專利名稱：智能檢測轉換反應室模式的控制方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種檢測轉換半導體工藝中的反應室模式的控制方法，特別涉及一種智能檢 測轉換反應室模式的控制方法。
背景技術：
半導體工藝包括一連串不同的化學和物理的工藝，將微小的集成電路制作在基板上。隨 著半導體組件的幾何尺寸演變的越來越小，維持臨界尺寸的均勻性和精確性的能力就受到了 限制。許多在半導體工藝反應室進行的工藝會有污染物沉積在反應室的內壁，當其累積到一 定程度時，就變成了制造半導體組件時，非常不利的因素來源。當反應室進行的是半導體晶片的蝕刻工藝時，沉積的高分子污染物會沉積且進而累積在 半導體反應室的內壁、氣體散布板(gas distribution plate， GDP)和內部的零件中。時間 一久，若疏于清潔反應室則會造成次級且不可靠的工藝和缺陷產品的形成，如首片晶片(first wafer)效應。而缺乏經常性和實時性的清潔程序，再加上無法得知反應室內部的確實污染情 形，累積在反應室內壁的殘留污染物會遷移到底材上造成污染。特別是當高分子物質產生剝 落時，可使成品率致死率(yield kill rate)超過10%。而為了增強所制造組件的性能和質 量，提供有效率無傷害的反應室清潔方法是必需的。因此，本發(fā)明針對上述的問題，提出一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，以解決 上述的問題。發(fā)明內容本發(fā)明的主要目的在于，提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其可混合檢測 執(zhí)行清潔型與污染型模式之參數設定在同一反應室中。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其可消除首片 晶片(First Wafer)效應對產品的影響。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其可延長平均 清潔時距(mean time between clean, MTBC)。本發(fā)明的又一目的在于，提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其與濕式清潔 相比較則降低工藝設備定期保養(yǎng)(preventive maintenance, PM)的費用。 本發(fā)明的又一目的在于，提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其可有效減輕 操作者的工作量負擔，進而降低人力資源的成本。為達上述目的，本發(fā)明提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其為執(zhí)行污染型 模式時包括下列步驟比對檢測參數，設定是要執(zhí)行污染型模式；檢測判斷此反應室上次模 式是清潔型或污染型；若是清潔型模式，就檢測反應室內部參數設定，并將參數設定調整為 最適合工作的狀態(tài)，將內有晶片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶片應進行的工藝，若 是污染型模式，檢測此晶片待在此反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間；若否， 則就將此內有晶片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶片應進行的工藝，若是，則檢測反 應室內部參數設定，并將參數設定調整為最適合工作的狀態(tài)，就將此內有晶片的晶舟送入此 反應室，執(zhí)行此晶片應進行的工藝。當半導體工藝進行時，本發(fā)明會計算此晶片完成數量是否大于設定值；若否，則直接將 晶舟載出，若是，則對此反應室進行干式清潔，并在此晶舟上記錄清潔型模式是最終流程， 檢測調適反應室的狀態(tài)；以及最后將晶舟載出。本發(fā)明為執(zhí)行清潔型模式時是包括下列步驟比對檢測參數設定是執(zhí)行清潔型模式，檢 測判斷此反應室上次模式是清潔型或污染型；若是污染型模式，則對此反應室進行干式清潔， 然后檢測反應室內部參數設定，并將參數設定調整是最適合工作的狀態(tài)，接著，就將此內有 晶片的晶舟送入此反應室，執(zhí)行此晶片應進行的工藝，最后將晶舟載出，若是清潔型模式， 則檢測此晶片待在此反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間；若否，則將此內有晶 片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶片應進行的工藝，接著，將晶舟載出，若是，就檢 測反應室內部參數設定，并將參數設定調整是最適合工作的狀態(tài)，然后將此內有晶片的晶舟 送入此反應室，執(zhí)行此晶片應進行的工藝，最后將晶舟載出。綜合所述，本發(fā)明利用檢測反應室內部的參數設定來自我控制轉換清潔型與污染型模式， 且可混合檢測執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數設定在同一反應室中，而通過檢測參數設定來 實時執(zhí)行千式清潔(dry clean)與調適反應室狀態(tài)，進而達到可延長平均清潔時距(mean time between clean, MTBC)，消除首片晶片(First Wafer)效應，以及降低工藝設備定期保養(yǎng) (preventive maintenance, PM)的費用的功效。 以下結合附圖及具體實施例進一步說明本發(fā)明。


