專利名稱：輸入裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使在基材表面形成有透明導(dǎo)電層及電極層的下部基板與上部基板間經(jīng)由粘合層接合而成的輸入裝置。
背景技術(shù)：
在下述專利文獻(xiàn)中公開了使在基材表面形成有透明導(dǎo)電層及電極層的下部基板與上部基板間經(jīng)由粘合層(各文獻(xiàn)中記載為絕緣片或密封件、或者粘結(jié)劑等)接合而成的輸入裝置。所述電極層與形成在輸入?yún)^(qū)域的透明導(dǎo)電層電連接且在非輸入?yún)^(qū)域內(nèi)被引繞。例如，如圖10 (表示現(xiàn)有技術(shù)的下部基板附近的局部縱向剖視圖)所示，下部基板5具備在基材表面上形成有ITO等的透明導(dǎo)電層的下部基材9 ;設(shè)于下部基材9的表面的電極層I、2 ;從電極層1、2的表面形成至向電極層1、2的周圍擴(kuò)展的下部基材9的表面上的絕緣層4。 并且，如圖10所示，將下部基板5與上部基板7 (上部基板側(cè)的具體性的結(jié)構(gòu)省略)之間經(jīng)由粘合層8來接合，從而完成輸入裝置。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2004-234268號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-196030號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2009-129225號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開2009-266025號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :日本特開平8-241160號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 :日本特開平11-95925號(hào)公報(bào)但是，如圖10所示那樣，在各電極層I、2與向電極層I、2的周圍擴(kuò)展的下部基材9之間形成有臺(tái)階，故絕緣層4從各電極層1、2的表面形成為下部基材9的表面上，此時(shí)，絕緣層4的表面呈凹凸形狀，如圖10所示，存在在絕緣層4與粘合層8之間形成有空間10、11的問題?？臻g10成為從下部基板5與上部基板7間的輸入?yún)^(qū)域向外部連通的通氣孔，由此，存在下部基板與上部基板間的密閉性降低的問題。另外，由于絕緣層4與粘合層8之間的接合面積的降低，絕緣層4與粘合層8間的密接力的降低成為了問題。在專利文獻(xiàn)I等記載的發(fā)明中，公開了在位于電極層的外側(cè)的上下基板間介入密封件的結(jié)構(gòu)，但若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則在密封件與電極層之間容易產(chǎn)生間隙。另外，在電極層的外側(cè)的上下基板間由一層的密封件來接合的結(jié)構(gòu)中，可考慮到，密封件的膜厚管理變難，且難以通過一層的密封件對(duì)位于電極層的外側(cè)的上下基板間進(jìn)行穩(wěn)定地密閉。另外，在專利文獻(xiàn)I中，由于介入下部基板側(cè)的電極層與上部基板側(cè)的電極層之間的為一層的粘合層，故可考慮到無法充分地確保位于上下的電極層間的電絕緣性。另外，在專利文獻(xiàn)6所記載的發(fā)明中，公開了在設(shè)于透明導(dǎo)電層上的母線間形成絕緣層(專利文獻(xiàn)6的圖I的符號(hào)12)的結(jié)構(gòu)。該絕緣層是作為牛頓環(huán)對(duì)策而設(shè)置的。通過這樣在母線間設(shè)置絕緣層，能夠減小母線間的臺(tái)階。但是，將母線間沒有間隙地通過絕緣層來填埋比較困難，母線間與絕緣層之間空有稍許的間隙、或者絕緣層的一部分與母線表面重疊，從而由于在印刷形成絕緣層之際產(chǎn)生的鞍形現(xiàn)象等導(dǎo)致從絕緣層的表面至母線的表面上使凹凸變大。因而，僅僅通過在母線間來形成絕緣層是無法獲得充分的平坦性的，從而無法有效地解決上述的現(xiàn)有技術(shù)課題。

發(fā)明內(nèi)容
對(duì)此，本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的課題而作出的，其目的在于，提供尤其能夠使下部基板與上部基板間的密閉性及密接性與現(xiàn)有技術(shù)相比得到有效地提高的輸入裝置及其制造方法。本發(fā)明提供一種輸入裝置，一對(duì)基板沿著高度方向?qū)χ门渲?，各基板具有在表面形成有透明?dǎo)電層的基材和在所述基材的表面中形成于輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域的電極層，且各基板間經(jīng)由粘合層而接合，其特征在于，在至少一方的所述基板的非輸入?yún)^(qū)域中，在所述電極層與所述基材之間的臺(tái)階上·形成有第一絕緣層，從所述第一絕緣層的表面至所述電極層的表面上形成有第二絕緣層，且在所述第二絕緣層的表面?zhèn)仍O(shè)有所述粘合層。另外，本發(fā)明提供一種輸入裝置的制造方法，該輸入裝置中，一對(duì)基板沿著高度方向?qū)χ门渲?