對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路的晶圓級(jí)測(cè)試領(lǐng)域，特別是涉及一種對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有大規(guī)模集成電路的晶圓級(jí)測(cè)試過(guò)程中，因?yàn)樘结樋ㄔ跍y(cè)試過(guò)程中探針上容易積累電荷，當(dāng)測(cè)試完畢后在探針卡高速抬針離開晶圓時(shí)，容易產(chǎn)生尖端放電，這種情況如果發(fā)生次數(shù)過(guò)多，超出了探針的物理極限，則探針就被燒壞

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法，提尚探針卡的使用壽命。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法，是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]每當(dāng)探針卡移動(dòng)到一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片上時(shí)，連接在所有被測(cè)芯片上的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平，并且打開電源上的去耦電容開關(guān)，使之前累積在所有測(cè)試通道上的電荷泄放；
[0006]當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序的某個(gè)測(cè)試項(xiàng)目上發(fā)生了失效時(shí)，需要馬上將其踢除，亦即所有的測(cè)試通道均下電。
[0007]采用本發(fā)明的方法，由于每當(dāng)探針卡移動(dòng)到一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片上時(shí)，將累積在所有測(cè)試通道上的靜電荷泄放掉，當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序的某個(gè)測(cè)試項(xiàng)目上發(fā)生了失效馬上將其踢除，并且在所有測(cè)試項(xiàng)目均測(cè)試完畢后，將被踢除的被測(cè)芯片的測(cè)試通道恢復(fù)連接，使測(cè)試過(guò)程中累積在所有測(cè)試通道上的電荷泄放;這樣可以明顯保護(hù)探針卡不受尖端放電的影響，避免探針被燒壞，提高了探針卡的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0009]圖1是所述對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法一實(shí)施例流程圖；
[0010]圖2是良品和不良品(或失效品)的辨別分開及合并示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0012]結(jié)合圖1所示，所述對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法在下面的實(shí)施例中，實(shí)施過(guò)程如下；
[0013]所述方法是一種測(cè)試程序的算法，該算法的實(shí)現(xiàn)需要由大型邏輯測(cè)試儀、自動(dòng)探針臺(tái)和探針卡構(gòu)成的硬件測(cè)試系統(tǒng)來(lái)實(shí)施。
[0014]每當(dāng)探針卡移動(dòng)到一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片上時(shí)，連接在所有被測(cè)芯片上的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平(OV)，電源上的去耦電容開關(guān)打開，此過(guò)程持續(xù)幾十到幾百毫秒的時(shí)間，讓之前累積在所有的通道上的(靜)電荷泄放。
[0015]當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序的某個(gè)測(cè)試項(xiàng)目上發(fā)生了失效時(shí)，需要馬上把它踢除，亦即所有的測(cè)試通道均下電。在一些特殊的場(chǎng)合，如測(cè)試儀無(wú)法控制自動(dòng)下電時(shí)，需要通過(guò)在探針卡上增加繼電器的方法，使之?dāng)嚅_。
[0016]當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序中的所有測(cè)試項(xiàng)目均測(cè)試完畢后，盡管因?yàn)橛械谋粶y(cè)芯片在測(cè)試過(guò)程中發(fā)生了失效而被剔除，仍然需要把被剔除的被測(cè)芯片的測(cè)試通道恢復(fù)連接，連接在所有被剔除芯片上的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平(OV)，電源上的去耦電容開關(guān)打開，此過(guò)程持續(xù)幾十到幾百毫秒的時(shí)間，讓測(cè)試過(guò)程中累積在所有的測(cè)試通道上的(靜)電荷泄放。
[0017]下面是一個(gè)具體的實(shí)施例，參見圖1，具體過(guò)程是:
[0018]1、探針卡移動(dòng)到一個(gè)(組)新的被測(cè)芯片上時(shí)，探針卡扎針到晶圓焊盤上面。
[0019]2、測(cè)試之前所有測(cè)試通道預(yù)放電。接在所有被測(cè)芯片上的所有測(cè)試通道設(shè)定為低電平(OV)0
[0020]3、測(cè)試之前所有去耦電容預(yù)放電。電源上的去藕電容開關(guān)閉合，電源電壓設(shè)定為低電平(0V)。
[0021]4、測(cè)試。在測(cè)試過(guò)程中有被測(cè)芯片失效后將被剔除。失效芯片剔除后停止測(cè)試，然后恢復(fù)該被剔除的被測(cè)芯片為對(duì)象芯片。如果沒有被剔除的被測(cè)芯片，則良品芯片測(cè)試完畢。
[0022]5、測(cè)試完畢再次放電。所有被測(cè)芯片復(fù)原，執(zhí)行上述2和3描述的放電，稱為再次放電。良品+不良品芯片均處于可以測(cè)試狀態(tài)，再次放電。
[0023]圖2中，標(biāo)號(hào)I中測(cè)試對(duì)象共16個(gè)芯片，標(biāo)號(hào)2中測(cè)試對(duì)象共11個(gè)(5個(gè)芯片失效)，標(biāo)號(hào)3中測(cè)試對(duì)象共16個(gè)芯片，標(biāo)號(hào)4中為被剔除測(cè)試芯片，非測(cè)試對(duì)象。
[0024]以上通過(guò)【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法，其特征在于: 每當(dāng)探針卡移動(dòng)到一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片上時(shí)，連接在所有被測(cè)芯片上的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平，并且打開電源上的去耦電容開關(guān)，使之前累積在所有測(cè)試通道上的電荷泄放； 當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序的某個(gè)測(cè)試項(xiàng)目上發(fā)生了失效時(shí)，需要馬上將其踢除，亦即所有的測(cè)試通道均下電。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:當(dāng)測(cè)試通道無(wú)法下電時(shí)，則在探針卡上設(shè)置繼電器，并使該繼電器斷開。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序中的所有測(cè)試項(xiàng)目均測(cè)試完畢后，將被踢除的被測(cè)芯片的測(cè)試通道恢復(fù)連接，并使被踢除的被測(cè)芯片的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平，并且打開電源上的去耦電容開關(guān)，使測(cè)試過(guò)程中累積在所有測(cè)試通道上的電荷泄放。4.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于:所述低電平為0V。5.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于:設(shè)定為低電平，并使電源上的去耦電容開關(guān)打開的持續(xù)時(shí)間為幾十到幾百毫秒。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對(duì)探針卡在測(cè)試過(guò)程中防止燒針的方法，每當(dāng)探針卡移動(dòng)到一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片上時(shí)，連接在所有被測(cè)芯片上的所有測(cè)試通道，包括電源電壓均設(shè)定為低電平，并且打開電源上的去耦電容開關(guān)，使之前累積在所有測(cè)試通道上的電荷泄放；當(dāng)一個(gè)或一組新的被測(cè)芯片在測(cè)試程序的某個(gè)測(cè)試項(xiàng)目上發(fā)生了失效時(shí)，需要馬上將其踢除，亦即所有的測(cè)試通道均下電。本發(fā)明能提高探針卡的使用壽命。
【IPC分類】G01R1/067, G01R31/26, G01R31/28
【公開號(hào)】CN105527471
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610025322
【發(fā)明人】辛吉升, ?？Ｖ?
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2016年1月15日