專利名稱：具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種應用于集成電路內(nèi)部的超微功耗參考源電路，尤其涉及一種 具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路。
背景技術：
集成電路內(nèi)部通常需要電壓參考源和電流參考源，作為內(nèi)部電路工作的電壓 基準或是電流偏置、電流基準，當今各式各樣由電壓供應電源的便攜式系統(tǒng)以及通訊相關的電子產(chǎn)品越來越普及，比如移動電話、PDA、數(shù)碼照相機等。為了延長系統(tǒng)的工作時間，這些便攜 式電子產(chǎn)品要求芯片的功耗越來越低。在微功耗芯片設計中，超微功耗的參考源設 計是關鍵。圖1以簡化的原理示出了現(xiàn)有技術的超微功耗電壓參考源電路。如圖l所示，該電壓參考源電路10由一耗盡型PM0S 11以及一增強型麗0S 12組成。其中耗盡型PM0S 11的柵極和源極相連，并連接至電源端VDD。增強型麗0S 12的源極連接至接地端GND，柵極和漏極與耗盡型PMOS 11的漏極相連，連接至電壓節(jié)點VREF,作為電壓參考源的輸出端。參考電壓V野可以通過耗盡型PMOS的閥值電壓和增強型麗0S的閥值電壓來表示F,= |4"《 //w￡。其中VTH貼表示增強型觀0S的閥值電壓，VTHPD表示耗盡型PMOS的閥值電壓，(W/L) NE表示增強型NM0S的尺寸，(W/L)p。表示 耗盡型PMOS的尺寸，K貼表示增強型畫0S的工藝常數(shù)，U表示耗盡型PMOS的工藝 常數(shù)。忽略KNE、 Kp。隨溫度的變化，參考電壓VREF隨溫度的變化可以表示為N (羊L謂,。,麵呢 參考電壓Vref的溫度特性取決于増強型NMOS閥值電壓VTH冊和耗盡型PMOS閥值電壓VTHpd溫度特性。增強型NMOS閥值電壓VTHNE 隨著溫度的升高而降低，而耗盡型PMOS閥值電壓VTHro隨著溫度的升高而增加。在 適當?shù)腗^k下，可以得到溫度系數(shù)很小的參考電壓源。這種簡單的電壓參考源存(啡k在的問題是在CMOS工藝中增強型NM0S的閥值電壓VTHne和耗盡型PMOS閥值電壓 VTHPD往往隨著柵氧厚度的偏差而變大或變小。通常半導體芯片會工作在不同的溫度環(huán)境下，參考源作為內(nèi)部電路工作的基 準信號，必須要有很低的溫度系數(shù)。參考源的溫度系數(shù)表征了參考信號隨溫度變化 而變化的程度。很低的溫度系數(shù)即是要求參考源在不同的溫度條件下都能提供穩(wěn)定 一致的參考信號。圖2示出了增強型畫0S的閥值電壓隨溫度變化的曲線，當增強型麗OS閥值 電壓VTHwE隨工藝偏差而變大或變小時，增強型NM0S閥值電壓VTH化隨溫度變化的 斜率并沒有變化。圖3示出了耗盡型PM0S閥值電壓隨溫度變化的曲線，當耗盡型 PM0S閥值電壓VTHpD隨工藝偏差而變大或變小時，耗盡型PM0S閥值電壓VTHp。隨溫 度變化的斜率也隨之發(fā)生變化。由此可得，根據(jù)正常工藝條件得出的Mk,在工藝發(fā)生偏差時，參考電壓V,的溫度系數(shù)將發(fā)生變化，很可能會變得很大，無法滿 足電路應用的要求。集成電路設計中往往同時需要電壓參考源和電流參考源，因此在上述具有較 低溫度系數(shù)的電壓參考源^5出上，還需要一種具有較低溫度系數(shù)的且能同時產(chǎn)生電 壓參考源和電流參考源的超微功耗參考源電路。另外，半導體芯片的工作電源電壓會在一定范圍內(nèi)變化，同樣也要求參考源 信號必須有很高的線性穩(wěn)定度。線性穩(wěn)定度表征了參考源參考信號隨電源電壓而變 化的程度。如果線性穩(wěn)定度不高，參考源輸出參考信號在不同的電源電壓下會產(chǎn)生 很大的變化。目前的參考源電路也無法很好地滿足穩(wěn)定度上的要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供了一種具有低溫度系數(shù)的超微功耗參 考源電路，它能同時產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源，保證不同工藝偏差下參考源溫 度特性的一致性，還提高了參考源的線性穩(wěn)定度。本發(fā)明的技術方案為本發(fā)明揭示了一種具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源 電路，用于產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源，在不同的溫度條件下提供一致的參考信