圖l為本發(fā)明主要實施流程圖2為本發(fā)明實施方法流程圖；圖3為本發(fā)明另一實施方法流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明是為一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，首先請參閱圖1示，本發(fā)明是包括下列步驟首先如步驟S2所示，先將欲加工的可為卡式晶舟(Cassette)的晶舟加以掃瞄比 對，如步驟S4，判斷比對晶舟的參數設定模式是清潔型或污染型模式，如為污染型模式，則 進行步驟S6，如為清潔型模式，則進行步驟S8。而本發(fā)明是執(zhí)行污染型模式時，包括下列步驟請同時參閱圖2示，首先如步驟S61所 示，反應室的參數設定是要執(zhí)行污染型模式，接下來進行步驟S62，本發(fā)明會檢測并判斷反應 室上次的模式是清潔型或污染型模式，而依照其上次的模式的不同，是有不同的執(zhí)行步驟， 若上次的模式是清潔型模式，當如步驟S64所示，則檢測反應室內部參數設定，并將參數設 定調整為最適合工作的狀態(tài)，然后進行如步驟S65所示，就將此內有晶片的晶舟送入此反應 室，并開始執(zhí)行此晶片應進行可為多晶硅蝕刻的工藝，而當如步驟S63所示，其上次的模式 是污染型模式，則檢測此晶片待在此反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間，而依 照其等待時間是否大于預設時間，是有不同的執(zhí)行步驟，若是，則因反應室內部的狀態(tài)可能 有所變化，而參數設定已不同，則進行步驟S64，然后進行步驟S65,若否，則直接進行步驟 S65。當半導體工藝進行時，如步驟S66所示，本發(fā)明會計算此晶片完成的數量是否大于設定 值，而依照此晶片完成的數量是否大于設定值，是有不同的執(zhí)行步驟，若否，因為反應室內 部的狀態(tài)還是在參數設定的范圍內，則直接進行步驟S69，將晶舟載出，若是，則因為反應室 內部的狀態(tài)已超過參數設定，呈現(xiàn)污染的狀態(tài)，接下來進行如步驟S67所示，對此反應室進 行干式清潔，在完成干式清潔時，并在晶舟上記錄為清潔型模式是最終的流程，然后進行步 驟S68,檢測反應室內部參數設定，并將參數設定調整為最適合工作的狀態(tài)，最后完成步驟 S69。而本發(fā)明是執(zhí)行清潔型模式時，是包括下列步驟請同時參閱圖3示，首先如步驟S81 所示，反應室的參數設定是要執(zhí)行清潔型模式，接下來進行步驟S82，本發(fā)明會檢測并判斷反 應室上次的模式是清潔型或污染型模式，而依照其上次的模式的不同，是有不同的執(zhí)行步驟, 其上次的模式是污染型模式，則進行步驟S83，對此反應室進行干式清潔，接著，如步驟S85 所示，則檢測反應室內部參數設定，并將參數設定調整為最適合工作的狀態(tài)，然后進行如步
驟S86所示，就將此內有晶片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶片應進行可為多晶硅蝕 刻的工藝，最后完成步驟S87，將晶舟載出。若上次的模式是清潔型模式，當如步驟S84所示， 則檢測此晶片待在此反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間，而依照其等待時間是 否大于預設時間，是有不同的執(zhí)行步驟，若否，因為反應室內部的狀態(tài)還是在參數設定的范 圍內，則直接進行步驟S86，就將此內有晶片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶片應進行 可為多晶硅蝕刻之工藝，然后完成步驟S87，若是，則因反應室內部的狀態(tài)可能有所變化，而 參數設定己不同，則進行步驟S85，檢測反應室內部參數設定，并將參數設定調整為最適合工 作的狀態(tài)，接著，如步驟S86所示，就將此內有晶片的晶舟送入此反應室，并開始執(zhí)行此晶 片應進行可為多晶硅蝕刻工藝，然后完成步驟S87。