聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，包括下列步驟：對聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈充電；迅速檢測電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品，檢測所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時間的變化值并記錄數(shù)據(jù)V(t)，其中V表示表面電位，t表示時間；獲取時間與V(t)對時間的導數(shù)的乘積與時間的關系，即tdV(t)/dt～logt；作出tdV(t)/dt～log對應的曲線，根據(jù)曲線狀態(tài)評估聚酰亞胺薄膜表面電荷積累及消散能力的特性。本方法和裝置不需要對聚酰亞胺薄膜進行任何破壞，能夠實現(xiàn)無損檢測，操作過程簡單方便，能夠直觀、準確而有效地評估樣品表面電荷積累及消散能力的情況。
【專利說明】
聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及一種薄膜表面電荷特性的分析方法，特別是一種聚酰亞胺薄膜表面電 荷特性分析方法。
【背景技術】
[0002] 聚酰亞胺是良好綜合性能的有機高分子材料中的典型代表，具有突出的耐高低溫 性能，耐高溫性能達400°C以上，低溫性能也很好，長期使用溫度范圍在-200~300°C。該材 料沒有明顯的熔點，絕緣性能尤其突出，頻率在1 〇3Hz下介電常數(shù)為4.0，介電損耗僅0.004 ~0.007，屬于F至Η級絕緣材料。聚酰亞胺這種特種工程塑料是在20世紀50年代美國和前蘇 聯(lián)軍備競賽及太空發(fā)展的背景之下所開發(fā)出來的耐熱性樹脂，1955年開始大量生產(chǎn)，是被 公認為最成功的一種樹脂，通常以薄膜形式作產(chǎn)品。早期是利用聚酰亞胺薄膜優(yōu)異的耐熱 絕緣性而使其應用在電機當中的，它的存在能夠提高電機的高溫熱穩(wěn)定性，而目前聚酰亞 胺薄膜已廣泛應用在航空、航天、微電子、納米技術、液晶技術、分離膜技術及激光技術等領 域。隨著應用領域的擴大以及人們對各領域的技術效果都提出更加苛刻的要求，如何使其 綜合電氣性能進一步提高成為限制聚酰亞胺薄膜再發(fā)展的重大問題。
[0003] 國內外專家對聚酰亞胺薄膜絕緣失效的機理進行了廣泛深入的研究，大多認為局 部放電是導致絕緣性能遭到破壞的主要因素，而且表面電荷、空間電荷的累積等在絕緣失 效過程中扮演著較為重要的角色，例如Bellomo等在研究方波電壓下聚酰亞胺的壽命時，發(fā) 現(xiàn)變頻電機中絕緣材料的壽命主要由局部放電所控制，而Foulon等人利用針-板電極對聚 酰亞胺薄膜在脈沖條件下進行試驗，提出匝間絕緣的破壞是由于空間電荷的作用導致絕緣 材料形成的針孔引起。由此可見，如何準確測量并適當處理所得電位數(shù)據(jù)以表征聚酰亞胺 薄膜表面電荷特性，并評估聚酰亞胺薄膜表面電荷積累及消散能力的特性，對研究聚酰亞 胺薄膜絕緣失效的機理具有重要意義。

【發(fā)明內容】

[0004] 基于此，有必要針對如何準確測量并適當處理所得數(shù)據(jù)以評估聚酰亞胺薄膜表面 電荷積累及消散能力特性的問題，提供一種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法。
[0005] -種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，包括下列步驟：
[0006] 對聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈充電；
[0007] 迅速檢測電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品，檢測所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面 電位隨時間的變化值并記錄數(shù)據(jù)V(t)，其中V表示表面電位，t表示時間；
[0008] 獲取時間與所述數(shù)據(jù)V( t)對時間的導數(shù)的乘積與時間的關系，即tdV( t)/dt~ l〇gt；
[0009] 繪制所述tdV(t)/dt~logt對應的曲線；
[0010] 分析所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電荷特性，記錄所述tdV( t) /dt~logt對應的 曲線峰值所對應的橫坐標數(shù)值，對比所述聚酰亞胺薄膜樣品若干點位的橫坐標數(shù)值即可評 估所述聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷積累及消散能力的特性。
[0011] 在其中一個實施例中，所述數(shù)據(jù)V(t)分為兩個分量之和，其中第一分量為Vf(t)， Ff(i) = 第二分量為Vs(t)，C(i)=矣方',其中Af、bf、As和bs是數(shù)值系數(shù)。
