本發(fā)明創(chuàng)造涉及硅晶片測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅晶片測試探針臺。

背景技術(shù)：

硅晶片是由硅錠加工而成，通過專門的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計(jì)的晶體管，被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，對晶圓進(jìn)行電氣測試的機(jī)器就是探針臺?，F(xiàn)有的探針臺只能對圓形的硅晶片（晶圓）進(jìn)行測試，無法測試一些特殊形狀的硅晶片，泛用性不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明創(chuàng)造的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種硅晶片測試探針臺，使探針臺不僅能測試圓形的硅晶片，還能對特殊形狀的硅晶片進(jìn)行測試。

本發(fā)明創(chuàng)造的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種硅晶片測試探針臺，包括控制器和分別與控制器通訊連接的真空吸盤、探針卡和顯示裝置，真空吸盤受控制器觸發(fā)以吸緊待測硅晶片，控制器把探針卡的測試數(shù)據(jù)傳輸至顯示裝置，還包括設(shè)置于真空吸盤和待測硅晶片之間的圓形導(dǎo)電承載板，導(dǎo)電承載板頂面設(shè)有放置待測硅晶片的放置區(qū)，放置區(qū)上開有貫穿到導(dǎo)電承載板底面的空氣通道，放置區(qū)覆蓋有與待測硅晶片貼接的導(dǎo)電膠層。

其中，所述導(dǎo)電承載板底面設(shè)有電控開關(guān)，電控開關(guān)的一端電連接導(dǎo)電承載板，另一端接地，控制器控制電控開關(guān)的導(dǎo)通或斷開。

其中，所述電控開關(guān)為繼電器。

其中，所述電控開關(guān)為場效應(yīng)管，場效應(yīng)管柵極經(jīng)電阻R2連接至控制器控制端，場效應(yīng)管漏極電連接所述導(dǎo)電承載板，場效應(yīng)管源極接地，場效應(yīng)管源極與柵極之間設(shè)有電阻R3，同時控制器控制端設(shè)有上拉電阻R1。

其中，所述導(dǎo)電承載板底面還設(shè)有硬度加強(qiáng)架，硬度加強(qiáng)架與導(dǎo)電承載板膠接。

其中，所述導(dǎo)電承載板為銅板。

其中，所述空氣通道包括多個通槽，各個通槽均勻分布于所述放置區(qū)。

其中，所述導(dǎo)電膠層設(shè)置有定位孔。

其中，所述導(dǎo)電承載板頂面非放置區(qū)設(shè)有絕緣層。

其中，還包括可拆卸的下墨裝置，控制器根據(jù)探針卡的測試數(shù)據(jù)控制下墨裝置下墨。

外加所述導(dǎo)電承載板不僅不會妨礙原有真空吸盤工作（真空吸盤通過空氣通道照常將待測硅晶片機(jī)吸緊，通過設(shè)置導(dǎo)電膠層使真空吸盤照常與待測硅晶片電連接），還可以使不同形狀的待測硅晶片通過導(dǎo)電承載板放置在傳統(tǒng)真空吸盤的圓形吸口上，再由控制器控制探針卡進(jìn)行測試。與現(xiàn)有的探針臺相比，本發(fā)明創(chuàng)造的探針臺不僅能測試傳統(tǒng)的圓形硅晶片，還能對特殊形狀的硅晶片進(jìn)行測試，具有泛用性，且因?yàn)闊o需對傳統(tǒng)探針臺進(jìn)行較大改動，僅需外加導(dǎo)電承載板就能實(shí)現(xiàn)上述目的，所以也就無需對探針臺進(jìn)行更換，節(jié)約成本，也方便應(yīng)用。

附圖說明

利用附圖對本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造的任何限制，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造的一種硅晶片測試探針臺的系統(tǒng)示意圖。

圖2為本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造的一種硅晶片測試探針臺的導(dǎo)電承載板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造的一種硅晶片測試探針臺的導(dǎo)電承載板的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明創(chuàng)造創(chuàng)造實(shí)施例2的場效應(yīng)管的電路圖。

附圖標(biāo)記：1——真空吸盤、 2——探針卡、 3——顯示裝置、41——導(dǎo)電承載板、 411——放置區(qū)、 42——通槽、 43——導(dǎo)電膠層、 44——電控開關(guān)、 45——硬度加強(qiáng)架、 46——絕緣層、 47——定位孔。

具體實(shí)施方式

結(jié)合以下實(shí)施例對本發(fā)明創(chuàng)造作進(jìn)一步描述。

實(shí)施例1

如圖1所示的一種硅晶片測試探針臺，包括控制器、真空吸盤1、探針卡2、顯示裝置3和由銅制成的導(dǎo)電承載板41，其中控制器與真空吸盤1、探針卡2和顯示裝置3分別與控制器通訊連接，圓形的導(dǎo)電承載板41被設(shè)置于真空吸盤1和待測硅晶片之間，參考圖2，導(dǎo)電承載板41包括放置待測硅晶片的放置區(qū)411，該放置區(qū)411上開有貫穿到導(dǎo)電承載板41底面的空氣通道，參考圖3，放置區(qū)411頂面覆蓋有與待測硅晶片貼接的導(dǎo)電膠層43。導(dǎo)電承載板41底面設(shè)有作為電控開關(guān)44的繼電器，其中繼電器的一端電連接導(dǎo)電承載板41，另一端接地，繼電器的受控端與控制器電連接。需要說明的是，放置區(qū)411不局限于附圖中表示的形狀，也可以是其他應(yīng)實(shí)際需要產(chǎn)生的形狀。

