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下變頻通路模塊及多通道變頻接收設(shè)備的制造方法

文檔序號(hào):8281379閱讀:392來源:國知局
下變頻通路模塊及多通道變頻接收設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域,尤其涉及一種用于北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的下變頻通路模塊及多通道變頻接收設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]抗干擾技術(shù)是信息戰(zhàn)與電子對抗研宄的一個(gè)重要方面。北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的衛(wèi)星離地球很遠(yuǎn),衛(wèi)星信號(hào)非常微弱,存在易受干擾的缺點(diǎn)。現(xiàn)有的抗干擾天線多是將獨(dú)立的衛(wèi)星天線、低噪聲放大器和射頻通道用電纜連接以實(shí)現(xiàn)抗干擾的作用,這樣會(huì)存在安裝復(fù)雜、整機(jī)體積較大的問題;而且由于連接的電纜的長度以及損耗難以完全一致,會(huì)存在通道間相位、幅度難以完全一致的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是,提供一種下變頻通路模塊,以改善現(xiàn)有下變頻通道模塊結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問題。
[0004]本發(fā)明的另一個(gè)目的是,提供一種用于北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的多通道變頻接收設(shè)備,以改善現(xiàn)有多路射頻通道間相位不一致的問題。
[0005]本發(fā)明公開了一種下變頻通路模塊,上述下變頻通路模塊由依次串聯(lián)連接的乘法器、表面波帶通濾波器及電調(diào)移相器,以及與上述乘法器依次串聯(lián)連接的壓控振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器組成。
[0006]本發(fā)明還公開了一種多通道變頻接收設(shè)備,包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元;上述接收設(shè)備還包括與上述調(diào)相電壓控制單元連接的調(diào)相電壓控制單元;
[0007]上述多路S下變頻單元包括2個(gè)以上并聯(lián)連接的下變頻通路模塊;
[0008]上述調(diào)相電壓控制單元用于根據(jù)上述多路S下變頻單元的工作頻點(diǎn)及各下變頻通路模塊中電調(diào)移相器的移相電壓值,生成對應(yīng)的調(diào)相電壓V,并輸出給相應(yīng)的電調(diào)移相器。
[0009]優(yōu)選地,上述調(diào)相電壓控制單元通過如下公式生成調(diào)相電壓V:
[0010]V = VtS-Fi
[0011]其中,Vts為電調(diào)移相器的移相電壓值,F(xiàn)i是上述多路S下變頻單元的工作頻點(diǎn)。
[0012]優(yōu)選地,上述調(diào)相電壓控制單元采用STM8S003芯片。
[0013]本發(fā)明所述下變頻通路模塊結(jié)構(gòu)簡單,成本低;所述多通道變頻接收設(shè)備采用本發(fā)明所述的下變頻通路模塊組成多路S下變頻單元,并通過單片機(jī)調(diào)節(jié)各通道的相位,使得多條通道的相位可完全一致,即使在焊接裝配完成后,也可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)各通道的相位,且功耗低、增益高、噪聲低、多路射頻通道間相位一致性好。
【附圖說明】
[0014]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本發(fā)明的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0015]圖1是本發(fā)明所述下變頻通路模塊電路原理圖;
[0016]圖2是本發(fā)明所述多通道變頻接收設(shè)備原理框圖;
[0017]圖3是本發(fā)明所述多通道變頻接收設(shè)備具有兩個(gè)通道時(shí)的原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白,以下結(jié)合附圖和實(shí)施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0019]如圖1所示,是本發(fā)明所述下變頻通路模塊電路原理圖;1為乘法器、2為表面波帶通濾波器、3為電調(diào)移相器、4為壓控振蕩器、5為溫度補(bǔ)償晶體振蕩器;乘法器I的一個(gè)輸出端與表面波帶通濾波器2及電調(diào)移相器3依次串聯(lián)連接,乘法器I的另一個(gè)輸出端與壓控振蕩器4及溫度補(bǔ)償晶體振蕩器5依次串聯(lián)連接。
[0020]如圖2所示,是本發(fā)明所述多通道變頻接收設(shè)備優(yōu)選實(shí)施例原理框圖;圖中,10為天線單元、20為多路S下變頻單元、30為鎖相環(huán)單元,40為調(diào)相電壓控制單元;天線單元10、鎖相環(huán)單元30以及調(diào)相電壓控制單元40均與多路S下變頻單元20連接,其中,
[0021]天線單元10,用于接收衛(wèi)星信號(hào),為多路S下變頻單元20的各通路提供輸入信號(hào);
[0022]多路S下變頻單元20,用于將輸入信號(hào)的頻率降低成下游單元需要的頻率,包括2個(gè)以上并聯(lián)連接的如圖1所示的下變頻通路模塊;
[0023]鎖相環(huán)單元30,分別與多路S下變頻單元20的各下變頻通路模塊的輸入端及輸出端連接,為每條通道提供鎖相;
[0024]調(diào)相電壓控制單元40,分別與多路S下變頻單元20的各下變頻通路模塊的電調(diào)移相器3連接,在需要對各下變頻通路模塊進(jìn)行調(diào)相時(shí),根據(jù)多路S下變頻單元20的工作頻點(diǎn)及各下變頻通路模塊中電調(diào)移相器的移相電壓值,生成對應(yīng)的調(diào)相電壓V = Vts-Fi,并輸出給相應(yīng)的電調(diào)移相器;其中,Vts為電調(diào)移相器的移相電壓值,F(xiàn)i是多路S下變頻單元20的工作頻點(diǎn)。
