本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種RFID芯片及RFID標簽。

背景技術(shù)：

目前，采集物質(zhì)濃度的設(shè)備一般包括傳感器、數(shù)據(jù)收發(fā)器和數(shù)據(jù)處理器，數(shù)據(jù)收發(fā)器一般基于無線數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)而分開設(shè)置為位于傳感器端的數(shù)據(jù)發(fā)送器和位于數(shù)據(jù)處理器端的數(shù)據(jù)接收層，數(shù)據(jù)發(fā)送器一般固定在需要采集物質(zhì)濃度的位置，數(shù)據(jù)接收層則一般移動設(shè)置從而可在不同位置采集數(shù)據(jù)。在實際操作中，數(shù)據(jù)發(fā)送器從傳感器中從傳感器中獲取采集到的物質(zhì)濃度數(shù)據(jù)，無線發(fā)送到數(shù)據(jù)接收層，數(shù)據(jù)接收層接收到數(shù)據(jù)后發(fā)送給數(shù)據(jù)處理器處理。

申請?zhí)枮?00720139520.6的實用新型專利公開了一種體內(nèi)植入式生化參數(shù)自動檢測系統(tǒng)裝置，該裝置的傳感器帶有RFID模塊，植入人體后可檢測血糖等物質(zhì)的濃度，并通過RFID無線射頻技術(shù)在體外用電子標簽讀寫器讀取濃度數(shù)據(jù)。從該專利公開的方案可知，其傳感器內(nèi)部的電路較為復雜，成本較高。同樣的問題也存在于申請?zhí)枮?01310523567.2的基于RFID技術(shù)的農(nóng)產(chǎn)品品質(zhì)風險預警系統(tǒng)、申請?zhí)枮?01420058121.7的食用油中重金屬檢測器和申請?zhí)枮?01420530263.9的氣體傳感檢測RFID智能感知終端等方案中。

申請人構(gòu)思了一種通過電子化學檢測器來檢測物質(zhì)濃度的電子標簽，該電子標簽應(yīng)當具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、成本低廉等優(yōu)勢，但是需要設(shè)計一種可與該電子標簽進行匹配的RFID芯片，本案由此產(chǎn)生。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種可用于采集物質(zhì)濃度的電子標簽中的RFID芯片，進一步地提供一種可采集物質(zhì)濃度的RFID標簽。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種RFID芯片，包括處理器、數(shù)據(jù)采集模塊和射頻模塊，所述數(shù)據(jù)采集模塊和射頻模塊分別與所述處理器電連接。

本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

一種RFID標簽，包括RFID天線、檢測器和上述的RFID芯片，所述RFID天線與所述檢測器分別與所述RFID芯片電連接。

本發(fā)明的有益效果在于：數(shù)據(jù)采集模塊和射頻模塊分別與處理器電連接，射頻模塊用于接收讀取終端發(fā)射的信號，數(shù)據(jù)采集模塊用于采集檢測器的電學參數(shù)，例如電壓值、電流值、電阻值和/或電容值，并將檢測到的結(jié)果輸出給處理器，處理器根據(jù)檢測結(jié)果計算出目標物質(zhì)的濃度；本發(fā)明的RFID芯片與RFID天線和檢測器連接后組成一枚完整的RFID標簽，即可測出目標物質(zhì)的濃度，并通過無線射頻的方式向讀取終端發(fā)送該濃度數(shù)據(jù)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的RFID芯片的模塊連接圖；

圖2為本發(fā)明實施例的RFID標簽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的RFID標簽的剖面圖；

圖4為本發(fā)明實施例的RFID標簽的側(cè)視圖。

標號說明：

1、RFID芯片；11、處理器；12、數(shù)據(jù)采集模塊；

121、R/C前端模擬量采集單元；122、線性放大器單元；

123、A/D編碼單元；13、射頻模塊；131、RF/DC轉(zhuǎn)換單元；

132、射頻調(diào)制解調(diào)電路；14、存儲單元；15、輸出單元；2、RFID天線；

21、第一天線層；22、絕緣層；23、第二天線層；3、檢測器；

31、半導體層；32、接收層；33、電極；34、基板。

具體實施方式

為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖詳予說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：增加數(shù)據(jù)采集模塊，可用于采集檢測器或傳感器檢測到的數(shù)據(jù)，以便推算出目標物質(zhì)的濃度。

