紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)將橋面電阻區(qū)域和支撐區(qū)域的敏感材料層和電極層圖形進(jìn)行拆分，分別形成橋面電阻區(qū)域和支撐區(qū)域的較大尺寸圖形和較小尺寸圖形，在形成橋面電阻區(qū)域的較大尺寸圖形時(shí)無(wú)需使用高精度光刻設(shè)備還可以避免大尺寸圖形的不均勻性，從而形成高均勻一致性的電極圖形，在形成支撐區(qū)域的較小尺寸圖形時(shí)經(jīng)光刻和刻蝕工藝同時(shí)刻蝕敏感材料層和電極層圖形，實(shí)現(xiàn)了支撐區(qū)域較小尺寸圖形的零套準(zhǔn)誤差。
【專利說(shuō)明】
紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法。 【背景技術(shù)】
[0002]微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)具有微小、智能、可執(zhí)行、可集成、工藝兼容性好、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，故其已開(kāi)始廣泛應(yīng)用在包括紅外探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的諸多領(lǐng)域。探測(cè)器是紅外探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛的一種MEMS產(chǎn)品，它利用敏感材料探測(cè)層(通常為非晶硅或氧化機(jī))吸收紅外線且將其轉(zhuǎn)化成電信號(hào)，據(jù)此來(lái)實(shí)現(xiàn)熱成像功能。
[0003]探測(cè)器工藝中，像元使用微橋結(jié)構(gòu)形成電連接及諧振腔;如圖la和lb所示，圖la為常規(guī)工藝形成的微橋結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖lb為圖la中沿AA’截面的結(jié)構(gòu)示意圖，微橋結(jié)構(gòu)具有橋面電阻區(qū)域M和在橋面電阻區(qū)域M兩側(cè)的支撐區(qū)域N，支撐區(qū)域N用于對(duì)微橋結(jié)構(gòu)進(jìn)行支撐;微橋結(jié)構(gòu)位于硅襯底的犧牲材料〇〇 ’上，其具有下釋放保護(hù)層01’、紅外敏感材料層 02’、金屬電極層03’和上釋放保護(hù)層04’，紅外敏感材料層02’、金屬電極層03’為關(guān)鍵的層次;在微橋結(jié)構(gòu)中，這兩個(gè)層次的不同區(qū)域的圖形化要求不同。在橋面電阻區(qū)域M，要求圖形尺寸較大且均勻性一致性較高;在微橋結(jié)構(gòu)的支撐區(qū)域N，要求圖形尺寸小且這兩個(gè)層次之間的對(duì)準(zhǔn)以及后續(xù)圖形化層次對(duì)這兩個(gè)層次的套準(zhǔn)誤差較小。
[0004]然而，常規(guī)的制備微橋結(jié)構(gòu)的工藝中，先形成紅外敏感材料層02’，再圖案化紅外敏感材料層02’，然后形成金屬電極層03’，再圖案化金屬電極層03’ ；這樣，對(duì)于紅外敏感材料層和金屬電極層中的圖案分別圖案化，且每一層均是同時(shí)圖案化，即在金屬電極層中對(duì)微橋結(jié)構(gòu)的橋面電阻區(qū)域和支撐區(qū)域同時(shí)進(jìn)行圖形化工藝，使得光刻設(shè)備不得不使用與支撐區(qū)域的尺寸小的圖形相匹配的工藝，這將導(dǎo)致橋面電阻區(qū)域所形成的較大尺寸圖形的不準(zhǔn)確不均勻，以及支撐區(qū)域的較小尺寸圖形的套準(zhǔn)誤差增大;如圖lb所示，支撐區(qū)域的紅外敏感材料層02’和電極層03’的開(kāi)口并沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)，存在較大的套準(zhǔn)誤差。并且，橋面結(jié)構(gòu)的大尺寸圖形和支撐區(qū)域的小尺寸圖形同時(shí)形成時(shí)都需要采用精度較高的設(shè)備和材料，增加了成本;此外，由于光刻工藝的限制，在制備版圖時(shí)，業(yè)界通常需要光學(xué)修正紅外敏感材料層版圖圖形和金屬電極層版圖圖形，并且設(shè)計(jì)紅外敏感材料層的圖形的邊界大于金屬電極層圖形的邊界，這是為了避免金屬電極層的工藝窗口過(guò)小帶來(lái)的光刻難度增加和套準(zhǔn)精度減小，但是，一則光學(xué)修正計(jì)算模擬過(guò)程繁瑣而且仍然存在兩層之間的套準(zhǔn)誤差的問(wèn)題，二則由于紅外敏感材料層圖形的邊界大于金屬電極層圖形的邊界，在刻蝕了紅外敏感材料層之后，后續(xù)刻蝕金屬電極層時(shí)，暴露的邊界造成紅外敏感材料層大面積的暴露于等離子體刻蝕環(huán)境下，會(huì)受到較大的損傷，影響探測(cè)器的靈敏度和精度。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服以上問(wèn)題，本發(fā)明旨在提供一種紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)不同區(qū)域的敏感材料層圖形和電極層圖形的拆分來(lái)分別制備較大尺寸圖形和較小尺寸圖形。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，微橋結(jié)構(gòu)包括橋面電阻區(qū)域和位于所述橋面電阻區(qū)域兩側(cè)的支撐區(qū)域，且微橋結(jié)構(gòu)從下往上依次具有下釋放保護(hù)層、紅外敏感材料層、電極層和上釋放保護(hù)層，其包括:
