具有基于整合的待發(fā)閾值的可變磁阻傳感器接口的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有基于整合的待發(fā)閾值的可變磁阻傳感器接口。一種處理由可變磁阻傳感器提供的可變磁阻傳感器信號(hào)的接口包括積分器、待發(fā)比較器、以及檢測(cè)電路。積分器包括接收可變磁阻傳感器信號(hào)的輸入并且包括提供表示可變磁阻傳感器的總通量變化的積分信號(hào)的輸出。待發(fā)比較器將積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較以及提供其中的表示的待發(fā)信號(hào)。檢測(cè)電路在待發(fā)信號(hào)被提供之后提供重置信號(hào)以重置積分器。此外，還描述了一種處理可變磁阻傳感器信號(hào)的方法。
【專利說(shuō)明】具有基于整合的待發(fā)閾值的可變磁阻傳感器接口
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明通常涉及可變磁阻傳感器，更具體地說(shuō)涉及帶有基于整合的待發(fā)閾值的可變磁阻傳感器接口。
【背景技術(shù)】
[0002]可變磁阻(VR)傳感器被用于測(cè)量移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)的鐵磁物體的角位置和速度。一種這樣的應(yīng)用是汽車(chē)的曲軸。例如，鐵的(基于鐵的)齒輪被安裝到曲軸，并且在曲軸旋轉(zhuǎn)期間，VR傳感器被用于感應(yīng)每一個(gè)經(jīng)過(guò)的輪齒。曲軸位置和上死點(diǎn)(TDC)被用于給包括點(diǎn)火和噴油定時(shí)等等的發(fā)動(dòng)機(jī)電子控制設(shè)置發(fā)動(dòng)機(jī)定時(shí)。TDC的設(shè)立通常與輪子的斷齒相關(guān)。VR傳感器通常包括線圈以及放置在靠近齒輪的偏置磁體，其中每一個(gè)經(jīng)過(guò)VR傳感器的輪齒改變了在線圈中轉(zhuǎn)化為由線圈引起的感應(yīng)電壓的磁通量。VR傳感器(VRS)接口感應(yīng)并且調(diào)整電信號(hào)以導(dǎo)出定時(shí)參數(shù)。以這種方式，曲軸的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)被轉(zhuǎn)化為被用于確定曲軸的位置和速度的電信號(hào)。源自VR傳感器的電壓零交叉表示轉(zhuǎn)輪的已知位置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0003]本發(fā)明通過(guò)舉例的方式說(shuō)明并沒(méi)有被附圖所限制，在附圖中相同的參考符號(hào)表示相同的元素。附圖中的元素說(shuō)明是為了簡(jiǎn)便以及清晰，不一定按比例繪制。
[0004]圖1是根據(jù)接口連接VR傳感器的一個(gè)實(shí)施例實(shí)施的帶有基于整合的待發(fā)閾值的VRS接口的簡(jiǎn)化原理圖和方框圖；
[0005]圖2是三個(gè)示例VRS信號(hào)相對(duì)于時(shí)間的時(shí)間曲線圖，示出了持續(xù)時(shí)間和不同旋轉(zhuǎn)速度的相應(yīng)VRS脈沖信號(hào)峰值之間的關(guān)系；
[0006]圖3是根據(jù)接口連接VR傳感器的更具體的實(shí)施例實(shí)施的帶有基于整合的待發(fā)閾值的VRS接口的簡(jiǎn)化原理圖和方框圖；以及
[0007]圖4是示出了圖3的VRS接口操作的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面的描述被提出以使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在特定的應(yīng)用范圍和要求內(nèi)制作并且使用本發(fā)明。然而，對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的各種修改對(duì)本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將很明顯，并且本發(fā)明限定的一般原理可以被應(yīng)用于其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明不旨在被限制為本發(fā)明所顯示的和所描述的特定的實(shí)施例，但是將被授予與本發(fā)明公開(kāi)的原理和新穎特征相一致的最寬范圍。