號，所述電3各包4舌一P溝道耗盡型MOS元件，其柵極和源極相連，共同連接至電源端； 一可調(diào)有效尺寸的N溝道增強型MOS元件陣列，在該陣列中設置至少一個 切斷器件，通過控制該切斷器件的開合來調(diào)整該N溝道增強型MOS元件陣列的有 效尺寸，該陣列的漏極端與該P溝道耗盡型MOS元件的漏極連接，該陣列的源極 端4妄地，以該陣列的柵極端和源極端之間的輸出電壓作為該電壓參考源；一第一電阻，并聯(lián)在該N溝道增強型MOS元件陣列的柵極端和源極端之間； 一相位補償器，并聯(lián)在該N溝道增強型MOS元件陣列的漏極端和源極端， 用作反饋控制環(huán)路的相位補償；一 N溝道MOS管放大元件，柵極與該N溝道增強型MOS元件陣列的漏極端 連接，源極接地；一電流鏡，輸入端連4妄該N溝道MOS管》文大元件的漏4及，輸出端連接至該N 溝道增強型MOS元件陣列的柵極端，以流過該電流鏡的輸出電流作為該電流參考源。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路,其中，所述N溝道增強型MOS 元件陣列是由多個N溝道增強型MOS管先以串聯(lián)的連接方式形成多個支路后再將 該些支路并聯(lián)而成，且該切斷器件串聯(lián)設置在該些支路上。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，所述N溝道增強型MOS 元件陣列是由多個N溝道增強型MOS管先以并聯(lián)的連接方式形成多個支路后再將 該些支路串聯(lián)而成，且該切斷器件并聯(lián)設置在該些支路上。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，，所述切斷器件包括 熔絲、開關。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，該些N溝道增強型MOS 元件陣列中的MOS管的尺寸相同。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，所述相位補償器由一 電阻和一 電容串聯(lián)連接而成。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，所述電流鏡由兩個P 溝道增強型MOS管組成，該兩個MOS管的柵極互連，源極共同連接至該電源端， 漏極分別用作輸入端和輸出端
上述的具有〗氐溫度系數(shù)的超孩i功庫毛參考源電路，其中，所述參考源電路還包 括一預穩(wěn)壓器，抑制電源端電壓變化對該電壓參考源的影響，該預穩(wěn)壓器連接在該電源端和接地端之間，該預穩(wěn)壓器的輸出端連接該P溝道耗盡型MOS元件的源極。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，所述預穩(wěn)壓器進一步包括第一 N溝道增強型MOS管，其源極接地，柵極和漏極相連；第二 N溝道增強型MOS管，其柵極和漏極相連，源極連接該第一增強型N 溝道MOS管的漏極；第一P溝道耗盡型MOS管，其柵極和源極相連，并連接至該電源端；第二 P溝道耗盡型MOS管，其柵極連接該第一 P溝道耗盡型MOS管的柵極， 該第二 P溝道耗盡型MOS管的源極連接該第一 P溝道耗盡型MOS管的漏極；第三P溝道耗盡型MOS營，其柵極和源極相連，并連接至該電源端，其漏極 同該第二 P溝道耗盡型MOS管的漏極、該第二N溝道增強型MOS管的漏極連接 在一起，作為該預穩(wěn)壓器的輸出端。上述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其中，所述第三P溝道耗盡 型MOS管的尺寸與所述P溝道耗盡型MOS元件的尺寸相同。本發(fā)明對比現(xiàn)有技術有如下的有益效果本發(fā)明通過耗盡型PM0S元件、增強 型NMOS陣列、麗0S放大元件、電流鏡、電阻和相位補償器構(gòu)成的反饋控制環(huán)路同 時產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源。本發(fā)明通過在增強型應0S陣列中熔斷或切斷不 同的熔絲以調(diào)整增強型畫OS陣列的有效尺寸。本發(fā)明還通過預穩(wěn)壓器抑制電源電 壓變化對電壓參考源或電流參考源的影響，提高了參考源的線性穩(wěn)定度。


