技術(shù)編號：6738310
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此所描述的實施例涉及電子電路與半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)域，并且更尤其涉及具有有源緩沖器(active snubber)的功率開關(guān)的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)在使用同步的低壓側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的DC-DC降壓變換器應(yīng)用中，在高壓側(cè)MOSFET導(dǎo)通時可能出現(xiàn)大的電壓過沖。這種過沖可能是由于低壓側(cè)MOSFET體二極管的“活躍(snappy)”的性質(zhì)導(dǎo)致的，并且可導(dǎo)致電壓過沖，和在將低壓側(cè)MOSFET的漏極連接到高壓側(cè)MOSFET的源極的節(jié)點(diǎn)上...
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