[0025]如圖3所示,是本發(fā)明所述多通道變頻接收設(shè)備具有兩個(gè)通道時(shí)的原理框圖;圖中,10為天線單元、21為多路S下變頻單元第I下變頻通路模塊,22為多路S下變頻單元第2下變頻通路模塊,30為鎖相環(huán)單元,40為調(diào)相電壓控制單元;其中,第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22具體結(jié)構(gòu)如圖1所述,這里不再復(fù)述;天線單元10的輸出端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸入端連接;鎖相環(huán)單元30的一端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸入端連接,另一端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸出端連接;調(diào)相電壓控制單元40的輸出端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的電調(diào)移相器連接;
[0026]當(dāng)多路S下變頻單元工作在頻點(diǎn)Fl時(shí),調(diào)相電壓控制單元40輸出調(diào)相電壓Vtsl-Fl,對第I下變頻通路模塊21所在的通道I通路移相,其中,Vtsl為第I下變頻通路模塊21中的電調(diào)移相器的移相電壓值,該電壓值為該模塊的固有參數(shù),在出廠時(shí)已校準(zhǔn)并確定;同時(shí)輸出調(diào)相電壓Vts2-Fl,對第2下變頻通路模塊21所在的通道2通路進(jìn)行移相,其中,Vts2為第2下變頻通路模塊21中的電調(diào)移相器的移相電壓值,該電壓值為該模塊的固有參數(shù),在出廠時(shí)已校準(zhǔn)并確定;這樣可保證S通道兩個(gè)通路工作在頻點(diǎn)Fl時(shí)相位完全一致。
[0027]當(dāng)多路S下變頻單元工作在頻點(diǎn)F2時(shí),調(diào)相電壓控制單元40輸出調(diào)相電壓Vtsl-F2,對第I下變頻通路模塊21所在的通道I通路移相;同時(shí)輸出調(diào)相電壓Vts2-F2,對第2下變頻通路模塊21所在的通道2通路進(jìn)行移相,這樣可保證S通道的兩個(gè)通路工作在頻點(diǎn)F2時(shí)相位完全一致;
[0028]在其他具有3個(gè)以上通道的實(shí)施例中,依此類推,即可實(shí)現(xiàn)多通道相位的完全一致。
[0029]上述說明示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,但如前所述,應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式,不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境,并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi),通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍,則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種下變頻通路模塊,其特征在于,所述下變頻通路模塊由依次串聯(lián)連接的乘法器、表面波帶通濾波器及電調(diào)移相器,以及與所述乘法器依次串聯(lián)連接的壓控振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器組成。
2.一種多通道變頻接收設(shè)備,包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元;其特征在于,所述接收設(shè)備還包括與所述調(diào)相電壓控制單元連接的調(diào)相電壓控制單元; 所述多路S下變頻單元包括2個(gè)以上并聯(lián)連接的權(quán)利要求1所述的下變頻通路模塊; 所述調(diào)相電壓控制單元用于根據(jù)所述多路S下變頻單元的工作頻點(diǎn)及各下變頻通路模塊中電調(diào)移相器的移相電壓值,生成對應(yīng)的調(diào)相電壓V,并輸出給相應(yīng)的電調(diào)移相器。
3.如權(quán)利要求2所述的多通道變頻接收設(shè)備,其特征在于,所述調(diào)相電壓控制單元通過如下公式生成調(diào)相電壓V:V = Vts-Fi 其中,Vts為電調(diào)移相器的移相電壓值,F(xiàn)i是所述多路S下變頻單元的工作頻點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的多通道變頻接收設(shè)備,其特征在于,所述調(diào)相電壓控制單元采用STM8S003芯片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種下變頻通路模塊及多通道變頻接收設(shè)備,上述多通道變頻接收設(shè)備包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元;上述接收設(shè)備還包括與上述調(diào)相電壓控制單元連接的調(diào)相電壓控制單元;上述多路S下變頻單元包括2個(gè)以上并聯(lián)連接的下變頻通路模塊。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、增益高、噪聲低、多路射頻通道間相位一致性好。
【IPC分類】G01S19-36, G01S19-35
【公開號(hào)】CN104597468
【申請?zhí)枴緾N201410827379
【發(fā)明人】王春華, 衛(wèi)波
【申請人】深圳市華信天線技術(shù)有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年12月25日
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