[0012] 在其中一個實施例中，所述聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法使用聚酰亞胺薄 膜表面電位測量裝置，所述聚酰亞胺薄膜表面電位測量裝置包括:支撐機構、充電機構及檢 測機構;所述支撐機構包括用于放置所述聚酰亞胺薄膜樣品的支撐平臺，所述充電機構對 所述聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈充電，所述充電機構包括脈沖電源和針電極，所述檢測機 構檢測電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時間的變化值并記錄數(shù)據(jù)v(t)，所 述檢測機構包括靜電電位測量儀、靜電探頭及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)；
[0013] 所述針電極設置在所述支撐平臺上方，與所述脈沖電源連接；
[0014]所述靜電探頭設置在所述支撐平臺上方，與所述靜電電位測量儀連接;所述數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)與所述靜電電位測量儀連接。
[0015] 在其中一個實施例中，所述聚酰亞胺薄膜樣品接地。
[0016] 在其中一個實施例中，所述支撐平臺上設有可活動的載樣臺，所述聚酰亞胺薄膜 樣品放置在所述載樣臺上。
[0017] 在其中一個實施例中，所述載樣臺接地。
[0018] 在其中一個實施例中，電暈充電過程中，所述脈沖電源提供的脈沖電壓幅值為1.5 ~5kV〇
[0019] 在其中一個實施例中，所述脈沖電源接地。
[0020] 在其中一個實施例中，電暈充電的過程中，所述針電極與所述聚酰亞胺薄膜樣品 的距離為4~6mm。
[0021] 在其中一個實施例中，檢測電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時間 的變化值并記錄數(shù)據(jù)v(t)的過程中，所述靜電探頭與所述聚酰亞胺薄膜樣品的距離為2~ 4mm 〇
[0022] 采用上述方法分析聚酰亞胺薄膜表面電荷特性，操作方便簡單，對樣品不會造成 任何損害，實驗數(shù)據(jù)準確性高，可以有效評估樣品表面電荷的積累及消散能力進而判斷聚 酰亞胺薄膜的絕緣失效機理。
【附圖說明】
[0023] 圖1為聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法流程圖；
[0024] 圖2為聚酰亞胺薄膜表面電荷特性測量裝置示意圖；
[0025]圖3為采用幅值分別為1.5kV(樣品l)、2.5kV(樣品2)和3.5kV(樣品3)的正極性脈 沖電壓電暈充電后三個聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷特性表征曲線。
[0026] 附圖標記說明：
[0027] 10、聚酰亞胺薄膜表面電荷特性測量裝置;20、聚酰亞胺薄膜樣品；100、支撐機構； 200、充電機構；300、檢測機構；400、地電極；110、支撐平臺；120、載樣臺；210、脈沖電源； 220、針電極;310、靜電電位測量儀;320、靜電探頭;330、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0028]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中 給出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所 描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹 全面。
[0029]需要說明的是，當元件被稱為"固定于"另一個元件，它可以直接在另一個元件上 或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是"連接"另一個元件，它可以是直接連接 到另一個元件或者可能同時存在居中元件。
[0030]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的 技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具 體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語"及/或"包括一個或多個相 關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0031 ]本發(fā)明提供了 一種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，如圖1所示，該分析方法 包括如下步驟：
[0032]步驟S1:對聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈充電。
[0033] 步驟S2:檢測電暈充電后聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時間的變化值并記錄數(shù) 據(jù)V(t)。
[0034] 步驟S3:獲取時間與所述數(shù)據(jù)V(t)對時間的導數(shù)的乘積與時間的關系，即tdV(t)/ dt~logt〇
[0035] 優(yōu)選的，將所述數(shù)據(jù)V(t)分為兩個分量之和，其中第一分量為Vf(t)， Vf(t) =. ，第二分量為Vs⑴，Vt(i) .= A.se. b:st .β
[0036] 將S2中所得數(shù)據(jù)利用以下公式進行分析
[0037] V(t)=Vf(t)+Vs(t) (1)
[0038] Vf(t) = Afe-hft (2)
[0039] VJi) = Ae~hJ (3)
