本申請涉及電子器件測試，特別是涉及壓頭結(jié)構(gòu)及電子器件測試系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在電子器件如芯片、集成電路或者其他電子器件等測試過程中，需要使用能夠?qū)﹄娮悠骷枰钥販氐目販匮b置，以在測試過程中使電子器件保持預(yù)設(shè)溫度?？販匮b置通常包括可調(diào)節(jié)溫度的調(diào)溫結(jié)構(gòu)，以及與電子器件直接作用的壓頭結(jié)構(gòu)。調(diào)溫結(jié)構(gòu)可設(shè)置在壓頭結(jié)構(gòu)上，并經(jīng)由壓頭的導(dǎo)熱作用對電子器件予以控溫。

2、隨著芯片功能的不斷集成，芯片尺寸不斷加大，大功率器件上往往具備多個芯片發(fā)熱源，每個芯片發(fā)熱源的功耗以及工作時間不同。壓頭結(jié)構(gòu)通常僅具有一個控溫點(diǎn)，在測試大功率器件時，往往需要使用多個壓頭結(jié)構(gòu)對每個芯片發(fā)熱源進(jìn)行單獨(dú)控溫，控溫成本高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對大功率器件測試時，需要使用多個壓頭結(jié)構(gòu)對各個芯片發(fā)熱源進(jìn)行獨(dú)立控溫，導(dǎo)致控溫成本高的問題，提供一種壓頭結(jié)構(gòu)及電子器件測試系統(tǒng)。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N壓頭結(jié)構(gòu)，所述壓頭結(jié)構(gòu)包括：

3、第一控溫部，具有第一控溫面，所述第一控溫部內(nèi)形成有用于流通氣體的氣流通道，所述第一控溫面上設(shè)置有出氣孔，所述出氣孔與所述氣流通道連通；

4、第二控溫部，具有第二控溫面，所述第二控溫部上設(shè)置有用于安裝調(diào)溫件的第一安裝位，所述第一安裝位與所述第二控溫面導(dǎo)熱連接；

5、其中，所述第一控溫面與所述第二控溫面位于所述壓頭結(jié)構(gòu)高度方向上的相同一端。

6、在一些實施例中，在所述壓頭結(jié)構(gòu)的高度方向上，所述第二控溫面相較于所述第一控溫面凸出設(shè)置。

7、在一些實施例中，所述第一控溫部具有泄氣通道，所述泄氣通道連通大氣，并貫穿所述第一控溫面與另一所述控溫部相鄰設(shè)置的邊緣區(qū)域。

8、在一些實施例中，所述第一控溫部具有與相鄰另一所述控溫部相對設(shè)置的第一外周面；

9、所述泄氣通道包括凹陷于所述第一外周面的泄氣槽和缺口，所述泄氣槽朝向相鄰另一所述控溫部開口，且在其延伸方向上的至少一端貫穿所述第一控溫部中位于所述第一控溫面范圍之外的外表面；所述缺口貫穿所述第一控溫面的所述邊緣區(qū)域，并連通所述泄氣槽。

10、在一些實施例中，所述氣流通道包括形成于所述第一控溫部內(nèi)的匯流段和至少一個進(jìn)氣段；所述進(jìn)氣段用于連通外部供氣源；在所述壓頭結(jié)構(gòu)的高度方向上，所述匯流段布置并連通于所述出氣孔和全部所述進(jìn)氣段之間。

11、在一些實施例中，多個所述第一控溫部環(huán)繞所述第二控溫部的外周布置。

12、在一些實施例中，所述第二控溫部包括壓接本體和基板，所述壓接本體和所述第一控溫部設(shè)置于所述基板的相同一側(cè)，所述基板上設(shè)置有所述第一安裝位，所述壓接本體具有所述第二控溫面；

13、所述第一控溫部與所述基板之間隔熱連接，和/或，所述第一控溫部與所述壓接本體間隔形成有隔熱間隙。

14、在一些實施例中，沿所述壓頭結(jié)構(gòu)的高度方向，所述第一安裝位的正投影與所述壓接本體的正投影和所述第一控溫部的正投影均相交；和/或，

15、所述第一控溫部與所述基板可拆卸地卡接。

16、在一些實施例中，所述第一控溫部和/或所述第二控溫部內(nèi)設(shè)置有第二安裝位，所述第二安裝位用于安裝溫度傳感器。

17、第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环N電子器件測試系統(tǒng)，包括上料裝置測試裝置、收料裝置及輸送裝置，所述測試裝置具有料臺和控溫裝置，所述料臺用于承托待測試的電子器件，所述控溫裝置用于壓接控溫所述料臺上的待測試的電子器件，所述輸送裝置用于將所述上料裝置處提供的待測試的電子器件移送至所述料臺，并用于將所述料臺上測試后的電子器件移送至所述收料裝置處回收，所述控溫裝置包括上述任一實施例所述的壓頭結(jié)構(gòu)。

