两个人的电影免费视频_国产精品久久久久久久久成人_97视频在线观看播放_久久这里只有精品777_亚洲熟女少妇二三区_4438x8成人网亚洲av_内谢国产内射夫妻免费视频_人妻精品久久久久中国字幕

不合格檢測(cè)方法和不合格檢測(cè)裝置的制作方法

文檔序號(hào):6406140閱讀:224來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:不合格檢測(cè)方法和不合格檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及根據(jù)在每一個(gè)晶片上產(chǎn)生的不合格分布,檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
為了提高LSI等的半導(dǎo)體集成電路的制造的生產(chǎn)性,人們進(jìn)行了提高半導(dǎo)體集成電路的成品率的嘗試。要想提高成品率,就要對(duì)使成品率下降的不合格進(jìn)行分析,盡早弄明白、改善成為該不合格的原因的制造工序、制造裝置或LSI的設(shè)計(jì)條件。但是,LSI要經(jīng)過數(shù)百道制造工序,用數(shù)百的制造裝置進(jìn)行制造。即便是在測(cè)試中確認(rèn)了LSI的不合格,要特定發(fā)生該不合格的制造工序和制造裝置,也是困難的。
在LSI的測(cè)試中,粗分起來(lái)有在晶片制造工序的結(jié)束后在組裝工序之前進(jìn)行的晶片測(cè)試,和在組裝工序結(jié)束后進(jìn)行的最后測(cè)試。晶片測(cè)試的目的在于減少不合格芯片向組裝工序的混入。最后測(cè)試的目的在于在向用戶交貨之前確認(rèn)LSI已滿足廠家一側(cè)所保證的性能。特別是晶片測(cè)試,可以對(duì)圓形的晶片進(jìn)行。如果在晶片面內(nèi)位置上映像顯示測(cè)試結(jié)果的不合格,就可以知道晶片面內(nèi)的不合格的產(chǎn)生位置。其代表性的映像是可在存儲(chǔ)器產(chǎn)品中得到的失效位映像(FBMFail Bit Map)。
映像于晶片面內(nèi)的不合格,取決于該不合格在晶片面內(nèi)的不合格分布,大致可分為2種。1種是均等地分布而與在晶片表面上的位置無(wú)關(guān)的隨機(jī)分布,另外1種是分布為偏向什么地方的群集不合格。該群集不合格,被認(rèn)為是存在著起因于制造工序、制造裝置的因素,是成品率降低的根由。使群集不合格數(shù)值化,對(duì)于該數(shù)值,在制造裝置間進(jìn)行有效差異測(cè)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種不合格檢測(cè)方法,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該方法包括在上述晶片上設(shè)定預(yù)定的區(qū)域劃分;輸入對(duì)象批的上述批ID;從上述批ID和上述處理履歷信息中,抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID;從上述晶片ID和上述測(cè)試信息中抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量;根據(jù)對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的上述第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)上述對(duì)象批的第1批特征量;由上述處理履歷信息,以上述對(duì)象批的上述批ID為抽出條件,抽出上述對(duì)象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造裝置;對(duì)每一個(gè)上述第1批特征量,進(jìn)行每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間的有效差異測(cè)定;和把具有有效差異的上述制造裝置檢測(cè)為第1異常裝置。
本發(fā)明的另一種不合格檢測(cè)方法,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該方法包括在上述晶片上設(shè)定多個(gè)區(qū)域劃分;輸入對(duì)象批的上述批ID;由上述批ID和上述處理履歷信息抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID;由上述晶片ID和上述測(cè)試信息抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量;對(duì)于上述第1晶片特征量,用相關(guān)系數(shù)表示上述晶片間的類似度;根據(jù)上述類似度是否為預(yù)先設(shè)定的相關(guān)系數(shù)閾值或該閾值以上對(duì)上述晶片分組,抽出為第1異常晶片ID;由上述測(cè)試信息抽出上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息;和根據(jù)上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息,把晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖制作為第1異常晶片不合格分布圖。
本發(fā)明的一種不合格檢測(cè)裝置,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該裝置包括在上述晶片上設(shè)定預(yù)定的區(qū)域劃分的區(qū)域劃分設(shè)定部分;輸入對(duì)象批的上述批ID的輸入部分;由上述批ID和上述處理履歷信息抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID的晶片ID抽出部分;由上述晶片ID和上述測(cè)試信息抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息的位置信息抽出部分;
對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量的晶片特征量計(jì)算部分;根據(jù)對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的上述第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)上述對(duì)象批的第1批特征量的批特征量計(jì)算部分;由上述處理履歷信息以上述對(duì)象批的上述批ID為抽出條件,抽出上述對(duì)象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造裝置的制造裝置抽出部分;對(duì)每一個(gè)上述第1批特征量,進(jìn)行每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間的有效差異測(cè)定的有效差異的測(cè)定部分;和把具有有效差異的上述制造裝置檢測(cè)為第1異常裝置的異常裝置檢測(cè)部分。


圖1是實(shí)施例的不合格檢測(cè)裝置的構(gòu)成圖。
圖2到圖4是實(shí)施例的不合格檢測(cè)方法的流程圖。
圖5到圖9是用來(lái)說明例1區(qū)域劃分的晶片顯示區(qū)域的構(gòu)成圖。
圖10是例1的批特征量的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)成圖。
圖11是例1的制造裝置的有效差異測(cè)定的測(cè)定值的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)成圖。
圖12是在例1的制造裝置的有效差異測(cè)定中為有效差異的測(cè)定值的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)成圖。
圖13的曲線圖示出了例1的批的制造工序的第72號(hào)工序的處理日期時(shí)間,和批的批特征量的關(guān)系。
圖14的曲線圖示出了用來(lái)說明例1的混入率的、批的制造工序的第72號(hào)工序的處理日期時(shí)間,和批的批特征量的關(guān)系。
圖15的曲線圖示出了例1的批特征量和混入率的關(guān)系。
圖16和圖17是例1的異常批ID的批內(nèi)的晶片不合格的分布圖。
圖18是對(duì)每一個(gè)例1的異常裝置都把異常晶片ID的晶片不合格的分布圖進(jìn)行了分類的表。
圖19是例1的群集不合格分布圖。
圖20是每個(gè)例1的異常裝置的群集不合格分布圖。
圖21是用來(lái)說明例1的不合格發(fā)生區(qū)域的、晶片顯示區(qū)域的構(gòu)成圖。
圖22是例1的批特征量的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)成圖。
圖23是在例1的制造裝置的有效差異測(cè)定中為有效差異的測(cè)定值的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)成圖。
圖24和圖25是例1的群集不合格分布圖。
圖26A到圖26H,是例2的晶片的不合格分布圖。
圖27A到圖27D,是例2的晶片特征量的波形圖。
圖28A到圖28C,示出了例2的晶片間的相關(guān)關(guān)系。
圖29的表,示出了是否是例2的類似晶片。
圖30是用來(lái)說明例2的類似晶片群和不合格種類的產(chǎn)生的表。
具體實(shí)施例方式
參看

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施形態(tài)。應(yīng)當(dāng)注意的是在全部的附圖中對(duì)于那些同一或類似的部分或元件都賦予了同一或類似的標(biāo)號(hào),同時(shí)省略或簡(jiǎn)化了對(duì)那些同一或類似的部分或元件的說明。
(成品率降低原因的分析步驟)作為成品率降低原因的分析步驟,可以考慮作為第1階段抽出群集不合格,作為第2階段對(duì)群集不合格進(jìn)行分類。