請參閱圖1，一種RFID芯片，包括處理器11、數(shù)據(jù)采集模塊12和射頻模塊13，所述數(shù)據(jù)采集模塊12和射頻模塊13分別與所述處理器11電連接。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：數(shù)據(jù)采集模塊和射頻模塊分別與處理器電連接，射頻模塊用于接收讀取終端發(fā)射的信號，數(shù)據(jù)采集模塊用于采集檢測器的電學參數(shù)，例如電壓值、電流值、電阻值和/或電容值，并將檢測到的結(jié)果輸出給處理器，處理器根據(jù)檢測結(jié)果計算出目標物質(zhì)的濃度。

進一步地，所述數(shù)據(jù)采集模塊12包括R/C前端模擬量采集單元121、線性放大器單元122和A/D編碼單元123，所述R/C前端模擬量采集單元121、線性放大器單元122和A/D編碼單元123依次電連接，所述A/D編碼單元123與所述處理器11電連接。

由上述描述可知，R/C前端模擬量采集單元用于采集檢測器在不同環(huán)境下產(chǎn)生的相應(yīng)電阻值和電容值，經(jīng)線性放大器單元進行線性放大，然后經(jīng)A/D編碼單元進行A/D轉(zhuǎn)換后與基準參數(shù)進行比較，最后輸出結(jié)果給處理器。

進一步地，所述射頻模塊13包括RF/DC轉(zhuǎn)換單元131和射頻調(diào)制解調(diào)電路132，所述RF/DC轉(zhuǎn)換單元131和射頻調(diào)制解調(diào)電路132電連接，所述射頻調(diào)制解調(diào)電路132與所述處理器11電連接。

由上述描述可知，射頻模塊用于接收讀取終端發(fā)射的信號，一方面RF/DC轉(zhuǎn)換單元將射頻能量轉(zhuǎn)換為電能并給處理器和數(shù)據(jù)采集模塊供電，另一方面射頻調(diào)制解調(diào)電路應(yīng)處理器的指令完成電子標簽與讀取終端的應(yīng)答工作。

進一步地，還包括存儲單元14，所述存儲單元14與所述處理器11電連接。

由上述描述可知，數(shù)據(jù)采集模塊采集到檢測器的電阻值和電容值后輸出給處理器，并存儲在存儲單元中，存儲單元中還存儲有基準參數(shù)。

進一步地，還包括輸出單元15，所述輸出單元15與所述處理器11電連接。

由上述描述可知，輸出單元可通過處理器發(fā)出外部控制信號，用于顯示檢測器采集到的實時相關(guān)信息，如LED顯示器、聲光報警燈，同時可用于驅(qū)動其他外部電路模塊等達到類似功能。

一種RFID標簽，包括RFID天線2、檢測器3和上述的RFID芯片1，所述RFID天線2與所述檢測器11分別與所述RFID芯片1電連接。

從上述描述可知，RFID芯片與RFID天線和檢測器連接后組成一枚完整的RFID標簽，可以將檢測到的目標物質(zhì)的濃度參數(shù)通過無線射頻的方式向讀取終端發(fā)送。

進一步地，所述檢測器3包括半導體層31和接收層32，所述接收層32設(shè)置在所述半導體層31上，半導體層31與所述RFID芯片1電連接。

由上述描述可知，檢測器通過接收層與目標物質(zhì)相互作用而改變半導體層的電學性能，半導體層的電學性能的改變可被RFID芯片識別出，RFID芯片可依據(jù)預設(shè)的電學性能參數(shù)與濃度的對應(yīng)關(guān)系得到目標物質(zhì)的濃度數(shù)據(jù)并進行存儲，從而實現(xiàn)對目標物質(zhì)濃度的檢測，通過測量半導體層的電學性能的改變來獲得目標物質(zhì)的濃度，不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且在半導體層上通過薄膜技術(shù)設(shè)置接收層，制造工序簡單、成本較低。

請參照圖1至圖4，本發(fā)明的實施例一為：

一種RFID標簽，包括RFID芯片1、RFID天線2和檢測器3，RFID天線2和檢測器3分別與RFID芯片1電連接。

RFID芯片1包括處理器11、數(shù)據(jù)采集模塊12、射頻模塊13、存儲單元14和輸出單元15。數(shù)據(jù)采集模塊12包括依次電連接的R/C前端模擬量采集單元121、線性放大器單元122和A/D編碼單元123。射頻模塊13包括RF/DC轉(zhuǎn)換單元131和射頻調(diào)制解調(diào)電路132，RF/DC轉(zhuǎn)換單元131和射頻調(diào)制解調(diào)電路132電連接。A/D編碼單元123、射頻調(diào)制解調(diào)電路132、存儲單元14和輸出單元15分別與處理器11電連接。輸出單元15為GPO輸出單元。