，各基板具有在表面形成有透明?dǎo)電層的基材和在所述基材的表面中形成于輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域的電極層，且各基板間經(jīng)由粘合層而接合，其特征在于，包括在作為至少一方的所述基板的非輸入?yún)^(qū)域中的、所述電極層與所述基材之間的臺(tái)階上形成第一絕緣層的工序；從所述第一絕緣層的表面至所述電極層的表面形成第二絕緣層的工序；使所述粘合層介入一對(duì)所述基板之間，此時(shí)，形成使所述第二絕緣層的表面?zhèn)瘸蛩稣澈蠈拥臓顟B(tài)，并使一對(duì)所述基板間通過所述粘合層來接合的工序。這樣，通過第一絕緣層來填埋電極層與基材間的臺(tái)階，并且從第一絕緣層的表面至電極層的表面上形成第二絕緣層，由此能夠使第二絕緣層的表面的平坦性提高。因而，在使第二絕緣層朝向粘合層側(cè)的狀態(tài)下，通過各基板間經(jīng)由粘合層來接合，能夠使粘合層與第二絕緣層之間在整個(gè)區(qū)域內(nèi)適當(dāng)?shù)孛芙樱硗?，能夠使粘合層與第二絕緣層間的接合面積寬廣。因而，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠使各基板間的密閉性及密接性有效地提聞。在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，一對(duì)所述基板的雙方為具備所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的結(jié)構(gòu)，且設(shè)于一方的所述基板的所述第二絕緣層和設(shè)于另一方的所述基板的所述第二絕緣層之間經(jīng)由所述粘合層而接合。由此，能夠更加有效地使各基板間的密閉性及密接性提聞。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，在所述非輸入?yún)^(qū)域中，在同一基材的表面上空開間隔地對(duì)置配置有多個(gè)所述電極層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述間隔內(nèi)，且所述第二絕緣層從多個(gè)所述電極層的表面設(shè)置至位于所述電極層間的所述第一絕緣層的表面上。由此，能夠抑制在所述電極層間的位置中的第二絕緣層與粘合層之間形成有空間的情況，從而能夠使各基板間的密閉性及密接性有效地提高。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述電極層從所述輸入?yún)^(qū)域的側(cè)部形成至與外部連接端子連接的連接部上，所述第一絕緣層設(shè)置在經(jīng)由所述電極層而與所述輸入?yún)^(qū)域?qū)χ玫乃鲭姌O層的外側(cè)上，所述第二絕緣層從所述電極層的表面形成至位于所述電極層的外側(cè)的所述第一絕緣層的表面上。由此，能夠抑制在電極層的外側(cè)的位置中的第二絕緣層與粘合層之間形成有空間的情況，從而能夠使各基板間的密閉性及密接性有效地提高。另外，通過使第一絕緣層不形成在電極層的內(nèi)側(cè)而形成在外側(cè)，能夠使輸入?yún)^(qū)域形成得較大。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，在所述第一絕緣層與所述電極層之間形成有間隙。當(dāng)?shù)谝唤^緣層的一部分與電極層的表面重疊時(shí)，由于鞍形現(xiàn)象等而使從第一絕緣層的表面至電極層的表面的凹凸形狀變大，因此，通過在第一絕緣 層與電極層之間形成間隙，由此能夠使第二絕緣層的表面的平坦性有效地提高。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述電極層具有與位于所述輸入?yún)^(qū)域的所述透明導(dǎo)電層電連接，且延伸至與外部連接端子連接的連接部的延伸電極層；與所述延伸電極層一體或者分體形成的虛設(shè)電極層，所述第一絕緣層形成在所述延伸電極層與所述基材之間的臺(tái)階上、以及所述虛設(shè)電極層與所述基材之間的臺(tái)階上這雙方，且所述第二絕緣層從所述延伸電極層的表面形成至所述第一絕緣層的表面上及從所述虛設(shè)電極層的表面形成至所述第一絕緣層的表面上。虛設(shè)電極層設(shè)置成使高度與延伸電極層一致，能夠盡可能地將基板間的接合通過平坦面彼此來進(jìn)行。通過形成有虛設(shè)電極層，在形成于虛設(shè)電極層與基材間的臺(tái)階上也形成有第一絕緣層，從所述第一絕緣層的表面至虛設(shè)電極層的表面上形成有第二絕緣層。在本發(fā)明中，除了設(shè)有虛設(shè)電極層的效果以外，能夠使第二絕緣層的表面更加平坦化，從而能夠更加有效地使各基板間的密閉性及密接性提高。在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，通過絲網(wǎng)印刷來形成所述第一絕緣層及所述第二絕緣層。由此，能夠適當(dāng)形成第一絕緣層及第二絕緣層這雙方，從而能夠使第二絕緣層的表面的平坦性有效地提聞。另外，在本發(fā)明中，能夠通過UV硬化樹脂來形成所述第一絕緣層及所述第二絕緣層。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的輸入裝置，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠使上下基板間的密閉性及密接性有效地提聞。