對(duì)第1階段的群集不合格的抽出進(jìn)行說明。現(xiàn)實(shí)的不合格分布,是隨機(jī)不合格與群集不合格的重疊。重疊起來(lái)的不合格分布,作為概率分布,可用隨機(jī)不合格的泊松分布和群集不合格的負(fù)的二項(xiàng)分布的線性結(jié)合表示。采用求各個(gè)概率分布的加權(quán)系數(shù)的辦法,來(lái)判明在晶片面上邊究竟何種程度地存在著群集不合格。這樣,就可以從不合格分布中抽出群集不合格。
其次,對(duì)第2階段的群集不合格的分類進(jìn)行說明。人們指出起因于制造工序或制造裝置的不合格,作為晶片面上邊的不合格分布會(huì)留下‘指紋’。即,在在某制造工序或制造裝置中發(fā)生了缺憾的情況下,就要產(chǎn)生在該制造工序或制造裝置的缺憾中所固有的群集不合格。對(duì)每一個(gè)制造工序或每一個(gè)制造裝置的每一個(gè)缺憾都對(duì)群集不合格進(jìn)行分類,從原理上說是可能的。
例如,在LSI的制造中,就借助于群集不合格的分類,借助于群集不合格的分類,追溯關(guān)于發(fā)生了同一群集不合格的晶片或批群的制造履歷,調(diào)查是否有在某一制造工序中共同地制造它們的制造裝置。借助于此,就可以特定在LSI的制造中的不合格原因的制造工序和制造裝置。要想進(jìn)行該調(diào)查,就要使群集不合格數(shù)值化,對(duì)于該數(shù)值,在制造裝置間進(jìn)行有效差異測(cè)定。把使該群集不合格數(shù)值化后的量叫做特征量。
但是,要想用在制造裝置間的有效差異測(cè)定特定不合格原因的制造裝置,就必須作成為使得在特征量中僅僅含有1種的不合格原因。就是說,必須是這樣的特征量只有在存在著某一種的不合格原因的制造裝置所產(chǎn)生的群集不合格的情況下,值才變成為最大。假如說,如果是值會(huì)因多個(gè)不合格原因而變動(dòng)的特征量,則不合格批就會(huì)分散,就難于特定不合格原因的制造裝置。特征量必須定義為僅僅含有一個(gè)不合格原因的形式。若用定義方法不合適的特征量,則不能特定原因裝置。但是,LSI的制造中的不合格原因涉及多個(gè)方面。與這些不合格原因?qū)?yīng)的群集不合格的種類也存在著無(wú)數(shù)個(gè)。于是,與該群集不合格對(duì)應(yīng)的特征量,對(duì)于該特征量的一個(gè)一個(gè)的計(jì)算都必須準(zhǔn)備專用的計(jì)算方法。于是,在實(shí)施例中,要產(chǎn)生可以特定不合格原因的制造裝置的合適的特征量。
(不合格檢測(cè)裝置)實(shí)施例的不合格檢測(cè)裝置1,如圖1所示,具有區(qū)域劃分設(shè)定部分2,不合格發(fā)生區(qū)域設(shè)定部分3,輸入部分4,晶片ID抽出部分5,位置信息抽出部分6,晶片特征量計(jì)算部分7,批特征量計(jì)算部分8,制造裝置抽出部分9,有效差異測(cè)定部分10,異常裝置檢測(cè)部分11,異常檢測(cè)批特征量抽出部分12,特征量閾值設(shè)定部分13,異常批ID抽出部分16,晶片不合格分布圖制作部分17,類似度計(jì)算部分18,使用類似度的晶片ID抽出部分19,群集不合格分布圖形成部分20,處理履歷信息存儲(chǔ)部分21和測(cè)試信息存儲(chǔ)部分22。各個(gè)部分2到13,16到22,都已通過總線23彼此連接起來(lái)。處理履歷信息存儲(chǔ)部分21和測(cè)試信息存儲(chǔ)部分22,也可以處于不合格檢測(cè)裝置1的外部。特征量閾值設(shè)定部分13,具有混入率計(jì)算部分14和特征量閾值計(jì)算部分15。不合格檢測(cè)裝置1,既可以是計(jì)算機(jī),也可以采用使計(jì)算機(jī)執(zhí)行已寫入到程序內(nèi)的步驟的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)不合格檢測(cè)裝置1。
(不合格檢測(cè)方法)實(shí)施例的不合格檢測(cè)方法,如圖2所示,首先,要在步驟S1中,在區(qū)域劃分設(shè)定部2中,在晶片上設(shè)定多個(gè)區(qū)域劃分。區(qū)域劃分可以是借助于晶片的圓的中心的中心角劃分的角度區(qū)域和借助于距該中心的距離劃分的距離區(qū)域的重疊的區(qū)域。
在步驟S2中,在輸入部分4中,輸入對(duì)象批的批ID。
在步驟S3中,在晶片ID抽出部分5中,從批ID和處理履歷信息中抽出對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的晶片ID。處理履歷信息,以批的批ID為抽出條件可以抽出批內(nèi)的晶片的晶片ID。處理履歷信息以批的批ID為抽出條件,可以抽出批的制造工序和在制造工序中使用的制造裝置。該處理履歷信息存儲(chǔ)在處理履歷信息存儲(chǔ)部分21內(nèi)。
在步驟S4中,在位置信息抽出部分6中,從晶片ID和測(cè)試信息中抽出在測(cè)試中的對(duì)象晶片內(nèi)的不合格的位置信息。測(cè)試信息,可以以該晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件抽出在每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)產(chǎn)生不合格的位置信息。測(cè)試信息存儲(chǔ)在測(cè)試信息存儲(chǔ)部分22內(nèi)。測(cè)試?yán)硐氲氖荄C測(cè)試、功能測(cè)試和寬余量測(cè)試中的至少一者。
在步驟S5中,在晶片特征量計(jì)算部分7中,根據(jù)區(qū)域劃分,計(jì)算使不合格在晶片內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量。理想的是第1晶片特征量是本身為在區(qū)域劃分內(nèi)的不合格的發(fā)生率的不合格密度和用χ的平方值表示對(duì)晶片的區(qū)域劃分處不合格的偏向的偏向度。
在步驟S6中,在批特征量計(jì)算部分8中,根據(jù)對(duì)于每一個(gè)對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)對(duì)象批的第1批特征量。理想的是第1批特征量是對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的不合格密度與偏向度的各自的平均、最大值、值為高位的量的例如5個(gè)的平均、向晶片ID的偶數(shù)/奇數(shù)序號(hào)的偏向度、向晶片ID的前半后半的序號(hào)的偏向度中的至少1個(gè)。
在步驟S7中,在制造裝置抽出部分9中,根據(jù)處理履歷信息,以對(duì)象批的批ID為抽出條件,抽出對(duì)象批制造工序、在制造工序中使用的裝置。
在步驟S8中,在有效差異測(cè)定部分10中,對(duì)每一個(gè)第1批特征量,都要進(jìn)行每一個(gè)制造工序的制造裝置間的有效差異測(cè)定。在進(jìn)行制造裝置間的有效差異測(cè)定的處理中,在每一個(gè)制造工序的制造裝置間,都計(jì)算用制造裝置處理的對(duì)象批的第1批特征量的χ的平方值的測(cè)定值。
在步驟S9中,在異常裝置檢測(cè)部分11中,把具有有效差異的制造裝置檢測(cè)為第1異常裝置。
在步驟S10中,在異常檢測(cè)批特征量抽出部分12中,把已對(duì)第1異常裝置進(jìn)行了檢測(cè)的第1批特征量抽出為第1異常檢測(cè)批特征量。
在步驟S11中,在特征量閾值設(shè)定部分13中,設(shè)定第1異常檢測(cè)批特征量的第1特征量閾值。
在設(shè)定第1特征量閾值的處理中,首先,在混入率計(jì)算部分14中,對(duì)于多個(gè)閾值中的每一個(gè)閾值,都把第1異常檢測(cè)批特征量在某一特定的閾值以下的情況下,用第1異常裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與第1異常裝置在同一制造工序中使用的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第1比,和在第1異常檢測(cè)批特征量在同一特定的閾值以上的情況下,與第1異常裝置在同一制造工序中使用過的另外的制造裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與第1異常裝置在同一制造工序中使用過的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第2比之和,計(jì)算為第1混入率。其次,在特征量閾值計(jì)算部分15中,把第1混入率變成為最小的閾值計(jì)算為第1特征量閾值。
在步驟S12中,在異常批ID抽出部分16中,把第1異常檢測(cè)批特征量比第1特征量閾值大的對(duì)象批的批ID抽出為第1異常批ID。
在步驟S13中,在晶片ID抽出部分5中,從處理履歷信息中把第1異常批ID的批內(nèi)的晶片的晶片ID抽出為第1異常晶片ID。
在步驟S14中,在位置信息抽出部分6中,從測(cè)試信息中抽出與第1異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的測(cè)試中的第1異常晶片ID的不合格的位置信息。
在步驟S15中,在晶片不合格分布圖制作部分17中,作為第1異常晶片不合格分布圖,根據(jù)第1異常晶片ID的不合格的位置信息,制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。
在步驟S16中,在群集不合格分布圖制作部分20中,根據(jù)第1異常晶片不合格分布圖制作第1群集不合格分布圖。制作第1群集不合格分布圖,既可以與第1異常晶片不合格分布圖重疊對(duì)第1異常晶片不合格分布圖的分布進(jìn)行累加,或者也可以計(jì)算第1異常晶片不合格分布圖在晶片內(nèi)位置關(guān)系相等的不合格的邏輯或。
在圖3所示的步驟S17中,在不合格發(fā)生區(qū)域設(shè)定部分3中,在第1群集不合格分布圖中,對(duì)多個(gè)密度閾值中的每一個(gè),在對(duì)象晶片中,都設(shè)定不合格的密度比密度閾值更高的不合格發(fā)生區(qū)域。