圖1是現(xiàn)有技術的超微功耗電壓參考源電路的原理簡化電路圖。 圖2是增強型畫0S管閥值電壓隨溫度變化的曲線坐標圖。 圖3是耗盡型PM0S管閥值電壓隨溫度變化的曲線坐標圖。 圖4是本發(fā)明的具有增強型NM0S陣列且同時產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源的 參考源電路的一個實施例的電路圖。圖5是本發(fā)明的具有增強型NM0S陣列且同時產(chǎn)生電壓參考源和電路參考源的
參考源電路的另 一 實施例的電路圖。圖6是本發(fā)明的帶有預穩(wěn)壓器的參考源電路的一個實施例的電路圖。圖7是本發(fā)明的帶有預穩(wěn)壓器的參考源電路的另一實施例的電路圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的描述。圖4示出了具有增強型服OS陣列且同時產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源的參考 源電路的一個實施例。請參見圖4，麗OS放大元件21、電流鏡22、耗盡型PM0S 23、 相位補償器24、增強型畫OS元件陣列25和電阻R1構(gòu)成一個反饋控制環(huán)路，該環(huán) 路同時輸出電壓參考源和電流參考源。電流4竟22內(nèi)部，由兩個增強型PM0S管221、 222組成，增強型PMOS管221、 222的柵極互連，源極共同連接至電源端VDD。增強型PMOS管221的漏極作為電流 鏡的輸出端，增強型PMOS管2 22的漏極作為電流鏡的輸入端。流過電流鏡22的電 流作為輸出的參考電流。相位補償器24內(nèi)部，電阻R2和電容C1串聯(lián)，用于反饋 控制環(huán)路的相位補償。增強型NM0S元件陣列25包括三個增強型畫OS管支路并聯(lián)而成。第一個支路 為一個獨立的麵0S管251,其源極連接熔絲Fl的一端。第二個支路為兩個串聯(lián)的 麗OS管252、 253,畫0S管252的源極連接麗0S管253的漏極，畫0S管253的源 極連接熔絲F2的一端。第三^、支路為三個串聯(lián)的麗0S管254 - 256，畫0S管254 的源極連接NM0S管255的漏極，麗0S管255的源極連接NM0S管256的漏極，麗0S 管256的源極連接熔絲F3的一端。較佳地，這些麗0S管的尺寸均相同。實際上， 增強型麗0S元件陣列25可以等效為一個麗0S元件，也具有相應的漏極端、柵極 端、源極端。三個支路中的應OS管251、 252、 254的漏極連接在一起，作為增強 型麗0S元件陣列25的漏極端。三根熔絲F3的另一端連接在一起,作為增強型蘭0S 元件陣列25的源極端。所有的麗0S管251 ~ 256的4冊極連接在一起，作為增強型 畫0S元件陣列25的柵極端。增強型麗0S元件陣列25的柵極端連接至一電壓節(jié)點 VREF，源極端連接至一接地端GND，兩者之間的電壓作為輸出電壓參考源。增強型麗0S元件陣列25通過熔斷或切斷不同的熔絲來調(diào)整該陣列的有效尺 寸，以保證參考電壓V,溫度特性的一致性。作為一個示例，對增強型NM0S元件 陣列的有效尺寸的具體調(diào)整過禾呈如下假設在正常工藝條件下，對應熔斷熔絲F2、 F3,不熔斷熔絲Fl,采用尺寸為 (W/L) p。的耗盡型PM0S 23和尺寸為(W/L) ^的增強型麗0S元件陣列25,可以 得到很低溫度系數(shù)的參考電壓VREF。