圖1是本實(shí)施方式中的輸入裝置(觸摸面板)的立體圖。圖2是本實(shí)施方式中的輸入裝置的分解立體圖。圖3是表示圖2中的下部電極層及第一絕緣層的放大立體圖。圖4是將圖I所示的輸入裝置沿著A-A線切斷而從箭頭方向觀察時(shí)的局部縱向剖視圖。圖5是將下部基板的一部分放大表不的局部放大俯視圖。圖6是將上部基板的一部分放大表不的局部放大背視圖。圖7是將本實(shí)施方式的輸入裝置沿著圖5的B-B切斷而從箭頭方向觀察時(shí)的局部放大縱向剖視圖。圖8是將圖7的符號(hào)C包圍的區(qū)域放大表示的局部放大縱向剖視圖。圖9是表示實(shí)施例中的電極層、第一絕緣層及第二絕緣層的表面形狀的實(shí)驗(yàn)結(jié)果O圖10是將用于說明現(xiàn)有技術(shù)中的輸入裝置的問題點(diǎn)的下部基板附近放大表示的局部放大縱向剖視圖。
具體實(shí)施例方式圖I是本實(shí)施方式中的輸入裝置(觸摸面板)的立體圖，圖2是本實(shí)施方式中的輸入裝置的分解立體圖，圖3是表示圖2中的下部電極層及第一絕緣層的放大立體圖，圖4是將圖I所示的輸入裝置沿著A-A線切斷而從箭頭方向觀察時(shí)的局部縱向剖視圖，圖5是將下部基板的一部分放大表不的局部放大俯視圖，圖6是將上部基板的一部分放大表不的 局部放大背視圖，圖7是將本實(shí)施方式的輸入裝置沿著圖5的B-B切斷而從箭頭方向觀察時(shí)的局部放大縱向剖視圖，圖8是將圖7的符號(hào)C包圍的區(qū)域放大表示的局部放大縱向剖視圖。圖I所示的輸入裝置20構(gòu)成電阻式的輸入裝置。如圖2所示，輸入裝置20具有下部基板22、上部基板21、表面構(gòu)件60及柔性印制電路基板54。在本實(shí)施方式中，主要采用下部基板22和上部基板21之中的下部基板22來進(jìn)行結(jié)構(gòu)的說明，將構(gòu)成下部基板22的各層(各構(gòu)件)分解來表示，而關(guān)于上部基板21不進(jìn)行分解地示出。如圖2所示，下部基板22具有在透光性基材的表面上形成有ITO等的透明導(dǎo)電層的薄膜狀的下部基材50 ;下部電極層32、33 ;第一絕緣層52及第二絕緣層53。在此，在本實(shí)施方式中，“透光性”或“透明”是指可見光透過率為80%以上的狀態(tài)。進(jìn)而，霧影值在6以下為最佳。如圖2及圖4所示，在下部基板22的下表面?zhèn)仍O(shè)有由透光性基材形成的支承板55，下部基板22與支承板55間經(jīng)由光學(xué)用透明粘合劑(OCA)而接合。需要說明的是，在圖4中，關(guān)于圖2所示的構(gòu)成下部基板22的電極層32、33或第一絕緣層52、第二絕緣層53的圖示省略(關(guān)于上部基板21側(cè)也同樣)。支承板55比下部基板22厚，則剛性變高。如圖4所示，上部基板21與下部基板22在高度方向(Z)上空開規(guī)定間隔地對(duì)置。上部基板21也為與下部基板22同樣的結(jié)構(gòu)。即，上部基板21具有在透光性基材的表面上形成有ITO等的透明導(dǎo)電層的薄膜狀的上部基材；上部電極層；第一絕緣層及第二絕緣層。用于下部基板22或上部基板21的透光性基材由聚碳酸酯樹脂(PC樹脂)或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂(PET樹脂)、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂(PEN樹脂)、環(huán)烯烴聚合物(C0P樹脂)、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(丙烯)(PMMA)等的透明基材來形成，厚度形成為38μπι 300μπι左右。至少用于上部基板21的透光性基材為了確?？蓳闲远枰杀∧さ刃纬伞Ｓ糜谙虏炕?2及上部基板21的透明導(dǎo)電層由IT0(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)、Sn02、Zn0等的無機(jī)透明導(dǎo)電材料通過濺射或蒸鍍等成膜而形成?；蛘撸部梢詫⑦@些無機(jī)透明導(dǎo)電材料的微粉末粘合。或者，作為有機(jī)透明導(dǎo)電材料，也可以涂敷碳納米管或聚噻吩、聚吡咯等的有機(jī)導(dǎo)電性聚合物。形成在各下部基材及上部基材的表面的電極層例如對(duì)Ag涂膜進(jìn)行絲網(wǎng)印刷而形成。各電極層重疊在形成于透光性基材的表面的透明導(dǎo)電層上而形成。或者，電極層的一部分也可以形成在將透明導(dǎo)電層除去而露出的透光性基材的表面上。如圖4所示，下部基板22與上部基板21之間在位于輸入?yún)^(qū)域20a的外周的非輸入?yún)^(qū)域20b中經(jīng)由粘合層40而接合。粘合層40為丙烯系雙面膠帶或丙烯系粘合劑。如圖4所示，在輸入?yún)^(qū)域20a中，在下部基板22與上部基板21之間設(shè)有空氣層44。另外，雖未圖示但在空氣層44內(nèi)設(shè)有多個(gè)間隔粒。圖4所不的表面構(gòu)件60具有表面層61和形成在表面層61的下表面上的裝飾層62而構(gòu)成。表面層61由可撓性的透光性基材形成。裝飾層62形成在非輸入?yún)^(qū)域20b。表面構(gòu)件60與上部基板21之間經(jīng)由透光性的粘合層63而接合。
