存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置制造方法【專利摘要】一種存儲(chǔ)器管理方法以及使用此方法的存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。本存儲(chǔ)器管理方法包括施予不同的檢測偏壓來讀取儲(chǔ)存在可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的物理頁面中的數(shù)據(jù)并且根據(jù)所讀取的數(shù)據(jù)來計(jì)算對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤位數(shù)。本存儲(chǔ)器管理方法還包括根據(jù)所計(jì)算的錯(cuò)誤位數(shù)來估計(jì)每一物理頁面的磨損程度值并且根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。基此，本存儲(chǔ)器管理方法可有效地識(shí)別可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的磨損程度并且使用對(duì)應(yīng)的機(jī)制來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，由此避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤?！緦＠f明】存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種用于管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器管理方法及使用此方法的存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)字相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于可攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本型計(jì)算機(jī)。固態(tài)硬盤就是一種以閃存作為儲(chǔ)存媒體的儲(chǔ)存裝置。因此，近年閃存產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門的一環(huán)。[0003]在與非(NAND)型閃存中，存儲(chǔ)單元會(huì)由位線(BitLine)與字線(WordLine)來串起而形成一存儲(chǔ)單元陣列(memorycellarray)。目前NAND型閃存可根據(jù)每一存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)位數(shù)而區(qū)分為多階存儲(chǔ)單元(Mult1-LevelCell,MLC)閃存及單階存儲(chǔ)單元(Single-LevelCell,SLC)閃存。SLC閃存的每個(gè)存儲(chǔ)單元僅能儲(chǔ)存I個(gè)位數(shù)據(jù)，而MLC閃存的每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存至少2個(gè)以上的位數(shù)據(jù)。例如，以4層存儲(chǔ)單元閃存為例，每一存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存2個(gè)位數(shù)據(jù)(即，“11”、“10”、“00”與“01”)。[0004]圖1是根據(jù)已知技術(shù)所繪示的閃存元件的示意圖。[0005]請(qǐng)參照?qǐng)D1,閃存元件I包含用于儲(chǔ)存電子的電荷捕捉層(chargetrapinglayer)2、用于施加偏壓的控制柵極(ControlGate)3、穿遂氧化層(Tunnel0xide)4與多晶娃間介電層(InterpolyDielectric)5。當(dāng)欲寫入數(shù)據(jù)至閃存元件I時(shí),可通過將電子注入電荷捕捉層2以改變閃存元件I的臨界電壓，由此定義閃存元件I的數(shù)字高低態(tài)，而實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的功能。在此，注入電子至電荷捕捉層2的過程稱為編程。反之，當(dāng)欲將所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)移除時(shí)，通過將所注入的電子從電荷捕捉層2中移除，則可使閃存元件I回復(fù)為未被編程前的狀態(tài)。[0006]在寫入與抹除過程中，閃存元件I會(huì)隨著電子的多次的注入與移除而造成老化，導(dǎo)致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在閃存元件I被編程后無法被正確地識(shí)別其儲(chǔ)存狀態(tài)，而產(chǎn)生錯(cuò)誤位。如何有效地識(shí)別閃存元件的老化程度，并且對(duì)應(yīng)的調(diào)整操作閃存元件的機(jī)制是本領(lǐng)域技術(shù)人員所致力的目標(biāo)?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0007]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器管理方法，其能夠有效地識(shí)別可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的磨損程度并且對(duì)應(yīng)地調(diào)整操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的機(jī)制。[0008]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器控制器，其能夠有效地識(shí)別可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的磨損程度并且對(duì)應(yīng)地調(diào)整操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的機(jī)制。[0009]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其能夠有效地識(shí)別可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的磨損程度并且對(duì)應(yīng)地調(diào)整操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的機(jī)制。[0010]本發(fā)明范例實(shí)施例提出一種存儲(chǔ)器管理方法，用于一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，此些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，此些物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，此些儲(chǔ)存狀態(tài)包括第一儲(chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)。本存儲(chǔ)器管理方法包括:記錄每一物理頁面的磨損程度值；以及根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。在此，記錄每一物理頁面的磨損程度值的步驟包括:編程此些物理頁面之中的第一物理頁面，以寫入數(shù)據(jù)至此第一物理頁面；施予第一檢測偏壓至此第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第一錯(cuò)誤位數(shù)；施予第二檢測偏壓至此第一物理頁面以從此第一物理頁面中讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的第二錯(cuò)誤位數(shù)；以及依據(jù)第一錯(cuò)誤位數(shù)與第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)第一物理頁面的磨損程度值，其中第一檢測偏壓大于第二檢測偏壓，第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)第二儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓，并且第二檢測偏壓大于第一儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器管理方法還包括:根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一物理區(qū)塊的磨損程度值。[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:加總此些物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值；判斷此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值是否大于一磨損門坎值；以及倘若此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于此磨損門坎值時(shí)，從此些物理區(qū)塊之中選擇一第一物理區(qū)塊，從此些物理區(qū)塊之中選擇一第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至第一物理區(qū)塊的物理頁面的邏輯地址重新映射至第二物理區(qū)塊的物理頁面，其中第一物理區(qū)塊為此些物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且第二物理區(qū)塊為此些物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值，調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一；以及使用對(duì)應(yīng)此第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間編程屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至第一物理頁面。[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的根據(jù)此第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的步驟包括:隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)此第一物理頁面的初始寫入偏壓。[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的步驟包括:隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)第一物理頁面的寫入偏壓脈沖時(shí)間。[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0017]本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一種存儲(chǔ)器控制器，用于控制可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，此些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，此些物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，此些儲(chǔ)存狀態(tài)包括第一儲(chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)。本存儲(chǔ)器控制器包括主機(jī)接口、存儲(chǔ)器接口與存儲(chǔ)器管理電路。主機(jī)接口用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器接口用以電性連接至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器管理電路電性連接至主機(jī)接口與存儲(chǔ)器接口。存儲(chǔ)器管理電路用以記錄每一物理頁面的磨損程度值，并且根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。