開關(guān)(例如，高壓側(cè)MOSFET開關(guān)120)導(dǎo)通時(shí),這可能導(dǎo)致?lián)舸?shoot through)或階躍恢復(fù)(snap back)的情況。高壓側(cè)MOSFET開關(guān)120和低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110被配置成通過控制電路來控制，例如被導(dǎo)通或關(guān)斷，以產(chǎn)生輸出電壓Vout。降壓變換器100進(jìn)一步包括開關(guān)節(jié)點(diǎn)130，例如，低壓側(cè)MOSFET 110的漏極到高壓側(cè)MOSFET 120的源極的耦接。在操作中，開關(guān)節(jié)點(diǎn)130可受到振鈴噪聲的影響。除上述的許多有害的作用以外，振鈴可能達(dá)到或超過低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110的電壓額定值。例如，由于穩(wěn)定性的原因，設(shè)計(jì)者可能希望以不超過其最大電壓額定值的80%的峰值電壓來操作低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110。遺憾的是，使用具有較高電壓額定值的部件作為低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110的替換品并不是一種合意方案。例如，具有更高電壓額定值的MOSFET具有更大的內(nèi)電阻和更大的開關(guān)損耗，這導(dǎo)致了較低的開關(guān)效率。因此，常規(guī)手段并未針對(duì)這些問題提供合意的方案。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要一種具有有源緩沖器的功率開關(guān)。一種具有有源緩沖器的功率開關(guān)被揭示出。依照第一實(shí)施例，該電子電路包括第一功率半導(dǎo)體器件和被耦接到第一功率半導(dǎo)體器件的第二功率半導(dǎo)體器件。該第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗第一功率半導(dǎo)體器件的過沖和/或振鈴。依照另一個(gè)實(shí)施例，該電子電路包括被配置成耦接到高電壓并被配置成通過開關(guān)控制邏輯進(jìn)行控制的高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)。該電子電路進(jìn)一步包括被配置成耦接到低電壓，并被配置成通過開關(guān)控制邏輯來控制，與高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)耦接的低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)。低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)包括第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件和被耦接到該第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件。第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的過沖和/或振鈴。再依照另一個(gè)實(shí)施例，MOSFET半導(dǎo)體器件包括第一功率半導(dǎo)體器件和被耦接到第一功率半導(dǎo)體器件的第二功率半導(dǎo)體器件。該第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗第一功率半導(dǎo)體器件的過沖和/或振鈴。第一和第二功率半導(dǎo)體器件被放置在單個(gè)晶片(die)上。仍依照進(jìn)一步的實(shí)施例，溝槽型MOFSET功率半導(dǎo)體器件包括形成第一溝槽型MOSFET功率半導(dǎo)體器件的柵極的第一多個(gè)第一溝槽，和形成第二溝槽型MOSFET功率半 導(dǎo)體器件的柵極的第二多個(gè)第二溝槽。該溝槽型MOSFET功率半導(dǎo)體器件和第二溝槽型MOSFET功率半導(dǎo)體器件具有公共的源極和公共的漏極，并且，第一多個(gè)第一溝槽和第二多個(gè)第二溝槽是相互交織的。


被結(jié)合在說明書中并形成本說明書的一部分的附圖，說明了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖I說明了依照常規(guī)技術(shù)的示例性DC-DC降壓變換器電路；圖2說明了依照本發(fā)明的實(shí)施例的具有集成的緩沖器(Integrated Snubber)的示例性功率MOSFET ；圖3說明了依照本發(fā)明的實(shí)施例的功率MOSFET的一部分的示例性溝槽型布局的平面圖；圖4說明了依照本發(fā)明的實(shí)施例的示例性DC-DC降壓變換器電路。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的不同的實(shí)施例，在附圖中說明了其示例。雖然本發(fā)明將結(jié)合這些實(shí)施例進(jìn)行說明，但是應(yīng)該理解，它們并非意圖將本發(fā)明限制在這些實(shí)施例中。相對(duì)而言，本發(fā)明旨在覆蓋在隨附的權(quán)利要求書中所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)可包括的備選、變體和等價(jià)物。而且，在下面對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說明中，闡述了許多特定的細(xì)節(jié)，以便提供對(duì)本發(fā)明的徹底的理解。但是，應(yīng)該理解的是，不具有這些特定細(xì)節(jié)也可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。另一方面，熟知的方法、過程、組件和電路并未被詳細(xì)地說明，以不使得本發(fā)明沒有必要地難以理解。圖2說明了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有集成的緩沖器的示例性功率MOSFET 200。在諸如DC-DC降壓變換器電路100的應(yīng)用中，MOSFET 200可替換例如低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110 (圖 I)。MOSFET 200在外部被配置成單個(gè)器件，例如，具有一個(gè)漏極節(jié)點(diǎn)204、一個(gè)源極節(jié)點(diǎn)206和一個(gè)柵極節(jié)點(diǎn)202。