[0040] 最后得到時間與聚酰亞胺薄膜表面電位V(t)對時間的導數(shù)的乘積與時間的關系： tdV(t)/dt~logt〇
[0041] 以上公式中t是時間，V是表面電位，Vf和Vs是表面電位的兩個分量，Af、bf、A s和bs是 數(shù)值大小不同的系數(shù)。
[0042]聚酰亞胺薄膜的深陷阱和淺陷阱的數(shù)量及其陷阱內部存儲的電荷由薄膜材質和 工況決定，而聚酰亞胺薄膜表面的電荷消散速度與其表面的陷阱深淺及分布有很大關系。 一般淺陷講內的電荷消散速度較快，這一分量用第一分量Vf表不;深陷講內的電荷消散速 度較慢，這一分量用第二分量Vs表示，因此可將聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時間的變 化值v(t)分為V#PV S兩分量之和。聚酰亞胺薄膜表面電位衰減過程中存在的特殊情況是，如 果表面電荷以很快的速度衰減，那么這個模型中的Vs分量幾乎為零，也即聚酰亞胺薄膜樣 品表面的深陷阱很少；同樣，如果表面電荷在整個過程的衰減速度都很慢，那么模型中的Vf 分量幾乎為零，則表明聚酰亞胺薄膜樣品表面的淺陷阱很少。
[0043] 步驟S4:繪制所述tdV(t)/dt~logt對應的曲線。
[0044] tdV(t)/dt~logt曲線，即時間與聚酰亞胺薄膜表面電位V(t)對時間的導數(shù)的乘 積與時間的關系曲線，可以不考慮電位衰減曲線的物理原因，而通過特征時間和幅值的不 同來區(qū)別不同的物理過程。
[0045] 步驟S5:曲線分析。
[0046] 記錄tdV(t)/dt~logt曲線的峰值所對應的橫坐標數(shù)值，對比橫坐標數(shù)值即可評 估聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷積累及消散能力的特性。
[0047]聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷tdV(t)/dt~logt特性曲線出現(xiàn)了不同的峰，每個峰 對應的橫坐標為特征時間，不同幅值的脈沖電壓其曲線的峰值有較大的不同，特征時間也 有一定的區(qū)別。隨著脈沖電壓幅值的增加，曲線峰值有明顯的增大，可以推斷，曲線峰值與 所加電壓的大小有密切的關系，或者說是與表面電位的大小有直接的關系。曲線中先后出 現(xiàn)的兩個峰說明表面電荷同時存在兩個消散過程，反映出試樣中分別有淺陷阱和深陷阱的 電荷注入;脈沖電壓的變化對聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷的影響會在tdV(t)/dt~logt曲 線中有一定程度的反映，表面電荷的增加對應于曲線中峰值的增大，而表面電荷消散速度 有明顯區(qū)別的時候會反映在峰值橫坐標對應的特征時間上，表面電荷的積聚增加和表面電 荷的慢速消散會加劇聚酰亞胺薄膜的老化，通過比較聚酰亞胺薄膜樣品上多點位的特征時 間來判斷聚酰亞胺薄膜的老化程度，測量的點位越多，分析結果越精確。
[0048]上述方法采用的設備是聚酰亞胺薄膜表面電荷特性測量裝置10,如圖2所示，該裝 置主要包括的部件有:支撐機構100、充電機構200及檢測機構300。
[0049]支撐機構100包括支撐平臺110,聚酰亞胺薄膜樣品20放置在支撐平臺110上，為了 方便聚酰亞胺薄膜樣品20在支撐平臺110上位置的快速變換，在支撐平臺110上設置可活動 的載樣臺120,聚酰亞胺薄膜樣品20可方便地鋪展在載樣臺120上。
[0050]優(yōu)選的，載樣臺120為可導電的導體，并且作接地處理，可方便實現(xiàn)聚酰亞胺薄膜 樣品20與地電極400連接達到接地的目的。
[00511 充電機構200包括脈沖電源210及針電極220,脈沖電源210與針電極220連接。針電 極220設置在支撐平臺110上方，并且載有聚酰亞胺薄膜樣品20的載樣臺120可置于針電極 220下方，脈沖電源210可通過針電極220對樣品進行電暈充電。電暈充電時，脈沖電源210提 供的脈沖電壓幅值為1.5~5kV，針電極220與聚酰亞胺薄膜樣品20的距離為4~6mm。
[0052]檢測機構300包括靜電電位測量儀310、靜電探頭320及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330,其中靜 電探頭320與靜電電位測量儀310和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330依次串聯(lián)。
[0053]靜電電位測量儀310用于收集靜電探頭320檢測到的聚酰亞胺薄膜樣品20表面電 位數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330用于記錄和處理收集到的電位變化數(shù)據(jù)。
[0054]靜電探頭320設置在支撐平臺110上方。支撐平臺110上的載樣臺120能夠處于靜電 探頭320下方，可以方便檢測聚酰亞胺薄膜樣品20的表面電位。在對電暈充電后的聚酰亞胺 薄膜樣品進行檢測時，靜電探頭與聚酰亞胺薄膜樣品的距離為2~4mm。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330與 靜電電位測量儀310連接，記錄并處理聚酰亞胺薄膜樣品20的表面電位隨時間變化值的數(shù) 據(jù)。
[0055]以下為具體實施例。