其中，在記錄每一物理頁面的磨損程度值的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路編程此些物理頁面之中的第一物理頁面以寫入數(shù)據(jù)至第一物理頁面，施予第一檢測偏壓至第一物理頁面以從第一物理頁面中讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的第一錯(cuò)誤位數(shù)，施予第二檢測偏壓至第一物理頁面以從第一物理頁面中讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的第二錯(cuò)誤位數(shù)，并且依據(jù)第一錯(cuò)誤位數(shù)與第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)第一物理頁面的磨損程度值。在此，第一檢測偏壓大于第二檢測偏壓，第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)第二儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓，并且第二檢測偏壓大于第一儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器管理電路還用以根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一物理區(qū)塊的磨損程度值。[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)加總此些物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值。此外，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值是否大于磨損門坎值。倘若此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于磨損門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)從此些物理區(qū)塊之中選擇第一物理區(qū)塊，從此些物理區(qū)塊之中選擇第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至第一物理區(qū)塊的物理頁面的邏輯地址重新映射至第二物理區(qū)塊的物理頁面，其中第一物理區(qū)塊為此物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且第二物理區(qū)塊為此些物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一，并且使用對(duì)應(yīng)此第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間來編程屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至第一物理頁面。[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓。[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)第一物理頁面的寫入偏壓脈沖時(shí)間。[0023]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0024]本發(fā)明一范例實(shí)施例提出一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其包括連接器、可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與存儲(chǔ)器控制器。連接器用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，此些存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，此些物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，此些儲(chǔ)存狀態(tài)包括第一儲(chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)。存儲(chǔ)器控制器電性連接至連接器與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器控制器用以記錄每一物理頁面的磨損程度值，并且根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。其中，在記錄每一物理頁面的磨損程度值的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器編程此些物理頁面之中的第一物理頁面以寫入數(shù)據(jù)至第一物理頁面，施予第一檢測偏壓至第一物理頁面以從第一物理頁面中讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的第一錯(cuò)誤位數(shù)，施予第二檢測偏壓至第一物理頁面以從第一物理頁面中讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的第二錯(cuò)誤位數(shù)，并且依據(jù)第一錯(cuò)誤位數(shù)與第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)第一物理頁面的磨損程度值。在此，第一檢測偏壓大于第二檢測偏壓，第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)第二儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓，并且第二檢測偏壓大于第一儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0025]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器控制器還用以根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一物理區(qū)塊的磨損程度值。[0026]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)加總此些物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值。此外，存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值是否大于磨損門坎值。倘若此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與此可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于磨損門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器會(huì)從此些物理區(qū)塊之中選擇第一物理區(qū)塊，從此些物理區(qū)塊之中選擇第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至第一物理區(qū)塊的物理頁面的邏輯地址重新映射至第二物理區(qū)塊的物理頁面，其中第一物理區(qū)塊為此物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且第二物理區(qū)塊為此些物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。[0027]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在根據(jù)此些物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一，并且使用對(duì)應(yīng)此第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間來編程屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至第一物理頁面。[0028]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓。[0029]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)第一物理頁面的寫入偏壓脈沖時(shí)間。[0030]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)第一物理頁面的初始寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。[0031]基于上述，本發(fā)明范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置能夠有效地識(shí)別存儲(chǔ)單元的磨損程度并且對(duì)應(yīng)的調(diào)整操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的方式，由此正確地將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)單元中，避免數(shù)據(jù)遺失。[0032]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。【專利附圖】【附圖說明】[0033]圖1是根據(jù)已知技術(shù)所繪示的閃存元件的示意圖。[0034]圖2是根據(jù)本發(fā)明范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0035]圖3是根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。[0036]圖4是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的計(jì)算機(jī)、輸入/輸出裝置與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖。[0037]圖5是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖。[0038]圖6是繪示根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖。[0039]圖7是根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的概要方塊圖。[0040]圖8是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)單元陣列的示意圖。[0041]圖9是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計(jì)分配圖。[0042]圖10是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的編程存儲(chǔ)單元的示意圖。[0043]圖11是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的從存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖。[0044]圖12是根據(jù)另一范例實(shí)施例所繪示的從存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖。[0045]圖13是根據(jù)本發(fā)明范例實(shí)施例所繪示的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的示意圖。[0046]圖14是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖。[0047]圖15是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示施予檢測偏壓的示意圖。[0048]圖16是根據(jù)本發(fā)明第一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0049]圖17是根據(jù)本發(fā)明第二范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0050]圖18-20是根據(jù)第三范例實(shí)施例所繪示的編程存儲(chǔ)單元的示意圖。