本發(fā)明涉及一種分子印跡過(guò)氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極的制備方法，屬于電化學(xué)和材料研究領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

手性化合物是具有極其相似的物理化學(xué)性質(zhì)的光學(xué)異構(gòu)體，兩者很難區(qū)分，因此在生化分析領(lǐng)域，手性化合物的識(shí)別和拆分是一項(xiàng)困難且艱巨的任務(wù)。在過(guò)去，廣泛應(yīng)用于識(shí)別手性化合物的方法主要有色譜技術(shù)、光譜技術(shù)和電化學(xué)技術(shù)等。如今，由于電化學(xué)分析方法具備靈敏度高、干擾小和操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，因此基于電化學(xué)技術(shù)的手性識(shí)別方法非常有希望也最容易推廣。

人體內(nèi)的各種蛋白質(zhì)是由20種基本氨基酸構(gòu)成的，它們與人類的生命息息相關(guān)。而構(gòu)成蛋白質(zhì)的基本氨基酸大多為l-構(gòu)型，因此基于l-構(gòu)型氨基酸的手性傳感器的研究備受關(guān)注。由于分子印跡聚合物具有很多優(yōu)勢(shì)如構(gòu)型預(yù)定性、高選擇性、易于制備和相對(duì)低的成本等，因此在過(guò)去幾十年中，分子印跡聚合物(mips)作為l-構(gòu)型氨基酸手性識(shí)別材料的研究已經(jīng)取得了很大進(jìn)展。導(dǎo)電聚合物可以將分子印跡技術(shù)與電化學(xué)技術(shù)完美結(jié)合，但是傳統(tǒng)的mips存在印跡位點(diǎn)較少的缺陷，使其對(duì)于目標(biāo)分子具有較低的識(shí)別效率，這限制了導(dǎo)電高分子作為分子印跡材料的應(yīng)用，因此如何增加模板分子在導(dǎo)電高分子內(nèi)部的印跡位點(diǎn)是個(gè)研究熱點(diǎn)。

聚對(duì)氨基苯磺酸(pabsa)含有的磺酸基團(tuán)能與苯環(huán)可通過(guò)靜電作用與π-π共軛作用與有機(jī)客體分子結(jié)合，從而可將其用于分子印跡的基底材料。通過(guò)循環(huán)伏安法制備得到pabsa修飾玻碳電極(pabsa/gce)，并在該修飾電極表面繼續(xù)修飾分子印跡過(guò)氧化聚吡咯，可得到分子印跡過(guò)氧化聚吡咯/pabsa/gce(mioppy/pabsa/gce)，該分子印跡電極可用于色氨酸對(duì)映體的電化學(xué)手性識(shí)別。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明涉及一種分子印跡過(guò)氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極的制備方法，包括以下步驟：

a、制備pabsa修飾電極：采用直徑為3mm的玻碳電極(gce)為工作電極，鉑片為輔助電極，飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系；稱取15mg對(duì)氨基苯磺酸溶于20ml0.1m的磷酸鹽緩沖溶液(ph＝7.0)中，在-1.5～2.5v的電位窗口內(nèi)，以0.1v/s的掃速采用循環(huán)伏安法制備得到pabsa修飾電極，記為pabsa/gce；

b、制備mioppy/pabsa/gce：將pabsa/gce浸入包括2mml-色氨酸、0.1m吡咯和0.1mpbs(ph＝3.5)的混合溶液中靜置20min，然后在-0.6～0.8v(vs.sce)的電化學(xué)范圍內(nèi)，以0.1v/s的掃速循環(huán)伏安(cv)10圈，得到摻雜有l(wèi)-色氨酸的ppy/pabsa修飾電極(ppy/pabsa/gce)；再將該修飾電極浸入0.1mh2so4溶液中，施加0.4v的電位脫摻雜1000s得到分子印ppy/pabsa修飾電極，即mippy/pabsa/gce；為了規(guī)避ppy的氧化峰對(duì)于電化學(xué)檢測(cè)trp的影響，將mippy/pabsa/gce置于0.1m的naoh溶液中，在0.4～1.2v的電化學(xué)窗口內(nèi)進(jìn)行cv，直到出現(xiàn)穩(wěn)定的cv曲線，得到mioppy/pabsa/gce。

進(jìn)一步，步驟a中對(duì)氨基苯磺酸的質(zhì)量為15mg，磷酸鹽緩沖溶液的ph為3.5。

進(jìn)一步，步驟b中磷酸鹽緩沖液的ph值為4，靜置時(shí)間為20min，脫摻雜的恒電位為0.4v。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1為色氨酸對(duì)映體在mioppy/pabsa/gce上的dpv圖。

圖2為色氨酸對(duì)映體在mioppy/gce上的dpv圖。

圖3為色氨酸對(duì)映體在pabsa/gce上的dpv圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明，以下實(shí)施例旨在說(shuō)明本發(fā)明而不是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限定。