[0056]如圖2所示，采用聚酰亞胺薄膜表面電荷特性的測量裝置10包括:支撐平臺110、脈 沖電源210、針電極220、靜電電位測量儀310、靜電探頭320及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330,與地電極 400連接的脈沖電源210連接針電極220,而靜電探頭320連接在靜電電位測量儀310上，靜電 電位測量儀310還與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)330相連接。支撐平臺110上設置有可活動的載樣臺120， 該載樣臺上設置有可連接地電極400的接線端。聚酰亞胺薄膜樣品20可以方便地鋪展在載 樣臺120上，并且通過載樣臺120與地電極400連接。
[0057]當聚酰亞胺薄膜樣品20被電暈充電時，該樣品與其上方的針電極220間距為5mm。 電暈充電完成后，載有聚酰亞胺薄膜樣品20的載樣臺120可快速移動到靜電探頭320下方， 該樣品與靜電探頭320的間距為3mm。
[0058]聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析的具體步驟如下：
[0059]第一階段，對聚酰亞胺薄膜樣品20進行脈沖式電暈充電
[0060] 取三塊聚酰亞胺薄膜作為樣品，樣品尺寸均為40mmX40mmX25ym。將待測聚酰亞 胺薄膜樣品鋪展在載樣臺上，如圖1所示，將載樣臺120放置在針電極220下方，距離為5mm， 對三塊樣品分別采用幅值為1.5kV、2.5kV和3.5kV的正極性脈沖電壓進行電暈充電。
[0061]第二階段，測量聚酰亞胺薄膜樣品20表面電位
[0062]經(jīng)過第一階段之后，將電暈充電完成的聚酰亞胺薄膜樣品20移至靜電電位計320 下，與靜電電位計320的間距為3mm，開始測量樣品表面電位的變化情況并采集數(shù)據(jù)V( t)。
[0063]第三階段，表面電位分析，獲取時間與所述數(shù)據(jù)V(t)對時間的導數(shù)的乘積與時間 的關系
[0064]對所采集的樣品表面電位數(shù)據(jù)V(t)利用以下公式進行分析
[0065] V(t)=Vf(t)+Vs(t) (1)
[0066] 廠，⑴=/( ,(廠.(2).
[0067] J/s(/)= Ase~h， (3)
[0068] tdV(t)/dt~logt (4)
[0069] 式中V(t)是樣品表面電位數(shù)據(jù)(帶有時間變量t)，V#PVS是表面電位的兩個分量， "、匕、1和1^是系數(shù);第一分量％是表面電位衰減較快的分量，反映表面電荷消散較快的過 程;第二分量^是表面電位衰減較慢的分量，反映表面電荷消散較慢的過程，而所測到的表 面電位衰減過程是這兩個過程的綜合結果。特殊的情況是，如果表面電荷以很快的速度衰 減，那么這個模型中的V s分量幾乎為零。同理，如果表面電荷在整個過程的衰減速度都很 慢，那么模型中的Vf分量幾乎為零。
[0070] 第四階段，繪制tdV/dt~log t曲線
[0071 ]根據(jù)實驗數(shù)據(jù)繪制tdV/dt~log t曲線，即時間與表面電位對時間的導數(shù)的乘積 與時間的關系曲線，可以不考慮電位衰減曲線的物理原因，而通過特征時間和幅值的不同 來區(qū)別不同的物理過程，借此表征樣品表面電荷的消散情況，三塊樣品表面電荷特性表征 曲線示意圖如圖3所示。
[0072] 第五階段，如圖3所示，為采用幅值分別為1.5kV(樣品1)、2.5kV(樣品2)和3.5kV (樣品3)的正極性脈沖電壓電暈充電后三個聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷tdV(t)/dt特性曲 線；圖中曲線出現(xiàn)了不同的峰，每個峰對應的橫坐標時間稱為特征時間，不同幅值的脈沖電 壓其曲線的峰值有較大的不同，特征時間也有一定的區(qū)別;在圖3中，曲線有兩個峰，第一個 峰的特征時間大約在幾百秒，第二個峰的特征時間大約是幾千秒，隨著脈沖電壓幅值的增 加，曲線峰值有明顯的增大，可以推斷，曲線峰值與所加電壓的大小有密切的關系，或者是 與表面電位的大小有直接的關系；曲線中先后出現(xiàn)的兩個峰說明表面電荷在消散過程中同 時有兩個消散過程存在，即試樣中分別有淺陷阱和深陷阱的電荷注入;脈沖電壓的變化對 于薄膜表面電荷的影響都會在tdV(t)/dt特性曲線中有一定程度的反映，表面電荷的增加 對應于tdV(t)/dt曲線中峰值的增大，而表面電荷消散速度有明顯區(qū)別的時候會反映在峰 值的特征時間上。對聚酰亞胺薄膜樣品若干個不同點位的測量可以更全面的掌握其表面的 電荷特性，測試的點數(shù)越多，越能反映實際情況。表面電荷的積聚增加和電荷的慢速消散加 劇了聚酰亞胺薄膜的老化。
[0073]以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實 施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存 在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0074]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來 說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護 范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