R/C前端模擬量采集單元121中的R代表的是電阻值，C代表的是電容值，本發(fā)明環(huán)境采集的方法采用的是電阻、電容或組合電阻電容的方式來實現(xiàn)，有利于采集精度的控制。

射頻模塊13用于接收讀取終端發(fā)射的信號，一方面RF/DC轉(zhuǎn)換單元131將射頻能量轉(zhuǎn)換為電能并給處理器11和數(shù)據(jù)采集模塊12進行供電，另一方面射頻調(diào)制解調(diào)電路132應(yīng)處理器11的指令完成RFID標簽與讀取終端的應(yīng)答工作。

在調(diào)試過程中，R/C前端模擬量采集單元121用于采集檢測器3在不同環(huán)境下產(chǎn)生的相應(yīng)電阻和電容，經(jīng)過線性放大器單元122進行線性放大，然后經(jīng)A/D編碼單元123進行A/D轉(zhuǎn)換后與存儲在存儲單元14中的基準參數(shù)做比較，最后輸出結(jié)果給處理器11并存儲在存儲單元14中；使用時，根據(jù)檢測到的檢測器3的電阻和/或電容值反推出目標物質(zhì)的濃度，這些數(shù)據(jù)都將保存在存儲單元14中待用，或以讀取終端所發(fā)出的請求為準回傳給讀取終端實現(xiàn)數(shù)據(jù)上傳至服務(wù)器。

正常情況下，RFID芯片1處于休眠待機模式，在接收讀取終端發(fā)出的無線電信號后，獲取必要的能量后給處理器11和數(shù)據(jù)采集模塊12供電。RFID芯片1接收到讀取終端的指令后激活處理器11，并通過數(shù)據(jù)采集模塊12對存儲單元14的數(shù)據(jù)進行更新或?qū)懭耄瑫r根據(jù)接收到的讀取終端的指令要求執(zhí)行輸出單元15，或者將存儲單元14的實時數(shù)據(jù)反饋回傳給讀取終端，完成環(huán)境參數(shù)采集、保存和數(shù)據(jù)傳輸?shù)冗^程。輸出單元15可通過處理器11發(fā)出外部控制信號，用于顯示檢測器3采集到的實時相關(guān)信息，如LED顯示器、聲光報警燈，同時可用于驅(qū)動其他外部電路模塊等達到類似功能。

如圖2和圖3所示，RFID天線2為高頻天線，RFID天線2包括第一天線層21、絕緣層22和第二天線層23，第一天線層21和第二天線層23分別設(shè)置于絕緣層22的兩側(cè)面，第一天線層21和第二天線層23分別包括首端和尾端，第一天線層21的尾端和第二天線層23的首端電連接，第一天線層21的首端和第二天線層23的尾端分別與RFID芯片1電連接。

如圖4所示，檢測器3包括半導體層31和接收層32，接收層32設(shè)置在半導體層31上，接收層32具有和目標物質(zhì)相互作用以改變半導體層31的電學性能的特性，RFID芯片1和半導體層31分別與RFID天線2電連接。

目標物質(zhì)為氣體目標物質(zhì)或液體目標物質(zhì)。氣體目標物質(zhì)可能存在于空氣中，將檢測器3置于空氣中時，接收層32可在空氣中與氣體目標物質(zhì)相互作用。液體目標物質(zhì)可被施加到檢測器3上，接收層32可與液體目標物質(zhì)接觸并且隨后與液體目標物質(zhì)相互作用。

接收層32可包括至少一個功能化的接收層32或功能組，接收層32可通過與目標物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)而與目標物質(zhì)相互作用，例如與目標物質(zhì)形成化學鍵。這種相互作用也可包括接收層32與目標物質(zhì)形成氫鍵相互作用。另外，接收層32還可以其他反應(yīng)和/或相互作用的形式與目標物質(zhì)進行相互作用。