在步驟S18中,在晶片特征量計(jì)算部分7中,對(duì)每一個(gè)對(duì)象晶片,都根據(jù)不合格發(fā)生區(qū)域計(jì)算使在不合格的晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第2晶片特征量。理想的是第2晶片特征量是用用χ的平方值表示本身為在不合格發(fā)生區(qū)域中的不合格的發(fā)生率的不合格密度和向不合格發(fā)生區(qū)域?qū)牟缓细竦钠虻钠蚨取?br> 在步驟S19中,在批特征量計(jì)算部分8中,根據(jù)對(duì)于每一個(gè)對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的第2晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)對(duì)象批的第2批特征量。理想的是第2批特征量是關(guān)于不合格發(fā)生區(qū)域的對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的不合格密度與偏向度的各自的平均、最大值、值為高位的量的例如5個(gè)的平均、向晶片ID的偶數(shù)/奇數(shù)序號(hào)的偏向度、向晶片ID的前半后半的序號(hào)的偏向度中的至少1個(gè)。
在步驟S20中,在有效差異測(cè)定部分10中,對(duì)每一個(gè)第2批特征量,都要進(jìn)行每一個(gè)制造工序的制造裝置間的有效差異測(cè)定。在進(jìn)行制造裝置間的有效差異測(cè)定的處理中,理想的是在每一個(gè)制造工序的制造裝置間,都計(jì)算用制造裝置處理過的對(duì)象批的第2批特征量的χ的平方值的測(cè)定值。
在步驟S21中,在異常裝置檢測(cè)部分11中,把具有有效差異的制造裝置檢測(cè)為第2異常裝置。
在步驟S22中,在異常檢測(cè)批特征量抽出部分12中,把已對(duì)第2異常裝置進(jìn)行了檢測(cè)的第2批特征量抽出為第2異常檢測(cè)批特征量。
在步驟S23中,在特征量閾值設(shè)定部分13中,設(shè)定第2異常檢測(cè)批特征量的第2特征量閾值。在設(shè)定第2特征量閾值的處理中,理想的是首先,在混入率計(jì)算部分14中,對(duì)于多個(gè)閾值中的每一個(gè)閾值,都把第2異常檢測(cè)批特征量在某一特定的閾值以下的情況下,用第2異常裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與第2異常裝置在同一制造工序中使用過的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第1比,和在第2異常檢測(cè)批特征量在同一特定的閾值以上的情況下,與第2異常裝置在同一制造工序中使用過的另外的制造裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與第2異常裝置在同一制造工序中使用過的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第2比之和,計(jì)算為第2混入率。其次,在特征量閾值計(jì)算部分15中,理想的是把第2混入率變成為最小的閾值計(jì)算為第2特征量閾值。
在步驟S24中,在異常批ID抽出部分16中,把第2異常檢測(cè)批特征量比第2特征量閾值大的對(duì)象批的批ID抽出為第2異常批ID。
在步驟S25中,在晶片ID抽出部分5中,從處理履歷信息中把第2異常批ID的批內(nèi)的晶片的晶片ID抽出為第2異常晶片ID。
在步驟S26中,在位置信息抽出部分6中,從測(cè)試信息中抽出與第2異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的測(cè)試中的第2異常晶片ID的不合格的位置信息。
在步驟S27中,在晶片不合格分布圖制作部分17中,作為第2異常晶片不合格分布圖,根據(jù)第2異常晶片ID的不合格的位置信息,制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。
在步驟S28中,在群集不合格分布圖制作部分20中,根據(jù)第2異常晶片不合格分布圖制作第2群集不合格分布圖。制作第2群集不合格分布圖,理想的是與第2異常晶片不合格分布圖重疊對(duì)第2異常晶片不合格分布圖的分布進(jìn)行累加,或者理想的是計(jì)算第2異常晶片不合格分布圖在晶片內(nèi)位置關(guān)系相等的不合格的邏輯或。
通過上述處理,結(jié)束不合格檢測(cè)方法。另外,不合格檢測(cè)方法,在從圖2的A到圖2的B的步驟S6到步驟S15,也可以是從圖4的A到圖4的B的步驟S31到S34。
就是說,在步驟S31中,在類似度計(jì)算部分18中,對(duì)于第1晶片特征量,用類似度表示晶片間的類似的程度。
在步驟S32中,在用類似度進(jìn)行抽出的晶片ID抽出部分19中,根據(jù)類似度是否在預(yù)先設(shè)定好的類似度閾值以上將晶片進(jìn)行分組,并作為第1異常晶片ID抽出。
在步驟S33中,在位置信息抽出部分6中,從測(cè)試信息中抽出第1異常晶片ID的不合格位置信息。
在步驟S34中,在晶片不合格分布圖制作部分17中,根據(jù)第1異常晶片ID的不合格的位置信息,作為第1異常晶片不合格分布圖制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。以下,返回到圖2的B,實(shí)施步驟S16以下的處理。
不合格檢測(cè)方法,作為步驟,可以借助于計(jì)算機(jī)可執(zhí)行的不合格檢測(cè)程序進(jìn)行表現(xiàn)。采用使計(jì)算機(jī)執(zhí)行該不合格檢測(cè)程序的辦法,就可以實(shí)施晶片不合格分析方法。
(例1)在例1中,對(duì)圖1的不合格檢測(cè)裝置1和圖2與圖3的不合格檢測(cè)方法進(jìn)行說明。在例1中,用機(jī)械性地定義的數(shù)千個(gè)的第1批特征量,進(jìn)行制造裝置間的有效差異測(cè)定。如果存在著已檢測(cè)到異常裝置的第1批特征量,則抽出該第1批特征量大的批,特定對(duì)于該批共同的群集不合格,獲得異常裝置與群集不合格的對(duì)應(yīng)。用多個(gè)數(shù)值群表現(xiàn)晶片上邊的不合格分布,自動(dòng)抽出在晶片間具有彼此類似的不合格的分布的晶片。
在步驟S1中,在晶片上設(shè)定多個(gè)區(qū)域劃分。對(duì)群集不合格進(jìn)行分類的基本,是使不合格究竟偏向晶片面內(nèi)的什么地方存在著這一情況定量化。這里所說的不合格,指的是例如如果是存儲(chǔ)器產(chǎn)品,則是不合格位,如果是邏輯產(chǎn)品則是不合格芯片等。首先,把晶片顯示區(qū)域41分成多個(gè)區(qū)域劃分。如圖5所示,在設(shè)晶片的半徑為r時(shí),要設(shè)置距晶片的中心0算起設(shè)在半徑方向1/2r的距離上的邊界線47,在半徑方向3/4r的距離上設(shè)置的邊界線48,和使得與晶片邊沿接連那樣地劃分配置在晶片的最外周上的芯片和除此之外的配置在晶片內(nèi)側(cè)的芯片的邊界線49。借助于這3條的邊界線47到49,把晶片顯示區(qū)域41劃分成4個(gè)環(huán)狀的距離區(qū)域43到46。
其次,如圖6所示,設(shè)置8條把晶片在中心的中心角方向上每45度劃分一個(gè)區(qū)的邊界線61到68。借助于這8條邊界線61到68把晶片顯示區(qū)域41劃分成8個(gè)扇狀的角度區(qū)域51到58。
如圖7所示,使圖5的距離區(qū)域43到46和圖6的角度區(qū)域51到58進(jìn)行組合,定義總共150個(gè)的區(qū)域劃分。例如,如圖8所示,區(qū)域劃分A被定義為距離區(qū)域45與角度區(qū)域51到54的邏輯與。區(qū)域劃分B被定義為距離區(qū)域44與角度區(qū)域58的邏輯與。其它的區(qū)域劃分也同樣可以定義為距離區(qū)域43到46和角度區(qū)域51到58的邏輯與。
在步驟S2中,輸入作為檢查的對(duì)象批的批ID。在步驟S3中,從批ID和處理履歷信息中抽出對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的晶片ID。在步驟S4中,從晶片ID和測(cè)試信息中抽出在測(cè)試中的對(duì)象晶片內(nèi)的不合格的位置信息。例如,如果對(duì)象晶片是用存儲(chǔ)器產(chǎn)品構(gòu)成的,則如圖9所示,對(duì)每一個(gè)對(duì)象晶片都抽出不合格71到76在晶片內(nèi)的位置。
在步驟S5中,對(duì)每一個(gè)對(duì)象晶片,都根據(jù)區(qū)域劃分計(jì)算使在不合格的晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量。作為第1晶片特征量,計(jì)算不合格密度和偏向度。
在所有的每一個(gè)區(qū)域劃分中都對(duì)不合格數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù),計(jì)算不合格密度。例如,在存儲(chǔ)器產(chǎn)品的情況下,在具有圖9所示的不合格分布的晶片中的、圖8的區(qū)域劃分A的不合格密度,由于在含于區(qū)域劃分A中的全部位數(shù)為20位的情況下,不合格位71到74是4位,故區(qū)域劃分A的不合格密度就變成為4/20=0.2。
其次,對(duì)所有的每一個(gè)區(qū)域劃分,計(jì)算向各個(gè)區(qū)域劃分的不合格的偏向度。偏向度使用χ的平方值。就是說,區(qū)域劃分i的偏向度χi,可用式1到式3表示。
Xi=sgn(d1-d2)·(nf1-e1)2e1+(nf2-e2)2e2---(1)]]>此處,e1=nfanl1nl1+nl2---(2)]]>e2=nfanl2nl1+nl2---(3)]]>nf1是區(qū)域劃分i的不合格數(shù),nf2是區(qū)域劃分i以外的不合格數(shù),nfa是晶片全體的不合格數(shù),n11是區(qū)域劃分i的全部位數(shù),n12是區(qū)域劃分i以外的全部位數(shù),d1是區(qū)域劃分i的不合格密度,d2是區(qū)域劃分i以外的不合格密度。
