本發(fā)明涉及磁體檢測輔助工裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體地是一種吸合磁片的分離裝置。

背景技術(shù)：

磁片加工完成后往往需要進(jìn)行抽樣檢測磁性能，而片狀產(chǎn)品在充磁后需要進(jìn)行多項磁性能的檢測，因此充磁后的待檢測磁片需要進(jìn)行暫存，而將各磁片單獨存放會大大增加存儲空間，因此為了減少磁片的暫存空間，往往將同批次的多個磁片吸合后存放。這就導(dǎo)致操作人員在檢測時需要將雙手將多片吸合的磁片逐一剝離。而磁片在充磁后的磁吸力大，并且片狀產(chǎn)品的受力面積小，這不就大大增加了操作人員的勞動強度和操作難度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種吸合磁片的分離裝置，其可以快速的將吸合的磁片進(jìn)行分離，并且操作簡單，由此減小了操作人員的勞動強度。

本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：提供一種吸合磁片的分離裝置，它包括機(jī)架，設(shè)于機(jī)架上的轉(zhuǎn)盤，以及安裝于機(jī)架上用于帶動轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動的驅(qū)動電機(jī)，其特征在于：轉(zhuǎn)盤的上方設(shè)有一檔條，所述的轉(zhuǎn)盤上位于自身軸線所在位置設(shè)有一中心軸，中心軸的下端與轉(zhuǎn)盤固定，所述檔條的一端與中心軸轉(zhuǎn)動配合，檔條的另一端沿中心軸的徑向朝外延伸，所述轉(zhuǎn)盤的上端面上設(shè)有至少一個凹槽，當(dāng)至少兩個吸合的磁片置于凹槽內(nèi)時底層磁片沿水平方向限位于凹槽內(nèi)，位于底層磁片上方的倒數(shù)第二層磁片外露于凹槽上方，當(dāng)檔條與轉(zhuǎn)盤沿水平方向相對轉(zhuǎn)動時所述檔條與倒數(shù)第二層磁片的側(cè)壁相抵靠，且推動倒數(shù)第二層磁片相對于底層磁片沿水平方向運動。

所述倒數(shù)第二層磁片外露于凹槽上方是指，倒數(shù)第二層磁片的上端面位于轉(zhuǎn)盤上端面的上方，倒數(shù)第二層磁片的下端面位于凹槽內(nèi)，所述凹槽背離檔條的內(nèi)側(cè)壁上內(nèi)切形成一導(dǎo)向斜面，所述導(dǎo)向斜面的上端與轉(zhuǎn)盤的上端面連接，導(dǎo)向斜面的下端與凹槽的內(nèi)側(cè)壁連接，倒數(shù)第二磁片的下端面位于導(dǎo)向斜面的下端與凹槽內(nèi)側(cè)壁連接處所在的水平面的上方。

所述的凹槽為三個，三個凹槽沿轉(zhuǎn)盤的周向均勻分布。

所述的凹槽內(nèi)設(shè)有一墊片，底層磁片擱置于墊片上。

所述凹槽的槽底上設(shè)有一定位孔，墊片的下端面上設(shè)有與定位孔相配合的凸柱，當(dāng)墊片置于凹槽內(nèi)時凸柱的外側(cè)壁與定位孔的內(nèi)側(cè)壁緊配合。

所述的墊片與凸柱為一體式成型的橡膠件。

采用以上結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明的一種吸合磁片的分離裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點：操作人員只需要將吸合的磁片置于轉(zhuǎn)盤的凹槽內(nèi)，抓握檔條，并通過檔條與轉(zhuǎn)盤的相對運動即可使相鄰兩吸合的磁片分離，操作簡單，操作人員的勞動強度小。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一種吸合磁片的分離裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的一種吸合磁片的分離裝置的側(cè)視示意圖。

圖3是本發(fā)明凹槽部分的剖視示意圖。

其中，1、機(jī)架，2、轉(zhuǎn)盤，3、驅(qū)動電機(jī)，4、檔條，5、中心軸，6、凹槽，7、磁片，8、導(dǎo)向斜面，9、墊片，10、定位孔，11、凸柱。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

本發(fā)明提供一種吸合磁片的分離裝置，它包括機(jī)架1，設(shè)于機(jī)架1上的轉(zhuǎn)盤2，以及安裝于機(jī)架1上用于帶動轉(zhuǎn)盤2轉(zhuǎn)動的驅(qū)動電機(jī)3，其特征在于：轉(zhuǎn)盤2的上方設(shè)有一檔條4，所述的轉(zhuǎn)盤2上位于自身軸線所在位置設(shè)有一中心軸5，中心軸5的下端與轉(zhuǎn)盤2固定，所述檔條4的一端與中心軸5轉(zhuǎn)動配合，檔條4的另一端沿中心軸5的徑向朝外延伸，所述轉(zhuǎn)盤2的上端面上設(shè)有至少一個凹槽6，當(dāng)至少兩個吸合的磁片7置于凹槽6內(nèi)時底層磁片沿水平方向限位于凹槽6內(nèi)，位于底層磁片上方的倒數(shù)第二層磁片外露于凹槽6上方，當(dāng)檔條4與轉(zhuǎn)盤2沿水平方向相對轉(zhuǎn)動時所述檔條4與倒數(shù)第二層磁片的側(cè)壁相抵靠，且推動倒數(shù)第二層磁片相對于底層磁片沿水平方向運動。

所述倒數(shù)第二層磁片外露于凹槽6上方是指，倒數(shù)第二層磁片的上端面位于轉(zhuǎn)盤2上端面的上方，倒數(shù)第二層磁片的下端面位于凹槽6內(nèi)，所述凹槽6背離檔條4的內(nèi)側(cè)壁上內(nèi)切形成一導(dǎo)向斜面8，所述導(dǎo)向斜面8的上端與轉(zhuǎn)盤2的上端面連接，導(dǎo)向斜面8的下端與凹槽6的內(nèi)側(cè)壁連接，倒數(shù)第二磁片的下端面位于導(dǎo)向斜面8的下端與凹槽6內(nèi)側(cè)壁連接處所在的水平面的上方。

所述的凹槽6為三個，三個凹槽6沿轉(zhuǎn)盤2的周向均勻分布。

所述的凹槽6內(nèi)設(shè)有一墊片9，底層磁片擱置于墊片9上。

所述凹槽6的槽底上設(shè)有一定位孔10，墊片9的下端面上設(shè)有與定位孔10相配合的凸柱11，當(dāng)墊片9置于凹槽6內(nèi)時凸柱11的外側(cè)壁與定位孔10的內(nèi)側(cè)壁緊配合。

所述的墊片9與凸柱11的為一體式成型的橡膠件。

以上就本發(fā)明較佳的實施例作了說明，但不能理解為是對權(quán)利要求的限制。本發(fā)明不僅局限于以上實施例，其具體結(jié)構(gòu)允許有變化，凡在本發(fā)明獨立要求的保護(hù)范圍內(nèi)所作的各種變化均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。