在內(nèi)部，MOSFET 200包括兩個(gè)有源器件，低壓側(cè)MOSFET 210和緩沖器MOSFET 240。低壓側(cè)MOSFET 210可與低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110 (圖I)相似。例如，可將低壓側(cè)MOSFET 210設(shè)計(jì)成具有合意的特征，以用于在諸如DC-DC降壓變換器電路100的電路中的應(yīng)用。緩沖器240被基本上并聯(lián)地耦接到低壓側(cè)MOSFET 210。例如，緩沖器MOSFET 240的漏極被耦接到低壓側(cè)MOSFET 210的漏極。緩沖器M0SFET240的源極被耦接到低壓側(cè)MOSFET 210的源極。緩沖器MOSFET 240的柵極通過柵極阻抗250被耦接到低壓側(cè)MOSFET210的柵極。緩沖器MOSFET 240比低壓側(cè)MOSFET 210更小，例如，緩沖器MOSFET 240包括比低壓側(cè)MOSFET 210更小的溝道面積。例如，緩沖器MOSFET 240可比低壓側(cè)MOSFET 210小10至100倍。例如，低壓側(cè)M0SFET210可包括功率MOSFET 200的溝道面積的95%，而緩沖器MOSFET 240包括功率MOSFET 200的溝道面積的5%。緩沖器MOSFET 240和低壓側(cè)MOSFET 210在它們各自的柵-漏極/柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)也存在不同，這大體上反映了相應(yīng)的器件的溝槽幾何結(jié)構(gòu)。柵極電荷特征Qgd (柵極到漏極電荷)和Qgs (柵極到源極電荷)通常是功率半導(dǎo)體的特定特征，例如，這些參數(shù)通常在器件數(shù)據(jù)表中被公布。然而，低壓側(cè)MOSFET 210可具有小于I. 0的柵-漏極/柵-源極電荷比，Qgd/Qgs，緩沖器MOSFET 240應(yīng)具有較高的電荷比Qgd/Qgs，例如，比值在約I. 5至4的范圍內(nèi)。更高的比例可能是有益的。柵極阻抗250將緩沖器MOSFET 240從低壓側(cè)MOSFET 210隔離，使得在瞬變過程中緩沖器MOSFET 240能夠?qū)?。例如，在低壓?cè)MOSFET 210的柵極接地時(shí)，柵極阻抗250足以使緩沖器MOSFET 240導(dǎo)通。通過在漏極節(jié)點(diǎn)204處較高的dV/dt上升時(shí)間使緩沖器MOSFET 240被觸發(fā)導(dǎo)通。如果dV/dt比Vin/(CgXRg)大得多，且Qgd/Qgs大于I. 5，則在瞬變過程中緩沖器MOSFET 240將導(dǎo)通，其中Cg為緩沖器MOSFET 240的平均柵極電容，且Rg為緩沖器MOSFET 240的柵極阻抗250的值。在一般應(yīng)用中，dV/dt可在每納秒2伏至每納秒10伏的范圍內(nèi)。響應(yīng)于在漏極節(jié)點(diǎn)204處適當(dāng)較高的dV/dt上升時(shí)間，緩沖器M0SFET240柵極上的電壓將提高至比緩沖器MOSFET 240的閾值電壓更高的值，這使得緩沖器MOSFET 240導(dǎo)通。這種效果通過緩沖器MOSFET 240的高的Qgd/Qgs比所引起。一旦柵極電壓超過緩沖器MOSFET 240的閾值電壓，則緩沖器MOSFET 240將導(dǎo)通并且生成漏極電流，其將起到抑制或?qū)乖诼O節(jié)點(diǎn)204上電壓過沖的作用。對(duì)電壓過沖的抑制還導(dǎo)致了與振鈴噪聲相關(guān)聯(lián)的功率降低。通過在這樣的情況下進(jìn)行導(dǎo)通，緩沖器MOSFET 240抑制或?qū)闺妷哼^沖和振鈴，正如否則在常規(guī)技術(shù)下存在的。在這種新穎的方式下，緩沖器MOSFET 240，作為功率MOSFET 200的一部分，具有優(yōu)勢(shì)地降低過沖、振鈴噪聲和輻射的電磁干擾，同時(shí)有利地改善了器件的可靠性。圖3說明了依照本發(fā)明的實(shí)施例的功率MOSFET 200的一部分的示例性溝槽布局300的平面圖。將理解到的是，圖3并不是按比例描繪的。功率MOSFET，例如，功率MSOFET200，通常包括上千個(gè)溝槽。圖3說明了包括在溝槽上的多晶硅的柵極。溝槽310說明了示例性的溝槽，正如可被用于構(gòu)造常規(guī)的功率M0SFET，例如，在圖、I中的低壓側(cè)MOSFET開關(guān)110或低壓側(cè)MOSFET 210的那樣。在功率MOSFET 200內(nèi)，溝槽310可被用于實(shí)現(xiàn)低壓側(cè)M0SFET210。將理解的是，這些溝槽310 “頸縮(neck down)”，或者它們的寬度的一部分較為狹窄。這種設(shè)計(jì)特征有利地降低了從柵極到源極和漏極的寄生電容，例如Cgd和Cgs。這樣的變窄還降低了柵極的電阻。溝槽320說明了可被用于構(gòu)造緩沖器MOSFET 240 (圖2)的示例性溝槽。將理解到的是，在一些實(shí)施例中，溝槽320可比溝槽310的寬度更寬。這種設(shè)計(jì)特征有利地提高了Qgd與Qgs之比。例如，對(duì)于給定的溝槽，Qgd通常隨著溝槽寬度的增加而增加，但是Qgs的值基本不變。為了達(dá)到緩沖器MOSFET 240與低壓側(cè)MOSFET 210的期望面積比，大多數(shù)溝槽與低壓側(cè)MOSFET 210相關(guān)聯(lián)。例如，約每15個(gè)溝槽中有I個(gè)與緩沖器MOSFET 240相關(guān)聯(lián),例如,功率MOSFET 200在每一個(gè)溝槽320的情況下可重復(fù)14次溝槽310模式的情況?？衫斫獾降氖?，電荷并不是沿著柵極襯底/溝槽均勻分布的，并且因此溝槽之比可能與期望的有效柵極面積之比不同。圖4說明了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性DC-DC降壓變換器電路400。降壓變換器電路400包括高壓側(cè)MOSFET開關(guān)120和具有起到低壓側(cè)開關(guān)作用的集成緩沖器的功率MOSFET 200。高壓側(cè)MOSFET開關(guān)120和具有集成的緩沖器的功率MOSFET 200被配置成通過控制電路來控制，例如被導(dǎo)通或關(guān)斷，以產(chǎn)生輸出電壓Vout。降壓變換器400進(jìn)一步包括開關(guān)節(jié)點(diǎn)430，例如，具有集成的緩沖器的功率M0SFET200的漏極與高壓側(cè)MOSFET 120的源極的耦接。與常規(guī)技術(shù)的DC-DC降壓變換器電路100 (圖I)相比，通過操作具有集成的緩沖器的功率MOSFET 200內(nèi)的緩沖器MOSFET 240，在DC-DC降壓變換器400中可減少有害的振鈴噪聲，尤其是在開關(guān)節(jié)點(diǎn)430處。所理解到的是，依照本發(fā)明的實(shí)施例是依照金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)來描述的。依照本發(fā)明的實(shí)施例充分適用于其它技術(shù)，且實(shí)施例可在其它的技術(shù)中預(yù)見到，包括分立器件的應(yīng)用中，例如，器件210和240分離的實(shí)施例，以及包括其它已知技術(shù)(包括雙極性、BiMOS, CMOS和其它適宜技術(shù))的半導(dǎo)體。本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了描述。但是本發(fā)明是在特定的實(shí)施例中被描述的，應(yīng)該理解到的是，本發(fā)明并不應(yīng)被構(gòu)造成受到這樣的實(shí)施例的限制，而應(yīng)依據(jù)隨附的權(quán)利要求書進(jìn)行解釋。