半導體層31具有在不同條件下允許或阻止電流或電子穿過的獨特電學特性。例如，半導體層31可設(shè)置為當檢測到目標物質(zhì)時允許電流穿過和/或當目標物質(zhì)的濃度低于預先設(shè)定值時阻止電流穿過。

半導體層31包括不同的半導體材料，例如有機半導體、高分子半導體、小分子半導體、氧化物基半導體和/或硅基半導體。不同的制造工序可選擇不同的半導體材料，半導體材料與基板34和/或接收層32或其他諸如敏感性、響應(yīng)時間、檢測范圍等的所需性能的其他因素相匹配。

為了測量穿過半導體層31的電流，半導體層31上或上方設(shè)有兩個電極33，電極33可直接沉積于半導體層31上，且可增強電極33-半導體界面接觸處的導電性。另外，電極33可沉積于包括接收層32的材料上。這些不同的結(jié)構(gòu)可導致不同的電極33與半導體層31的接觸電阻，因為在電極33-半導體之間的接收層32層可有效地增強或降低不同層之間的界面處的導電性。兩個電極33分別與RFID天線2電連接。

電極33可包括一個或多個金屬接點于半導體層31上或上方。另外，電極33可包括但不限于金屬、摻雜半導體或?qū)щ娧趸锏鹊娜魏螌щ姴牧稀?/p>

檢測器3可在基板34上制造，接收層32、半導體層31和基板34依次層疊設(shè)置。基板34可為向檢測器3的整體結(jié)構(gòu)提供額外機械強度的材料組成。例如，這種材料可包括諸如聚合物、玻璃或陶瓷的材料?；?4可為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性基板或在一些其他結(jié)構(gòu)中的非柔性基板。另外，基板34還可為上述的半導體層31，例如硅基基板，其包括支撐檢測器3的整體結(jié)構(gòu)所必須的剛度以及具有所需要的電學特性的半導體材料。

檢測器3的材料沉積層，如接收層32、半導體層31和電極33均基于有機材料，這對僅可低溫和/或溶液制程的一些優(yōu)選的制造工序有利，這樣可保持制程有較低的復雜度和成本。

檢測器3的制造可包括四個主要的步驟或工序。第一步，對柔性PET材料的基板34根據(jù)標準清洗步驟進行清洗；第二步，將半導體層31沉積于基板34上。例如有機半導體材料可在PET基板上進行旋涂或印刷，然后干燥所沉積的溶液以形成半導體的薄膜。第三步，將功能化接收層32溶解于溶劑中，例如但不限定于水、丙酮、乙腈、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙酸乙酯、乙二醇、苯、氯仿、四氫呋喃、叔丁基醇、環(huán)己烷、氯乙烷、乙醚、乙二醇二乙酯、二甲亞砜或任何其他適合溶解上述功能化接收層32的溶劑，將溶解有接收層32的溶劑在沉積的半導體層31的表面上進行旋涂或印刷。溶劑可在隨后接下來的干燥步驟中去除，這樣形成包括接收層32的材料層。另外，接收層32還可使用物理氣相沉積或化學氣相沉積而沉積于半導體層31上。

半導體層31的厚度大約為50nm并且接收層32的層大約為30nm。這些厚度值在不同設(shè)計中有所變化以優(yōu)化多個參數(shù)，如任何制程偏移，半導體層31和/或接收層32層的電阻值，電極33和半導體之間的接觸電阻和當接收層32和目標物質(zhì)相互作用時對半導體層31產(chǎn)生的場效應(yīng)等。

最后，在第四步中，將例如金屬薄膜或其他導電材料的兩個電極33沉積于接收層32的表面上。接收層32可做成預設(shè)圖形，這樣電極33可和半導體層31直接接觸。電極33可通過利用旋涂和/或印刷來沉積于半導體層31上，做成預設(shè)圖形的導電材料層。電極33沉積于半導體層31上或其上方時，利用印刷可將電極33做成預設(shè)圖形。

兩個電極33以大約50um到100um的距離而間隔開。這可有效地調(diào)整暴露于并且相互作用于目標物質(zhì)的接收層32的區(qū)域以及半導體和/或位于兩個電極33之間的接收層32材料的電阻。這些參數(shù)反過來影響檢測器3的靈敏性和性能。

整個制造工序基于溶液制程，并且每個沉積層基于有機材料。這就使得檢測器3的制造規(guī)?？奢p易地擴大，例如在不同印刷技術(shù)中利用卷對卷制造工序。這些溶液制程可僅需低溫設(shè)備并且不涉及任何真空工序，因此可進一步降低檢測器3的制造成本。