當(dāng)操作者將位于表面層61的表面的輸入?yún)^(qū)域20a通過手指或筆向下方向按壓時(shí)，上部基板21向下方向撓曲，位于輸入?yún)^(qū)域20a的下部基板22及上部基板21各自的透明導(dǎo)電層彼此抵接。此時(shí)，在與各透明導(dǎo)電層電連接的電極層中能夠獲得與透明導(dǎo)電層彼此的接觸位置對(duì)應(yīng)的檢測(cè)輸出(電壓)，從而能夠根據(jù)檢測(cè)輸出來檢測(cè)輸入?yún)^(qū)域20a中的操作位置。關(guān)于下部基板22的結(jié)構(gòu)進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。圖2、圖3及圖5所示的構(gòu)成下部基板22的下部電極層32、33形成在表面上形成有ITO等的透明導(dǎo)電層的下部基材50上的、位于輸入?yún)^(qū)域20a的外周的非輸入?yún)^(qū)域20b中。以下，為了容易地對(duì)形成位置等進(jìn)行說明，而對(duì)于電極層或第一絕緣層局部標(biāo)以名稱及符號(hào)來進(jìn)行說明。如圖3所示，在下部電極層32中，在輸入?yún)^(qū)域20a的Xl側(cè)的側(cè)部沿著Y1-Y2方向平行地形成有形成為呈細(xì)長(zhǎng)的形狀而形成的Xl側(cè)延伸電極層32a。該Xl側(cè)延伸電極層32a和位于輸入?yún)^(qū)域20a的透明導(dǎo)電層形成為電連接的狀態(tài)。并且，下部電極層32包括所述Xl側(cè)延伸電極層32a ;與Xl側(cè)延伸電極層32a的Y2側(cè)端部一體形成，且與柔性印制電路基板54(參考圖2)的外部連接端子部連接的連接部32c ;從乂1側(cè)延伸電極層32a的Yl側(cè)端部沿著X1-X2方向延伸而形成的虛設(shè)電極層32b。虛設(shè)電極層32b既可以與Xl側(cè)延伸電極層32a —體形成也可以分體形成，哪一種均可。另一方面，在下部電極層33中，在輸入?yún)^(qū)域20a的X2側(cè)的側(cè)部沿著Y1-Y2方向平行地形成有呈細(xì)長(zhǎng)的形狀而形成的X2側(cè)延伸電極層33a。該X2側(cè)延伸電極層33a和位于輸入?yún)^(qū)域20a的透明導(dǎo)電層形成為電連接的狀態(tài)。并且，下部電極層33包括所述X2側(cè)延伸電極層33a ;與X2側(cè)延伸電極層33a的Y2側(cè)端部一體形成，且沿著X1-X2方向延伸而形成的Y2側(cè)延伸電極層33b ;形成在Y2側(cè)延伸電極層33b的中途位置，且與柔性印制電路基板54(參考圖2)的外部連接端子部連接的連接部33c ;與X2側(cè)延伸電極層33a的Y2側(cè)端部一體形成，且在比Y2側(cè)延伸電極層33b靠外側(cè)的位置沿著X1-X2方向延伸而形成的虛設(shè)電極層33d。虛設(shè)電極層33d既可以與X2側(cè)延伸電極層33a —體形成也可以分體形成，哪一種均可。圖5示出了下部電極層32的連接部32c或下部電極層33的連接部33c、Y2側(cè)延伸電極層33b、虛設(shè)電極層33d附近的平面形狀。在圖5中，后述的第二絕緣層53由虛線表示，且圖示出在第二絕緣層53之下體現(xiàn)的下部電極層32、33或第一絕緣層52的平面形狀。圖2、圖3、圖5所示的第一絕緣層52包括位于輸入?yún)^(qū)域20a的Xl側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，且沿著Y1-Y2方向延伸的Xl側(cè)絕緣層52a ;位于輸入?yún)^(qū)域20a的Yl側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，與Xl側(cè)絕緣層52a —體形成且沿著X1-X2方向延伸的Yl側(cè)絕緣層52b ;位于輸入?yún)^(qū)域20a的X2側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，與Yl側(cè)絕緣層52b —體形成且沿著Y1-Y2方向延伸的X2側(cè)絕緣層52c ;位于輸入?yún)^(qū)域20a的Y2側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，與X2側(cè)絕緣層52c —體形成且沿著X1-X2方向延伸的外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52e ;與外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52e —體形成，且位于比外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52e靠?jī)?nèi)側(cè)的位置的內(nèi)側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52d。進(jìn)而，第一絕緣層52包括與Yl側(cè)絕緣層52b的中途一體形成的突出狀的突出絕緣層52g ;與內(nèi)側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52d及外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52e這兩者一體連接的突出絕緣層52f ;分離形成的島狀絕緣層52h、52i。