綜合所述，本發(fā)明提供的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其利用檢測反應室內部 的參數設定來自我控制轉換清潔型與污染型模式，且可混合檢測執(zhí)行清潔型與污染型模式的 參數設定在同一反應室中，而通過檢測參數設定來實時執(zhí)行干式清潔(dry clean)與調適反 應室狀態(tài)，進而達到可延長平均清潔時距(mean time between clean, MTBC)，消除首片晶 片(First Wafer)效應，以及降低工藝設備定期保養(yǎng)(preventive maintenance, PM)的費用 的功效。以上所述的僅為本發(fā)明一較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，因此凡依 照本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構造、特征及精神所作的等同變化與修飾，均應涵蓋在 本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1、一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，應用于檢測轉換半導體工藝中的反應室模式，其特征在于為執(zhí)行污染型模式時包括下列步驟A、檢測參數設定為執(zhí)行污染型模式；B、判斷上次模式為清潔型或污染型，若為清潔型模式，則執(zhí)行步驟D，若為污染型模式，則執(zhí)行下一步驟；C、檢測該晶舟內的晶片待在該反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間，若否，則執(zhí)行步驟E，若是，則執(zhí)行下一步驟；D、檢測調適反應室的狀態(tài)；E、執(zhí)行該晶片應進行的工藝；F、計算該晶片完成數量是否大于設定值，若否，則執(zhí)行步驟I，若是，則執(zhí)行下一步驟；G、執(zhí)行干式清潔于該反應室，并在該晶舟上記錄清潔型模式為最終流程；H、檢測調適反應室的狀態(tài)；以及I、晶舟載出。
2、 如權利要求1所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于在該反應室混合 檢測時，執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數設定。
3、 如權利要求1所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于該晶舟為卡式晶 舟。
4、 如權利要求1所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于所述步驟E中的 工藝為多晶硅蝕刻工藝。
5、 一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，應用于檢測轉換半導體工藝中的反應室模式， 其特征在于為執(zhí)行清潔型模式時包括下列步驟a、 檢測參數設定為執(zhí)行清潔型模式；b、 判斷上次模式為清潔型或污染型，若為清潔型模式，則執(zhí)行步驟D，若為污染型模式， 則執(zhí)行下一步驟；c、 執(zhí)行干式清潔于該反應室；d、 檢測該晶舟內的晶片待在該反應室的延遲作動的等待時間是否大于預設時間，若否， 則執(zhí)行步驟f，若是，則執(zhí)行下一步驟；e、 檢測調適反應室的狀態(tài)；f、 執(zhí)行該晶片應進行的工藝；以及g、 晶舟載出。
6、 如權利要求5所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于在該反應室混合 檢測時，執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數設定。
7、 如權利要求5所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于該晶舟為卡式晶 舟。
8、 如權利要求5所述的智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其特征在于所述步驟f中的 工藝為多晶硅蝕刻工藝。
全文摘要
本發(fā)明提供一種智能檢測轉換反應室模式的控制方法，其利用檢測反應室內部的參數設定來自我控制轉換清潔型與污染型模式，且可混合檢測執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數設定在同一反應室中，而通過檢測參數設定來實時執(zhí)行干式清潔(dryclean)與調適反應室狀態(tài)，進而達到可延長平均清潔時距(mean time between clean，MTBC)，消除首片晶片(First Wafer)效應，以及降低工藝設備定期保養(yǎng)(preventive maintenance，PM)的費用的功效。
文檔編號G05B19/02GK101158848SQ200610116929
公開日2008年4月9日 申請日期2006年10月8日 優(yōu)先權日2006年10月8日
發(fā)明者張雙熏, 李化陽, 王曉武 申請人:上海宏力半導體制造有限公司