[0009]因機(jī)電系統(tǒng)的不同物理性質(zhì)，例如同步和異步噪音、輸入信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍、以及由老化和機(jī)械公差引起的信號(hào)變化，例如輪齒變化、VR傳感器和輪齒布局之間的相對(duì)布局等等，使用源自VR傳感器的電信號(hào)精確地確定位置變得更加困難。VR傳感器的輸出信號(hào)可能包括不同類(lèi)型的噪音，例如白色噪音、隨機(jī)或異步噪音、相關(guān)或同步噪音、突發(fā)噪音、騎于輸入頂部的紋波噪音等等。VRS信號(hào)因此與信噪比(SNR)參數(shù)相關(guān)聯(lián)。為了最小化零交叉事件的錯(cuò)誤判定可能性，當(dāng)傳感器已知接近零交叉位置時(shí)，期望只允許啟用零交叉檢測(cè)器。允許啟用零交叉檢測(cè)器被稱為“待發(fā)”檢測(cè)器。正如本發(fā)明所描述的，傳感器信號(hào)被積分并且與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較。已經(jīng)確定，最佳的待發(fā)閾值應(yīng)該隨著速度變化以確保用于適當(dāng)檢測(cè)的SNR的足夠的電平。積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值的比較有效地降低了錯(cuò)誤地檢測(cè)或者錯(cuò)過(guò)零交叉的可能性。
[0010]圖1是根據(jù)接口連接VR傳感器102的一個(gè)實(shí)施例被實(shí)施的帶有基于整合的待發(fā)閾值的VRS接口 100的簡(jiǎn)化方框圖。在所示出的配置中，VR傳感器102包括線圈以及相對(duì)于安裝在曲軸(未顯示)或其它旋轉(zhuǎn)部件的觸發(fā)器輪子正交放置的偏置磁體。觸發(fā)器輪子可以由很多不同方式中的任何一種方式制作。在這個(gè)所示出的配置中，觸發(fā)器輪子被配置為齒輪104 ;在齒輪104中，VR傳感器102感應(yīng)每一個(gè)經(jīng)過(guò)的輪齒。隨著齒輪104的旋轉(zhuǎn)，每一個(gè)經(jīng)過(guò)的輪齒改變了穿過(guò)線圈的偏置磁體的磁通量，并且線圈將變化的磁通量轉(zhuǎn)化為電信號(hào)VRS。
[0011]本發(fā)明這里所示出的電信號(hào)VRS的形式與正弦波形近似，其中帶有中間“零”交叉點(diǎn)，正脈沖后邊跟著負(fù)脈沖。VRS信號(hào)的實(shí)際形狀和形式取決于不同系統(tǒng)參數(shù)，例如輪齒的形狀和配置、VR傳感器102的位置和方向等等，并且不限制于正弦形式。線圈，并且因此VRS信號(hào)參考參考電壓電平REF。REF可以是任何合適的正、負(fù)或地面(例如，O伏)電壓電平。當(dāng)VRS信號(hào)通過(guò)正負(fù)脈沖之間的REF時(shí)，零交叉點(diǎn)出現(xiàn)。
[0012]VRS信號(hào)被提供給積分器電路106的輸入以及零檢測(cè)電路108的輸入。積分器電路106接收重置信號(hào)RET并且給比較器電路110的輸入提供積分信號(hào)INT。比較器電路110將INT與閾值TH進(jìn)行比較并且給檢測(cè)電路112的一個(gè)輸入提供待發(fā)信號(hào)ARM。零檢測(cè)電路108將VRS與REF進(jìn)行比較并且給檢測(cè)電路112的另一個(gè)輸入提供零檢測(cè)信號(hào)ZD。檢測(cè)電路輸出交叉檢測(cè)信號(hào)⑶和重置信號(hào)RST。