當耗盡型PM0S 23的閥值電壓變大時，閥值電 壓的溫度系數(shù)也隨之變大，要滿足參考電壓V咖仍有很低的溫度系數(shù)，需要加大增 強型麗0S元件陣列25的尺寸，例如，當熔斷熔絲F2，不熔斷熔絲F1、 F3時，增 強型畫0S元件陣列25的有效尺寸變?yōu)?. 5 x (W/L) NS1。當熔斷熔絲F3，不熔斷 熔絲Fl、 F2時，增強型麵0S元件陣列25的有效尺寸變?yōu)?. 33 x (W/L) NE1。當全 部的熔絲Fl ~ F3都不熔斷時，增強型麗0S元件陣列25的有效尺寸變?yōu)?. 83 x (W/L) NE1?？梢愿鶕?jù)耗盡型PM0S 23閥值電壓變大的程度選擇不同的增強型畫0S 元件陣列25的尺寸。同理，當耗盡型PM0S 23的閥值電壓變小時，閥值電壓的溫度系數(shù)也隨之變 小，要滿足VREF仍有很低的溫度系數(shù)，需要減小增強型畫0S元件陣列25的有效 尺寸。當熔斷熔絲Fl,不熔斷熔絲F2、 F3時，增強型NM0S元件陣列25的有效尺 寸為O. 83x (W/L)NE1。當熔斷熔絲F1、 F3，不熔斷熔絲F2時，增強型NM0S元件 陣列25的有效尺寸為0. 5x (W/L)NE1。當熔斷熔絲F].、 F2，不熔斷熔絲F3時， 增強型薩0S元件陣列25的有效尺寸為0. 33 x ( W/L ) NE1?？梢愿鶕?jù)耗盡型PM0S 23 閥值電壓變小的程度選擇不同的增強型NM0S元件陣列25的尺寸。應理解，增強型NM0S元件陣列25的連接方式并不局限于本實施例中的三支 路并聯(lián)，可以是任何支路的并聯(lián)，每個支路上的數(shù)個增強型麗0S管以上述方式串 聯(lián)。熔絲也可以由例如開關等可控制電路開合的器件代替。在上述的反饋控制環(huán)路中，麗0S放大元件21的漏極連接電流鏡的輸入端，源 極連接接地端GND。耗盡型PMOS 23的柵極和源極相連，共同連接至電源端VDD，漏 極連接增強型NMOS元件陣列25的漏極端和相位補償器24的一端，并共同連接至 麗0S放大元件21的柵極。相位補償器24的另一端連接地端GND。增強型剛0S元 件陣列25的柵極端連接電流鏡22的輸出端。電阻Rl連接在增強型麗0S元件陣列 25的柵極端和源極端(即接地端)之間。作為一個示例，環(huán)路反饋控制作用的分析如下假設NM0S放大元件21的柵 極上產(chǎn)生一個擾動，且NMOS放大元件21的柵極電壓由于擾動而變高時，流過麗0S
放大元件21的源極和漏極間的電流將變大。通過電流鏡22的電流鏡像作用，流過電阻Rl的電流也會變大，從而導致增強型麗OS元件陣列25的柵極電壓會變大。 增強型麗OS元件陣列25的柵極電壓變大的結(jié)果是引起陣列的漏極電壓，也就是 畫0S放大元件21的柵極電壓變小。通過反饋控制環(huán)路的作用，增強型NM0S元件 陣列25的柵極端和接地端GND間的電壓被穩(wěn)定在一個固定的輸出電壓上，作為環(huán) 路輸出的參考電壓信號VREF,流過電流鏡22的電流也同時穩(wěn)定在一個固定的電流 上，作為環(huán)路輸出的參考電路信號IREF, 1,-V,/Rl,該電流可通過電流鏡傳輸?shù)叫?片內(nèi)部的其它電路中，作為電路的偏置電流。圖5示出了具有增強型麗0S陣列且同時產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源的參考 源電路的另一實施例。請參見圖5，與圖4所示實施例不同之處在于增強型畫OS 元件陣列35采用先并聯(lián)后串聯(lián)的方式。陣列35包括三個增強型麗0S管支路串聯(lián) 而成。第一個支路為一個獨立的NM0S管351，熔絲Fl連接在畫0S管351的漏極 和源極之間，與麗0S管351并聯(lián)。第二個支路為兩個并聯(lián)的畫0S管352、 353， 醒0S管352的源極連接蘭0S管353的源極，NM0S管352的漏極連接麗0S管353 的漏極，熔絲F2連接在這兩個NM0S管352、 353的漏極和源極之間，與這兩個服0S 管并聯(lián)。第三個支路為三個并聯(lián)的NM0S管354 ~ 356, NM0S管354 ~ 356的源極連 接在一起，NMOS管354 ~ 356的漏極連接在一起，熔絲F3連接在麗0S管354 ~ 356 的漏極和源極之間，與腦0S管354 ~ 356并聯(lián)。