專利名稱：薄膜電容式濕敏元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
薄膜電容式濕敏元件屬于電子測量技術(shù)領(lǐng)域。
目前，電容式濕敏元件在結(jié)構(gòu)上多采用芬蘭Vaisala公司及Philips公司的雙電容串聯(lián)結(jié)構(gòu)(如圖1)，這種結(jié)構(gòu)解決了上電極的引出問題，卻使元件的有效面積減少了75％，基礎(chǔ)容量降低，并且由于聚合物薄膜在高濕環(huán)境中吸水產(chǎn)生膨脹，使元件在使用過程中，上電極產(chǎn)生不連續(xù)，造成斷路。另外，對于電容式濕敏元件，要求上電極與感濕材料具有良好的附著性，電極要連續(xù)、多孔，長期穩(wěn)定性好。目前，國內(nèi)外較多采用的是蒸鍍金上電極，但金上電極存在一些缺點(diǎn)①、金上電極可感濕的厚度范圍窄，一般在250-400A，制作過程中的工藝參數(shù)難于控制，表現(xiàn)為重復(fù)性差。②、附著力弱。金與許多聚合物材料的附著力都很弱，對于平極式電容結(jié)構(gòu)，附著力弱也是造成斷路的潛在因素。③、穩(wěn)定性不好。金上電極的形態(tài)易改變，這種改變既使很輕微，都會使元件的性能受到很大影響。④、響應(yīng)時(shí)間長。
本實(shí)用新型的目的是提供一種既能更好地解決上電極引出問題，使元件的體積更小，又能滿足所需要的容量，重復(fù)性好，附著力強(qiáng)，穩(wěn)定性好，響應(yīng)時(shí)間短，成本低的薄膜電容式濕敏元件。
本實(shí)用新型包括硅基片，二氧化硅氧化層、下電極、感濕膜和用鉻制成的上電極，二氧化硅氧化層位于硅基片上方，二氧化硅氧化層上面是下電極、上電極引出端，下電極上面覆蓋一層感濕膜，感濕膜上面是上電極，上電極采用平板式電容結(jié)構(gòu)，上電極與上電極引出端相連接從而實(shí)現(xiàn)了上電極的引出。上電極的引出是呈U形。
本實(shí)用新型體積小，成本低，基礎(chǔ)容量大，可達(dá)75±5PF，U形結(jié)構(gòu)引出端使上電極不易造成斷路，元件可靠性強(qiáng)，采用鉻作為上電極，重復(fù)性好，附著性強(qiáng)、穩(wěn)定，響應(yīng)時(shí)間短。


圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2是本實(shí)用新型主視示意圖；圖3是本實(shí)用新型硅基片和二氧化硅氧化層結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型下電極及上電極引出示意圖；圖5是本實(shí)用新型感濕膜示意圖；圖6是本實(shí)用新型鉻制上電極示意圖。
實(shí)施例本實(shí)用新型包括硅基片1、二氧化硅氧化層2、鉻、金雙金屬層制作的下電極3、聚酰亞胺制成的感濕膜5、鉻制上電極6，在硅基片1上有一層二氧化硅氧化層2，二氧化硅氧化層2上面是上電極的U形引出端和下電極3，下電極3外表面上覆蓋圍有感濕膜5，感濕膜5上面是鉻制上電極6，上電極6采用平板式電容結(jié)構(gòu)引出，上電極6與上電極引出端4相連接從而實(shí)現(xiàn)了上電極的引出。
權(quán)利要求1.一種薄膜電容式濕敏元件，包括硅基片(1)、二氧化硅氧化層(2)、下電極(3)、感濕膜(5)、鉻制上電極(6)，在硅基片(1)上有一層二氧化硅氧化層(2)，二氧化硅氧化層(2)上面是上電極的引出端(4)和下電極(3)，下電極(3)外表面上圍有感濕膜(5)，感濕膜上面是鉻制上電極(6)，其特征在于采用平板式電容結(jié)構(gòu)引出上電極，上電極(6) 與上電極引出端(7)相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容式濕敏元件，其特征在于上電極的引出端(4)采用U形結(jié)構(gòu)。
專利摘要一種薄膜電容式濕敏元件,包括硅基片、二氧化硅氧化層、下電極、感濕膜、鉻制上電極,在硅基片上有一層二氧化硅氧化層,二氧化硅氧化層上面是上電極的U形引出端和下電極,下電極外表面上覆蓋有感濕膜,感濕膜上面是鉻制上電極,上電極采用平板式電容結(jié)構(gòu)引出,上電極與上電極引出端相連接。本實(shí)用新型體積小,成本低,基礎(chǔ)容量大,上電極不易斷路,元件可靠性強(qiáng),采用鉻作為上電極,重復(fù)性好,附著性強(qiáng)、穩(wěn)定,響應(yīng)時(shí)間短。
文檔編號G01N27/22GK2366848SQ9920836
公開日2000年3月1日 申請日期1999年4月22日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月22日
發(fā)明者張精華 申請人:張精華