[0013]在操作中，積分器電路106積分VRS信號(hào)并且提供積分信號(hào)INT。當(dāng)INT跨過(guò)預(yù)定的閾值TH時(shí)，比較器電路110斷言(assert)或者提供ARM。TH可以根據(jù)特定實(shí)施通過(guò)實(shí)驗(yàn)被確定并且在正如INT信號(hào)所示的零交叉點(diǎn)之前被選定為與VRS信號(hào)的充足的“區(qū)域”一致的電平。ARM被提供以向檢測(cè)電路112指示待發(fā)條件。當(dāng)VRS達(dá)到或降到低于表示零交叉點(diǎn)的REF時(shí)，零檢測(cè)電路108斷言或者提供ZD。在ARM被提供指示待發(fā)條件之后，檢測(cè)電路112提供⑶以指示零交叉點(diǎn)。檢測(cè)電路112提供RST信號(hào)以重置積器分電路106并且因此在ARM信號(hào)已經(jīng)被提供之后直到剛好發(fā)起取決于配置的下一脈沖之前任何時(shí)間清除INT。在一個(gè)實(shí)施例中，RST被提供以響應(yīng)表示零交叉點(diǎn)的CD。
[0014]總之，對(duì)于由輪子104的輪齒發(fā)起的每一個(gè)定時(shí)事件，當(dāng)ZD在ARM在每一周期期間已經(jīng)被提供之后被提供時(shí)，ARM基于正脈沖的發(fā)起被提供并且檢測(cè)電路112確定零交叉點(diǎn)并且提供⑶。ZD，并且因此⑶指示了輪齒何時(shí)大體上相對(duì)于VR傳感器102對(duì)齊或居中。在待發(fā)條件被ARM信號(hào)指示之后，積分器電路106被重置并且INT被清除，并且及時(shí)確保檢測(cè)接下來(lái)的周期內(nèi)的下一 VRS脈沖。ARM信號(hào)可以在被提供之后以及在下一 VRS脈沖之前的任何時(shí)間被清除。
[0015]圖2是三個(gè)示例VRS信號(hào)曲線201、203以及205相對(duì)時(shí)間的時(shí)序圖，示出了對(duì)不同旋轉(zhuǎn)速度的持續(xù)時(shí)間和相應(yīng)VRS脈沖信號(hào)的峰值之間的關(guān)系。每一個(gè)VRS信號(hào)曲線被示出為開(kāi)始于公共初始時(shí)間to的以一個(gè)不同旋轉(zhuǎn)速度中相應(yīng)一個(gè)處的近似正弦脈沖的形式并且相對(duì)于REF而被參照。而且，為了說(shuō)明的目的，每個(gè)脈沖被顯示為最初反向行進(jìn)到負(fù)的，然后是正的。
[0016]由VR傳感器102生成的脈沖被生成以響應(yīng)由每一個(gè)經(jīng)過(guò)的輪齒引起的磁通量的改變。每一個(gè)脈沖的峰值振幅或大小隨著輪齒經(jīng)過(guò)VR傳感器102的速率(rate)而變化，其中該速率可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)齒輪105每分鐘的轉(zhuǎn)數(shù)(RPM)而被測(cè)量。因?yàn)橛蒝R傳感器102生成的電動(dòng)勢(shì)(emf )取決于磁通量隨時(shí)間的變化,或d (flux) /dt,所以脈沖信號(hào)的峰值大小取決于速度。每一個(gè)VRS脈沖的持續(xù)時(shí)間或周期也隨速度改變，其中在更高的速度下脈沖的周期更短。因此，VRS的脈沖有更早出現(xiàn)的的更大的峰值，在更高的速度下有更大的頻率，并且脈沖有更遲出現(xiàn)的更小的峰值，在更低的速度下有更小的頻率。
[0017]正如所顯示的，第一 VRS信號(hào)曲線201代表更高的速度，其中它達(dá)到相對(duì)高的峰值電平P1，然后在相對(duì)短的時(shí)間tl-to之后下降回REF。第二 VRS信號(hào)曲線203代表中間速度，其中它達(dá)到中間峰值電平P2，然后在中間時(shí)間t2-t0之后下降回REF。第三VRS信號(hào)曲線205代表更慢的速度，其中它達(dá)到相對(duì)低的峰值電平P3，然后在相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間t3-t0之后下降回REF?？傊?，峰值大小隨著遞減的速度而減小(PI >P2>P3 )，而脈沖的持續(xù)時(shí)間隨著遞減的速度而增大(tl-t0〈t2-t0〈t3-t0)。
[0018]VRS信號(hào)曲線201、203以及205的正脈沖相對(duì)于REF的“區(qū)域” Φ被描影，其中每一個(gè)區(qū)域有伏特.時(shí)間(V.s)的尺寸，其中“s”表示以秒為單位的時(shí)間。VRS信號(hào)曲線201,203以及205的正脈沖相對(duì)于REF的區(qū)域Φ近似地相等。VRS接口 100的積分器電路106積分了由VR傳感器102生成的emf脈沖，因此確定了通過(guò)其耦合的磁通量的變化。比較器電路Iio將積分信號(hào)INT與代表預(yù)定的通量變化的預(yù)定的閾值進(jìn)行比較。由TH代表的預(yù)定的通量變化可用作與旋轉(zhuǎn)速度相對(duì)獨(dú)立的電路的很好的待發(fā)閾值。