[0051]圖21是根據(jù)本發(fā)明第三范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0052]圖22是根據(jù)本發(fā)明第四范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0053]圖23是根據(jù)本發(fā)明第五范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0054][主要元件標(biāo)號(hào)說明][0055]1:閃存元件2:電荷捕捉層[0056]3:控制柵極4:穿遂氧化層[0057]5:多晶硅間介電層[0058]S1001、S1003、S1005、S1007:存儲(chǔ)器管理方法的步驟[0059]1000:主機(jī)系統(tǒng)1100:計(jì)算機(jī)[0060]1102:微處理器1104:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器[0061]1106:輸入/輸出裝置1108:系統(tǒng)總線[0062]1110:數(shù)據(jù)傳輸接口1202:鼠標(biāo)[0063]1204:鍵盤1206:顯示器[0064]1252:打印機(jī)1256:隨身盤[0065]1214:存儲(chǔ)卡1216:固態(tài)硬盤[0066]1310:數(shù)字相機(jī)1312:SD卡[0067]1314:MMC卡1316:存儲(chǔ)棒[0068]1318:CF卡1320:嵌入式儲(chǔ)存裝置[0069]100:存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置102:連接器[0070]104:存儲(chǔ)器控制器106:可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊[0071]2202:存儲(chǔ)單元陣列2204:字線控制電路[0072]2206:位線控制電路2208:行解碼器[0073]2210:數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2212:控制電路[0074]702:存儲(chǔ)單元704:位線[0075]706:字線708:源極線[0076]712:選擇柵漏極晶體管714:選擇柵源極晶體管[0077]VA:第一門坎電壓VB:第二門坎電壓[0078]VC:第三門坎電壓VD:第四門坎電壓[0079]VE:第五門坎電壓VF:第六門坎電壓[0080]VG:第七門坎電壓400(O1~400(N):物理區(qū)塊[0081]202:存儲(chǔ)器管理電路206:存儲(chǔ)器接口[0082]252:緩沖存儲(chǔ)器254:電源管理電路[0083]256:錯(cuò)誤檢查與校正電路DBl:第一檢測偏壓[0084]DB2:第二檢測偏壓[0085]S1601、S1603、S1605、S1607、S1609、S1611:存儲(chǔ)器管理方法的步驟[0086]S1701、S1703、S1705:存儲(chǔ)器管理方法的步驟[0087]S2101、S2103、S2105:存儲(chǔ)器管理方法的步驟[0088]S2201、S2203、S2205:存儲(chǔ)器管理方法的步驟[0089]S2301、S2303、S2305:存儲(chǔ)器管理方法的步驟【具體實(shí)施方式】[0090]在寫入與抹除過程中，閃存元件會(huì)隨著電子多次的注入與移除而造成部分結(jié)構(gòu)磨損，例如穿遂氧化層，導(dǎo)致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。為了能夠使數(shù)據(jù)被正確地儲(chǔ)存，如圖2所示，本發(fā)明范例實(shí)施例所提出的存儲(chǔ)器管理方法包括施予不同的檢測偏壓來讀取物理頁面中的數(shù)據(jù)(S1001);根據(jù)所讀取的數(shù)據(jù)來計(jì)算對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤位數(shù)(S1003);根據(jù)以不同檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤位數(shù)來估計(jì)磨損程度值(S1005);以及根據(jù)此些磨損程度值來操作可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊(S1007)。為了能夠使本發(fā)明能夠更清楚地被理解，以下將以數(shù)個(gè)范例實(shí)施例來作詳細(xì)說明。[0091][第一范例實(shí)施例][0092]—般而言,存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置(亦稱,存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng))包括可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與控制器(亦稱，控制電路)。通常存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置是與主機(jī)系統(tǒng)一起使用，以使主機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置中讀取數(shù)據(jù)。[0093]圖3是根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。[0094]請(qǐng)參照?qǐng)D3,主機(jī)系統(tǒng)1000—般包括計(jì)算機(jī)1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。計(jì)算機(jī)1100包括微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖4的鼠標(biāo)1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機(jī)1252。必須了解的是，圖4所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其它裝置。[0095]在本發(fā)明實(shí)施例中，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口1110與主機(jī)系統(tǒng)1000的其它元件電性連接。通過微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器1104與輸入/輸出裝置1106的運(yùn)作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100可以是如圖4所示的隨身盤1256、存儲(chǔ)卡1214或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216等的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。[0096]一般而言，主機(jī)系統(tǒng)1000為可實(shí)質(zhì)地與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100配合以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)1000是以計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來作說明，然而，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中主機(jī)系統(tǒng)1000可以是數(shù)字相機(jī)、攝影機(jī)、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機(jī)系統(tǒng)為數(shù)字相機(jī)(攝影機(jī))1310時(shí)，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、存儲(chǔ)棒(memorystick)1316、CF卡1318或嵌入式儲(chǔ)存裝置1320(如圖5所示)。嵌入式儲(chǔ)存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機(jī)系統(tǒng)的基板上。[0097]圖6是繪示根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖。[0098]請(qǐng)參照?qǐng)D6，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100包括連接器102、存儲(chǔ)器控制器104與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106。[0099]在本范例實(shí)施例中，連接器102是兼容于通用序列總線(UniversalSerialBus1USB)標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接器102亦可以是符合并列先進(jìn)附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)標(biāo)準(zhǔn)、電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394標(biāo)準(zhǔn)、高速外圍零件連接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)標(biāo)準(zhǔn)、安全數(shù)字(SecureDigital,SD)接口標(biāo)準(zhǔn)、序列先進(jìn)附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)標(biāo)準(zhǔn)、超高速一代(UltraHighSpeed-1,UHS-1)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速二代(UltraHighSpeed-1I,UHS-1I)接口標(biāo)準(zhǔn)、存儲(chǔ)棒(MemoryStick,MS)接口標(biāo)準(zhǔn)、多媒體儲(chǔ)存卡(MultiMediaCard,MMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多媒體儲(chǔ)存卡(EmbeddedMultimediaCard,eMMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、通用快閃存儲(chǔ)器(UniversalFlashStorage,UFS)接口標(biāo)準(zhǔn)、小型快閃(CompactFlash,CF)接口標(biāo)準(zhǔn)、集成式驅(qū)動(dòng)電子接口(IntegratedDeviceElectronics,IDE)標(biāo)準(zhǔn)或其它適合的標(biāo)準(zhǔn)。[0100]存儲(chǔ)器控制器104用以執(zhí)行以硬件型式或固件型式實(shí)作的多個(gè)邏輯門或控制指令，并且根據(jù)主機(jī)系統(tǒng)1000的指令在可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0101]可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106是電性連接至存儲(chǔ)器控制器104，并且用以儲(chǔ)存主機(jī)系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)。在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106為多階存儲(chǔ)單元(MultiLevelCell,MLC)NAND型閃存模塊(S卩，一個(gè)存儲(chǔ)單元中可儲(chǔ)存2個(gè)位數(shù)據(jù)的閃存模塊)。然而，本發(fā)明不限于此，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106亦可是單階存儲(chǔ)單元(SingleLevelCell,SLC)NAND型閃存模塊(即，一個(gè)存儲(chǔ)單元中可儲(chǔ)存I個(gè)位數(shù)據(jù)的閃存模塊)、多階存儲(chǔ)單元(TrinaryLevelCell,TLC)NAND型閃存模塊(即，一個(gè)存儲(chǔ)單元中可儲(chǔ)存3個(gè)位數(shù)據(jù)的閃存模塊)、其它閃存模塊或其它具有相同特性的存儲(chǔ)器模塊。