第一絕緣層52與下部電極層32、33在高度方提高不重疊，而形成在各下部電極層32、33與下部基材50間的臺(tái)階上。如圖5所示，Xl側(cè)絕緣層52a在下部電極層32的Xl側(cè)延伸電極層32a的外側(cè)，形成在Xl側(cè)延伸電極層32a與下部基材50間的臺(tái)階上。另外，如圖5所示，外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52e在下部電極層33的虛設(shè)電極層33d的外側(cè)，形成在虛設(shè)電極層33d與下部基材50間的臺(tái)階上。另外，如圖5所示，內(nèi)側(cè)的Y2側(cè)絕緣層52d形成在構(gòu)成下部電極層33的Y2側(cè)延伸電極層33b與虛設(shè)電極層33d之間的間隔D內(nèi)。另外，如圖5所示，突出絕緣層52f及島狀絕緣層52h在構(gòu)成下部電極層33的Y2側(cè)延伸電極層33b的外側(cè)，形成在Y2側(cè)延伸電極層33b與下部基材50間的臺(tái)階上。另外，如圖5所示，島狀絕緣層52i形成在下部電極層32的Xl側(cè)延伸電極層32a及連接部32c與下部電極層33的Y2側(cè)延伸電極層33b之間的間隔E內(nèi)。另外，圖5中未圖示出而圖3中示出的第一絕緣層52之中的Yl側(cè)絕緣層52b在下部電極層32的虛設(shè)電極層32b的外側(cè)，形成在所述虛設(shè)電極層32b與下部基材50間的臺(tái)階上，X2側(cè)絕緣層52c在下部電極層33的X2側(cè)延伸電極層33a的外側(cè)，形成在所述X2側(cè)延伸電極層33a與下部基材50間的臺(tái)階上。另外，圖5中未圖示出而圖3中示出的突出絕緣層52g形成在虛設(shè)電極層32b與X2側(cè)延伸電極層33a之間的間隔F內(nèi)。如圖5所示，在各下部電極層32、33與各第一絕緣層52之間形成有間隙G(圖5中，作為代表在下部電極層32的Xl側(cè)延伸電極層32a與第一絕緣層52的Xl側(cè)絕緣層52a之間的間隙標(biāo)以符號(hào))。間隙G為50 400 μ m左右。圖2、圖5所示的第二絕緣層53形成在從非輸入?yún)^(qū)域20b中的各下部電極層32、33的表面至第一絕緣層52的表面上。如圖5所示，第二絕緣層53未形成在各下部電極層32、33的連接部32c、33c的位置上，而使各連接部32c、33c露出。由此，能夠?qū)⒏鬟B接部32c、33c與柔性印制電路基板54的外部連接端子部間電連接。另外，第二絕緣層53的內(nèi)側(cè)側(cè)面53b形成為比下部電極層32、33的內(nèi)側(cè)側(cè)面32g、33g靠?jī)?nèi)方，下部電極層32、33的內(nèi)側(cè)側(cè)面32g、33g由第二絕緣層53覆蓋為最佳。圖6是上部基板21的部分放大背視圖。圖6中，關(guān)于形成在上部基板21上的第二絕緣層65由虛線表示，且圖示出上部電極層及第一絕緣層的平面形狀。上部基板21具有在透光性基材的表面上形成有ITO等的透明導(dǎo)電層的上部基材66 ;形成在上部基材66的表面(與下部基板22對(duì)置側(cè)的面)上的一對(duì)上部電極層45、46 ；第一絕緣層67 ;第二絕緣層65。各上部電極層45、46形成在位于上部基材66的輸入?yún)^(qū)域20a的外周的非輸入?yún)^(qū)域20b中。在上部電極層45中，在輸入?yún)^(qū)域20a的Y2側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b中形成有沿著X1-X2方向延伸的Y2側(cè)延伸電極層45a。Y2側(cè)延伸電極層45a與位于輸入?yún)^(qū)域20a的透明導(dǎo)電層電連接。并且，上部電極層45包括所述Y2側(cè)延伸電極層45a ;在輸入?yún)^(qū)域20a的Xl側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，與Y2側(cè)延伸電極層45a的Xl側(cè)端部連接且沿著Y1-Y2方向延伸的虛設(shè)電極層45b ;形成在Y2側(cè)延伸電極層45a的中途位置，與柔性印制電路基板54的外部連接端子部電連接的連接部45c。虛設(shè)電極層45b與Y2側(cè)延伸電極層45a既可以一體形 成，也可以分體形成。另外，在上部電極層46中，在輸入?yún)^(qū)域20a的Yl側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b中形成有沿著X1-X2方向延伸的Yl側(cè)延伸電極層(未圖示)。Yl側(cè)延伸電極層與位于輸入?yún)^(qū)域20a的透明導(dǎo)電層電連接。并且，所述上部電極層46包括所述Yl側(cè)延伸電極層；在輸入?yún)^(qū)域20a的X2側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域20b，與Yl側(cè)延伸電極層的X2側(cè)端部連接且沿著Y1-Y2方向延伸的X2側(cè)延伸電極層(未圖示)；與乂2側(cè)延伸電極層的Y2側(cè)端部一體形成，且位于比Y2側(cè)延伸電極層45a靠外側(cè)的位置的Y2側(cè)延伸電極層46a ;位于Y2側(cè)延伸電極層46a的前端，且與柔性印制電路基板54的外部連接端子部電連接的連接部46b。如圖6所示，第一絕緣層67包括在虛設(shè)電極層45b的外側(cè)，形成在虛設(shè)電極層45b與上部基材66間的臺(tái)階上的Xl側(cè)絕緣層67a ;在Y2側(cè)延伸電極層46a的外側(cè)，形成在Y2側(cè)延伸電極層46a與上部基材66間的臺(tái)階上的外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層67b ;位于比外側(cè)的Y2側(cè)絕緣層67b靠?jī)?nèi)側(cè)的位置，且形成在Y2側(cè)延伸電極層45a與Y2側(cè)延伸電極層46a之間的間隔H內(nèi)的內(nèi)側(cè)的Y2側(cè)絕緣層67c等。