[0075] 以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實 施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存 在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0076] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來 說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護 范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1. 一種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，包括下列步驟： 對聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈充電； 迅速檢測電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品，檢測所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位 隨時間的變化值并記錄數(shù)據(jù)v(t)，其中V表示表面電位，t表示時間； 獲取時間與所述數(shù)據(jù)v( t)對時間的導數(shù)的乘積與時間的關系，即tdv( t )/dt~Iogt; 繪制所述tdV (t)/dt~Iogt對應的曲線； 分析所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電荷特性，記錄所述tdV (t) /dt~Iogt對應的曲線 峰值所對應的橫坐標數(shù)值，對比所述聚酰亞胺薄膜樣品若干點位的橫坐標數(shù)值即可評估所 述聚酰亞胺薄膜樣品表面電荷積累及消散能力的特性。2. 根據(jù)權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù) V( t)分為兩個分量之和，其中第一分量為Vf (t)，F(xiàn)t(i) = 第二分量為Vs(t)， 匕⑴=，其中HAs和bs是數(shù)值系數(shù)。3. 根據(jù)權利要求1或2任一所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于， 所述聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法使用聚酰亞胺薄膜表面電位測量裝置;所述聚酰 亞胺薄膜表面電位測量裝置包括:支撐機構、充電機構及檢測機構;所述支撐機構包括用于 放置所述聚酰亞胺薄膜樣品的支撐平臺，所述充電機構對所述聚酰亞胺薄膜樣品進行電暈 充電，所述充電機構包括脈沖電源和針電極，所述檢測機構檢測電暈充電后所述聚酰亞胺 薄膜樣品的表面電位隨時間的變化值并記錄數(shù)據(jù)V(t)，所述檢測機構包括靜電電位測量 儀、靜電探頭及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)； 所述針電極設置在所述支撐平臺上方，與所述脈沖電源連接； 所述靜電探頭設置在所述支撐平臺上方，與所述靜電電位測量儀連接;所述數(shù)據(jù)采集 系統(tǒng)與所述靜電電位測量儀連接。4. 根據(jù)權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，所述聚酰 亞胺薄膜樣品接地。5. 根據(jù)權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，所述支撐 平臺上設有可活動的載樣臺，所述聚酰亞胺薄膜樣品放置在所述載樣臺上。6. 根據(jù)權利要求5所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，所述載樣 臺接地。7. 根據(jù)權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，電暈充電 過程中，所述脈沖電源提供的脈沖電壓幅值為1.5~5kV。8. 根據(jù)權利要求7所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，所述脈沖 電源接地。9. 根據(jù)權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，電暈充電 的過程中，所述針電極與所述聚酰亞胺薄膜樣品的距離為4~6mm。10. 根據(jù)權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法，其特征在于，檢測電 暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品的過程中，所述靜電探頭與所述聚酰亞胺薄膜樣品的距離 為2~4mm〇
【文檔編號】G01N27/60GK106018534SQ201610451528
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月20日
【發(fā)明人】傅明利, 侯帥, 田野, 卓然, 惠寶軍, 杜伯學, 李進, 侯兆豪, 韓濤
【申請人】南方電網(wǎng)科學研究院有限責任公司, 中國南方電網(wǎng)有限責任公司電網(wǎng)技術研究中心, 天津大學