[0102]圖7是根據(jù)第一范例實(shí)施例所繪示的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的概要方塊圖。[0103]請(qǐng)參照?qǐng)D7，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106包括存儲(chǔ)單元陣列2202、字線控制電路2204、位線控制電路2206、行解碼器(columndecoder)2208、數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210與控制電路2212。[0104]存儲(chǔ)單元陣列2202包括用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)單元702、多個(gè)選擇柵漏極(selectgatedrain,SGD)晶體管712與多個(gè)選擇柵源極(selectgatesource,SGS)晶體管714、以及連接此些存儲(chǔ)單元的多條位線704、多條字線706、與共享源極線708(如圖8所示)。存儲(chǔ)單元702是以陣列方式配置在位線704與字線706的交叉點(diǎn)上。當(dāng)從存儲(chǔ)器控制器104接收到寫入指令或讀取數(shù)據(jù)時(shí)，控制電路2212會(huì)控制字線控制電路2204、位線控制電路2206、行解碼器2208、數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210來寫入數(shù)據(jù)至存儲(chǔ)單元陣列2202或從存儲(chǔ)單元陣列2202中讀取數(shù)據(jù)，其中字線控制電路2204用以控制施予至字線706的偏壓，位線控制電路2206用以控制施予至位線704的偏壓，行解碼器2208依據(jù)指令中的解碼列地址以選擇對(duì)應(yīng)的位線，并且數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2210用以暫存數(shù)據(jù)。[0105]在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106為MLCNAND型閃存模塊，其使用多種柵極電壓來代表多位(bits)的數(shù)據(jù)。具體來說，存儲(chǔ)單元陣列2202的每一存儲(chǔ)單元具有多個(gè)狀態(tài)，并且此些狀態(tài)是以多個(gè)門坎偏壓來區(qū)分。[0106]圖9是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元陣列中的寫入數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的柵極電壓的統(tǒng)計(jì)分配圖。[0107]請(qǐng)參照?qǐng)D9，以MLCNAND型閃存為例，每一存儲(chǔ)單元中的柵極電壓可依據(jù)第一門坎偏壓VA、第二門坎偏壓VB與第三門坎偏壓VC而區(qū)分為4種儲(chǔ)存狀態(tài)，并且此些儲(chǔ)存狀態(tài)分別地代表“11”、“10”、“00”與“01”。換言之，每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)包括最低有效位(LeastSignificantBit,LSB)以及最高有效位(MostSignificantBit,MSB)。在本范例實(shí)施例中，儲(chǔ)存狀態(tài)(即，“11”、“10”、“00”與“01”)中從左側(cè)算起的第I個(gè)位的值為LSB，而從左側(cè)算起的第2個(gè)位的值為MSB。因此，在第一范例實(shí)施例中，每一存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存2個(gè)位數(shù)據(jù)。必須了解的是，圖8所繪示的柵極電壓及其儲(chǔ)存狀態(tài)的對(duì)應(yīng)僅為一個(gè)范例。在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，柵極電壓與儲(chǔ)存狀態(tài)的對(duì)應(yīng)亦可是隨著柵極電壓越大而以“11”、“10”、“01”與“00”排列?；蛘撸瑬艠O電壓所對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存狀態(tài)亦可為對(duì)實(shí)際儲(chǔ)存值進(jìn)行映射或反相后的值，此外，在另一范例時(shí)實(shí)例中，亦可定義從左側(cè)算起的第I個(gè)位的值為MSB，而從左側(cè)算起的第2個(gè)位的值為LSB。[0108]在本范例實(shí)施例中，每一存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存2個(gè)位數(shù)據(jù)，因此同一條字線上的存儲(chǔ)單元會(huì)構(gòu)成2個(gè)物理頁面(即，下物理頁面與上物理頁面)的儲(chǔ)存空間。也就是說，每一存儲(chǔ)單元的LSB是對(duì)應(yīng)下物理頁面,并且每一存儲(chǔ)單元的MSB是對(duì)應(yīng)上物理頁面。此外,在存儲(chǔ)單元陣列2202中數(shù)個(gè)物理頁面會(huì)構(gòu)成一個(gè)物理區(qū)塊，并且物理區(qū)塊為執(zhí)行抹除運(yùn)作的最小單位。亦即，每一物理區(qū)塊含有最小數(shù)目的一并被抹除的存儲(chǔ)單元。[0109]存儲(chǔ)單元陣列2202的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)寫入(或稱為編程)是利用施予一特定端點(diǎn)的電壓，例如是控制柵極電壓來改變柵極中的一電荷捕捉層的電子量，因而改變了存儲(chǔ)單元的通道的導(dǎo)通狀態(tài)，以呈現(xiàn)不同的儲(chǔ)存狀態(tài)。例如，當(dāng)下頁面數(shù)據(jù)為I且上頁面數(shù)據(jù)為I時(shí)，控制電路2212會(huì)控制字線控制電路2204不改變存儲(chǔ)單元中的柵極電壓，而將存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)保持為“11”。當(dāng)下頁面數(shù)據(jù)為I且上頁面數(shù)據(jù)為O時(shí)，字線控制電路2204會(huì)在控制電路2212的控制下改變存儲(chǔ)單元中的柵極電壓，而將存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)改變?yōu)椤?0”。當(dāng)下頁面數(shù)據(jù)為O且上頁面數(shù)據(jù)為O時(shí)，字線控制電路2204會(huì)在控制電路2212的控制下改變存儲(chǔ)單元中的柵極電壓，而將存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)改變?yōu)椤?0”。并且，當(dāng)下頁面數(shù)據(jù)為O且上頁面數(shù)據(jù)為I時(shí)，字線控制電路2204會(huì)在控制電路2212的控制下改變存儲(chǔ)單元中的柵極電壓，而將存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)改變?yōu)椤?1”。[0110]圖10是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的編程存儲(chǔ)單元的示意圖。[0111]請(qǐng)參照?qǐng)D10，在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元的編程是通過脈沖寫入/驗(yàn)證臨界偏壓方法來完成。具體來說，欲將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)單元時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104會(huì)設(shè)定初始寫入偏壓以及寫入偏壓脈沖時(shí)間，并且指示可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的控制電路2212使用所設(shè)定的初始寫入偏壓以及寫入偏壓脈沖時(shí)間來編程存儲(chǔ)單元，以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入。之后，存儲(chǔ)器控制器104會(huì)使用驗(yàn)證偏壓來對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行驗(yàn)證，以判斷存儲(chǔ)單元是否已處于正確的儲(chǔ)存狀態(tài)。倘若存儲(chǔ)單元未被編程至正確的儲(chǔ)存狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104指示控制電路2212以目前施予的寫入偏壓加上一增量階躍脈沖程序(Incremental-step-pulseprogramming,ISPP)調(diào)整值作為新的寫入偏壓(亦稱為重復(fù)寫入偏壓)并且依據(jù)新的寫入偏壓與寫入偏壓脈沖時(shí)間再次來編程存儲(chǔ)單元。反之，倘若存儲(chǔ)單元已被編程至正確的儲(chǔ)存狀態(tài)時(shí)，則表示數(shù)據(jù)已被正確地寫入至存儲(chǔ)單元。例如，初始寫入偏壓會(huì)被設(shè)定為16伏特(Voltage，V)，寫入偏壓脈沖時(shí)間會(huì)被設(shè)定為18微秒(microseconds,μs)并且增量階躍脈沖程序調(diào)整值被設(shè)定為0.6V，但本發(fā)明不限于此。[0112]圖11是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的從存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)的示意圖。[0113]請(qǐng)參照?qǐng)D11，存儲(chǔ)單元陣列2202的存儲(chǔ)單元的讀取運(yùn)作是通過施予讀取偏壓于控制門(controlgate)，通過存儲(chǔ)單元的通道(存儲(chǔ)單元用以電連接位線與源極線的路徑，例如是存儲(chǔ)單元源極至漏極間的路徑)的導(dǎo)通狀態(tài)，來識(shí)別存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。在讀取下頁數(shù)據(jù)的運(yùn)作中，字線控制電路2204會(huì)使用第二門坎偏壓VB作為讀取偏壓來施予至存儲(chǔ)單元并且依據(jù)存儲(chǔ)單元的通道是否導(dǎo)通和對(duì)應(yīng)的表達(dá)式(I)來判斷下頁數(shù)據(jù)的值:[0114]LSB=(VB)Lower_prel(I)[0115]其中(VB)Lower_preI表示通過施予第二門坎偏壓VB而獲得的第I下頁驗(yàn)證值。[0116]例如，當(dāng)?shù)诙T坎偏壓VB小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第I下頁驗(yàn)證值，由此LSB會(huì)被識(shí)別處于第一狀態(tài)為O。例如，當(dāng)?shù)诙T坎偏壓VB大于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元的通道會(huì)導(dǎo)通并輸出值’I’的第I下頁驗(yàn)證值，由此，此LSB會(huì)被識(shí)別處于第二狀態(tài)。在此，第一狀態(tài)被識(shí)別為’O’并且第二狀態(tài)被識(shí)別為’I’。也就是說，用以呈現(xiàn)LSB為I的柵極電壓與用以呈現(xiàn)LSB為O的柵極電壓可通過第二門坎偏壓VB而被區(qū)分。[0117]在讀取上頁數(shù)據(jù)的運(yùn)作中，字線控制電路2204會(huì)分別地使用第三門坎偏壓VC與第一門坎偏壓VA作為讀取偏壓來施予至存儲(chǔ)單元并且依據(jù)存儲(chǔ)單元的通道是否導(dǎo)通和對(duì)應(yīng)的表達(dá)式(2)來判斷上頁數(shù)據(jù)的值:[0118]MSB=((VA)Upper_pre2)xorC(VC)Upper_prel)(2)[0119]其中(VC)Upper_prel表示通過施予第三門坎偏壓VC而獲得的第I上頁驗(yàn)證值，并且(VA)Upper_pre2表示通過施予第一門坎偏壓VA而獲得的第2上頁驗(yàn)證值，其中符號(hào)”、代表反相。