[0019]閾值曲線TH被顯示分別與每一條VRS信號(hào)曲線201、203以及205在相應(yīng)的交叉點(diǎn)處交叉，該交叉點(diǎn)代表了由每一個(gè)脈沖指示的預(yù)定的通量變化。正如所顯示的，TH與VRS信號(hào)曲線201、203以及205分別在點(diǎn)PT1、PT2、以及PT3處交叉。在脈沖的發(fā)起和TH的交叉點(diǎn)之間的每一個(gè)正脈沖的變黑的區(qū)域代表了相對(duì)于由整個(gè)正脈沖指示的總通量變化由TH指示的預(yù)定的通量變化。每一個(gè)脈沖的變黑的區(qū)域有近似地相同的面積，并且因此代表了由每一個(gè)脈沖代表的總通量改變的大約相同的預(yù)定的百分比。由于將TH與VRS脈沖積分后的版本INT進(jìn)行了比較，TH是固定的值并且提供了合適的獨(dú)立于旋轉(zhuǎn)速度的待發(fā)閾值。
[0020]圖3是根據(jù)接口連接VR傳感器102的更具體的實(shí)施例被實(shí)施的帶有基于整合的待發(fā)閾值的VRS接口 300的更詳細(xì)的原理圖和方框圖。提供VRS的節(jié)點(diǎn)301耦合于電阻器R的一個(gè)端部以及耦合于有接收REF的反相的或負(fù)(_)輸入的檢測(cè)比較器302的非反相的或正(+ )輸入。電阻器R的另一個(gè)端部耦合于有接收REF的正輸入的放大器304的負(fù)輸入。電容器c f禹合于放大器304的負(fù)輸入和輸出之間，其中放大器304被配置為反相積分器305。積分器305的輸出給比較器306的負(fù)輸入提供積分信號(hào)INT,比較器306在其正輸入接收TH。
[0021]比較器306的輸出被提供給濾波器308的輸入，該濾波器有給D型鎖存器或觸發(fā)器(DFF) 310的時(shí)鐘輸入提供ARM信號(hào)的輸出。濾波器308通常為ARM信號(hào)濾波或者調(diào)節(jié)ARM信號(hào)以移除噪音和/或可能破壞操作的信號(hào)尖峰。DFF 310的D-輸入接收源電壓VDD并且其Q輸出提供CD信號(hào)。檢測(cè)比較器302的輸出被提供給濾波器312的輸入，該濾波器有給DFF310的反相重置輸入提供ZD信號(hào)的輸出。濾波器312以與濾波器308相似的方式操作，并且通常為ZD信號(hào)濾波或者調(diào)節(jié)ZD信號(hào)以移除噪音和/或可能破壞操作的信號(hào)尖峰。
[0022]CD信號(hào)被用作提供給被顯示為N-型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)或金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管等的電子開(kāi)關(guān)Q的控制輸入或柵極的重置信號(hào)RST。正如所顯示的，Q的漏極率禹合于放大器304的輸出，并且其源極稱合于放大器304的反相輸入。當(dāng)CD是低時(shí)，Q被截止。當(dāng)⑶是高時(shí)，Q被導(dǎo)通以有效地短路電容器C，并且因此正如本發(fā)明進(jìn)一步描述的重置積分器305。
[0023]圖4是示出了 VRS接口 300的操作的時(shí)序圖，其中信號(hào)FLUX、VRS、INT、ARM、ZD、以及⑶隨時(shí)間被繪制。對(duì)于所示出的實(shí)施例，F(xiàn)LUX顯示了 VR傳感器102的磁通量的變化響應(yīng)于在旋轉(zhuǎn)期間經(jīng)過(guò)的輪齒。VRS信號(hào)被顯示為脈沖信號(hào)，該脈沖信號(hào)包括以近似地在指示FLUX的變化速率的參考電壓電平REF為中心的正脈沖緊接著負(fù)脈沖。為了說(shuō)明的目的，脈沖信號(hào)的形狀被顯示為近似正弦脈沖。然而，F(xiàn)LUX信號(hào)的實(shí)際形狀以及VRS上的正、負(fù)脈沖的相應(yīng)形狀隨不同配置發(fā)生變化并且不一定是正弦曲線。