在圖6中未圖示，但所述第一絕緣層67還形成在圖6中未體現(xiàn)的上部電極層45、46的外側(cè)或上部電極層間的間隔內(nèi)。如圖6所不，在非輸入?yún)^(qū)域20b中，第二絕緣層65從各上部電極層45、46的表面形成至第一絕緣層67的表面上。第二絕緣層65未形成在連接部45c、46b的位置上，而使連接部45c、46b露出。因而，各連接部45c、46b能夠與柔性印制電路基板54的外部連接端子部電連接。另外，第二絕緣層65的內(nèi)側(cè)側(cè)面65b形成為比上部電極層45、46的內(nèi)側(cè)側(cè)面45g(圖6中僅圖示出上部電極層45的內(nèi)側(cè)側(cè)面45g)靠?jī)?nèi)方，上部電極層45、46的內(nèi)側(cè)側(cè)面45g由第二絕緣層65覆蓋為最佳。圖7是將本實(shí)施方式中的輸入?yún)^(qū)域20在圖5所示的A-A線的位置處切斷的局部縱向剖視圖。圖7中，關(guān)于圖2或圖4所示的表面構(gòu)件60并未圖示出。圖8是由圖7所示的符號(hào)C包圍而成的區(qū)域的局部放大縱向剖視圖。在圖7、圖8中體現(xiàn)的形成在下部基板22側(cè)的構(gòu)成第一絕緣層52的Xl側(cè)絕緣層52a及島狀絕緣層52i形成為與構(gòu)成下部電極層32、33的Xl側(cè)延伸電極層32a或Y2側(cè)延伸電極層33b大致相同的高度尺寸。另外，在圖7、圖8中體現(xiàn)的形成在上部基板21側(cè)的構(gòu)成第一絕緣層67的Xl側(cè)絕緣層67a形成為與構(gòu)成上部電極層45的Y2側(cè)延伸電極層45a大致同等的高度尺寸。關(guān)于其他的第一絕緣層52、67的部分，也形成為與下部電極層32、33或上部電極層45、46大致同等的高度尺寸。各第一絕緣層52、67及各第二絕緣層53、65能夠通過例如絲網(wǎng)印刷而形成在規(guī)定位置處。另外，在第一絕緣層52、67及各第二絕緣層53、65中使用如下的材質(zhì)，即，即便將各絕緣層重疊在各電極層32、33、45、46的表面或設(shè)于圖8所示的透光性基材30表面的透明導(dǎo)電層31上，也不會(huì)使透明導(dǎo)電層31與各電極層間的密接力減弱的材質(zhì)。例如，在各第一絕緣層52、67及各第二絕緣層53、65中可以采用抗蝕劑材料、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等，尤其是采用UV硬化樹脂為最佳。另外，第一絕緣層52、67和第二絕緣層53、65既可以為相同的材質(zhì)，也可以為不同的材質(zhì)，哪一種均可。另外，如已記載的內(nèi)容所述，在各第一絕緣層52、67與下部電極層32、33及上部電 極層45、46之間空有間隙G。在對(duì)第一絕緣層52、67進(jìn)行絲網(wǎng)印刷時(shí)，各第一絕緣層52、67的端部由于鞍形現(xiàn)象而隆起。由此，以在第一絕緣層52、67與各電極層間不形成有間隙的方式進(jìn)行調(diào)整，假定第一絕緣層52、67的端部的一部分與電極層的表面重疊時(shí)，在該部分中的膜厚變得非常大，從各第一絕緣層52、67的表面至各電極層的表面的范圍內(nèi)凹凸變大。因而，通過在各第一絕緣層52、67與下部電極層32、33及上部電極層45、46之間形成有間隙G，能夠有效地提高從各第一絕緣層52、67的表面形成至各電極層的表面上的第二絕緣層53、65的表面的平坦性。圖9是表示實(shí)施例中的電極層、第一絕緣層及第二絕緣層的表面形狀的實(shí)驗(yàn)結(jié)果O圖9(a)表不電極層和第一絕緣層的表面形狀，圖9(b)表不從圖9(a)所不的電極層的表面形成至第一絕緣層的表面上的第二絕緣層的表面形狀。如圖9(a)所示，以電極層與第一絕緣層不重疊的方式在電極層與第一絕緣層之間形成有間隙G。通過這樣設(shè)有間隙G，如圖9(b)所示那樣可知，能夠使第二絕緣層的表面的平坦性提高。需要說明的是，形成在各第一絕緣層52、67與下部電極層32、33及上部電極層45、46之間的間隙G由第二絕緣層53、65來填埋。在本實(shí)施方式中，如圖7所示，使下部基板22側(cè)的第二絕緣層53與上部基板21側(cè)的第二絕緣層65互相對(duì)置，在第二絕緣層53、65間介入粘合層40，從而使下部基板22與上部基板21間經(jīng)由粘合層40來接合。此時(shí)，第二絕緣層53、65的表面53a、65a為與粘合層40接合的接合面，如上述那樣，能夠使第二絕緣層53、65的平坦性有效地提高，由此，能夠使下部基板22與上部基板21間的密閉性提高，并且增大接合面積，從而能夠使粘合層40與第二絕緣層53、65間的密接力提高。在電極層與基材間的臺(tái)階上形成有第一絕緣層52、67且從第一絕緣層52、67至電極層的表面上形成有第二絕緣層53、65的實(shí)施例，和如圖10所示那樣從電極層的表面至電極層與基材間的臺(tái)階上形成有一層的絕緣層的比較例中進(jìn)行了剝離強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)可知，實(shí)施例中的第二絕緣層與粘合層間的粘結(jié)強(qiáng)度同比較例中的絕緣層與粘合層間的粘結(jié)強(qiáng)度相t匕，能夠增大了 2倍 5倍左右。