此外，在本范例實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谌T坎偏壓VC小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第I上頁驗(yàn)證值((VC)Upper_prel)，當(dāng)?shù)谝婚T坎偏壓VA小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第2上頁驗(yàn)證值((VA)Upper_pre2)。[0120]因此，在本范例實(shí)施例中，依照表達(dá)式⑵，當(dāng)?shù)谌T坎偏壓VC與第一門坎偏壓VA皆小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，在施予第三門坎偏壓VC下存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第I上頁驗(yàn)證值并且在施予第一門坎偏壓VA下存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第2上頁驗(yàn)證值。此時(shí)，MSB會(huì)被識(shí)別為處于第二狀態(tài)，S卩，’I’。[0121]例如，當(dāng)?shù)谌T坎偏壓VC大于存儲(chǔ)單元的柵極電壓且第一門坎偏壓VA小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓小于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，在施予第三門坎偏壓VC下存儲(chǔ)單元的通道會(huì)導(dǎo)通并輸出值’I’的第I上頁驗(yàn)證值，并且在施予第一門坎偏壓VA下存儲(chǔ)單元的通道不會(huì)導(dǎo)通并輸出值’O’的第2上頁驗(yàn)證值。此時(shí)，MSB會(huì)被識(shí)別為處于第一狀態(tài)，S卩，’O’。[0122]例如，當(dāng)?shù)谌T坎偏壓VC與第一門坎偏壓VA皆大于存儲(chǔ)單元的柵極電壓時(shí)，在施予第三門坎偏壓VC下，存儲(chǔ)單元的通道會(huì)導(dǎo)通并輸出值’I’的第I上頁驗(yàn)證值，并且在施予第一門坎偏壓VA下存儲(chǔ)單元的通道會(huì)導(dǎo)通并輸出值’I’的第2上頁驗(yàn)證值。此時(shí)，MSB會(huì)被識(shí)別為處于第二狀態(tài)，即，’I’。[0123]必須了解的是，盡管本發(fā)明是以MLCNAND型閃存來作說明。然而，本發(fā)明不限于此，其它多層存儲(chǔ)單元NAND型閃存亦可依據(jù)上述原理進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。[0124]例如，以TLCNAND型閃存為例(如圖12所示)，每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)包括左側(cè)算起的第I個(gè)位的最低有效位LSB、從左側(cè)算起的第2個(gè)位的中間有效位(CenterSignificantBit，CSB)以及從左側(cè)算起的第3個(gè)位的最高有效位MSB，其中LSB對(duì)應(yīng)下頁面，CSB對(duì)應(yīng)中頁面，MSB對(duì)應(yīng)上頁面。在此范例中，每一存儲(chǔ)單元中的柵極電壓可依據(jù)第一門坎偏壓VA、第二門坎偏壓VB、第三門坎偏壓VC、第四門坎偏壓VD、第五門坎偏壓VE、第六門坎偏壓VF與第七門坎偏壓VG而區(qū)分為8種儲(chǔ)存狀態(tài)(即，“111”、“110”、“100”、“101”、“001”、“000”、“010”與“011”)。再例如，以SLCNAND型閃存為例(未繪示)，每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)僅能儲(chǔ)存一個(gè)位數(shù)據(jù)，因此，每一存儲(chǔ)單元中的柵極電壓可依據(jù)一個(gè)門坎偏壓來識(shí)別存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)(即，[0125]圖13是根據(jù)本發(fā)明范例實(shí)施例所繪示的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的示意圖。[0126]請(qǐng)參照?qǐng)D13，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)以物理頁面為單位來對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的存儲(chǔ)單元702進(jìn)行寫入運(yùn)作并且以物理區(qū)塊為單位來對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的存儲(chǔ)單元702進(jìn)行抹除運(yùn)作。具體來說，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的存儲(chǔ)單元702會(huì)構(gòu)成多個(gè)物理頁面，并且此些物理頁面會(huì)構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊400(0）-400(N)。物理區(qū)塊為抹除的最小單位。亦即，每一物理區(qū)塊含有最小數(shù)目的一并被抹除的存儲(chǔ)單元。物理頁面為編程的最小單元。即，一個(gè)物理頁面為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。每一物理頁面通常包括數(shù)據(jù)位區(qū)與冗余位區(qū)。數(shù)據(jù)位區(qū)包含多個(gè)物理存取地址用以儲(chǔ)存使用者的數(shù)據(jù)，而冗余位區(qū)用以儲(chǔ)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，控制信息與錯(cuò)誤更正碼)。在本范例實(shí)施例中，位于同一條字線上的存儲(chǔ)單元的LSB會(huì)構(gòu)成一個(gè)下物理頁面；位于同一條字線上的存儲(chǔ)單元的CSB會(huì)構(gòu)成一個(gè)中物理頁面；并且位于同一條字線上的存儲(chǔ)單元的MSB會(huì)構(gòu)成一個(gè)上物理頁面。[0127]圖14是根據(jù)一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖。必須了解的是，圖14所示的存儲(chǔ)器控制器的結(jié)構(gòu)僅為一范例，本發(fā)明不以此為限。[0128]請(qǐng)參照?qǐng)D14，存儲(chǔ)器控制器104包括存儲(chǔ)器管理電路202、主機(jī)接口204與存儲(chǔ)器接口206。[0129]存儲(chǔ)器管理電路202用以控制存儲(chǔ)器控制器104的整體運(yùn)作。具體來說，存儲(chǔ)器管理電路202具有多個(gè)控制指令，并且在存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)被執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0130]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令是以固件型式來實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路202具有微處理器單元(未繪示)與只讀存儲(chǔ)器(未繪示)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲(chǔ)器中。當(dāng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)由微處理器單元來執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0131]在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令亦可以程序碼型式儲(chǔ)存于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的特定區(qū)域(例如，存儲(chǔ)器模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲(chǔ)器管理電路202具有微處理器單元(未繪示)、只讀存儲(chǔ)器(未繪示)及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(未繪示)。特別是，此只讀存儲(chǔ)器具有驅(qū)動(dòng)碼，并且當(dāng)存儲(chǔ)器控制器104被致能時(shí)，微處理器單元會(huì)先執(zhí)行此驅(qū)動(dòng)碼段來將儲(chǔ)存于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中的控制指令加載至存儲(chǔ)器管理電路202的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。之后，微處理器單元會(huì)運(yùn)轉(zhuǎn)此些控制指令以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0132]此外，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令亦可以一硬件型式來實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路202包括微控制器、存儲(chǔ)單元管理電路、存儲(chǔ)器寫入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲(chǔ)單元管理電路、存儲(chǔ)器寫入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲(chǔ)單元管理電路用以管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的物理區(qū)塊；存儲(chǔ)器寫入電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106下達(dá)寫入指令以將數(shù)據(jù)寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中；存儲(chǔ)器讀取電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106下達(dá)讀取指令以從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中讀取數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器抹除電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106下達(dá)抹除指令以將數(shù)據(jù)從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中抹除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的數(shù)據(jù)以及從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中讀取的數(shù)據(jù)。[0133]主機(jī)接口204是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)通過主機(jī)接口204來傳送至存儲(chǔ)器管理電路202。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口204是兼容于USB標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口204亦可以是兼容于PATA標(biāo)準(zhǔn)、IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)、PCIExpress標(biāo)準(zhǔn)、SD標(biāo)準(zhǔn)、SATA標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1接口標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1I接口標(biāo)準(zhǔn)、MS標(biāo)準(zhǔn)、MMC標(biāo)準(zhǔn)、eMMC接口標(biāo)準(zhǔn)、UFS接口標(biāo)準(zhǔn)、CF標(biāo)準(zhǔn)、IDE標(biāo)準(zhǔn)或其它適合的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)。