本發(fā)明屬于芯片CP(wafer probe)測試領域，特別是一種用于RFID標簽芯片集中CP測試的方法。

背景技術：

在射頻識別領域，RFID芯片面積逐步縮小至0.2平方毫米，一枚圓片可以容納芯片數(shù)量達到12萬顆。一枚圓片芯片的數(shù)量增加，單顆芯片的成本降低，但是CP測試時間隨著芯片數(shù)量的增加而線性增加，測試成本占整個芯片成本的比重卻不斷提高，幾乎占到了整個芯片成本的50％。本專利主要解決超高頻(UHF)RFID標簽芯片CP測試時效率低、成本高的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本專利采用集中CP測試方法，通過采用可測試性設計顯著降低CP測試成本。該方法以多顆芯片為一組，最中間的是中央測試芯片，其它為被測芯片。以多顆芯片為一組，其中一顆是中央測試芯片，其它為被測芯片。中央測試芯片與被測芯片通過在劃片槽走金屬線連接起來。

CP測試時，①測試儀器通過探針連接到中央測試芯片的I/O上；②中央測試芯片的輸出信號經過劃片槽內的金屬走線，連接到標簽芯片的接口模塊；③通過接口模塊將電源或者輸入激勵加到被測標簽芯片。每顆被測芯片有一個單獨接口模塊，該模塊實現(xiàn)與劃片槽總線的電源、數(shù)據(jù)、時鐘、復位信號的交換。

測試時，通過中央測試芯片實現(xiàn)劃片槽總線控制，實現(xiàn)數(shù)據(jù)并行下發(fā)，因此實現(xiàn)標簽芯片存儲器的并行寫入，以達到快速高效的測試目的；也通過總線控制，實現(xiàn)中央測試芯片與單顆被測芯片的單對單通信，實現(xiàn)芯片初始化工廠碼寫入的問題，以及相關測試向量的交互通信。

圓片減劃后，劃片槽金屬線被劃斷，被測芯片與中央測試芯片分離。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的測試方法的流程圖。

圖2為集中CP測試芯片結構圖。

圖3為集中CP劃片后的芯片示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供一種適用于UHF RFID芯片的集中CP測試方法，多個被測標簽芯片為一組，如圖2所示，假設共放入49顆芯片，其中48顆為標簽芯片，1顆為中央測試芯片(CHIP_TEST)。48顆標簽芯片為同一標簽，接口模塊(TEST_CIR)一致。中央測試芯片與被測芯片通過在劃片槽的金屬線連接起來。

具體的，步驟101：測試儀器通過探針連接到中央測試芯片的I/O接口；向中央測試芯片下發(fā)測試命令；所述測試命令用于進行讀寫操作

步驟102：中央測試芯片向被測標簽芯片下發(fā)測試命令；

中央測試芯片的測試命令經過劃片槽內的金屬走線，連接到標簽芯片的接口模塊；通過接口模塊將電源或者測試命令發(fā)送給被測標簽芯片。被測標簽芯片通過自身的接口模塊，接收中央測試芯片輸出的信號，所述接收中央測試芯片輸出的信號是通過中央測試芯片與被測標簽芯片之間的劃片槽總線實現(xiàn)的；所述測試命令包括電源、數(shù)據(jù)、時鐘、復位信號等。

所述將測試命令發(fā)送給被測標簽芯片包括：中央測試芯片可選擇并行向所有被測標簽芯片發(fā)送測試命令，也可選擇向一個被測標簽芯片發(fā)送測試命令。被測標簽芯片執(zhí)行測試命令的過程是現(xiàn)有技術可以實現(xiàn)的，這里不再贅述。另外，中央測試芯片可關閉與被測標簽芯片之間的通信，進行自測試，所述自測試為現(xiàn)有技術可以實現(xiàn)的過程，這里不再一一贅述。

步驟103：測試結束，被測標簽芯片與中央測試芯片分離。

測試結束，劃斷劃片槽內的金屬走線，被測芯片與中央測試芯片分離。

測試時，1)通過中央測試芯片實現(xiàn)劃片槽總線控制，實現(xiàn)數(shù)據(jù)并行下發(fā)，因此實現(xiàn)標簽芯片存儲器的并行寫入，以達到快速高效的測試目的；2)也通過總線控制，實現(xiàn)中央測試芯片與單顆被測芯片的單對單通信，實現(xiàn)芯片初始化工廠碼寫入的問題，以及相關測試向量的交互通信。每顆被測芯片有一個單獨接口模塊(CHIP_CIR)，(CHIP_TEST)需要完成以下功能：

①實現(xiàn)單對單通信：即由中央測試芯片(CHIP_TEST)選中某一顆被測芯片之后，兩者之間的輸入輸出通信功能正常；而未被選中的標簽芯片則不接收CHIP_TEST的輸入信號，其輸出信號也與總線斷開。

②實現(xiàn)廣發(fā)式通信：即由中央測試芯片(CHIP_TEST)選中所有被測芯片，實現(xiàn)所有被測 芯片同時接收CHIP_TEST的輸入信號；因為被測芯片的輸出信號與總線之間是線與的關系，故為避免邏輯出錯，此時所有被測芯片的輸出信號都與總線斷開。

③關閉通信功能：即CHIP_TEST與任意被測芯片之間均不存在輸入輸出通信功能，主要用于集中測試模塊(CHIP_TEST)的自測試。

圓片減劃后，劃片槽金屬線被劃斷，被測芯片與中央測試芯片分離。在減薄劃片后，標簽與CHIP_TEST之間的金屬連線被斷開，為保證標簽芯片的正常工作，TEST_CIR模塊與被測芯片內部間的連接信號不應該有不確定態(tài)。

表1 對圖2中相關功能模塊說明

應當理解的是，本實施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對本發(fā)明的限制。有關技術領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變化，因此所有等同的技術方案也應該屬于本發(fā)明的保護范疇。