在此所描述的所有元件、部件和步驟被優(yōu)選地包括在內(nèi)。將理解的是，所有這些元件、部件和步驟都可以由其它元件、部件和步驟替換，或者都被刪除，其對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見。概念本文揭示了至少以下概念概念I(lǐng). 一種電子電路，其包括第一功率半導(dǎo)體器件；以及第二功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一功率半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗在所述第一功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。
概念2.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件在它們各自的源極和漏極處被并聯(lián)耦接。概念3.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中，所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ淖杩贡桓綦x。概念4.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之十的溝道面積。概念5.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約I. 5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。概念6.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。 概念7.如概念I(lǐng)所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。概念8. —種電子電路，包括高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)，其被配置成耦接到高電壓，并被配置成通過開關(guān)控制邏輯來控制；低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)，其被配置成耦接到低電壓，并被配置成通過所述開關(guān)控制邏輯來控制，與所述高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)耦接；其中，所述低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)包括第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件，以及第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件；其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗在所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。概念9.如概念8所述的電子電路，其中，所述第一和第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件在它們各自的源極和漏極處并聯(lián)耦接。概念10.如概念8所述的電子電路，其中，所述第一和第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ碾娮璞桓綦x。概念11.如概念8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之十的溝道面積。概念12.如概念8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約1.5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。概念13.如概念8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。 概念14.如概念8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。概念15. —種MOSFET半導(dǎo)體器件,包括在單個(gè)晶片上的第一功率半導(dǎo)體器件；以及
第二功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一功率半導(dǎo)體器件；其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。概念16.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述MOSFET半導(dǎo)體器件被配置成經(jīng)由一個(gè)柵極節(jié)點(diǎn)、一個(gè)源極節(jié)點(diǎn)和一個(gè)漏極節(jié)點(diǎn)被耦接到其它電路。概念17.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ淖杩贡桓綦x。概念18.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之五的溝道面積。
概念19.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約I. 5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。概念20.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。概念21.如概念15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。
權(quán)利要求