[0134]存儲(chǔ)器接口206是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以存取可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106。也就是說，欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的數(shù)據(jù)會(huì)經(jīng)由存儲(chǔ)器接口206轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106所能接受的格式。[0135]在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104還包括緩沖存儲(chǔ)器252、電源管理電路254以及錯(cuò)誤檢查與校正電路256。[0136]緩沖存儲(chǔ)器252是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以暫存來自于主機(jī)系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的數(shù)據(jù)。[0137]電源管理電路254是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以控制存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100的電源。[0138]錯(cuò)誤檢查與校正電路256是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。在本范例實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路202從主機(jī)系統(tǒng)1000中接收到寫入指令時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)為對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode),并且存儲(chǔ)器管理電路202會(huì)將對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中。之后，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路202從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中讀取數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)同時(shí)讀取此數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼，并且錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)依據(jù)此錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序。具體來說，錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)被設(shè)計(jì)能夠校正一數(shù)目的錯(cuò)誤位(以下稱為最大可校正錯(cuò)誤位數(shù))。例如，最大可校正錯(cuò)誤位數(shù)為24。倘若發(fā)生在所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤位的數(shù)目非大于24個(gè)時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路256就能夠依據(jù)錯(cuò)誤校正碼將錯(cuò)誤位校正回正確的值。反之，錯(cuò)誤檢查與校正電路256就會(huì)回報(bào)錯(cuò)誤校正失敗且存儲(chǔ)器管理電路202會(huì)將指示數(shù)據(jù)已遺失的消息傳送給主機(jī)系統(tǒng)1000。[0139]在本范例實(shí)施例中，在對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106執(zhí)行寫入運(yùn)作(即，如圖10所示的編程)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)更會(huì)施予檢測偏壓至所寫入的物理頁面，由此計(jì)算此物理頁面的磨損程度值。具體來說，在以驗(yàn)證偏壓確認(rèn)完成編程后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)施予第一檢測偏壓至此物理頁面來讀取數(shù)據(jù)以計(jì)算以此第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤位數(shù)(以下稱為第一錯(cuò)誤位數(shù))，施予第二檢測偏壓至此物理頁面來讀取數(shù)據(jù)以計(jì)算以此第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤位數(shù)(以下稱為第二錯(cuò)誤位數(shù))，并且計(jì)算第一錯(cuò)誤位數(shù)與第二錯(cuò)誤位數(shù)的差作為對(duì)應(yīng)此物理頁面的磨損程度值。在此，第一檢測偏壓為小于對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的其中一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)(以下稱為第二儲(chǔ)存狀態(tài))的驗(yàn)證偏壓，第二檢測偏壓大于第二儲(chǔ)存狀態(tài)的前一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)(以下稱為第一儲(chǔ)存狀態(tài))的驗(yàn)證電壓，并且第一檢測偏壓大于第二檢測偏壓。特別是，在一范例實(shí)施例中，第二檢測偏壓會(huì)被設(shè)定為大于第二儲(chǔ)存狀態(tài)的前一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)(以下稱為第一儲(chǔ)存狀態(tài))的驗(yàn)證電壓和增量階躍脈沖程序調(diào)整值的總和，由此可更利于計(jì)算錯(cuò)誤位數(shù)。[0140]圖15是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示施予檢測偏壓的示意圖。[0141]請(qǐng)參照?qǐng)D15，以MLCNAND型閃存為例，存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存狀態(tài)區(qū)分為儲(chǔ)存狀態(tài)“11”、儲(chǔ)存狀態(tài)“10”、儲(chǔ)存狀態(tài)“00”與儲(chǔ)存狀態(tài)“OI”。例如，在將數(shù)據(jù)寫入至物理頁面后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)施予第一檢測偏壓DBl至此物理頁面來讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算應(yīng)為儲(chǔ)存狀態(tài)“10”但被識(shí)別為儲(chǔ)存狀態(tài)“00”的存儲(chǔ)單元的錯(cuò)誤位數(shù)(即，第一錯(cuò)誤位數(shù))。之后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)施予第二檢測偏壓DB2至此物理頁面來讀取數(shù)據(jù)并且計(jì)算應(yīng)為儲(chǔ)存狀態(tài)“10”但被識(shí)別為儲(chǔ)存狀態(tài)“00”的存儲(chǔ)單元的錯(cuò)誤位數(shù)(即，第二錯(cuò)誤位數(shù))。然后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)計(jì)算在此物理頁面中第一錯(cuò)誤位數(shù)和第二錯(cuò)誤位數(shù)之間的差作為此物理頁面的磨損程度值。特別是，當(dāng)此物理頁面被多次使用而磨損(如圖15的虛線所示)時(shí)，其存儲(chǔ)單元的錯(cuò)誤位數(shù)會(huì)增加，因此，第一錯(cuò)誤位數(shù)和第二錯(cuò)誤位數(shù)之間的差會(huì)隨之增加，由此可識(shí)別物理頁面的磨損程度值。也就是說，在本范例實(shí)施中，在編程后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)比對(duì)原始寫入數(shù)據(jù)與讀出數(shù)據(jù)來取得錯(cuò)誤位數(shù)。必須了解的是，上述計(jì)算方式僅為計(jì)算磨損程度值的一個(gè)范例，本發(fā)明不限于此。在另一范例實(shí)施例中，亦可使用一公式來計(jì)算，例如，以第二錯(cuò)誤位數(shù)除以第一錯(cuò)誤位數(shù)作為上述磨損程度值；或者以第二錯(cuò)誤位數(shù)除以第一錯(cuò)誤位數(shù)后再取對(duì)數(shù)(log)作為上述磨損程度值；或者以第二錯(cuò)誤位數(shù)除以第一錯(cuò)誤位數(shù)后再取自然對(duì)數(shù)(In)作為上述磨損程度值。此外，必須了解的是，在此，是以儲(chǔ)存狀態(tài)“10”與儲(chǔ)存狀態(tài)“00”分別地作為用以檢測物理頁面的磨損程度值的第一儲(chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)。然而，本發(fā)明不限于此，例如，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，第一儲(chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)亦可分別為儲(chǔ)存狀態(tài)“11”與儲(chǔ)存狀態(tài)“10”?；蛘撸谝粌?chǔ)存狀態(tài)與第二儲(chǔ)存狀態(tài)亦可分別為儲(chǔ)存狀態(tài)“00”與儲(chǔ)存狀態(tài)“01”。[0142]值得一提的是，在本范例實(shí)施例中，如上所述，在編程可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的物理頁面后，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)施予檢測偏壓至所寫入的物理頁面，由此計(jì)算此物理頁面的磨損程度值。然而，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)亦可在編程一個(gè)ECC幀(frame)后就根據(jù)上述方式來計(jì)算存儲(chǔ)單元的磨損程度值。[0143]在本范例實(shí)施例，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)記錄物理頁面的磨損程度值。例如，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)將每個(gè)物理頁面的磨損程度值儲(chǔ)存至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的物理區(qū)塊(例如，屬于用以儲(chǔ)存系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)物理區(qū)塊)中。特別是，在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)根據(jù)物理頁面的磨損程度值來執(zhí)行平均磨損(wear-leveling)運(yùn)作。[0144]圖16是根據(jù)本發(fā)明第一范例實(shí)施例所繪示的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0145]請(qǐng)參照?qǐng)D16，在步驟S1601中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)讀取對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的先前磨損程度值。