實(shí)施例一：

制備mioppy/pabsa/gce的步驟如下：

(1)制備pabsa修飾電極：采用直徑為3mm的玻碳電極(gce)為工作電極，鉑片為輔助電極，飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系。稱取15mg對(duì)氨基苯磺酸溶于20ml0.1m的磷酸鹽緩沖溶液(ph＝7.0)中，在-1.5～2.5v的電位窗口內(nèi)，以0.1v/s的掃速采用循環(huán)伏安法制備得到pabsa修飾電極，記為pabsa/gce。

(2)制備mioppy/pabsa/gce：將pabsa/gce浸入包括2mml-色氨酸、0.1m吡咯和0.1m磷酸鹽緩沖溶液(ph＝3.5)的混合溶液中靜置20min，然后在-0.6～0.8v(vs.sce)的電化學(xué)范圍內(nèi)，以0.1v/s的掃速循環(huán)伏安(cv)10圈，得到摻雜有l(wèi)-色氨酸的ppy/pabsa修飾電極(ppy/pabsa/gce)。再將該修飾電極浸入0.1mh2so4溶液中，施加0.4v的電位脫摻雜1000s得到分子印跡ppy/pabsa修飾電極，即mippy/pabsa/gce。為了規(guī)避ppy的氧化峰對(duì)于電化學(xué)檢測(cè)trp的影響，將mippy/pabsa/gce置于0.1m的naoh溶液中，在0.4～1.2v的電化學(xué)窗口內(nèi)進(jìn)行cv，直到出現(xiàn)穩(wěn)定的cv曲線，得到mioppy/pabsa/gce。

將mioppy/pabsa/gce浸入到25ml包含0.5mml/d-色氨酸的0.1mpbs(ph＝4.0)溶液中，在恒電位的條件下，施加-0.2v的電壓富集200s，然后在0.4～1.0v(vs.sce)的電位窗口范圍內(nèi)，電位增量為4mv，振幅為50mv進(jìn)行dpv測(cè)試，記錄相應(yīng)的氧化峰電位和電流，比較氧化峰電位和電流的差別。由圖1可知，mioppy/pabsa/gce對(duì)于l/d-色氨酸的識(shí)別電流比為2.7，從而mioppy/pabsa/gce對(duì)于色氨酸對(duì)映體具有有效的識(shí)別效率。

實(shí)施例二：

制備mioppy/gce的步驟如下：采用直徑為3mm的玻碳電極(gce)為工作電極，鉑片為輔助電極，飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系。將gce浸入包括2mml-色氨酸、0.1m吡咯和0.1m磷酸鹽緩沖溶液(ph＝3.5)的混合溶液中靜置20min，然后在-0.6～0.8v(vs.sce)的電化學(xué)范圍內(nèi)，以0.1v/s的掃速循環(huán)伏安(cv)10圈，得到摻雜有l(wèi)-色氨酸的ppy修飾電極(ppy/gce)。再將該修飾電極浸入0.1mh2so4溶液中，施加0.4v的電位脫摻雜1000s得到分子印跡ppy修飾電極，即mippy/gce。為了規(guī)避ppy的氧化峰對(duì)于電化學(xué)檢測(cè)trp的影響，將mippy/gce置于0.1m的naoh溶液中，在0.4～1.2v的電化學(xué)窗口內(nèi)進(jìn)行cv，直到出現(xiàn)穩(wěn)定的cv曲線，得到mioppy/gce。

將mioppy/gce浸入到25ml包含0.5mml/d-色氨酸的0.1mpbs(ph＝4.0)溶液中，在恒電位的條件下，施加-0.2v的電壓富集200s，然后在0.4～1.0v(vs.sce)的電位窗口范圍內(nèi)，電位增量為4mv，振幅為50mv進(jìn)行dpv測(cè)試，記錄相應(yīng)的氧化峰電位和電流，比較氧化峰電位和電流的差別。由圖2可知，mioppy/gce對(duì)于l/d-色氨酸的識(shí)別電流比為1.7，從而mioppy/gce對(duì)于色氨酸對(duì)映體具有有效的識(shí)別效率。

對(duì)比例一：

制備mippy/pabsa/gce、mioppy/gce、pabsa/gce，比較其對(duì)色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效率(即為識(shí)別電流比)，結(jié)果如圖1、2、3所示。pabsa/gce對(duì)trp對(duì)映體具有極其微弱的識(shí)別電流比，主要是因?yàn)閜absa對(duì)于trp對(duì)映體的結(jié)合不存在選擇性。將mioppy修飾在gce上，dpv顯示出l-型和d-型氨基酸的峰電流比為1.7；當(dāng)mioppy/pabsa修飾在gce上時(shí)，dpv顯示出l-型和d-型氨基酸的峰電流比為2.7。這主要?dú)w因于：合成分子印跡材料的過(guò)程中，由于和l-trp模板分子之間存在靜電作用和π-π共軛作用，pabsa可增加與l-trp三維空間匹配的空腔數(shù)量，而印跡空腔對(duì)于trp對(duì)映體是具有空間選擇性的。因此引入pabsa制備得到的mioppy/pabsa/gce對(duì)于trp對(duì)映體具有更好的識(shí)別效果。

本發(fā)明制備得到的mioppy/pabsa/gce，制備過(guò)程簡(jiǎn)單，廉價(jià)。pabsa的引入可增加分子印跡材料對(duì)于色氨酸的識(shí)別效果。