在基材表面具備第一絕緣層52、67和第二絕緣層53、65的結(jié)構(gòu)可以處于下部基板22與上部基板21中的一方上即可，不過，如上述的實(shí)施方式所示那樣，通過下部基板22與上部基板21這雙方具備第一絕緣層52、67和第二絕緣層53、65，而形成將下部基板22的第二絕緣層53與上部基板21的第二絕緣層65間經(jīng)由粘合層40接合的結(jié)構(gòu)，能夠更加有效地使下部基板22與上部基板21間的密閉性及密接性提高。在本實(shí)施方式中，如圖5的下部基板22所示那樣，構(gòu)成下部電極層33的Y2側(cè)延伸電極層33b與虛設(shè)電極層33d間的間隔D內(nèi)、或構(gòu)成下部電極層33的Y2側(cè)延伸電極層33b與構(gòu)成下部電極層32的Xl側(cè)延伸電極層32a間的間隔E內(nèi)通過構(gòu)成第一絕緣層52的Y2側(cè)絕緣層52d或島狀絕緣層52i來填埋，并在其之上重疊形成有第二絕緣層53。由此，能夠?qū)㈦姌O層間適當(dāng)?shù)赝ㄟ^絕緣層填埋來抑制在與粘合層40之間形成有空間的情況，從而能夠使電極層間的位置處的下部基板22與上部基板21間的密閉性及密接性有效地提高。對(duì)于圖5中未體現(xiàn)的下部基板22的電極層間的部分或圖6的上部基板21側(cè)而言，也 具備同樣的結(jié)構(gòu)及效果。另外，在本實(shí)施方式中，如圖5的下部基板22所示那樣，在下部電極層32的Xl側(cè)延伸電極層32a的外側(cè)、或虛設(shè)電極層33d的外側(cè)形成有構(gòu)成第一絕緣層52的Xl側(cè)絕緣層52a或Y2側(cè)絕緣層52e，并在其之上重疊形成有第二絕緣層53。由此，能夠?qū)⑾虏侩姌O層32、33的外側(cè)區(qū)域和基材間的臺(tái)階內(nèi)適當(dāng)?shù)赝ㄟ^絕緣層填埋來抑制在與粘合層40之間形成有空間的情況，從而能夠使電極層的外側(cè)位置處的下部基板22與上部基板21間的密閉性及密接性有效地提高。另外，通過并不是在下部電極層32、33的內(nèi)側(cè)而是在外側(cè)形成有第一絕緣層52，從而能夠較大地形成輸入?yún)^(qū)域20a。對(duì)于圖5中未體現(xiàn)的下部基板22的電極層的外側(cè)部分或圖6的上部基板21側(cè)而言，也具備同樣的結(jié)構(gòu)及效果。在本實(shí)施方式中，如圖3、圖5的下部基板22所示那樣，設(shè)有虛設(shè)電極層32b、33d。虛設(shè)電極層32b、33d的形成并不是必須的，但通過形成虛設(shè)電極層32b、33d，能夠使高度與各延伸電極層32a、33a、33b —致，從而能夠盡可能地借助平坦面彼此來進(jìn)行基板彼此的接合。并且，在本實(shí)施方式中，在形成于虛設(shè)電極層32b、33d與下部基材50間的臺(tái)階上也形成有第一絕緣層52，且從虛設(shè)電極層32b、33d上至第一絕緣層52上地形成有第二絕緣層53。在本實(shí)施方式中，除了設(shè)有虛設(shè)電極層32b、33d的效果以外，能夠使第二絕緣層53的表面的平坦性更加有效地提高，從而能夠使下部基板22與上部基板21間的密閉性及密接性更加有效地提高。對(duì)于形成在圖6的上部基板21側(cè)的虛設(shè)電極層與上部基材66間的臺(tái)階部分而言，也具備同樣的結(jié)構(gòu)及效果。在本實(shí)施方式中的輸入裝置20的制造方法中，通過例如絲網(wǎng)印刷在下部基板22的非輸入?yún)^(qū)域20b中的圖3所示的形狀的下部電極層32、33與下部基材50間的臺(tái)階上形成圖3所示的形狀的第一絕緣層52。此時(shí)，如圖5或圖7、圖8所示那樣，在下部電極層32、33與第一絕緣層52之間形成有間隙G。另外，例如通過UV硬化樹脂來形成第一絕緣層52，通過絲網(wǎng)印刷形成第一絕緣層52后使UV硬化。接著，使第二絕緣層53從形成于非輸入?yún)^(qū)域20b的第一絕緣層52上形成至下部電極層32、33上。第二絕緣層53通過例如絲網(wǎng)印刷來形成。此時(shí)，例如通過UV硬化樹脂來形成第二絕緣層53，通過絲網(wǎng)印刷形成第二絕緣層53后使UV硬化。在本實(shí)施方式中，如上述那樣，非輸入?yún)^(qū)域20b中的下部電極層32、33與下部基材50間的臺(tái)階通過第一絕緣層52來填埋，進(jìn)而，從第一絕緣層52上至下部電極層32、33上而形成有第二絕緣層53，由此能夠使第二絕緣層53的表面的平坦性提高。對(duì)于上部基板21也能夠通過與上述同樣的制造方法來形成。并且，在使下部基板22與上部基板21的各第二絕緣層53、65互相對(duì)置，并在各第二絕緣層53、65間介入粘合層40的狀態(tài)下，下部基板22與上部基板21間通過所述粘合層40來接合。在本實(shí)施方式中，將平坦性高且接合面積寬廣的第二絕緣層53、65的表面設(shè)為與粘合層40接合的接合面，因此，能夠使下部基板22與上部基板21間的密閉性及密接性與現(xiàn)有技術(shù)相比得到有效地提聞。符號(hào)說明20輸入裝置20a輸入?yún)^(qū)域
20b非輸入?yún)^(qū)域21上部基板22下部基板30透光性基材31透明導(dǎo)電層32、33下部電極層32b、33d、45b 虛設(shè)電極層40粘合層45、46上部電極層50下部基材52、67第一絕緣層53、65第二絕緣層54柔性印制電路基板55支承板60表面構(gòu)件
權(quán)利要求
