接到參考電壓產(chǎn)生器111以用于接收參考電壓VR。運(yùn)算放大器OPl的第二輸入端耦接到運(yùn)算放大器OPl的輸出端，且運(yùn)算放大器OPl的輸出端提供偏壓VBIAS。
[0048]請參看圖3，圖3為根據(jù)本發(fā)明的實施例的電壓箝位電路120的電路圖。電壓箝位電路120包含第一 N型晶體管匪I和第二 N型晶體管匪2。第一 N型晶體管匪I具有第一端、第二端和控制端。第一 N型晶體管匪I的第一端可為第一 N型晶體管匪I的源極，第一N型晶體管匪I的第二端可為第一 N型晶體管匪I的漏極，且控制端可為第一 N型晶體管匪1的柵極。此外，第一 N型晶體管匪I的第一端接收供電電壓VCC，第一 N型晶體管匪I的控制端耦接到偏壓產(chǎn)生器110以用于接收偏壓VBIAS，且第一N型晶體管匪I的第二端提供第一數(shù)據(jù)線電壓DPI。
[0049]第二 N型晶體管匪2具有第一端、第二端和控制端。第二 N型晶體管匪2的第一端可為第二 N型晶體管匪2的源極，第二 N型晶體管匪2的第二端可為第二 N型晶體管匪2的漏極，且控制端可為第二 N型晶體管匪2的柵極。此外，第二 N型晶體管匪2的第一端接收供電電壓VCC，第二 N型晶體管匪2的控制端耦接到偏壓產(chǎn)生器110以用于接收偏壓VBIAS,且第二 N型晶體管匪2的第二端提供第二數(shù)據(jù)線電壓DP2。
[0050]詳細(xì)地說，舉例來說，第一 N型晶體管匪I和第二 N型晶體管匪2的閾值和供電電壓VCC可在1.0伏到1.4伏的電壓范圍內(nèi)變化。偏壓VBIAS的電壓設(shè)定為1.4伏。在此狀況下，當(dāng)供電電壓VCC的電壓為1.0伏時，第一數(shù)據(jù)線電壓DPl和第二數(shù)據(jù)線電壓DP2的電壓為1.0伏，且當(dāng)供電電壓VCC的電壓為1.4伏時，第一數(shù)據(jù)線電壓DPl和第二數(shù)據(jù)線電壓DP2的電壓還為1.0伏。如上所述，通過第一 N型晶體管匪I和第二 N型晶體管匪2的特性，基于電壓調(diào)節(jié)，第一數(shù)據(jù)線電壓DPl和第二數(shù)據(jù)線電壓DP2為恒定的且與供電電壓VCC的電壓變化無關(guān)。因此，當(dāng)供電電壓VCC的電壓處于較低電壓條件下時，存取速度不會被降低。
[0051]另一方面，當(dāng)供電電壓VCC的電壓升高到較高電壓條件(例如，供電電壓VCC的電壓為1.4伏)時，第一數(shù)據(jù)線電壓DPl和第二數(shù)據(jù)線電壓DP2的電壓也通過第一 N型晶體管匪1和第二 N型晶體管匪2的特性基于電壓調(diào)節(jié)而保持于1.0伏。也就是說，用于存儲器裝置中的數(shù)據(jù)緩沖器的電力消耗不增加，得以達(dá)成電壓節(jié)省的目的。
[0052]另外，第一 N型晶體管匪I和第二 N型晶體管匪2可由其它有源電子組件(例如，二極管)替換。在所述實施例中，電壓箝位電路120可由有源電子組件構(gòu)成，有源電子組件可通過降低供電電壓VCC的電壓而產(chǎn)生第一數(shù)據(jù)線電壓DPl和第二數(shù)據(jù)線電壓DP2。
[0053]圖4A和圖4B分別為根據(jù)本發(fā)明的實施例的數(shù)據(jù)緩沖器RBN和數(shù)據(jù)緩沖器WBl的電路圖。在圖4A中，數(shù)據(jù)緩沖器RBN包含晶體管Ml到晶體管M4。晶體管Ml的第一端耦接到數(shù)據(jù)線電壓DPl且晶體管Ml的控制端耦接到晶體管M2的控制端。晶體管Ml的第二端耦接到晶體管M2的第一端且晶體管M2的第二端耦接到接地電壓GND。晶體管Ml及晶體管M2形成數(shù)據(jù)緩沖器RBN的第一反相器，且晶體管Ml及晶體管M2的控制端形成第一反相器的輸入端且晶體管Ml的第二端和晶體管M2的第一端形成第一反相器的輸出端。此外，晶體管M3的第一端耦接到數(shù)據(jù)線電壓DPl且晶體管M3的控制端耦接到晶體管M4的控制。晶體管M3的第二端耦接到晶體管M4的第一端且晶體管M4的第二端耦接到接地電壓GND。晶體管M3及晶體管M4形成數(shù)據(jù)緩沖器RBN的第二反相器，且晶體管M3及M4的控制端形成第二反相器的輸入端且晶體管M3的第二端和晶體管M4的第一端形成第二反相器的輸出端。第一反相器的輸出端耦接到第二反相器的輸入端。第二反相器的輸出端產(chǎn)生讀出數(shù)據(jù)DOUT。
[0054]在圖4B中，數(shù)據(jù)緩沖器WBl包含晶體管M5到晶體管M8。晶體管M5的第一端耦接到數(shù)據(jù)線電壓DPl且晶體管M5的控制端耦接到晶體管M6的控制。晶體管M5的第二端耦接到晶體管M6的第一端且晶體管M6的第二端耦接到接地電壓GND。晶體管M5及晶體管M6形成數(shù)據(jù)緩沖器WBl的第一反相器，且晶體管M5及晶體管M6的控制端形成第一反相器的輸入端且晶體管M5的第二端和晶體管M6的第一端形成第一反相器的輸出端。此外，晶體管M7的第一端耦接到數(shù)據(jù)線電壓DPl且晶體管M7的控制端耦接到晶體管M8的控制端。晶體管M7的第二端耦接到晶體管M8的第一端且晶體管M8的第二端耦接到接地電壓GND。晶體管M7及晶體管M8形成數(shù)據(jù)緩沖器WBl的第二反相器，且晶體管M7及晶體管M8的控制端形成第二反相器的輸入端且晶體管M7的第二端和晶體管M8的第一端形成第二反相器的輸出端。第一反相器的輸出端耦接到第二反相器的輸入端。第一反相器的輸入端接收寫入數(shù)據(jù)DIN。