Sgn(d1-d2)是d1-d2的符號(hào),若(d1-d2)為正,則Sgn(d1-d2)是+1,若(d1-d2)為負(fù)則Sgn(d1-d2)是-1。另外,在上述中雖然設(shè)想的是存儲(chǔ)器產(chǎn)品,但是在邏輯產(chǎn)品中,也可以不使用位數(shù)而代之以使用芯片數(shù)。偏向度χi,不合格越是偏向區(qū)域劃分i則越大。此外,由于不合格存在的越多則不合格密度就越高,故在晶片全面上不合格少,在計(jì)算對(duì)象的區(qū)域劃分中不合格多的偏向的情況下,偏向度就將變成為正。反之,在晶片全面上不合格多,在計(jì)算對(duì)象的區(qū)域劃分中不合格少的偏向的情況下,偏向度就將變成為負(fù)。
此外,在晶片測(cè)試中,要進(jìn)行各種各樣的電測(cè)試。例如,檢查L(zhǎng)SI的消耗電流是否為正常值的DC測(cè)試,檢查L(zhǎng)SI的功能是否正常的功能測(cè)試,此外,檢查L(zhǎng)SI雖然發(fā)揮功能,但是其動(dòng)作時(shí)間等是否在技術(shù)規(guī)格的范圍內(nèi)的寬余量(Margin)測(cè)試等。不合格密度、偏向度,則對(duì)于各個(gè)電測(cè)試的不合格進(jìn)行。在例1中,對(duì)于這3種的電測(cè)試計(jì)算不合格密度和偏向度。
在步驟S6中,根據(jù)對(duì)每一個(gè)對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)對(duì)象批的第1批特征量。在LSI的制造工序中,可以以批單位進(jìn)行處理,例如,把25塊晶片集中起來(lái)形成批。把用晶片單位求得的不合格密度和偏向度的第1晶片特征量變換成第1批特征量。在例1中,作為向第1批特征量變換的變換方法,對(duì)不合格密度和偏向度中的每一者,都用以下的5種計(jì)算方法進(jìn)行計(jì)算。
(1)平均(2)最大值(3)到高位5位為止的晶片的平均(4)向偶數(shù)晶片序號(hào)的晶片的偏向度(由晶片序號(hào)的奇偶性產(chǎn)生的偏向度)(5)向批前半的晶片序號(hào)(例如從1到12號(hào))的晶片的偏向度(由晶片序號(hào)的前后半產(chǎn)生的偏向度)該計(jì)算值就變成為批的第1批特征量。
第1批特征量的個(gè)數(shù),是區(qū)域劃分150種、電測(cè)試3種、批特征量的計(jì)算方法5種和晶片特征量的計(jì)算方法2種的乘積,將達(dá)到4500種??梢詸C(jī)械性地定義共計(jì)4500種的第1晶片特征量。若對(duì)所有的批計(jì)算該第1批特征量,則可以得到圖10所示的那樣的達(dá)到4500行的一個(gè)表。
在步驟S7中,從處理履歷信息中以對(duì)象批的批ID為抽出條件抽出對(duì)象批的制造工序、在制造工序中使用的制造裝置。
在步驟S8中,對(duì)每一個(gè)第1批特征量,都進(jìn)行在每一個(gè)制造工序的制造裝置間的有效差異測(cè)定。對(duì)于所定義的4500種的特征量中的每一個(gè),都邊參照各個(gè)批的超凈室內(nèi)的制造裝置的處理履歷信息,邊測(cè)定特征量的裝置間有效差異。在例1中,在測(cè)定中使用χ的平方測(cè)定。例如,對(duì)每一個(gè)裝置計(jì)算各個(gè)特征量、在各個(gè)工序中的測(cè)定值的χ的平方值。得到圖11所示的表。例如,在制造工序1中,不僅制造裝置A,其它的制造裝置也對(duì)批進(jìn)行處理。測(cè)定在制造裝置A中進(jìn)行了處理的批的特征量,和在其它的制造裝置中進(jìn)行了處理的批的特征量中是否存在著有效差異。但是,要給測(cè)定值加上符號(hào),使得在特征量偏向高的一方的情況下取正號(hào),在偏向低的一方的情況下則取負(fù)的值。另外,在例1中,設(shè)想的是不合格存在的越多則特征量就會(huì)變得越高的情況。反之,在定義了不合格越多則值會(huì)變得越小的特征量的情況下,只要把符號(hào)的取法顛倒過來(lái)即可。因此,在在晶片全面上不合格少、在測(cè)定對(duì)象的區(qū)域劃分中不合格多的偏向的情況下,測(cè)定值將變成為正。反之,在在晶片全面上不合格多、在測(cè)定對(duì)象的區(qū)域劃分中不合格少的偏向的情況下,測(cè)定值將變成為負(fù)。同時(shí),在各個(gè)制造工序的每一者中都把測(cè)定值最大的制造裝置名稱記錄下來(lái)。
在步驟S9中,如圖12所示,把圖11的表的測(cè)定結(jié)果,按照測(cè)定值大的順序排列成1列。在例1中,對(duì)各個(gè)特征量的值域進(jìn)行6分割后進(jìn)行制造裝置間的有效差異測(cè)定。在該情況下,如果測(cè)定值在11以上,就可以判斷為存在著有效差異。測(cè)定得到了該11以上的測(cè)定值的特征量的種類、工序名稱、裝置名稱。例如,由圖12可知在第72號(hào)工序中若用制造裝置第M號(hào)機(jī)對(duì)批進(jìn)行處理,則在具有與對(duì)第32號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的功能測(cè)試的不合格偏向度而且在批內(nèi)的晶片序號(hào)中具有奇偶性的情況對(duì)應(yīng)的特征量中,就會(huì)產(chǎn)生最大的有效差異。同樣,若在第146號(hào)制造工序中用制造裝置第P號(hào)機(jī)對(duì)批進(jìn)行處理,則可知在與對(duì)第98號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的寬余量測(cè)試的不合格密度的批內(nèi)晶片的平均對(duì)應(yīng)的特征量中會(huì)產(chǎn)生有效差異。若在第187號(hào)制造工序中用制造裝置第Q號(hào)機(jī)進(jìn)行批處理,則可知在與對(duì)第127號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的DC測(cè)試的不合格密度的批內(nèi)晶片的最大值對(duì)應(yīng)的特征量中,會(huì)產(chǎn)生有效差異。把具有該有效差異的3臺(tái)制造裝置M、P、Q檢測(cè)為第1異常裝置。
在步驟S10中,把具有與已對(duì)第1異常裝置M進(jìn)行了檢測(cè)的第32號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的功能測(cè)試的不合格偏向度而且在批內(nèi)的晶片序號(hào)中具有奇偶性的情況對(duì)應(yīng)的第1批特征量抽出為當(dāng)作第1異常檢測(cè)批特征量。同樣,把與已對(duì)第1異常裝置P進(jìn)行了檢測(cè)的第98號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的寬余量測(cè)試的不合格密度的批內(nèi)晶片的平均對(duì)應(yīng)的第1批特征量抽出為第1異常檢測(cè)批特征量。把與已對(duì)第1異常裝置Q進(jìn)行了檢測(cè)的第127號(hào)區(qū)域劃分進(jìn)行的DC測(cè)試的不合格密度的批內(nèi)晶片的最大值對(duì)應(yīng)的第1批特征量抽出為第1異常檢測(cè)批特征量。
在步驟S11中,如圖13所示,在批的處理時(shí)刻繪制第72號(hào)制造工序的第1異常檢測(cè)批特征量,對(duì)已進(jìn)行了批處理的第1異常裝置M和在第72號(hào)制造工序中與第1異常裝置M并列地使用的2臺(tái)的制造裝置B和F進(jìn)行比較。具有這樣的傾向用第1異常裝置M進(jìn)行了處理的批的第1異常檢測(cè)批特征量,比在整個(gè)期間內(nèi)用其它的制造裝置B和F進(jìn)行處理的批的第1異常檢測(cè)批特征量更大。
如圖14所示,首先,設(shè)定閾值91。把在第72號(hào)制造工序的第1異常檢測(cè)批特征量在閾值91以下的情況下,用第1異常裝置M處理過的批84的個(gè)數(shù)1個(gè)對(duì)有在與第1異常裝置M在同一第72號(hào)制造工序中使用的所有的制造裝置M、B、F處理的批的個(gè)數(shù)7個(gè)的第1比1/7,和在第1異常檢測(cè)批特征量在閾值91以上的情況下,用與第1異常裝置M在同一第72號(hào)制造工序中使用的其它的制造裝置B、F處理的批的個(gè)數(shù)6個(gè)對(duì)與第1異常裝置M在同樣第72號(hào)制造工序中使用的所有的制造裝置M、B、F處理的批的個(gè)數(shù)13的第2比6/13之和0.61,計(jì)算為第1混合率。
其次,把第1混合率變成為最小的第1異常檢測(cè)批特征量的閾值計(jì)算為第1特征量閾值。就是說,設(shè)定與閾值91不同的閾值92。在該情況下,將變成為閾值92以下的用第1異常裝置M處理的批84、87的個(gè)數(shù)將變成為共計(jì)2個(gè),與閾值91的情況下同樣,采用求第1比和第2比的辦法,就可以把第1比2/14和第2比0/6之和0.14計(jì)算為第1混合率。然后,設(shè)定種種的閾值91、92…,反復(fù)計(jì)算第1混合率,混合率取決于閾值91、92…的大小而變化?;旌下时硎居瞄撝?1、92…不能分離正常的制造裝置B、F和第1異常裝置M的程度。若使閾值91、92…在第1異常檢測(cè)批特征量的全范圍內(nèi)移動(dòng),以計(jì)算混合率,則混合率如圖15所示可知具有極小值93。把極小值93處的第1異常檢測(cè)批特征量的值設(shè)定為第1特征量閾值94。
在步驟S12中,把第1異常檢測(cè)批特征量比第1特征量閾值94大的對(duì)象批,例如圖14的81到83、85、86、88的批ID抽出為第1異常批ID。
在步驟S13中,從處理履歷信息中把第1異常批ID的批內(nèi)的晶片W1到W8的晶片ID抽出為第1異常批ID。
在步驟S14中,從測(cè)試信息中抽出與第72號(hào)制造工序的第1異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的測(cè)試的第1異常晶片ID的不合格位置信息。