其中麗0S管351的源極接地，作 為陣列35的源極端，NM0S管354 ~ 356的漏極連接在一起，作為陣列35的漏極端， 所有的NM0S管351 ~ 356的柵極連接在一起，作為陣列35的柵極端。本實施例的 其它電路結(jié)構(gòu)與圖4的相同，在此不再贅述。應理解，增強型畫0S元件陣列35的連接方式并不局限于本實施例中的三支 路串聯(lián)，可以是任何支路的串聯(lián)，每個支路上的數(shù)個增強型麗0S管以上述方式并 聯(lián)。熔絲也可以由例如開關等可控制電路開合的器件代替。圖6示出了本發(fā)明的帶有預穩(wěn)壓器的參考源電路的一個實施例。請參見圖6， 本實施例是在圖4實施例的基礎上，在電源端V。d和接地端GND之間連接一個預穩(wěn)壓器60，抑制電源端V。。的電壓變化對電壓參考源參考電壓VREF的影響，提高電壓參考源的線性穩(wěn)定度。預穩(wěn)壓器60的輸出端連接耗盡型PM0S 61的源極。預穩(wěn)壓器60由耗盡型PM0S 601、 602、 603和增強型NM0S 604、 605組成。
耗盡型PMOS 601的柵極、源極和耗盡型PMOS 602的柵極相連，并連接至電源端 VDD。耗盡型PMOS 601的漏極與耗盡型PMOS 602的源極相連。耗盡型PMOS 603 的柵極和源極相連，并連接至電源端VDD。增強型NM0S 605的柵極和漏極相連， 源極連接至4妻地端VDD。增強型NMOS 604的4冊極和漏極相連，源極連接至增強型 麵S 605的漏極。增強型服0S 604的漏極、耗盡型PM0S 602 、 603的漏極相連, 作為預穩(wěn)壓器60的輸出。其中，耗盡型PMOS 603的元件尺寸與耗盡型PMOS 61 的元件尺寸相同。而電路中其它的模塊或器件，例如相位補償器62、增強型畫OS 元件陣列63、電流鏡64等，其內(nèi)部的電路構(gòu)成以及器件或模塊之間的連接和圖4 所示實施例均相同，在此不再贅述。圖7示出了本發(fā)明的帶有預穩(wěn)壓器的參考源電路的另一實施例。請參見圖7, 本實施例是在圖5所示實施例的基礎上，在電源端VDD和接地端GND之間連接一個 預穩(wěn)壓器70，抑制電源端V^的電壓變化對電壓參考源參考電壓V^的影響，提高 電壓參考源的線性穩(wěn)定度。預穩(wěn)壓器70的輸出端連接耗盡型PMOS 71的源極。預穩(wěn)壓器70的內(nèi)部電路與圖6所示實施例的預穩(wěn)壓器60的內(nèi)部電路相同， 在此不再贅述。而本實施例的電路的其它器件或模塊的內(nèi)部電路、器件或模塊之間 的連接關系和圖5所示實施例相同，在此也不再贅述。應理解，預穩(wěn)壓器并不局限于上述實施例的電路結(jié)構(gòu)，上述實施例的電路結(jié) 構(gòu)只是滿足最低電流消耗要求的較佳結(jié)構(gòu)。上述實施例是提供給本領域普通技術人員來實現(xiàn)或使用本發(fā)明的，本領域普 通技術人員可在不脫離本發(fā)明的發(fā)明思想的情況下，對上述實施例做出種種修改或 變化，因而本發(fā)明的保護范圍并不被上述實施例所限，而應該是符合權(quán)利要求書提 到的創(chuàng)新性特征的最大范圍。
權(quán)利要求
1一種具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，用于產(chǎn)生電壓參考源和電流參考源，在不同的溫度條件下提供一致的參考信號，所述電路包括一P溝道耗盡型MOS元件，其柵極和源極相連，共同連接至電源端；一可調(diào)有效尺寸的N溝道增強型MOS元件陣列，在該陣列中設置至少一個切斷器件，通過控制該切斷器件的開合來調(diào)整該N溝道增強型MOS元件陣列的有效尺寸，該陣列的漏極端與該P溝道耗盡型MOS元件的漏極連接，該陣列的源極端接地，以該陣列的柵極端和源極端之間的輸出電壓作為該電壓參考源；一第一電阻，并聯(lián)在該N溝道增強型MOS元件陣列的柵極端和源極端之間；一相位補償器，并聯(lián)在該N溝道增強型MOS元件陣列的漏極端和源極端，用作反饋控制環(huán)路的相位補償；一N溝道MOS管放大元件，柵極與該N溝道增強型MOS元件陣列的漏極端連接，源極接地；一電流鏡，輸入端連接該N溝道MOS管放大元件的漏極，輸出端連接至該N溝道增強型MOS元件陣列的柵極端，以流過該電流鏡的輸出電流作為該電流參考源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在 