[0024]VRS的每一個(gè)脈沖隨著輪齒邊緣接近VR傳感器102增加到高于REF，直到當(dāng)輪齒邊緣幾乎與VR傳感器102對(duì)齊時(shí)達(dá)到指示最大磁通量變化的峰值。VRS的每一個(gè)脈沖然后降低并且當(dāng)輪齒與VR傳感器102對(duì)齊時(shí)與REF在最大通量電平處交叉，然后隨著輪齒開(kāi)始從VR傳感器102后退而降低到低于REF而達(dá)到負(fù)峰值。當(dāng)輪齒已經(jīng)通過(guò)，脈沖最終返回到REF0在相續(xù)輪齒之間的任何死區(qū)期間之后，下一輪齒生成相似的相對(duì)于REF的正、負(fù)脈沖。
[0025]在初始時(shí)間t0，F(xiàn)LUX和VRS開(kāi)始增加，指示不斷接近的輪齒。INT從之前的周期被充電到高。ARM、ZD、以及⑶起初在t0之前是低，并且檢測(cè)比較器302大約在時(shí)間t0斷言ZD高。隨著VRS上升，反相積分器305積分VRS并且INT下降。大約在時(shí)間tl，INT達(dá)到或者降到低于TH并且比較器306斷言ARM高。當(dāng)ARM為高時(shí)，DFF 310被時(shí)鐘同步使得大約在時(shí)間tl其斷言⑶高。變高的⑶導(dǎo)通開(kāi)關(guān)Q短路電容器C，因此重置了積分器305，使得放大器304清除INT信號(hào)為低。VRS接口 300被置于待發(fā)狀態(tài)下。
[0026]VRS達(dá)到峰值并且下降，直到其在大約時(shí)間t2返回通過(guò)REF指示在FLUX的最高電平處的輪齒對(duì)齊。檢測(cè)比較器302在時(shí)間t2斷言ZD低，這重置了 DFF 310將⑶拉回到低。開(kāi)關(guān)Q被返回截止使得積分器305再次開(kāi)始積分VRS。因此，INT隨著其積分VRS的負(fù)脈沖升高，并且大約在時(shí)間t3，INT升回到高于TH。比較器306大約在時(shí)間t3清除ARM返回到低，并且隨著VRS負(fù)脈沖的結(jié)束，INT達(dá)到了最高電平并且返回到REF。操作對(duì)每一個(gè)循環(huán)以大體上相似的方式重復(fù)以響應(yīng)于經(jīng)過(guò)的輪齒。
[0027]VRS接口 300使用⑶信號(hào)來(lái)重置積分器305并且清除INT信號(hào)。當(dāng)⑶是高時(shí)，積分器305保持重置，并且當(dāng)⑶被拉為低時(shí)，恢復(fù)積分功能。在這種情況下，期望對(duì)下一個(gè)循環(huán)積分VRS的負(fù)脈沖以將INT拉回到高于TH的高電平，使得在時(shí)間t2處的零交叉點(diǎn)或之前積分器305從重置狀態(tài)釋放出來(lái)。此外，在這個(gè)配置中上升回高于TH的INT清除了 ARM。
[0028]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種處理由可變磁阻傳感器提供的可變磁阻傳感器信號(hào)的接口包括積分器、待發(fā)比較器、以及檢測(cè)電路。所述積分器包括接收所述可變磁阻傳感器信號(hào)的輸入以及包括提供表示所述可變磁阻傳感器的總通量變化的積分信號(hào)的輸出。所述待發(fā)比較器將所述積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較以及提供對(duì)其進(jìn)行表示的待發(fā)信號(hào)。所述檢測(cè)電路在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后提供重置信號(hào)以重置所述積分器。
[0029]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種處理由可變磁阻傳感器提供的可變磁阻傳感器信號(hào)的方法包括積分所述可變磁阻傳感器信號(hào)以及提供表示所述可變磁阻傳感器的總通量變化的相應(yīng)的積分信號(hào)，將所述積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較以及提供相應(yīng)的待發(fā)信號(hào)，以及在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后清除所述積分信號(hào)。