在步驟S15中,對(duì)于批81的晶片W1到W8,根據(jù)圖16所示的那樣的第1異常晶片ID的不合格的位置信息,制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。與第72號(hào)的第1異常批特征量具有奇偶性同樣,批81的晶片W1到W8的不合格分布圖也具有奇偶性。把晶片W1、W3、W5、W7的不合格分布圖當(dāng)作含有群集不合格的第1異常晶片不合格分布圖。同樣,對(duì)于批82的晶片W1到W8,制作圖17所示的那樣的晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖,把晶片W1、W3、W5、W7的不合格分布圖當(dāng)作含有群集不合格的第1異常晶片不合格分布圖。以下也同樣地,對(duì)于批83、85、86、88的晶片W1到W8,制作晶片面內(nèi)的多個(gè)第1異常晶片不合格分布圖。
如圖18所示,把第72號(hào)制造工序的第1異常批特征量的第1異常晶片不合格分布圖匯總分類為種類1。同樣,實(shí)施步驟S11到S15,制作第146號(hào)制造工序的第1異常批特征量的第1異常晶片不合格分布圖,匯總分類為種類2。制作第187號(hào)制造工序的第1異常批特征量的第1異常晶片不合格分布圖,匯總分類為種類3。在每一個(gè)種類中,都示出了具有同一群集不合格的晶片的第1異常晶片不合格分布圖、批ID和晶片ID。屬于種類1的晶片,偏向于晶片的中央部分地存在著不合格顯示區(qū)域42。屬于種類2的晶片,偏向于晶片的中央部分地存在著不合格顯示區(qū)域42。屬于種類3的晶片,偏向于晶片的下部地存在著不合格顯示區(qū)域42。
在步驟S16中,使圖18的種類1的晶片W1到W3的第1異常晶片不合格分布圖重疊起來(lái),對(duì)每一個(gè)適當(dāng)?shù)某叽绲奈⑿^(qū)域(叫做區(qū)段)求區(qū)段內(nèi)的不合格位數(shù)的累計(jì)。形成圖19所示的那樣的具有為多個(gè)第1異常晶片不合格分布圖所共同的分布的第1群集不合格分布圖。由不合格的密度的等高線95到98可知具有在晶片的左上邊沿上存在著許多不合格位的傾向。由該結(jié)果可知第72號(hào)制造工序的第1異常裝置M,不合格多發(fā)生在晶片左上的邊沿上。第1群集不合格分布圖,由于是重疊起來(lái)的不合格分布,故被叫做所謂的堆疊映像。作為重疊方法,例如,在存儲(chǔ)器產(chǎn)品的情況下,也可以是失效位映像的邏輯或。在邏輯產(chǎn)品的情況下,也可以求在晶片內(nèi)的每一個(gè)芯片的配置位置上不合格芯片的存在比率。
對(duì)于圖18的的另外的種類2和種類3,也可以同樣地形成可用圖20所示的那樣的不合格的密度的等高線101到103表示的、具有為多個(gè)第1異常晶片不合格分布圖所共同的分布的第1群集不合格分布圖。由此可求第1異常裝置P和Q究竟在晶片面內(nèi)的什么地方產(chǎn)生的不合格多。在每一個(gè)種類內(nèi),都示出了第1群集不合格分布圖的分類結(jié)果。屬于種類1的晶片,偏向于晶片的左上邊沿地存在不合格。屬于種類2的晶片,偏向于晶片的中央部分地存在著不合格。屬于種類3的晶片,偏向于晶片的下部地存在著不合格。
倘采用以上的處理,由于用機(jī)械性地發(fā)生的特征量進(jìn)行裝置間有效差異測(cè)定,并對(duì)已得到了有效差異的第1異常裝置,求已對(duì)該第1異常裝置進(jìn)行了檢測(cè)的特征量高的批的堆疊映像,故可以確實(shí)地使群集不合格和第1異常裝置加以對(duì)應(yīng)。以往人們嘗試的是先識(shí)別群集不合格,然后再借助于使群集不合格數(shù)值化后的特征量,特定不合格原因的制造裝置。但是,如果特征量化的方法不合適,則不能特定不合格原因的制造裝置。在例1的方法中,由于已機(jī)械性地定義了大量的特征量,故在特征量中存在著合適的特征量的可能性高,因而可以提高異常裝置的檢測(cè)率。
以下,用把群集不合格分類成種類后的結(jié)果,再次使之發(fā)生特征量,提高異常裝置的檢測(cè)率。作為已分類為種類的結(jié)果,示出了使用制造裝置間的有效差異的結(jié)果的情況。
在步驟S17中,在圖20的種類1的第1群集不合格分布圖中,以不合格的密度的等高線101到103為密度閾值,對(duì)每一個(gè)密度閾值,都在對(duì)象晶片上設(shè)定不合格的密度比密度閾值高的不合格發(fā)生區(qū)域。例如,如圖21的水準(zhǔn)1所示,在不合格發(fā)生區(qū)域105上設(shè)定比不合格的密度的等高線101所表示的不合格的密度還高的不合格的密度的區(qū)域。同樣,作為水準(zhǔn)2,在不合格發(fā)生區(qū)域106上設(shè)定比不合格的密度的等高線102所示的不合格的密度更高的不合格的密度的區(qū)域。作為水準(zhǔn)3,在不合格發(fā)生區(qū)域107上設(shè)定比不合格的密度的等高線103所示的不合格的密度更高的不合格的密度的區(qū)域。得知如下的情況隨著水準(zhǔn)從水準(zhǔn)1向水準(zhǔn)3升高,要在低的水準(zhǔn)的不合格發(fā)生區(qū)域中設(shè)定高的水準(zhǔn)的不合格發(fā)生區(qū)域。
此外,同樣地設(shè)定種類2和種類3的不合格發(fā)生區(qū)域。另外,水準(zhǔn)1到水準(zhǔn)3,是密度閾值的設(shè)定水準(zhǔn),在例1中,相對(duì)于晶片面內(nèi)的不合格密度的最大值,把10%定為水準(zhǔn)1,把30%定為水準(zhǔn)2,把50%定為水準(zhǔn)3。作為密度閾值,也可以是不合格密度的絕對(duì)值??芍雀呔€的圖形表示各個(gè)種類的特征。
在步驟S18中,對(duì)于每一個(gè)對(duì)象晶片,都計(jì)算根據(jù)不合格發(fā)生區(qū)域使不合格的晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第2晶片特征量。作為第2晶片特征量,與第1晶片特征量同樣,計(jì)算不合格密度和偏向度。不使用區(qū)域劃分而代之以使用用種類1到種類3和水準(zhǔn)1到水準(zhǔn)3分類的不合格發(fā)生區(qū)域這一點(diǎn),第2晶片特征量與第1晶片特征量不同。另外,不合格發(fā)生區(qū)域,要用對(duì)于種類1到3中的每一個(gè)都已使種類1到種類3的不合格分布重疊起來(lái)的分布進(jìn)行設(shè)定。種類1以功能測(cè)試為基礎(chǔ),種類2以寬余量測(cè)試為基礎(chǔ),種類3以DC測(cè)試為基礎(chǔ),電測(cè)試取決于種類而不同。即便是這樣,使種類1到種類3的不合格分布發(fā)生重疊起來(lái)的分布的原因,在于使之機(jī)械性地發(fā)生多個(gè)特征量。
在步驟S19中,根據(jù)對(duì)每一個(gè)對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的第2晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)對(duì)象批的第2批特征量。如圖22所示,與圖10比較,不使用區(qū)域劃分而代之以使用用種類1到種類3和水準(zhǔn)1到水準(zhǔn)3分類的不合格發(fā)生區(qū)域這一點(diǎn),第2批特征量與第1批特征量不同。因此,第2批特征量的總數(shù)以用種類1到種類3和水準(zhǔn)1到水準(zhǔn)3分類的不合格發(fā)生區(qū)域的個(gè)數(shù)進(jìn)行變動(dòng)。
用在步驟S7中抽出的制造裝置,在步驟S20中,用與步驟S8同樣的步驟,對(duì)第2批特征量中的每一者,進(jìn)行每一個(gè)制造工序的制造裝置間的有效差異測(cè)定。
然后,在步驟S21中,如圖23所示,把圖22的表的測(cè)定結(jié)果按照測(cè)定值的大小順序排列起來(lái)輸出。在圖23的C欄中,可知已檢測(cè)到與在步驟S8的圖12中所示的同一第72號(hào)制造工序和制造裝置M。如果在第72號(hào)制造工序中用制造裝置第M號(hào)機(jī)進(jìn)行批處理,則可知在與對(duì)具有種類1的水準(zhǔn)2的不合格發(fā)生區(qū)域進(jìn)行的功能測(cè)試的不合格的偏向度且在批內(nèi)的晶片序號(hào)中具有奇偶性的情況對(duì)應(yīng)的特征量中會(huì)產(chǎn)生最大的有效差異。另一方面,在D欄中,可知已檢測(cè)到在圖12中根本未示出的第78號(hào)制造工序和制造裝置N。若在第78號(hào)制造工序中用制造裝置第N號(hào)機(jī)進(jìn)行批處理,可以在與最種類1的水準(zhǔn)3的不合格發(fā)生區(qū)域進(jìn)行的寬余量測(cè)試的不合格密度的批內(nèi)的晶片的最大值對(duì)應(yīng)的特征量中產(chǎn)生有效差異。把具有該有效差異的2臺(tái)的制造裝置M、N檢測(cè)為第2異常裝置。
在步驟S22中,與步驟S10同樣,把已對(duì)第2異常裝置M、N進(jìn)行了檢測(cè)的第2批特征量抽出為第2異常檢測(cè)批特征量。
在步驟S23中,與步驟S11同樣,設(shè)定第2異常裝置M、N的第2異常檢測(cè)批特征量的第2特征量閾值。
在步驟S24中,與步驟S12同樣,抽出第2異常檢測(cè)批特征量比第2第2特征量閾值大的第2異常批ID。
在步驟S25中,與步驟S13同樣,從處理履歷信息中把第2異常批ID的批內(nèi)的晶片W1到W8的晶片ID抽出為第2異常晶片ID。
在步驟S26中,與步驟S14同樣,從測(cè)試信息中抽出與第72號(hào)和78號(hào)的制造工序的第2異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的測(cè)試的第2異常晶片ID的不合格的位置信息。
在步驟S27中,與步驟S15同樣,對(duì)于第2異常批ID的第2異常晶片ID,根據(jù)第2異常晶片ID的不合格的位置信息制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。
在步驟S28中,與步驟S16同樣,使與第2異常裝置M有關(guān)的第2異常晶片不合格分布圖重疊,如圖24所示,形成C欄的第2批特征量大的批的第2群集不合格分布圖,由此可知,種類1的不合格原因的制造裝置就是第72號(hào)制造工序的裝置第M號(hào)機(jī)。
