一種NAND Flash的數(shù)據(jù)處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，尤其涉及一種NANDFlash的數(shù)據(jù)處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]與非型非揮發(fā)閃存(NANDFlash)在每次編程之前和讀取之后都需要將數(shù)據(jù)存儲到緩存里。NAND Flash中存在壞列替換機(jī)制，即當(dāng)有的列存在缺陷時(shí)，需要用冗余列替換，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中NAND Flash存儲列示意圖，如圖1所示，當(dāng)存儲列組A中存在壞列時(shí)，將需要存儲到組A的數(shù)據(jù)存儲到替換組A’，導(dǎo)致外部訪問的邏輯地址和內(nèi)部的實(shí)際物理地址不能完全順序?qū)?yīng)。所以在讀取或?qū)懭刖彺鏀?shù)據(jù)時(shí)，必須去尋找外部訪問的邏輯地址對應(yīng)的實(shí)際物理地址。
[0003]但是尋找的過程非常耗時(shí)，尤其是在當(dāng)下接口速度已達(dá)到400MB/S，要想在短短的時(shí)間內(nèi)尋找完畢，對電路設(shè)計(jì)者和工藝的要求很高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種NANDFlash的數(shù)據(jù)處理裝置，以簡化在讀取或?qū)懭刖彺鏀?shù)據(jù)時(shí)尋找外部訪問的邏輯地址對應(yīng)的實(shí)際物理地址的過程，減少耗時(shí)。
[0005]第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種NANDFlash的數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括存儲列組、隔離寄存器和控制寄存器，其中；
[0006]每一存儲列組對應(yīng)的隔離寄存器的輸出端，與該存儲列組對應(yīng)的控制寄存器的第一控制端連接，每一個(gè)控制寄存器的輸出端與下一個(gè)控制寄存器的輸入端連接；
[0007]所述隔離寄存器用于記錄存儲列組的好壞狀態(tài)，并將所述好壞狀態(tài)傳輸?shù)剿隹刂萍拇嫫鳎?br>[0008]所述控制寄存器的輸入端用于獲取控制脈沖，第二控制端用于獲取控制寄存器的選通信號，若所述隔離寄存器中記錄待處理的目標(biāo)存儲列組為壞組，對數(shù)據(jù)總線和所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作。
[0009]本實(shí)用新型實(shí)施例通過隔離寄存器記錄存儲列組的好壞狀態(tài)，并將存儲列組的好壞狀態(tài)傳輸給控制寄存器，在數(shù)據(jù)處理時(shí)，若所述隔離寄存器中記錄待處理的目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器對數(shù)據(jù)總線和所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作，簡化了在讀取或?qū)懭刖彺鏀?shù)據(jù)時(shí)尋找外部訪問的邏輯地址對應(yīng)的實(shí)際物理地址的過程，減少耗時(shí)。
【附圖說明】
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中NAND Flash存儲列示意圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的NANDFlash的數(shù)據(jù)裝置執(zhí)行的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖；
[0012]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例中的NANDFlash存儲列示意圖；
[0013]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例中的所提供的NANDFlash的數(shù)據(jù)裝置執(zhí)行的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖；
[0014]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例中的一種NANDFlash的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0015]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例中的控制寄存器的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對本實(shí)用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的NANDFlash的數(shù)據(jù)裝置執(zhí)行的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖，本實(shí)施例可適用于對緩存數(shù)據(jù)進(jìn)行處理時(shí)NAND Flash存在壞列的情況，如圖2所示，所述方法具體可以包括如下步驟:
[0018]步驟110、隔離寄存器記錄存儲列組的好壞狀態(tài)。
[0019]具體的，每個(gè)存儲列組對應(yīng)一個(gè)隔離寄存器，所述隔離寄存器的值在進(jìn)行存儲列測試時(shí)寫入，用于記錄存儲列組的好壞狀態(tài)，其中存儲列組可能是好組，也可能是壞組。一個(gè)存儲列組由多個(gè)存儲列組成，例如，可以由8個(gè)、16個(gè)或32個(gè)存儲列組成，只要存儲列組中存在一個(gè)存儲列為壞的，則該組存儲列記錄為壞組。
[0020]步驟120、若所述隔離寄存器中記錄待處理的目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器對數(shù)據(jù)總線和所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作。