[0007]步驟01:提供一表面具有犧牲材料的硅襯底，在硅襯底的犧牲材料上依次沉積下釋放保護(hù)層、紅外敏感材料層和電極層;并且，對(duì)所述微橋結(jié)構(gòu)的版圖圖形進(jìn)行拆分，拆分為位于所述橋面電阻區(qū)域的第一圖形版圖、位于所述支撐區(qū)域的用于圖案化電極層和紅外敏感材料層部分的第二圖形版圖和用于圖案化下釋放保護(hù)層和上釋放保護(hù)層部分的第三圖形版圖；
[0008]步驟02:采用所述第一圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述橋面電阻區(qū)域的電極層部分，在所述橋面電阻區(qū)域的電極層部分中形成第一圖形；
[0009]步驟03:采用所述第二圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述支撐區(qū)域的電極層和紅外敏感材料層部分，在所述支撐區(qū)域的電極層和紅外敏感材料層部分中形成第二圖形；
[0010]步驟04:在完成所述步驟03的硅襯底上沉積上釋放保護(hù)層；
[0011]步驟05:采用所述第三圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述支撐區(qū)域的上釋放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分，在所述支撐區(qū)域的上釋放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分中形成第三圖形。
[0012]優(yōu)選地，所述第一圖形的一維尺寸大于所述第二圖形的一維尺寸；所述第二圖形的一維尺寸大于所述第三圖形的一維尺寸。
[0013]優(yōu)選地，所述第一圖形的一維尺寸與所述第二圖形的一維尺寸的比大于2。[〇〇14]優(yōu)選地，所述第一圖形為矩形。[〇〇15]優(yōu)選地，所述步驟02中對(duì)所述第一圖形的光刻精度低于所述步驟03中對(duì)所述第二圖形的光刻精度，且低于所述步驟05中對(duì)所述第三圖形的光刻精度。
[0016]優(yōu)選地，所述步驟01中，采用氣相沉積工藝依次沉積下釋放保護(hù)層、敏感材料層和電極層。
[0017]優(yōu)選地，所述步驟02中，所采用的刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。[〇〇18]優(yōu)選地，所述步驟03中，所采用的刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。[〇〇19]優(yōu)選地，所述步驟04中，采用氣相沉積工藝來(lái)沉積所述上釋放保護(hù)層。[〇〇2〇]優(yōu)選地，所述步驟03中的刻蝕工藝采用的工藝參數(shù)為:射頻功率100?1200W，反應(yīng)壓強(qiáng)為20?500mtor;r;
[0021] 優(yōu)選地，所述刻蝕工藝采用的反應(yīng)氣體為六^0?4、(:冊(cè)3、(:1246?2和3?6的混合氣體。
[0022]本發(fā)明的紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)將橋面電阻區(qū)域和支撐區(qū)域的敏感材料層和電極層圖形進(jìn)行拆分，分別形成橋面電阻區(qū)域和支撐區(qū)域的較大尺寸圖形和較小尺寸圖形，在形成橋面電阻區(qū)域的較大尺寸圖形時(shí)無(wú)需使用高精度光刻設(shè)備還可以避免大尺寸圖形的不均勻性，從而形成高均勻一致性的電極圖形，在形成支撐區(qū)域的較小尺寸圖形時(shí)經(jīng)光刻和刻蝕工藝同時(shí)刻蝕敏感材料層和電極層圖形，消除了支撐區(qū)域較小尺寸圖形的套準(zhǔn)誤差；同時(shí)，由于支撐區(qū)域較小尺寸圖形和橋面電阻區(qū)域較大尺寸圖形分別光亥IJ，光刻時(shí)可以分別提高大尺寸圖形的工藝窗口以及減小尺寸圖形的工藝窗口，而無(wú)需考慮需要兼顧小尺寸圖形和大尺寸圖形的光刻條件，并且，在支撐區(qū)域的小尺寸圖形光刻時(shí)，由于是采用同一光刻版同時(shí)光刻，所以此處無(wú)需考慮電極層圖形和敏感材料層圖形的對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，也不用采用光刻修正工藝來(lái)修正電極層圖形和敏感材料層圖形以減小套準(zhǔn)誤差的問(wèn)題，不僅真正消除了支撐區(qū)域的套準(zhǔn)誤差，還簡(jiǎn)化了工藝;此外，本發(fā)明將大尺寸圖形和小尺寸圖形分別實(shí)現(xiàn)，無(wú)需在大尺寸圖形形成時(shí)采用高精度設(shè)備和材料，降低了成本?！靖綀D說(shuō)明】