使與第2異常裝置N有關(guān)的第2異常晶片不合格分布圖重疊,如圖25所示,形成D欄的第2批特征量大的批的第2群集不合格分布圖。由圖23的D欄可知用第1批特征量雖然未檢測(cè)到,但是用第2批特征量已檢測(cè)到了第78號(hào)制造工序和制造裝置N。此外還可知該第2群集不合格分布圖,如圖25所示,就是可用不合格的密度的等高線99表示的從晶片左上斜向地延伸的條狀的不合格。之所以用第1批特征量未檢測(cè)到,用第2批特征量則檢測(cè)到,被認(rèn)為是由于不合格是微弱的,若用第1批特征量則會(huì)被看漏掉,以及不合格的分布與第1批特征量的分布區(qū)域的邊界重疊起來(lái)的緣故。但是,第2批特征量,由于除去和集中產(chǎn)生于種類1的左上的不合格有關(guān)地設(shè)定不合格發(fā)生區(qū)域之外,圖25的群集不合格也是集中發(fā)生在種類1的左上的不合格,故被認(rèn)為是機(jī)械性地設(shè)定了多個(gè)與共同的區(qū)域有關(guān)的特征量,因而得以檢測(cè)到圖25的群集不合格。就是說,第2批特征量,是對(duì)于檢測(cè)隱藏于不合格內(nèi)的不合格最為合適的特征量例如圖23的D欄的特征量,被認(rèn)為是所謂的檢測(cè)異常裝置的靈敏度高。
如上所述,由于使用機(jī)械性地定義的多個(gè)的特征量,故可以確實(shí)地使群集不合格與其原因裝置對(duì)應(yīng)起來(lái)。此外,由于使之在從群集不合格的分類結(jié)果抽出的不合格發(fā)生區(qū)域中發(fā)生特征量,故可以高靈敏度地對(duì)異常裝置檢測(cè)。
如上所述,倘采用例1,則可以提供根據(jù)在每一個(gè)晶片上發(fā)生的不合格的分布檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)方法。倘采用例1,則可以提供根據(jù)在每一個(gè)晶片上發(fā)生的不合格的分布檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)裝置。倘采用例1,則可以提供用來(lái)使計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)在每一個(gè)晶片中發(fā)生的不合格的分布,檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)程序。
(例2)
在例2中,對(duì)用把群集不合格分類成種類的結(jié)果,產(chǎn)生特征量檢測(cè)異常裝置的方法進(jìn)行說明。作為已分類為種類的結(jié)果,示出了使用由在晶片間的群集不合格的類似性產(chǎn)生的種類的情況。在例2中,使用圖1的不合格檢測(cè)裝置1。此外,在例2中,對(duì)把圖2和圖3的不合格檢測(cè)方法的一部分置換成圖4的流程的不合格檢測(cè)方法進(jìn)行說明。
首先,與例1同樣實(shí)施圖2的步驟S1到步驟S4。如圖26A到圖26H所示,對(duì)對(duì)象晶片W1到W8,從晶片ID和測(cè)試信息中抽出在測(cè)試的對(duì)象晶片內(nèi)的不合格的位置信息。
在步驟S5中,與例1同樣,計(jì)算第1晶片特征量。在圖27A到圖27D中,對(duì)于晶片W1到W4表示了出來(lái),要在晶片W1到W8中的每一者中,都以一定的順序把第1晶片特征量排列起來(lái),按照該順序用折線把第1晶片特征量的值連起來(lái)形成波形。該第1晶片特征量的波形,是晶片W1到W8固有的波形。人們認(rèn)為如果第1晶片特征量的波形在晶片間具有類似性,則晶片間的不合格的分布也具有類似性。例如,圖26A到圖26C的W1到W3的不合格的分布乍看起來(lái)雖然并不類似,但是圖26A的W1和圖26D的W4的不合格的分布卻乍看起來(lái)就可以認(rèn)為是類似。圖27A到圖27C的W1到W3的第1晶片特征量的波形乍看起來(lái)雖然并不類似,但是圖27A的W1和圖27D的W4的第1晶片特征量的波形卻乍看起來(lái)就可以認(rèn)為是類似。此外,人們還認(rèn)為在具有類似性的不合格的分布中,含有共同的群集不合格。于是,為了檢測(cè)群集不合格,其次要進(jìn)行作為晶片間的不合格的分布的類似性的定量化的第1晶片特征量的波形在晶片間的類似性的定量化。
在步驟S31中,在類似性計(jì)算部分18中,作為第1晶片特征量的波形的晶片間的類似性的定量化,就第1晶片特征量來(lái)說,要用相關(guān)系數(shù)表示晶片間的類似的程度。對(duì)于第1晶片特征量,計(jì)算所有的對(duì)象晶片間的相關(guān)系數(shù)。如圖28A到圖28C所示,由在晶片間繪制第1晶片特征量的散布圖可知晶片間的相關(guān)關(guān)系。在圖28A的晶片W1和W2之間,在第1晶片特征量之間未發(fā)現(xiàn)相關(guān)。此外,在圖28B的晶片W1和W3之間,在第1晶片特征量之間未發(fā)現(xiàn)相關(guān)。但是,在圖28C的晶片W1和W4之間,卻在第1晶片特征量之間發(fā)現(xiàn)了強(qiáng)的相關(guān)。為了使這些相關(guān)定量化,要用式4到7求晶片i和晶片j間的第1晶片特征量的相關(guān)系數(shù)rij。
rij=Cov(i,j)σiσj---(4)]]>Cov(i,j)=1NgΣk(gk-μg)(hk-μh)---(5)]]>σi=(1NgΣkgk2)-μg2---(6)]]>σi=(1NgΣkhk2)-μh2---(7)]]>其中,gk和hk是晶片i和晶片j的第1晶片特征量。此外,Ng是第1晶片特征量的個(gè)數(shù)。μg是晶片i的Ng個(gè)的第1晶片特征量的平均,μh是晶片j的Ng個(gè)的第1晶片特征量的平均。
因此,晶片W1和W2之間的相關(guān)系數(shù)r12是0.02。晶片W1和W3之間的相關(guān)系數(shù)r13是0.03。晶片W1和W4之間的相關(guān)系數(shù)r14是0.92。
在步驟S32中,采用借助于所求得的相關(guān)系數(shù)對(duì)具有不合格的分布的類似性的晶片進(jìn)行分組的辦法,抽出第1異常晶片ID。把相關(guān)系數(shù)的閾值設(shè)定為0.8。如果相關(guān)系數(shù)rij在閾值0.8以上,則判斷為這些晶片i和j的不合格的分布彼此類似。如圖29所示,閾值在0.8以上的相關(guān)系數(shù)rij,是相關(guān)系數(shù)r14、r41、r17、r71、r25、r52、r36、r63、r38、r83、r47、r74、r68、r86。其它的相關(guān)系數(shù)rij小于閾值0.8。
在例2中,可以借助于第1晶片特征量的相關(guān)系數(shù)rij等使晶片間的不合格的分布的類似性定量化而無(wú)須問不合格的分布的種類。此外,還可以自動(dòng)抽出具有彼此類似的不合格的分布的晶片。
其次,根據(jù)借助于第1晶片特征量判定的晶片間的不合格的分布的類似性,使不合格的分布類似的晶片分組,自動(dòng)產(chǎn)生不合格種類。只要可以使不合格的種類的產(chǎn)生自動(dòng)化,就可以構(gòu)筑自動(dòng)地報(bào)告輸出在工場(chǎng)中發(fā)生的不合格的問題的系統(tǒng)。
首先,形成不合格的分布類似的晶片的類似晶片群S。這是因?yàn)轭愃凭篠,對(duì)于晶片中的每塊,都要抽出具有類似性的其它的晶片的緣故。
例如,對(duì)于圖29的晶片W1來(lái)說,對(duì)晶片W1具有類似性的晶片,是晶片W4和W7。于是,如圖30所示,要形成用晶片W1、W4和W7三片構(gòu)成的類似晶片群S1。對(duì)于晶片W2來(lái)說,對(duì)晶片W2具有類似性的晶片,是晶片W5。于是,形成用晶片W2和W5這2塊構(gòu)成的類似晶片群S2。以下同樣地,形成類似晶片群S3到S8。
計(jì)算類似晶片群Si和Sj的類似度Rij,類似度Rij用在類似晶片群Si和Sj間具有相關(guān)的晶片的決數(shù)的比率定義。就是說,類似度Rij定義為對(duì)于屬于類似晶片群Si和Sj的所有的晶片的組的總數(shù)的、彼此具有相關(guān)的晶片的組的數(shù)的比。把類似度Rij的閾值設(shè)定為0.5。具有閾值0.5以上的類似度Rij的類似晶片群Si和Sj判定為彼此類似。另外,類似度Rij也可以定義為是屬于類似晶片群Si和Sj這兩方的所有的晶片塊數(shù)對(duì)屬于類似晶片群Si和Sj中的至少一方的所有的晶片塊數(shù)的比。
例如,類似晶片群S1和S4的類似度R14,就是彼此具有相關(guān)的晶片的組(W1和W4)(W1和W7)(W4和W7)的總數(shù)3組,對(duì)屬于類似晶片群S1和S4的所有的晶片的組(W1和W4)(W1和W7)(W4和W7)的總數(shù)3組的比3/3,是1.0。如圖30所示,由于類似度R14是1.0,在閾值0.5以上,故判定為類似晶片群S1和S4彼此類似。同樣,由于類似度R41是1.0,在閾值0.5以上,故判定為類似晶片群S4和S1彼此類似。
類似晶片群S1和S2的類似度R12,由于是彼此具有相關(guān)的晶片的組(W1和W4)(W1和W7)(W2和W5)(W4和W7)的總數(shù)4組,對(duì)屬于類似晶片群S1和S2的所有的晶片的組(W1和W2)(W1和W4)(W1和W5)(W1和W7)(W2和W4)(W2和W5)(W2和W7)(W4和W5)(W4和W7)(W5和W7)的總數(shù)10組,故它們的比是4/10的0.4。由于類似度R12是0.4,小于閾值0.5,故判定類似晶片群S1和S2為不類似。同樣,由于類似度R21為0.4,小于閾值0.5,故判定類似晶片群S2和S1為不類似。以下同樣,由于類似度R14、R41、R17、R71、R25、R52、R36、R63、R38、R83、R47、R74、R68、R86是1,大于閾值0.5,故判定類似晶片群的組(S1和S4)(S1和S7)(S3和S6)(S3和S8)(S4和S7)(S6和S8)(S2和S5)是類似的。
其次,如圖30所示,把類似晶片群Si按照要素的個(gè)數(shù),就是說按照晶片塊數(shù)多的順序分類。使晶片的塊數(shù)為3塊的類似晶片群S1、S3、S4、S7和S8變成為第1到第6位。使晶片的塊數(shù)為2塊的類似晶片群S2和S5變成為第7位和第8位。
從在分類中變成為高位的類似晶片群開始按照順序,邊參照由類似度Rij得到的類似的判定,邊把類似晶片群分成組。首先,對(duì)于分類順序?yàn)榈?位的類似晶片群S1把已判定為與類似晶片群S1類似的類似晶片群S4、S7分成組。作為識(shí)別因子把不合格種類C1分配給該組的類似晶片群S1、S4、S7。