如圖4所示，檢測器3暴露于目標物質(zhì)中，通過在兩個電極33之間應(yīng)用電壓或電流偏置，可獲得檢測器3在目標物質(zhì)的影響下的電流-電壓特性。不同數(shù)量或濃度的目標物質(zhì)可基于得到不同的電流-電壓特性而被確定。在一些實施例中，電流-電壓特性可由兩個電極33之間的電阻值而檢測，這就意味著檢測獲得的目標物質(zhì)的數(shù)量由檢測器3的電阻變化而變化。

目標物質(zhì)可為流體目標物，如氣體目標物或液體目標物。目標物質(zhì)可被施加在具有暴露的接收層32的區(qū)域上，例如包含氣體的目標物質(zhì)可被帶到接收層32，包含溶液的目標物質(zhì)可被施加到和接收層32直接接觸，或者檢測器3可置于氣體或液體等包含目標物質(zhì)的環(huán)境中。

接收層32僅選擇性地和目標物質(zhì)發(fā)生相互作用，例如在和目標物質(zhì)作用時不會與任何其他物質(zhì)形成化學鍵。因此當接收層32和目標物質(zhì)發(fā)生相互作用，接收層32將暫時或永久地與目標物質(zhì)形成化學鍵。而目標物質(zhì)將改變接收層32的電荷狀態(tài)。結(jié)果，位于下層的半導體層31的電流-電壓特性得以改變，這可能包括半導體層31的導電性變化。這變化歸因于接收層32的相鄰層電場和/或接收層32的導電性的改變，因此兩個電極33之間的半導體層31和/或接收層32的電阻得以改變。通過使用合適的測量儀器，諸如萬用表或半導體參數(shù)分析儀，檢測器3的電學特性應(yīng)可被檢測到并確定。

檢測器3的活性層僅包括兩層材料可使檢測器3的制造更簡單，這提高了檢測器3的良品率和性能的穩(wěn)定性。薄膜結(jié)構(gòu)也降低了制造檢測器3所需的材料數(shù)量。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)需要檢測的物質(zhì)而選擇相應(yīng)的接收層32以檢測目標化學物的濃度。

如：2-氨基砒啶N-氧化物(2-AMINOPYRIDINE N-OXIDE)可被選為制作接收層32的材料，這樣檢測器3可用作檢測克他命(2-(2-氯苯基)-2-(甲氨基)環(huán)乙醇-1-酮(2-(2-CHLOROPHENYL)-2-(METHYLAMINO)CYCLOHEXAN-1-ONE)的藥物檢測器，因為克他命可通過氫鍵吸附于2-氨基砒啶N-氧化物。

又如：檢測器3還可用于檢測生物胺的濃度，以便大眾能夠輕易知曉魚類的新鮮程度。檢測生物胺濃度的檢測器3以電化學薄膜為基層，分子印跡聚合物為接收層32，并具有以下特點：(1)以兩種不同的功能單體制備而成的分子印跡聚合物用以檢測生物胺；(2)透過薄膜技術(shù)及電技術(shù)，將分子印跡聚合物的靈敏度大大提升；(3)能夠低成本而大量生產(chǎn)；(4)能夠檢測在氣相中低至十億分率的生物胺濃度；(5)具有較高的重復性和選擇性。

分子印跡聚合物中的識別位點是由兩種不同的功能單體組成，這兩種功能單體都是以二氧雜硼烷18-冠-6為核心，而這兩種功能單體能連接在不同的骨干上，使其生產(chǎn)的聚合物具有導電或不導電的能力。