[0023]圖la為常規(guī)工藝形成的微橋結(jié)構(gòu)的俯視示意圖 [〇〇24]圖lb為圖la中沿AA’截面的結(jié)構(gòu)示意圖
[0025]圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖
[0026]圖3-8為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法的各制備步驟示意圖【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0028]以下結(jié)合附圖2-8和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說(shuō)明本實(shí)施例的目的。
[0029]請(qǐng)參閱圖2，紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，請(qǐng)參閱圖8，為制備得到的微橋結(jié)構(gòu)，該微橋結(jié)構(gòu)包括橋面電阻區(qū)域M’和位于橋面電阻區(qū)域M’兩側(cè)的支撐區(qū)域N’，且微橋結(jié)構(gòu)從下往上依次具有下釋放保護(hù)層01、紅外敏感材料層02、電極層03和上釋放保護(hù)層04,其包括:
[0030]步驟01:提供一表面具有犧牲材料的硅襯底，在硅襯底的犧牲材料上依次沉積下釋放保護(hù)層、紅外敏感材料層、和電極層;并且，對(duì)微橋結(jié)構(gòu)的版圖圖形進(jìn)行拆分，拆分為位于橋面電阻區(qū)域的用于圖案化電極層的第一圖形版圖、位于支撐區(qū)域的用于圖案化電極層和紅外敏感材料層部分的第二圖形版圖和用于圖案化下釋放保護(hù)層和上釋放保護(hù)層部分的第三圖形版圖；
[0031]具體的，請(qǐng)參閱圖3,如圖3中，上方為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，下方為對(duì)應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)示意圖，采用氣相沉積工藝在硅襯底的犧牲材料〇〇上依次沉積下釋放保護(hù)層01、敏感材料層 02和電極層03。同時(shí)，對(duì)微橋結(jié)構(gòu)的版圖圖形進(jìn)行拆分，如圖4所示，圖4中左側(cè)為拆分的第一圖形M01的版圖，中間為拆分的第二圖形M02的版圖，右側(cè)為拆分的第三圖形M03的版圖。 如圖4所示，第一圖形M01用于圖案化電極層03,第二圖形M02用于同時(shí)圖案化電極層03和敏感材料層02,第三圖形M03用于同時(shí)圖案化下釋放保護(hù)層和上釋放保護(hù)層，其中的虛線表示出拆分后的這三個(gè)圖形大小的關(guān)系，第一圖形M01的長(zhǎng)度大于第二圖形M02的長(zhǎng)度，且第一圖形M01的兩端分別超出第二圖形M02的上邊和下邊;第三圖形M03的總長(zhǎng)度大于第二圖形 M02的長(zhǎng)度，且第三圖形M03的上邊和下邊分別超出第二圖形M02的上邊和下邊，同時(shí)，第三圖形M03兩側(cè)的凹槽的寬度小于第二圖形M02兩側(cè)的凹槽寬度，從而能夠形成如圖8中支撐區(qū)域N’所示的結(jié)構(gòu);本實(shí)施例中，第一圖形是為了打開(kāi)中間的長(zhǎng)方形的條狀圖形，且第一圖形的尺寸與第二圖形尺寸的比大于2,特別是第二圖形的尺寸為5nm以下，第一圖形的尺寸為20nm以上，較佳的，第一圖形的一維尺寸與第二圖形的一維尺寸的比大于10;在圖4中，第一圖形的一維尺寸和第二圖形的一維尺寸比為兩者的寬度比，因?yàn)閮烧叩拈L(zhǎng)度方向上基本相同且不影響工藝的精度；當(dāng)然，上述“寬度”可以應(yīng)用到長(zhǎng)度，或長(zhǎng)度和寬度的總體一維尺寸，這里所說(shuō)的尺寸為特征尺寸或關(guān)鍵尺寸;這是因?yàn)?，第一圖形和第二圖形的一維尺寸比越大，在常規(guī)工藝下易形成如圖1所示的電極層和敏感材料層不對(duì)準(zhǔn)的缺陷且缺陷隨著第一圖形和第二圖形的一維尺寸比的增大而越為嚴(yán)重，因此，本發(fā)明的技術(shù)方案特別針對(duì)第一圖形和第二圖形的一維尺寸相差較大的情形，能夠針對(duì)性的消除在第一圖形和第二圖形的一維尺寸相差很大時(shí)，電極層和其下方的敏感材料層不對(duì)準(zhǔn)的缺陷。
[0032]另外，第一圖形是打開(kāi)中間的長(zhǎng)方形的條狀圖形，其垂直方向的一維尺寸大于第二圖形相應(yīng)的圖形一維尺寸；而第三圖形與第二圖形相似，且第三圖形邊界需要把第二圖形相應(yīng)邊界整個(gè)給包圍住，其交疊一維尺寸可以在〇? lum-lum之間；