包括類似晶片群S1在內(nèi),除去已分組為類似晶片群S1的晶片組Si之外,順序位最高的類似晶片群Si,是類似晶片群S3。對(duì)于類似晶片群S3,尚未分配不合格種類C1而判定為與類似晶片群S3類似的類似晶片群Si,是類似晶片群S6、S8。于是,就用類似晶片群S3、S6和S8構(gòu)成組,作為識(shí)別因子把不合格種類C2分配給該組的類似晶片群S3、S6和S8。
對(duì)于尚未分組的類似晶片群Si,順序位最高的類似晶片群Si,是類似晶片群S2。對(duì)于類似晶片群S2,尚未分配不合格種類C1和C2而判定為與類似晶片群S2類似的類似晶片群Si,是類似晶片群S5。于是,就用類似晶片群S2和S5構(gòu)成組,作為識(shí)別因子把不合格種類C3分配給該組的類似晶片群S2和S5。該分組之所以有效,是因?yàn)樵诟呶坏念愃凭篠i間,幾乎都存在著許多同一晶片變成為要素的情況的緣故。
在把類似晶片群Si分成組后,把在已分配了各個(gè)不合格種類C的組內(nèi)除去了重復(fù)的晶片之后的晶片的集合定為不合格種類C1、C2、C3。其次,對(duì)各個(gè)晶片,求在晶片間對(duì)于第1晶片特征量具有相關(guān)的晶片的塊數(shù)對(duì)屬于每一個(gè)不合格種類C1、C2、C3的晶片的塊數(shù)的比率。該比率。只要是事前設(shè)定的閾值以上,則使其各自的晶片屬于該不合格種類C1、C2、C3。借助于此,就可以對(duì)每一個(gè)晶片決定所屬的不合格種類C1、C2、C3,就是說,可以在各個(gè)不合格種類C1、C2、C3中的每一者中抽出不合格的分布彼此類似的第1異常晶片ID。另外,在該情況下,有時(shí)候1塊晶片會(huì)屬于多個(gè)不合格種類C1、C2、C3。
具體地說,作為閾值,設(shè)定0.4。就晶片W1來(lái)說,在不合格種類C1中,晶片W4和W7這2塊存在著相關(guān)。由于屬于不合格種類C1的晶片是W1、W4和W7這3塊,故晶片塊數(shù)的比率是2/3,變成為0.66。該晶片W1的比率0.66由于比閾值0.4大,故晶片W1屬于不合格種類C1。此外,晶片W1在不合格種類C2和C3中,與別的晶片不相關(guān)。晶片的塊數(shù)的比率,變成為0。該晶片W1的比率的0,由于比閾值0.4小,故晶片W1不屬于不合格種類C2和C3。
就晶片W4來(lái)說,在不合格種類C1中,晶片W1和W7這2塊存在著相關(guān)。由于屬于不合格種類C1的晶片是W1、W4和W7這3塊,故晶片的塊數(shù)的比率為2/3,變成為0.66。由于該晶片W4的比率0.66比閾值0.4大,故晶片W4屬于不合格種類C1。此外,晶片W4在不合格種類C2和C3中,與別的晶片不相關(guān)。晶片的塊數(shù)的比率,變成為0。該晶片W4的比率的0,由于比閾值0.4小,故晶片W4不屬于不合格種類C2和C3。以下經(jīng)同樣地處理,對(duì)于晶片W1到W8的所有的晶片設(shè)定種類。
從各個(gè)不合格種類C內(nèi)的晶片中,把對(duì)第1晶片特征量來(lái)說與最多的晶片具有相關(guān)的晶片定為代表晶片。例如,從不合格種類C1內(nèi)的晶片W1、W4和W7中,把彼此具有相關(guān)的晶片W1、W4和W7定為代表晶片。
把在不合格種類C內(nèi)就代表晶片和第1晶片特征量來(lái)說存在著相關(guān)的晶片定為該不合格種類的代表晶片群。例如,把在不合格種類C1內(nèi)的對(duì)代表晶片W1、W4和W7內(nèi)具有相關(guān)的晶片W1、W4和W7定為代表晶片群。同樣,把在不合格種類C2內(nèi)的代表晶片W3、W6和W8內(nèi)具有相關(guān)的晶片W3、W6和W8定為代表晶片群。把在不合格種類C3內(nèi)的代表晶片W2和W5內(nèi)具有相關(guān)的晶片W2和W5定為代表晶片群。
在步驟S33中,從測(cè)試信息中抽出第1異常晶片ID的不合格的位置信息。在步驟S34中,對(duì)于每一個(gè)不合格種類C1、C2、C3,都根據(jù)第1異常晶片ID的不合格的位置信息,把晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖制作成第1異常晶片不合格分布圖。對(duì)晶片W1到W8來(lái)說,就可以根據(jù)圖18所示的那樣的第1異常晶片ID的不合格的位置信息,制作晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖。另外,不合格種類C1與種類1對(duì)應(yīng),不合格種類C2與種類3對(duì)應(yīng),不合格種類C3與種類2對(duì)應(yīng)。
以下,返回到圖2的B,與例1同樣實(shí)施步驟S16以下的處理。
如上所述,倘采用例2,則可以提供可以根據(jù)在每一個(gè)晶片上發(fā)生的不合格的分布檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)方法。倘采用例2,則可以提供可根據(jù)在每一個(gè)晶片上發(fā)生的不合格的分布檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)裝置。倘采用例2,則可以提供用來(lái)使計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)在每一個(gè)晶片中發(fā)生的不合格的分布,檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)程序。
本發(fā)明可用其它的特定的形態(tài)實(shí)施而不會(huì)背離其精神或基本特征。因此,就像所說明的那樣這些實(shí)施形態(tài)被看作是在所有的方面而不受限制,本發(fā)明的范圍由所附技術(shù)方案而不是由前邊的講述決定,因此,就意味著在技術(shù)方案的等同的意圖或范圍內(nèi)的所有的改變,都包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種不合格檢測(cè)方法,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該方法包括在上述晶片上設(shè)定預(yù)定的區(qū)域劃分;輸入對(duì)象批的上述批ID;從上述批ID和上述處理履歷信息中,抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID;從上述晶片ID和上述測(cè)試信息中抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量;根據(jù)對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的上述第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)上述對(duì)象批的第1批特征量;由上述處理履歷信息,以上述對(duì)象批的上述批ID為抽出條件,抽出上述對(duì)象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造裝置;對(duì)每一個(gè)上述第1批特征量,進(jìn)行每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間的有效差異測(cè)定;和把具有有效差異的上述制造裝置檢測(cè)為第1異常裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不合格檢測(cè)方法,還包括把對(duì)上述第1異常裝置檢測(cè)出的上述第1批特征量抽出為第1異常檢測(cè)批特征量;設(shè)定上述第1異常檢測(cè)批特征量的第1特征量閾值;和把上述第1異常檢測(cè)批特征量比上述第1特征量閾值大的上述對(duì)象批的批ID抽出為第1異常批ID。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不合格檢測(cè)方法,還包括由上述處理履歷信息,把上述第1異常批ID的批內(nèi)的晶片的晶片ID抽出為第1異常晶片ID;由上述測(cè)試信息,抽出與上述第1異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的上述測(cè)試中的上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息;根據(jù)上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息,把晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖制作成第1異常晶片不合格分布圖。
4.一種不合格檢測(cè)方法,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該方法包括在上述晶片上設(shè)定多個(gè)區(qū)域劃分;輸入對(duì)象批的上述批ID;由上述批ID和上述處理履歷信息抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID;由上述晶片ID和上述測(cè)試信息抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量;對(duì)于上述第1晶片特征量,用相關(guān)系數(shù)表示上述晶片間的類似度;根據(jù)上述類似度是否為預(yù)先設(shè)定的相關(guān)系數(shù)閾值或該閾值以上對(duì)上述晶片分組,抽出為第1異常晶片ID;由上述測(cè)試信息抽出上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息;和根據(jù)上述第1異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息,把晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖制作為第1異常晶片不合格分布圖。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的不合格檢測(cè)方法,還包括根據(jù)上述第1異常晶片不合格分布圖制作第1群集不合格分布圖。