在制備帶導電性的分子印跡聚合物時，在10ml的乙腈中加入1mmol的功能單體2-(4-(di([2,2'-bithiophen]-5-yl)methyl)phenyl)-5,5-dimethyl-1,3,2-dioxaborinane，3和18-(di(2,2'-bithiophen]-5-yl)methyl)-2,3,5,6,8,9,11,12,14,15-decahydrobenzo[b][1,4,7,10,13,16]hexaoxacyclooctadecine,4，0.5mmol的模板(腐胺，putrescine)，1mmol的四正丁基高氯酸胺和1mmol的三氟乙酸，并置于振蕩器中振蕩半小時，讓單體和模板能夠充分作用。當振蕩完成后，溶液會被通氮去氧。此分子印跡聚合物以電聚合(循環(huán)伏安法，Cyclic Voltammetry)的方式在電膜玻璃基板制作。此過程會以50mV/s的掃描速率重復掃描0.5-1.5V三百次。在上述過程的聚合物薄膜會先以乙腈沖洗，以除去表面未有反應(yīng)的混合物，并以0.01M的氫氧化鈉溶液將模板分子從聚合物中提取，直至在可見紫外光分光光譜儀上檢測不到氫氧化鈉溶液中含有模板，再放在氮氣環(huán)境下干燥。然后，聚合物薄膜會在500ml的乙腈中以超聲波振蕩兩小時，乙腈中的懸浮物會被濾去；乙腈則會在減壓旋轉(zhuǎn)濃縮機內(nèi)除去，凈余的固體會放在氮氣環(huán)境下干燥并稱重備用。在制備過程中，適當容量的乙腈會加進凈余的固體中(1mg MIP/1mL CAN)。

在制備非導電的分子印跡聚合物時，在5ml的乙腈中加入1mmol的功能單體5,5-dimethyl-2-(4-vinylphenyl)-1,3,2-dioxaborinane，3'和N-(2,3,5,6,8,9,11,12,14,15-decahydrobenzo[b][1,4,7,10,13,16]hexaoxacy clooctadecin-18-yl)methacrylamide，4'，5mmol的交聯(lián)劑(三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，TRIM)，0.1mmol的光引發(fā)劑(2-羥基-4-(2-羥乙氧基)-2-甲基苯丙酮)和0.1mmol的模板(腐胺，putrescine)，并置于振蕩器中振蕩半小時，讓單體和模板能夠充分作用。當振蕩完成后，溶液會被通氮去氧。此分子印跡聚合物以紫外光(365nm)誘發(fā)聚合反應(yīng)。去氧后的混合物會放置在365nm的紫外光下一小時，誘發(fā)聚合反應(yīng)，并接著放置24小時讓聚合反應(yīng)完成。在上述過程中得到的白色聚合物會先以乙腈沖洗，以除去表面未有反應(yīng)的混合物，并磨過300目篩，用10％氫氧化銨甲醇溶液將模板分子從聚合物中提取24小時，再以甲醇洗聚合物，直至在可見紫外光分光光譜儀上檢測不到甲醇中含有模板，才放在氮氣環(huán)境下干燥、備用。在制備過程中，適當容量的乙腈會加進凈余的固體中(1mg MIP/1mL CAN)。

用以檢測生物胺的檢測器3的制備過程為：1、將玻璃基地物(玻璃片)根據(jù)標準程序清洗其表面；2、半導體薄膜會以旋轉(zhuǎn)涂布的方式在玻璃基底物的表面形成半導體層31；3、分子印跡聚合物薄膜層同樣以旋轉(zhuǎn)涂布的方式在半導體層31的表面形成接收層32；4、金屬電極33以蒸鍍的方式在分子印跡聚合物薄膜層上形成。由于此分子印跡聚合物具有獨特的識別位點，能夠把腐胺固定。當分子印跡聚合物的識別位點被填充后，其電阻值便會改變(增加或減少)。將檢測器3接上指定的電壓或電流，其特性的轉(zhuǎn)變便可以被詳細測量。

在上述實施例中，RFID芯片1采用的是被動型的無源芯片，其適應(yīng)性更強，在能量失效后可以立刻進入休眠狀態(tài)，產(chǎn)生的無線電反射能量相對較低，對無線電輻射及污染的控制更有保證。相對的，有源芯片的無線電是持續(xù)發(fā)射的，消耗的功率和電輻射污染都比較大，對人體健康有一定影響；且有源芯片由于存在供電的必要性，在某些領(lǐng)域特別是供電不足的情況下很難實現(xiàn)其應(yīng)用的功能。因此，在供電充足且不考慮環(huán)保問題的場景下，也可以對上述實施例進行改進，增加一電源模塊，同時去除射頻模塊中的RF/DC轉(zhuǎn)換單元131，將RFID芯片1制作成有源芯片。

綜上所述，本發(fā)明提供的RFID芯片及RFID標簽，可用于檢測物質(zhì)的濃度，通過測量半導體層的電學性能的改變來獲得目標物質(zhì)的濃度，不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且在半導體層上通過薄膜技術(shù)設(shè)置接收層，制造工序簡單、成本較低。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。