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100被執(zhí)行開卡程序時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)將此先前磨損程度值設(shè)定為O。[0146]在步驟S1603中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)加總物理頁面的磨損程度值，以作為對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的目前磨損程度值。[0147]在步驟S1605中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)依據(jù)每一物理頁面的磨損程度值來計(jì)算每一物理區(qū)塊的磨損程度值。例如，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)計(jì)算一個(gè)物理區(qū)塊內(nèi)所有物理頁面的平均磨損程度值來作為此物理區(qū)塊的磨損程度值。[0148]在步驟S1607中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)判斷對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的目前磨損程度值與對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的先前磨損程度值之間的差值是否大于磨損門坎值。例如，此磨損門坎值被設(shè)定為1000，但本發(fā)明不以此為限。[0149]倘若對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的目前磨損程度值與對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的先前磨損程度值之間的差值大于此磨損門坎值時(shí)，在步驟S1609中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中已寫入數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中選擇具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊(以下稱為第一物理區(qū)塊)，從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106中未寫入數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中選擇具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊(以下稱為第二物理區(qū)塊)，將儲(chǔ)存在第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至第一物理區(qū)塊的物理頁面的邏輯地址重新映射至第二物理區(qū)塊的物理頁面。[0150]然后，在步驟S1611中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)以對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的目前磨損程度值來修改對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的先前磨損程度值(即，將先前磨損程度值設(shè)定成目前磨損程度值)。[0151]倘若對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的目前磨損程度值與對(duì)應(yīng)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊106的先前磨損程度值之間的差值非大于該磨損門坎值時(shí)，則圖16所示的流程會(huì)被中止。[0152][第二范例實(shí)施例][0153]第二范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的結(jié)構(gòu)與第一范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置是類似，其不同之處在于第二范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器(或存儲(chǔ)器管理電路)會(huì)根據(jù)物理頁面的磨損程度值來調(diào)整編程時(shí)所使用的初始寫入偏壓。以下將使用第一范例實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)來說明第二范例實(shí)施例的差異之處。[0154]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)根據(jù)每個(gè)物理頁面的磨損程度來調(diào)整編程時(shí)所使用的初始寫入偏壓，用以調(diào)整電荷捕捉層所含的電子量，以避免過度寫入而產(chǎn)生錯(cuò)誤位。具體來說，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)隨著物理頁面的磨損程度值增加，而降低對(duì)應(yīng)此物理頁面的初始寫入偏壓。[0155]例如，當(dāng)欲對(duì)一個(gè)物理頁面進(jìn)行編程時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)判斷此物理頁面的磨損程度值是否小于第一門坎值。倘若此物理頁面的磨損程度值是否小于此第一門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)使用第一寫入偏壓作為初始寫入偏壓。倘若此物理頁面的磨損程度值非小于第一門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)判斷此物理頁面的磨損程度值是否小于第二門坎值。并且，倘若此物理頁面的磨損程度值小于第二門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)使用第二寫入偏壓作為初始寫入偏壓。倘若此物理頁面的磨損程度值非小于第二門坎值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)使用第三寫入偏壓作為初始寫入偏壓。在此，第二門坎值是大于第一門坎值，第一寫入偏壓大于第二寫入偏壓且第二寫入偏壓大于第三寫入偏壓。例如，第一門坎值為500;第二門坎值為1000;第一寫入偏壓為16V;第二寫入偏壓為14V，并且第三寫入偏壓為12V。也就是說，如表1所示，在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)使用脈沖寫入/驗(yàn)證臨界電壓方法來編程物理頁面時(shí)，所使用的寫入偏壓(即，初始寫入偏壓(VproJ))、第一重復(fù)寫入偏壓(Vpix)_l)、第二重復(fù)寫入偏壓(Vpix)_2)...)會(huì)根據(jù)物理頁面的磨損程度值(WD)而有所不同。[0156]【權(quán)利要求】1.一種存儲(chǔ)器管理方法，用于一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，該多個(gè)物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)至少包括一第一儲(chǔ)存狀態(tài)與一第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該存儲(chǔ)器管理方法包括:記錄每一該多個(gè)物理頁面的一磨損程度值；以及根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中記錄每一該多個(gè)物理頁面的磨損程度值的步驟包括:編程該些物理頁面之中的一第一物理頁面，以寫入一數(shù)據(jù)至該第一物理頁面；施予一第一檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第一錯(cuò)誤位數(shù)；施予一第二檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第二錯(cuò)誤位數(shù)；以及依據(jù)該第一錯(cuò)誤位數(shù)與該第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的磨損程度值，其中該第一檢測偏壓大于該第二檢測偏壓，該第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)該第二儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓，并且該第二檢測偏壓大于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，還包括:根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一該多個(gè)物理區(qū)塊的磨損程度值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器管理方法，其中上述根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失`性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:加總該多個(gè)物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一目前磨損程度值；判斷該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一先前磨損程度值之間的差值是否大于一磨損門坎值；以及倘若該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于該磨損門坎值時(shí)，從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第一物理區(qū)塊，從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在該第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至該第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至該第一物理區(qū)塊的該多個(gè)物理頁面的邏輯地址重新映射至該第二物理區(qū)塊的該多個(gè)物理頁面，其中該第一物理區(qū)塊為該多個(gè)物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且該第二物理區(qū)塊為該多個(gè)物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其中上述根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值，調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的一初始寫入偏壓與一寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一；以及使用對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間編程屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至該第一物理頁面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器管理方法，其中上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的步驟包括:隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器管理方法，其中上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的步驟包括:隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述寫入偏壓脈沖時(shí)間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其中上述根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的步驟包括:隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。