1.一種電子電路,其包括 第一功率半導(dǎo)體器件；以及 第二功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一功率半導(dǎo)體器件， 其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗在所述第一功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。
2.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件在它們各自的源極和漏極處被并聯(lián)耦接。
3.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中，所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ淖杩贡桓綦x。
4.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之十的溝道面積。
5.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約I. 5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。
6.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求I所述的電子電路，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一 功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。
8.—種電子電路,包括 高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)，其被配置成耦接到高電壓，并被配置成通過開關(guān)控制邏輯來控制； 低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)，其被配置成耦接到低電壓，并被配置成通過所述開關(guān)控制邏輯來控制，與所述高壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)耦接； 其中，所述低壓側(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)包括 第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件，以及 第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件； 其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗在所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。
9.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第一和第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件在它們各自的源極和漏極處并聯(lián)耦接。
10.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第一和第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ碾娮璞桓綦x。
11.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之十的溝道面積。
12.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約I. 5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。
13.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。
14.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中，所述第二低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。
15.一種MOSFET半導(dǎo)體器件，包括 在單個(gè)晶片上的 第一功率半導(dǎo)體器件；以及 第二功率半導(dǎo)體器件，其被耦接到所述第一功率半導(dǎo)體器件； 其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗所述第一低壓側(cè)功率半導(dǎo)體器件的漏極節(jié)點(diǎn)處的振鈴。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述MOSFET半導(dǎo)體器件被配置成經(jīng)由一個(gè)柵極節(jié)點(diǎn)、一個(gè)源極節(jié)點(diǎn)和一個(gè)漏極節(jié)點(diǎn)被耦接到其它電路。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一和第二功率半導(dǎo)體器件的柵極通過在所述第一功率半導(dǎo)體器件的柵極接地時(shí)足以使所述第二功率半導(dǎo)體能夠?qū)ǖ淖杩贡桓綦x。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二功率半導(dǎo)體器件包括小于所述第一功率半導(dǎo)體器件的溝道面積的約百分之五的溝道面積。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件的特征在于，具有大于約I. 5的柵-漏極與柵-源極電荷比(Qgd/Qgs)。
20.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成響應(yīng)于其漏極處較高的dV/dt上升時(shí)間而導(dǎo)通。
21.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二功率半導(dǎo)體器件被配置成在所述第一功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通。
全文摘要
一種具有有源緩沖器的功率開關(guān)，依據(jù)第一實(shí)施例，該電子電路包括第一功率半導(dǎo)體器件，和被耦接到第一功率半導(dǎo)體器件的第二功率半導(dǎo)體器件。該第二功率半導(dǎo)體器件被配置成對(duì)抗第一功率半導(dǎo)體器件的振鈴。
文檔編號(hào)G11C5/14GK102763164SQ201180009537
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月18日
發(fā)明者K.特里爾 申請(qǐng)人:維西埃-硅化物公司