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的不合格檢測(cè)方法,還包括用上述第1群集不合格分布圖,對(duì)每一個(gè)密度閾值,在上述對(duì)象晶片上設(shè)定不合格的密度比上述密度閾值高的不合格發(fā)生區(qū)域;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述不合格發(fā)生區(qū)域使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第2晶片特征量;根據(jù)對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的上述第2晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)上述對(duì)象批的第2批特征量;對(duì)每一個(gè)上述第2批特征量,進(jìn)行每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間的有效差異測(cè)定;和把具有有效差異的上述制造裝置檢測(cè)為第2異常裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的不合格檢測(cè)方法,還包括把對(duì)上述第2異常裝置檢測(cè)出的上述第2批特征量抽出為第2異常檢測(cè)批特征量;設(shè)定上述第2異常檢測(cè)批特征量的第2特征量閾值;和把上述第2異常檢測(cè)批特征量比上述第2特征量閾值大的上述對(duì)象批的批ID抽出為第2異常批ID。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的不合格檢測(cè)方法,還包括由上述處理履歷信息把上述第2異常批ID的批內(nèi)的晶片的晶片ID抽出為第2異常晶片ID;由上述測(cè)試信息抽出與上述第2異常檢測(cè)批特征量有關(guān)的上述測(cè)試中的上述第2異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息;根據(jù)上述第2異常晶片ID的上述不合格的上述位置信息,把晶片面內(nèi)的多個(gè)不合格分布圖制作成第2異常晶片不合格分布圖。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的不合格檢測(cè)方法,還包括根據(jù)上述第2異常晶片不合格分布圖制作第2群集不合格分布圖。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于上述區(qū)域劃分是用上述晶片的圓的中心的中心角分成的角度區(qū)域,和用距上述中心的距離分成的距離區(qū)域的重疊的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于上述測(cè)試,是DC測(cè)試、功能測(cè)試和寬余量測(cè)試中的至少一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于上述第1晶片特征量,是在上述區(qū)域劃分內(nèi)的不合格的發(fā)生率的不合格密度和用χ的平方值表示對(duì)于上述晶片的上述區(qū)域劃分處的上述不合格的偏向的偏向度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于上述第1批特征量,是上述對(duì)象批內(nèi)的上述對(duì)象晶片的上述不合格密度與上述偏向度的各自的平均、最大值、高位的平均、由上述晶片ID的奇偶性產(chǎn)生的偏向度、由上述晶片ID的前半后半產(chǎn)生的偏向度中的至少1者。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于在進(jìn)行上述制造裝置間的有效差異測(cè)定中,在每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間,計(jì)算用上述制造裝置處理的上述對(duì)象批的上述第1批特征量的χ的平方值的測(cè)定值。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于對(duì)上述第1特征量閾值的設(shè)定,包括在上述第1異常檢測(cè)批特征量為預(yù)定的閾值或該閾值以下的情況下,把用上述第1異常裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)用與上述第1異常裝置在同一上述制造工序中使用的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第1比,和在上述第1異常檢測(cè)批特征量為上述閾值或該閾值以上的情況下,用與上述第1異常裝置在同一上述制造工序中使用過的其它的制造裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)用與上述第1異常裝置在同一上述制造工序中使用過的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第2比之和,計(jì)算為第1混入率,把上述第1混入率成為最小的上述第1異常檢測(cè)批特征量的閾值計(jì)算為上述第1特征量閾值。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于制作上述第1群集不合格分布圖,是使上述第1異常晶片不合格分布圖重疊,對(duì)上述第1異常晶片不合格分布圖的分布進(jìn)行累加,或者,計(jì)算上述第1異常晶片不合格分布圖的晶片內(nèi)位置關(guān)系為相等的不合格的邏輯或。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于對(duì)上述第2特征量閾值的設(shè)定,包括在上述第2異常檢測(cè)批特征量小于規(guī)定的閾值的情況下,把用上述第1異常裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與上述第2異常裝置在同一上述制造工序中使用的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第1比,和在上述第2異常檢測(cè)批特征量大于上述閾值的情況下,上述第2異常裝置在同一上述制造工序中使用過的另外的制造裝置處理過的批的批數(shù)對(duì)與上述第2異常裝置在同一上述制造工序中使用過的所有的制造裝置處理過的批的批數(shù)的第2比之和,計(jì)算為第2混入率,把上述第2混入率變成為最小的上述第2異常檢測(cè)批特征量的閾值計(jì)算為上述第2特征量閾值。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的不合格檢測(cè)方法,其特征在于制作上述第2群集不合格分布圖,是使上述第2異常晶片不合格分布圖重疊,對(duì)上述第2異常晶片不合格分布圖的分布進(jìn)行累加,或者,計(jì)算上述第2異常晶片不合格分布圖的晶片內(nèi)位置關(guān)系為相等的不合格的邏輯或。
19.一種不合格檢測(cè)裝置,其能利用[可以以批的批ID為抽出條件抽出上述批內(nèi)的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID為抽出條件抽出上述批的制造工序,和在上述制造工序中使用的制造裝置的處理履歷信息],和[可以以上述晶片的晶片ID和測(cè)試名稱為抽出條件,抽出每一次測(cè)試中在晶片內(nèi)發(fā)生的不合格的位置信息的測(cè)試信息]檢測(cè)該不合格,該裝置包括在上述晶片上設(shè)定預(yù)定的區(qū)域劃分的區(qū)域劃分設(shè)定部分;輸入對(duì)象批的上述批ID的輸入部分;由上述批ID和上述處理履歷信息抽出上述對(duì)象批內(nèi)的對(duì)象晶片的上述晶片ID的晶片ID抽出部分;由上述晶片ID和上述測(cè)試信息抽出測(cè)試中的在上述對(duì)象晶片內(nèi)的上述不合格的上述位置信息的位置信息抽出部分;對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片,計(jì)算根據(jù)上述區(qū)域劃分使上述不合格在晶片面內(nèi)的分布的偏向定量化的第1晶片特征量的晶片特征量計(jì)算部分;根據(jù)對(duì)每一個(gè)上述對(duì)象晶片計(jì)算出來(lái)的上述第1晶片特征量,計(jì)算每一個(gè)上述對(duì)象批的第1批特征量的批特征量計(jì)算部分;由上述處理履歷信息以上述對(duì)象批的上述批ID為抽出條件,抽出上述對(duì)象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造裝置的制造裝置抽出部分;對(duì)每一個(gè)上述第1批特征量,進(jìn)行每一個(gè)上述制造工序的上述制造裝置間的有效差異測(cè)定的有效差異的測(cè)定部分;和把具有有效差異的上述制造裝置檢測(cè)為第1異常裝置的異常裝置檢測(cè)部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及根據(jù)在每一個(gè)晶片上產(chǎn)生的不合格分布,檢測(cè)在半導(dǎo)體集成電路的制造工序中使用的異常制造裝置的不合格檢測(cè)方法和不合格檢測(cè)裝置。
文檔編號(hào)G06F11/30GK1574269SQ20041004796
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月18日
發(fā)明者松下宏, 門多健一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
上饶市| 紫阳县| 安平县| 南城县| 油尖旺区| 乌兰浩特市| 吐鲁番市| 岫岩| 远安县| 余江县| 揭阳市| 罗平县| 卓尼县| 河曲县| 无为县| 永城市| 重庆市| 襄樊市| 河北省| 宁河县| 临泽县| 铜山县| 琼结县| 新巴尔虎左旗| 诏安县| 南靖县| 阿荣旗| 台江县| 平乐县| 蓬溪县| 恩平市| 融水| 灵宝市| 广元市| 临澧县| 平乐县| 辽中县| 华蓥市| 清苑县| 肥东县| 长沙县|