[0021]具體的，在數(shù)據(jù)寫入過程中，如果目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器將數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)寫入所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組中；在數(shù)據(jù)讀取過程中，如果目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器控制所述數(shù)據(jù)總線從所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組讀取數(shù)據(jù)。
[0022]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例中的NANDFlash存儲列示意圖，如圖3所示，本實(shí)用新型的方案在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，將存儲列重新分配，所有存儲列都一視同仁，相比于現(xiàn)有的NANDFlash存儲列中部分存儲列是正常標(biāo)準(zhǔn)列，部分存儲列是冗余列，本實(shí)施例簡化了存儲列的結(jié)構(gòu)。圖3中每一個(gè)小長方形代表一個(gè)存儲列組，在寫數(shù)據(jù)時(shí)，目標(biāo)存儲列組A對應(yīng)的控制寄存器的輸入端存在寫控制脈沖，若目標(biāo)存儲列組A為好組，寫控制脈沖正常通過控制寄存器，數(shù)據(jù)寫入目標(biāo)存儲列組A;若目標(biāo)存儲列組A為壞組，寫控制脈沖跳過目標(biāo)存儲列組對應(yīng)的控制寄存器，傳輸?shù)较乱淮鎯α薪MA’對應(yīng)的控制寄存器，將目標(biāo)存儲列組A所對應(yīng)的數(shù)據(jù)寫入到下一存儲列組A’，無需再到冗余列尋找替換目標(biāo)存儲列組A的替換組，簡化了替換過程，加快了寫數(shù)據(jù)的速度。
[0023]讀數(shù)據(jù)時(shí)與上述寫數(shù)據(jù)過程類似，當(dāng)目標(biāo)存儲列組為壞組時(shí)，直接跳過目標(biāo)存儲列組，讀取下一存儲列組對應(yīng)的數(shù)據(jù)，這樣在讀數(shù)據(jù)時(shí)，無需再從冗余列中尋找替換組，加快了讀數(shù)據(jù)速度。本實(shí)施例的方案使得外部訪問的邏輯地址與實(shí)際物理地址依次順序?qū)?yīng)，在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，只需依照存儲列組的順序依次進(jìn)行即可，加快了讀寫速度。
[0024]本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過隔離寄存器記錄存儲列組的好壞狀態(tài)，在數(shù)據(jù)處理時(shí)，若所述隔離寄存器中記錄待處理的目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器對數(shù)據(jù)總線和所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作，簡化了在讀取或?qū)懭刖彺鏀?shù)據(jù)時(shí)尋找外部訪問的邏輯地址對應(yīng)的實(shí)際物理地址的過程，減少耗時(shí)。
[0025]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的NANDFlash的數(shù)據(jù)裝置執(zhí)行的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖，如圖4所示，所述方法具體可以包括如下步驟:
[0026]步驟210、地址控制模塊確定所述目標(biāo)存儲列組的邏輯地址的首地址對應(yīng)的實(shí)際物理地址。
[0027]其中，在用戶輸入讀寫指令和讀寫邏輯地址時(shí)，地址控制模塊查詢所述邏輯地址對應(yīng)的存儲列組的實(shí)際物理地址，以進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。具體的，在第一個(gè)數(shù)據(jù)寫入或讀出之前，可以給定預(yù)設(shè)的時(shí)間值，用來尋找首地址對應(yīng)的物理地址，所示預(yù)設(shè)的時(shí)間值可以為300ns 等。
[0028]步驟220、隔離寄存器記錄存儲列組的好壞狀態(tài)。
[0029]具體的，隔離寄存器記錄存儲列組的好壞狀態(tài)之前，還可以包括:測試模塊測試每一個(gè)存儲列組的好壞狀態(tài)。NAND Flash中存在測試存儲列的測試模塊，外部的測試機(jī)臺向所述測試模塊發(fā)送測試指令后，測試模塊依次測試存儲列的好壞狀態(tài)，并將每一個(gè)存儲列組的好壞狀態(tài)存儲到隔離寄存器。
[0030]步驟230、若所述隔離寄存器中記錄待處理的目標(biāo)存儲列組為壞組，則控制寄存器對數(shù)據(jù)總線和所述目標(biāo)存儲列組的下一存儲列組執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作。
[0031]具體的，在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)數(shù)據(jù)的長度設(shè)定時(shí)鐘節(jié)拍的個(gè)數(shù)，依據(jù)時(shí)鐘節(jié)拍從首地址存儲列組開始依次由相應(yīng)的存儲列組寫入或讀出數(shù)據(jù)，遇到壞組時(shí)直接跳過，繼續(xù)對下一存儲列組執(zhí)行相應(yīng)的讀寫操作即可，這樣可以控制存儲列的總長度，使得可以任意分配存儲空間，可用空間變大。
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