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一種硅晶片測試探針臺的制作方法

文檔序號:12114540閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:包括控制器和分別與控制器通訊連接的真空吸盤、探針卡和顯示裝置,真空吸盤受控制器觸發(fā)以吸緊待測硅晶片,控制器把探針卡的測試數(shù)據(jù)傳輸至顯示裝置;還包括設(shè)置于真空吸盤和待測硅晶片之間的圓形導(dǎo)電承載板,導(dǎo)電承載板頂面設(shè)有放置待測硅晶片的放置區(qū),放置區(qū)上開有貫穿到導(dǎo)電承載板底面的空氣通道,放置區(qū)覆蓋有與待測硅晶片貼接的導(dǎo)電膠層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述導(dǎo)電承載板底面設(shè)有電控開關(guān),電控開關(guān)的一端電連接導(dǎo)電承載板,另一端接地,控制器控制電控開關(guān)的導(dǎo)通或斷開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述電控開關(guān)為繼電器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述電控開關(guān)為場效應(yīng)管,場效應(yīng)管柵極經(jīng)電阻R2連接至控制器控制端,場效應(yīng)管漏極電連接所述導(dǎo)電承載板,場效應(yīng)管源極接地,場效應(yīng)管源極與柵極之間設(shè)有電阻R3,同時控制器控制端設(shè)有上拉電阻R1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述導(dǎo)電承載板底面還設(shè)有硬度加強(qiáng)架,硬度加強(qiáng)架與導(dǎo)電承載板膠接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述導(dǎo)電承載板為銅板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述空氣通道包括多個通槽,各個通槽均勻分布于所述放置區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述導(dǎo)電膠層設(shè)置有定位孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:所述導(dǎo)電承載板頂面非放置區(qū)設(shè)有絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅晶片測試探針臺,其特征在于:還包括可拆卸的下墨裝置,控制器根據(jù)探針卡的測試數(shù)據(jù)控制下墨裝置下墨。

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