于，所述N溝道增強型MOS元件陣列是由多個N溝道增強型MOS管先以串聯(lián)的 連接方式形成多個支路后再將該些支路并聯(lián)而成，且該切斷器件串聯(lián)設置在該些支 路上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在 于，所述N溝道增強型MOS元件陣列是由多個N溝道增強型MOS管先以并聯(lián)的 連接方式形成多個支路后再將該些支路串聯(lián)而成，且該切斷器件并聯(lián)設置在該些支路上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電 路，其特征在于，所述切斷器件包括熔絲、開關。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電 路，其特征在于，該些N溝道增強型MOS元件陣列中的MOS管的尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在 于，所述相位補償器由一電阻和一電容串聯(lián)連接而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在 于，所述電流鏡由兩個P溝道增強型MOS管組成，該兩個MOS管的柵極互連， 源極共同連接至該電源端，漏極分別用作輸入端和輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在 于，所述參考源電路還包括一預穩(wěn)壓器，抑制電源端電壓變化對該電壓參考源的影 響，該預穩(wěn)壓器連接在該電源端和接地端之間，該預穩(wěn)壓器的輸出端連接該P溝 道耗盡型MOS元件的源極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓器進一步包括第一 N溝道增強型MOS管，其源極接地，柵極和漏極相連；第二 N溝道增強型MOS管，其柵極和漏極相連，源極連接該第一增強型N溝道MOS管的漏極；第一 P溝道耗盡型MOS管，其柵^f及和源極相連，并連接至該電源端；第二 P溝道耗盡型MOS管，其柵極連接該第一 P溝道耗盡型MOS管的柵極，該第二 P溝道耗盡型MOS管的源極連接該第一 P溝道耗盡型MOS管的漏極；第三P溝道耗盡型MOS管，其柵極和源極相連，并連接至該電源端，其漏極同該第二 P溝道耗盡型MOS管的漏極、該第二N溝道增強型MOS管的漏極連接在一起，作為該預穩(wěn)壓器的輸出端。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，其特征 在于，所述第三P溝道耗盡型MOS管的尺寸與所述P溝道耗盡型MOS元件的尺寸相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有低溫度系數(shù)的超微功耗參考源電路，保證不同工藝偏差下參考源溫度特性的一致性。其技術方案為該電路包括一耗盡型PMOS元件，柵極和源極共同連接至電源端；一可調(diào)有效尺寸的增強型NMOS元件陣列，通過控制陣列中切斷器件的開合來調(diào)整陣列的有效尺寸，該陣列的柵極端和源極端之間的輸出電壓作為該電壓參考源；一電阻，并聯(lián)在該陣列的柵極端和源極端；一相位補償器，并聯(lián)在該陣列的漏極端和源極端；一NMOS管放大元件，柵極與該陣列的漏極端連接，源極接地；一電流鏡，輸入端連接該NMOS管放大元件的漏極，輸出端連接至該陣列的柵極端，以流過該電流鏡的輸出電流作為該電流參考源。本發(fā)明應用于集成電路領域。
文檔編號G05F3/08GK101154116SQ20061011663
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者彬 侯, 晨 劉, 劉家洲, 挺 施, 磊 王 申請人:華潤矽威科技(上海)有限公司