18、上述壓頭結(jié)構(gòu)及電子器件測試系統(tǒng)，第二控溫部采取傳導(dǎo)調(diào)溫件的熱量/冷量的方式對控溫區(qū)域控溫，可以用于對電子器件中發(fā)熱功率較大芯片所在的控溫區(qū)域予以控溫，控溫效果好。第一控溫部采取送風(fēng)的方式對控溫區(qū)域控溫，可以用于對電子器件中發(fā)熱功率較小芯片所在的控溫區(qū)域予以控溫。

19、如此，通過第一控溫部和第二控溫部不僅可對同一電子器件的不同芯片所在的控溫區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立的控溫，而且還可對不同發(fā)熱程度的控溫區(qū)域適配不同控溫方式，相比對全部控溫區(qū)域采取調(diào)溫件控溫的高成本控溫方式而言，采取送風(fēng)控溫與調(diào)溫件控溫相結(jié)合的方式，可進(jìn)一步降低控溫成本。

技術(shù)特征：

1.一種壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述壓頭結(jié)構(gòu)(100)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，在所述壓頭結(jié)構(gòu)(100)的高度方向(z)上，所述第二控溫面(21)相較于所述第一控溫面(11)凸出設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述第一控溫部(10)具有泄氣通道(14)，所述泄氣通道(14)連通大氣，并貫穿所述第一控溫面(11)與另一所述控溫部相鄰設(shè)置的邊緣區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述第一控溫部(10)具有與相鄰另一所述控溫部相對設(shè)置的第一外周面(m)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述氣流通道(12)包括形成于所述第一控溫部(10)內(nèi)的匯流段(12a)和至少一個進(jìn)氣段(12b)；所述進(jìn)氣段(12b)用于連通外部供氣源；在所述壓頭結(jié)構(gòu)(100)的高度方向(z)上，所述匯流段(12a)布置并連通于所述出氣孔(13)和全部所述進(jìn)氣段(12b)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，多個所述第一控溫部(10)環(huán)繞所述第二控溫部(20)的外周布置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述第二控溫部(20)包括壓接本體(23)和基板(24)，所述壓接本體(23)和所述第一控溫部(10)設(shè)置于所述基板(24)的相同一側(cè)，所述基板(24)上設(shè)置有所述第一安裝位(22)，所述壓接本體(23)具有所述第二控溫面(21)；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，沿所述壓頭結(jié)構(gòu)(100)的高度方向(z)，所述第一安裝位(22)的正投影與所述壓接本體(23)的正投影和所述第一控溫部(10)的正投影均相交；和/或，

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)，其特征在于，所述第一控溫部(10)和/或所述第二控溫部(20)內(nèi)設(shè)置有第二安裝位(25)，所述第二安裝位(25)用于安裝溫度傳感器(300)。

10.一種電子器件測試系統(tǒng)，包括上料裝置、測試裝置、收料裝置及輸送裝置，所述測試裝置具有料臺和控溫裝置(1000)，所述料臺用于承托待測試的電子器件，所述控溫裝置用于壓接控溫所述料臺上的待測試的電子器件，所述輸送裝置用于將所述上料裝置處提供的待測試的電子器件移送至所述料臺，并用于將所述料臺上測試后的電子器件移送至所述收料裝置處回收，其特征在于，所述控溫裝置(1000)包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的壓頭結(jié)構(gòu)(100)。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種壓頭結(jié)構(gòu)及電子器件測試系統(tǒng)，包括第一控溫部和第二控溫部。第一控溫部具有第一控溫面，第一控溫部內(nèi)形成有用于流通氣體的氣流通道，第一控溫面上設(shè)置有出氣孔，出氣孔與氣流通道連通。第二控溫部具有第二控溫面，第二控溫部上設(shè)置有用于安裝調(diào)溫件的第一安裝位，第一安裝位與第二控溫面導(dǎo)熱連接。其中，第一控溫面和第二控溫面位于壓頭結(jié)構(gòu)高度方向上的相同一端。在實際應(yīng)用時，第一控溫面和第二控溫面面向控溫區(qū)域布置。本申請的技術(shù)方案，不僅可對同一電子器件的不同芯片所在的控溫區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立的控溫，而且還可對不同發(fā)熱程度的控溫區(qū)域適配不同控溫方式，有效降低控溫成本。

技術(shù)研發(fā)人員：邱一航,邱國志,葉波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州長川科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240207
技術(shù)公布日：2025/1/9