探針臺工作時，真空吸盤1上放置有導(dǎo)電承載板41，將待測硅晶片放置到放置區(qū)411的導(dǎo)電膠層43上后控制器啟動真空吸盤1，真空吸盤1通過空氣通道將待測硅晶片與導(dǎo)電膠層43之間的空氣抽出，使待測硅晶片緊緊貼合在導(dǎo)電膠層43上，在固定測硅晶片的同時實(shí)現(xiàn)測硅晶片上的每個點(diǎn)都能與導(dǎo)電承載板41良好的電接觸（測硅晶片和導(dǎo)電承載板41表面受制造工藝影響不可能到達(dá)理論上的平齊，而是微觀上凹凸不平，單純導(dǎo)電承載板41和待測硅晶片貼合有些點(diǎn)無法良好地電接觸）。利用探針臺的手動模式對控制器重新劃分測試區(qū)域后，再由控制器控制探針卡2進(jìn)行測試，并將探針卡2的測試數(shù)據(jù)傳輸至顯示裝置3進(jìn)行顯示。需要說明的是，與傳統(tǒng)的測試相比，本探針臺的探針卡2的探針在接觸待測硅晶片的過程中，控制器會控制繼電器先導(dǎo)通再斷開。由于待測硅晶片需要進(jìn)行一次接地測試和一次懸空測試，傳統(tǒng)的做法是待測硅晶片接上地后測一次，測試完后待測硅晶片懸空再測一次，如此效率不高，而本探針臺的探針在接觸待測硅晶片的過程中，控制器會控制繼電器先導(dǎo)通（接地）再斷開（懸空），將接地測試和懸空測試在一次測試過程中都完成了，將以往的兩道工藝變成現(xiàn)在的一道工藝，效率更高。

參考圖3，進(jìn)一步地，導(dǎo)電承載板41底面還設(shè)置有硬度加強(qiáng)架45，硬度加強(qiáng)架45與導(dǎo)電承載板41膠接，以加強(qiáng)導(dǎo)電承載板41的硬度，在真空吸的過程中更不易變形。

參考圖2，進(jìn)一步地，空氣通道包括多個通槽42，各個通槽42均勻分布于所述放置區(qū)411，從而保證真空吸盤1對整個待測硅晶片的吸力均勻。

進(jìn)一步地，導(dǎo)電膠層43設(shè)置有定位孔47，具體地，在導(dǎo)電膠層43的中心位置設(shè)置有下凹圓點(diǎn)，待測硅晶片貼合至導(dǎo)電膠層43時，其中心位置對準(zhǔn)下凹圓點(diǎn)，保證測硅晶片貼在導(dǎo)電膠層43的正中位置，以避免探針卡2下針時出現(xiàn)下針偏離的情況。

參考圖3，進(jìn)一步地，導(dǎo)電承載板41頂面非放置區(qū)411設(shè)有絕緣層46，避免探針卡2下針時電接觸到導(dǎo)電承載板41。

本探針臺還包括可拆卸的下墨裝置，下墨裝置與控制器通訊連接，控制器根據(jù)探針卡2的測試數(shù)據(jù)控制下墨裝置下墨。具體的，下墨裝置為INK機(jī)，INK機(jī)與探針臺螺栓連接，從而使得INK機(jī)可拆卸，由于INK機(jī)在探針卡2測試完成后才能進(jìn)行工作，兩者不存在同時使用的需求，將INK機(jī)設(shè)成可拆卸結(jié)構(gòu)，在探針卡2測試完成后在進(jìn)行安裝以工作，可以大大減少探針臺的體積，且INK機(jī)非探針臺必需，可拆卸結(jié)構(gòu)使探針臺可以靈活銷售。

外加所述導(dǎo)電承載板41不僅不會妨礙原有真空吸盤1工作（真空吸盤1通過空氣通道照常將待測硅晶片機(jī)吸緊，通過設(shè)置導(dǎo)電膠層43使真空吸盤41照常與待測硅晶片電連接），還可以使不同形狀的待測硅晶片通過導(dǎo)電承載板41放置在傳統(tǒng)真空吸盤1的圓形吸口上，再由控制器控制探針卡2進(jìn)行測試。與現(xiàn)有的探針臺相比，本發(fā)明創(chuàng)造的探針臺不僅能測試傳統(tǒng)的圓形硅晶片，還能對特殊形狀的硅晶片進(jìn)行測試，具有泛用性，且因?yàn)闊o需對傳統(tǒng)探針臺進(jìn)行較大改動，僅需外加導(dǎo)電承載板41就能實(shí)現(xiàn)上述目的，所以也就無需對探針臺進(jìn)行更換，節(jié)約成本，也方便應(yīng)用。

實(shí)施例2

在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，將電控開關(guān)44由繼電4器改為場效應(yīng)管，具體地，參考圖4，場效應(yīng)管柵極經(jīng)電阻R2連接至控制器控制端，場效應(yīng)管漏極電連接所述導(dǎo)電承載板41，場效應(yīng)管源極接地，場效應(yīng)管源極與柵極之間設(shè)有電阻R3，同時控制器控制端設(shè)有上拉電阻R1。探針卡2的探針在接觸待測硅晶片的過程中，控制器控制場效應(yīng)管先導(dǎo)通再斷開。

最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明創(chuàng)造保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明創(chuàng)造作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明創(chuàng)造技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。