8.一種存儲(chǔ)器控制器，用于控制一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，該多個(gè)物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)至少包括一第一儲(chǔ)存狀態(tài)與一第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該存儲(chǔ)器控制器包括:一主機(jī)接口，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；一存儲(chǔ)器接口，用以電性連接至所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊；以及一存儲(chǔ)器管理電路，電性連`接至所述主機(jī)接口與所述存儲(chǔ)器接口，其中所述存儲(chǔ)器管理電路用以記錄每一該多個(gè)物理頁面的一磨損程度值，并且根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中在記錄每一該多個(gè)物理頁面的磨損程度值的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路編程該多個(gè)物理頁面之中的一第一物理頁面以寫入一數(shù)據(jù)至該第一物理頁面，施予一第一檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第一錯(cuò)誤位數(shù)，施予一第二檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第二錯(cuò)誤位數(shù)，并且依據(jù)該第一錯(cuò)誤位數(shù)與該第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的磨損程度值，其中該第一檢測偏壓大于該第二檢測偏壓，該第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)該第二儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓，并且該第二檢測偏壓大于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制器，其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一該多個(gè)物理區(qū)塊的磨損程度值。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)加總該多個(gè)物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一目前磨損程度值，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一先前磨損程度值之間的差值是否大于一磨損門坎值，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，倘若該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于該磨損門坎值時(shí)，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第一物理區(qū)塊，從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在該第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至該第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至該第一物理區(qū)塊的該些物理頁面的邏輯地址重新映射至該第二物理區(qū)塊的該些物理頁面，其中該第一物理區(qū)塊為該些物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且該第二物理區(qū)塊為該些物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制器，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的一初始寫入偏壓與一寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一，并且使用對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間編程屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至該第一物理頁面。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制器，其中在上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制器，其中在上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述寫入偏壓脈沖時(shí)間。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制器，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器管理電路會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓。15.一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，包括:一連接器，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元組成多個(gè)物理頁面，該多個(gè)物理頁面構(gòu)成多個(gè)物理區(qū)塊，每一該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)至少包括一第一儲(chǔ)存狀態(tài)與一第二儲(chǔ)存狀態(tài)；以及一存儲(chǔ)器控制器，電性連接至所述連接器與所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中所述存儲(chǔ)器控制器用以記錄每一該多個(gè)物理頁面的一磨損程度值，并且根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中在記錄每一該多個(gè)物理頁面的磨損程度值的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器編程該多個(gè)物理頁面之中的一第一物理頁面以寫入一數(shù)據(jù)至該第一物理頁面，施予一第一檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第一檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第一錯(cuò)誤位數(shù)，施予一第二檢測偏壓至該第一物理頁面以從該第一物理頁面中讀取該數(shù)據(jù)并且計(jì)算在使用該第二檢測偏壓所讀取的數(shù)據(jù)中的一第二錯(cuò)誤位數(shù)，并且依據(jù)該第一錯(cuò)誤位數(shù)與該第二錯(cuò)誤位數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的磨損程度值，其中該第一檢測偏壓大于該第二檢測偏壓，該第一檢測偏壓小于對(duì)應(yīng)該第二儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓，并且該第二檢測偏壓大于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的一驗(yàn)證偏壓。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中所述存儲(chǔ)器控制器還用以根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值計(jì)算每一該多個(gè)物理區(qū)塊的磨損程度值。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)加總該多個(gè)物理頁面的磨損程度值，以獲得對(duì)應(yīng)該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一目前磨損程度值，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一先前磨損程度值之間的差值是否大于一磨損門坎值，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，倘若該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的目前磨損程度值與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的先前磨損程度值之間的差值大于該磨損門坎值時(shí)，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第一物理區(qū)塊，從該多個(gè)物理區(qū)塊之中選擇一第二物理區(qū)塊，將儲(chǔ)存在該第一物理區(qū)塊中的數(shù)據(jù)搬移至該第二物理區(qū)塊，并且將原先映射至該第一物理區(qū)塊的該多個(gè)物理頁面的邏輯地址重新映射至該第二物理區(qū)塊的該多個(gè)物理頁面，其中該第一物理區(qū)塊為該多個(gè)物理區(qū)塊之中已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最小磨損程度值的物理區(qū)塊并且該第二物理區(qū)塊為該多個(gè)物理區(qū)塊之中未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的物理區(qū)塊之中具有最大磨損程度值的物理區(qū)塊。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的一初始寫入偏壓與一寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一，并且使用對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間編程屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元，以將數(shù)據(jù)寫入至該第一物理頁面。`19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中在上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，降低對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中在上述根據(jù)該第一物理頁面的磨損程度值調(diào)整對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述初始寫入偏壓與所述寫入偏壓脈沖時(shí)間的至少其中之一的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，減少對(duì)應(yīng)該第一物理頁面的所述寫入偏壓脈沖時(shí)間。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其中在根據(jù)該多個(gè)物理頁面的磨損程度值來操作該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的運(yùn)作中，所述存儲(chǔ)器控制器會(huì)隨著該第一物理頁面的磨損程度值增加，增加對(duì)應(yīng)屬于該第一物理頁面的存儲(chǔ)單元的該多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證偏壓?！疚臋n編號(hào)】G06F3/06GK103870399SQ201210551905【公開日】2014年6月18日申請(qǐng)日期:2012年12月18日優(yōu)先權(quán)日:2012年12月18日【發(fā)明者】林緯申請(qǐng)人:群聯(lián)電子股份有限公司