[0055]綜上所述，通過控制偏壓VBIAS的電壓，可同時滿足帶寬和電力節(jié)省目的。此外，可根據(jù)存儲器芯片中的每一個的工藝參數(shù)來調(diào)整偏壓VBIAS的電壓以克服工藝變化對存儲器芯片中的每一個的影響。
[0056]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種用于存儲器裝置的數(shù)據(jù)緩沖器的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，包括: 偏壓產(chǎn)生器，根據(jù)參考電壓而產(chǎn)生偏壓；以及 電壓箝位電路，耦接到所述偏壓產(chǎn)生器，所述電壓箝位電路接收供電電壓和所述偏壓且通過根據(jù)所述偏壓來箝位所述供電電壓而將多個數(shù)據(jù)線電壓分別輸出到所述數(shù)據(jù)緩沖器， 其中，所述供電電壓在電壓范圍內(nèi)變化，且所述數(shù)據(jù)線電壓都是恒定的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，所述偏壓產(chǎn)生器包括: 參考電壓產(chǎn)生器，產(chǎn)生所述參考電壓；以及 電壓輸出緩沖器，耦接到所述參考電壓產(chǎn)生器，且所述電壓輸出緩沖器接收所述參考電壓且根據(jù)所述參考電壓而產(chǎn)生所述偏壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，所述電壓輸出緩沖器包括: 運(yùn)算放大器，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，所述運(yùn)算放大器的所述第一輸入端耦接到所述參考電壓產(chǎn)生器以用于接收所述參考電壓，所述運(yùn)算放大器的所述第二輸入端耦接到所述運(yùn)算放大器的所述輸出端，且所述運(yùn)算放大器的所述輸出端提供所述偏壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，所述電壓箝位電路包括: 第一 N型晶體管，具有第一端、第二端和控制端，所述第一 N型晶體管的所述第一端接收所述供電電壓，所述第一 N型晶體管的所述控制端耦接到所述偏壓產(chǎn)生器以用于接收所述偏壓，所述第一N型晶體管的所述第二端提供所述數(shù)據(jù)線電壓中的第一數(shù)據(jù)線電壓；以及 第二 N型晶體管，具有第一端、第二端和控制端，所述第二 N型晶體管的所述第一端接收所述供電電壓，所述第二 N型晶體管的所述控制端耦接到所述偏壓產(chǎn)生器以用于接收所述偏壓，所述第二N型晶體管的所述第二端提供所述數(shù)據(jù)線電壓中的第二數(shù)據(jù)線電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)線電壓被提供到所述數(shù)據(jù)緩沖器中的至少一個讀取緩沖器，所述讀取緩沖器用于傳輸從所述存儲器裝置的多個存儲單元讀出的數(shù)據(jù)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，所述第二數(shù)據(jù)線電壓被提供到所述數(shù)據(jù)緩沖器中的至少一個寫入緩沖器，所述寫入緩沖器用于傳輸寫入到所述存儲器裝置的所述存儲單元中的數(shù)據(jù)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓產(chǎn)生器，其特征在于，當(dāng)所述存儲器裝置在非存取模式中操作時，所述偏壓產(chǎn)生器停止向所述電壓箝位電路提供所述偏壓。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于存儲器裝置的數(shù)據(jù)緩沖器的電壓產(chǎn)生器，該電壓產(chǎn)生器包括偏壓產(chǎn)生器和電壓箝位電路；所述偏壓產(chǎn)生器接收參考電壓且根據(jù)所述參考電壓而產(chǎn)生偏壓；所述電壓箝位電路耦接到所述偏壓產(chǎn)生器；所述電壓箝位電路接收供電電壓和所述偏壓，且通過根據(jù)所述偏壓來箝位所述供電電壓而將多個數(shù)據(jù)線電壓分別輸出到所述數(shù)據(jù)緩沖器；其中，所述供電電壓在電壓范圍內(nèi)變化，且所述數(shù)據(jù)線電壓都是恒定的。
【IPC分類】G05F1/56
【公開號】CN104932597
【申請?zhí)枴緾N201410202838
【發(fā)明人】崔勛
【申請人】南亞科技股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年5月14日
【公告號】US9142267, US20150262634