[0033]步驟02:采用第一圖形經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于橋面電阻區(qū)域的電極層部分，在橋面電阻區(qū)域的電極層部分中形成第一圖形；
[0034]具體的，請(qǐng)參閱圖5,如圖5中，上方為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，下方為對(duì)應(yīng)的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖，這里的第一圖形為矩形，第一圖形的尺寸大于第二圖形和第三圖形;可以首先在硅襯底的犧牲層〇〇上涂覆光刻膠，然后經(jīng)曝光和顯影，在光刻膠中形成第一圖形的圖案，這里，由于第一圖形已經(jīng)與其它圖形拆分分離，也即是在此處的光刻中，只有第一圖形，再加上第一圖形是僅僅刻蝕形成于電極層03中的，無(wú)需考慮套準(zhǔn)精度，因此，這里可以采用常規(guī)精度的光刻設(shè)備來(lái)進(jìn)行光刻過(guò)程，從而可以避免使用高精度光刻設(shè)備帶來(lái)的高成本的弊端；
[0035]步驟03:采用第二圖形經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于支撐區(qū)域的電極層和紅外敏感材料層部分，在支撐區(qū)域的電極層和紅外敏感材料層部分中形成第二圖形；
[0036]具體的，請(qǐng)參閱圖6，如圖6中，上方為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，下方為對(duì)應(yīng)的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖；可以首先在硅襯底上的犧牲層〇〇上涂覆光刻膠，然后經(jīng)曝光和顯影，在光刻膠中形成第二圖形的圖案，這里，由于第二圖形已經(jīng)與其它圖形拆分分離，也即是在此處的光刻中，只有第二圖形，而第二圖形是同時(shí)刻蝕形成于電極層03和紅外敏感材料層02中的，需要考慮電極層03和紅外敏感材料層02的套準(zhǔn)精度問(wèn)題，因此，這里采用高精度的光刻設(shè)備來(lái)進(jìn)行光刻過(guò)程，也即是這里的第二圖形形成的光刻精度高于步驟02中的第一圖形形成的光刻精度，從而可以消除這兩層的套準(zhǔn)誤差，還不會(huì)影響到尺寸較大的第一圖形的準(zhǔn)確度和均勻性。[〇〇37]這里，在刻蝕電極層03和紅外敏感材料層02時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際工藝條件來(lái)設(shè)定;本實(shí)施例中可以采用的刻蝕工藝參數(shù)為:射頻功率100?1200W，較佳的為800W，反應(yīng)壓強(qiáng)為20 ?500mtorr，較佳的為50mtorr，反應(yīng)氣體為六1、0?4、(:冊(cè)3、(:12、乂6?2和3?6的混合氣體，八『、 〇卩4、(:冊(cè)3、(:12、父6卩2和3卩6的比例為(10-12):(1?2):(1?2):(1?2):(1?2):(1?2)，較佳的，厶廣〇卩4、(:冊(cè)3、(:12、父6卩2和3卩6的比例為12:2:1:2:1:1。[〇〇38]步驟04:在完成步驟03的硅襯底上沉積上釋放保護(hù)層；
[0039]具體的，請(qǐng)參閱圖7,如圖7中，上方為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，下方為對(duì)應(yīng)的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于解釋，在圖7上方的俯視結(jié)構(gòu)示意圖中將上釋放保護(hù)層剝離;可以采用氣相沉積工藝在硅襯底上犧牲層00上沉積上釋放保護(hù)層04，然后采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝將上釋放保護(hù)層04的頂部磨平。
[0040]步驟05:采用第三圖形經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于支撐區(qū)域的上釋放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分，在支撐區(qū)域的上釋放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分中形成第三圖形。 [0041 ]具體的，請(qǐng)參閱圖8，如圖8中，上方為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，下方為對(duì)應(yīng)的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于解釋，在圖8上方的俯視結(jié)構(gòu)示意圖中將上釋放保護(hù)層剝離;這里，第三圖形的一維尺寸小于第二圖形的一維尺寸，也小于第一圖形的一維尺寸;這里，由于第三圖形已經(jīng)與其它圖形拆分分離，也即是在此處的光刻中，只有第三圖形，可以無(wú)需考慮第一圖形和第二圖形的影響，也無(wú)需考慮電極層03和紅外敏感材料層02的套準(zhǔn)精度問(wèn)題，可以采用常規(guī)精度的光刻設(shè)備或高精度的光刻設(shè)備，形成的第三圖形穿透上釋放保護(hù)層04和下釋放保護(hù)層01，從而使得上釋放保護(hù)層04和下釋放保護(hù)層01將紅外敏感材料層02和電極層03包覆住，起到保護(hù)作用。[〇〇42]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說(shuō)明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書(shū)所述為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種紅外探測(cè)器中微橋結(jié)構(gòu)的制備方法，微橋結(jié)構(gòu)包括橋面電阻區(qū)域和位于所述橋 面電阻區(qū)域兩側(cè)的支撐區(qū)域，且微橋結(jié)構(gòu)從下往上依次具有下釋放保護(hù)層、紅外敏感材料 層、電極層和上釋放保護(hù)層，其特征在于，包括:步驟01:提供一表面具有犧牲材料的娃襯底，在娃襯底的犧牲材料上依次沉積下釋放 保護(hù)層、紅外敏感材料層和電極層;并且，對(duì)所述微橋結(jié)構(gòu)的版圖圖形進(jìn)行拆分，拆分為位 于所述橋面電阻區(qū)域的用于圖案化電極層的第一圖形版圖、位于所述支撐區(qū)域的用于圖案 化電極層和紅外敏感材料層部分的第二圖形版圖和用于圖案化下釋放保護(hù)層和上釋放保 護(hù)層部分的第三圖形版圖；步驟02:采用所述第一圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述橋面電阻區(qū)域的 電極層部分，在所述橋面電阻區(qū)域的電極層部分中形成第一圖形；步驟03:采用所述第二圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述支撐區(qū)域的電極 層和紅外敏感材料層部分，在所述支撐區(qū)域的電極層和紅外敏感材料層部分中形成第二圖 形；步驟04:在完成所述步驟03的硅襯底上沉積上釋放保護(hù)層；步驟05:采用所述第三圖形版圖經(jīng)光刻和刻蝕工藝來(lái)圖案化位于所述支撐區(qū)域的上釋 放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分，在所述支撐區(qū)域的上釋放保護(hù)層和下釋放保護(hù)層部分中形 成第三圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一圖形的一維尺寸大于所述第 二圖形的一維尺寸;所述第二圖形的一維尺寸大于所述第三圖形的一維尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一圖形的一維尺寸與所述第二 圖形的一維尺寸的比大于2。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一圖形為矩形。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟02中對(duì)所述第一圖形的光刻 精度低于所述步驟03中對(duì)所述第二圖形的光刻精度，且低于所述步驟05中對(duì)所述第三圖形 的光刻精度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟01中，采用氣相沉積工藝依 次沉積下釋放保護(hù)層、敏感材料層和電極層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟02中，所采用的刻蝕工藝為 干法刻蝕工藝。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟03中，所采用的刻蝕工藝為 干法刻蝕工藝。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟03中的刻蝕工藝采用的工藝 參數(shù)為:射頻功率100?1200W，反應(yīng)壓強(qiáng)為20?500mtorr。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕工藝采用的反應(yīng)氣體為Ar、 CF4、CHF3、Cl 2、XeF2 和 SF6 的混合氣體。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK106092335SQ201610370209
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年5月30日
【發(fā)明人】康曉旭
【申請(qǐng)人】上海集成電路研發(fā)中心有限公司