1.一種輸入裝置，一對(duì)基板沿著高度方向?qū)χ门渲?，各基板具有在表面上形成有透明?dǎo)電層的基材和在所述基材的表面中形成在輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域上的電極層，各基板間經(jīng)由粘合層而接合，所述輸入裝置的特征在于， 在至少一方的所述基板的非輸入?yún)^(qū)域中，在所述電極層與所述基材之間的臺(tái)階上形成有第一絕緣層，從所述第一絕緣層的表面至所述電極層的表面形成有第二絕緣層，且在所述第二絕緣層的表面?zhèn)仍O(shè)有所述粘合層。
2.如權(quán)利要求I所述的輸入裝置，其中， 一對(duì)所述基板的雙方為具備所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的結(jié)構(gòu)，且設(shè)置在一方的所述基板上的所述第二絕緣層與設(shè)置在另一方的所述基板上的所述第二絕緣層之間經(jīng)由所述粘合層而接合。
3.如權(quán)利要求I或2所述的輸入裝置，其中， 在所述非輸入?yún)^(qū)域中，在同一基材的表面上空開間隔地對(duì)置配置有多個(gè)所述電極層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述間隔內(nèi)，所述第二絕緣層從多個(gè)所述電極層的表面設(shè)置至位于所述電極層間的所述第一絕緣層的表面。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的輸入裝置,其中， 所述電極層從所述輸入?yún)^(qū)域的側(cè)部形成至與外部連接端子連接的連接部，所述第一絕緣層設(shè)置在與所述輸入?yún)^(qū)域隔著所述電極層而對(duì)置的所述電極層的外側(cè)，所述第二絕緣層從所述電極層的表面形成至位于所述電極層的外側(cè)的所述第一絕緣層的表面。
5.如權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的輸入裝置,其中， 在所述第一絕緣層與所述電極層之間形成有間隙。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的輸入裝置,其中， 所述電極層具有與位于所述輸入?yún)^(qū)域的所述透明導(dǎo)電層電連接，且延伸至與外部連接端子連接的連接部的延伸電極層；與所述延伸電極層一體或者分體形成的虛設(shè)電極層， 所述第一絕緣層形成在所述延伸電極層與所述基材之間的臺(tái)階上、以及所述虛設(shè)電極層與所述基材之間的臺(tái)階上這雙方，且所述第二絕緣層從所述延伸電極層的表面形成至所述第一絕緣層的表面及從所述虛設(shè)電極層的表面形成至所述第一絕緣層的表面。
7.一種輸入裝置的制造方法，該輸入裝置中，一對(duì)基板沿著高度方向?qū)χ门渲?，各基板具有在表面上形成有透明?dǎo)電層的基材和在所述基材的表面中形成在輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域上的電極層，各基板間經(jīng)由粘合層而接合，所述輸入裝置的制造方法的特征在于，包括 在至少一方的所述基板的非輸入?yún)^(qū)域中，在所述電極層與所述基材之間的臺(tái)階上形成第一絕緣層的工序； 從所述第一絕緣層的表面至所述電極層的表面形成第二絕緣層的工序； 使所述粘合層介入一對(duì)所述基板之間，此時(shí)形成使所述第二絕緣層的表面?zhèn)瘸蛩稣澈蠈拥臓顟B(tài)，并利用所述粘合層將一對(duì)所述基板之間接合的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的輸入裝置的制造方法，其中， 在所述第一絕緣層與所述電極層之間形成間隙。
9.如權(quán)利要求7或8所述的輸入裝置的制造方法，其中， 通過絲網(wǎng)印刷來形成所述第一絕緣層及所述第二絕緣層。
10.如權(quán)利要求7 9中任一項(xiàng)所述的輸入裝置的制造方法，其中，通過UV硬化樹脂來形成所述第一絕緣層及所述第二絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供尤其能夠使下部基板與上部基板間的密閉性及密接性與現(xiàn)有技術(shù)相比得到有效地提高的輸入裝置及其制造方法。一對(duì)基板沿著高度方向?qū)χ门渲?，各基板具有在表面形成有透明?dǎo)電層的基材；在所述基材的表面中形成于輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的非輸入?yún)^(qū)域的電極層，各基板間經(jīng)由粘合層而接合。在下部基板(22)的非輸入?yún)^(qū)域(20b)中，在下部電極層(32、33)與下部基材(50)之間的臺(tái)階上形成有第一絕緣層(52)，從第一絕緣層(52)的表面至下部電極層(32、33)的表面上形成有第二絕緣層(53)，在第二絕緣層(53)的表面?zhèn)仍O(shè)有所述粘合層。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102893243SQ20118002357
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2011年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月12日
發(fā)明者山縣一芳, 笹川英人 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社