[0030]雖然本發(fā)明的描述參照具體實(shí)施例，正如隨附權(quán)利要求書(shū)所陳述的，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改以及變化。因此，說(shuō)明書(shū)以及附圖被認(rèn)為是說(shuō)明性而不是狹義性的，并且所有這些修改列入本發(fā)明范圍內(nèi)。關(guān)于具體實(shí)施例，本發(fā)明所描述的任何好處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案都不旨在被解釋為任何或所有保護(hù)范圍的首要的、必需的、或必不可少的特征或元素。除非另有說(shuō)明，使用術(shù)語(yǔ)如“第一”以及“第二”是用于任意區(qū)分這些術(shù)語(yǔ)描述的元素的。因此，這些術(shù)語(yǔ)不一定表示時(shí)間或這些元素的其它優(yōu)先次序。
【權(quán)利要求】
1.一種處理由可變磁阻傳感器提供的可變磁阻傳感器信號(hào)的接口，包括: 積分器，其包括接收所述可變磁阻傳感器信號(hào)的輸入端，并且包括提供表示所述可變磁阻傳感器的總通量變化的積分信號(hào)的輸出端； 待發(fā)比較器，該待發(fā)比較器將所述積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較，并且該待發(fā)比較器提供對(duì)其進(jìn)行表示的待發(fā)信號(hào)；以及 檢測(cè)電路，該檢測(cè)電路在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后提供重置信號(hào)以重置所述積分器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，其中所述積分器包括帶有反饋電容器的放大器，所述接口還包括被耦合為響應(yīng)于所述重置信號(hào)給所述電容器放電的開(kāi)關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，其中所述預(yù)定的待發(fā)閾值具有足以最小化錯(cuò)誤待發(fā)的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，還包括: 檢測(cè)比較器，用于將所述可變磁阻傳感器信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行比較，并且該檢測(cè)比較器提供對(duì)其進(jìn)行表示的零檢測(cè)信號(hào)；以及 其中當(dāng)所述零檢測(cè)信號(hào)在所述待發(fā)信號(hào)表示待發(fā)條件之后被提供時(shí)，所述檢測(cè)電路提供交叉信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接口，其中所述交叉信號(hào)被用作所述重置信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，其中所述檢測(cè)電路在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后以及在所述可變磁阻傳感器信號(hào)的后續(xù)脈沖之前的選定時(shí)間提供所述重置信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，其中所述待發(fā)比較器在所述可變磁阻傳感器信號(hào)的后續(xù)脈沖發(fā)起之前清除所述待發(fā)信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口，其中: 所述積分器包括: 電阻器，包括耦合于接收所述可變磁阻傳感器信號(hào)的節(jié)點(diǎn)的第一端部，并且包括第二端部； 電容器；以及 放大器，包括耦合于所述電阻器的所述第二端部并且耦合于所述電容器的第一端部的第一輸入端，包括接收參考信號(hào)的第二輸入端，并且包括耦合于所述電容器的第二端部并且提供所述積分信號(hào)的輸出端；以及 其中所述待發(fā)比較器包括接收所述積分信號(hào)的第一輸入端，包括接收所述預(yù)定的待發(fā)閾值的第二輸入端，并且包括提供所述待發(fā)信號(hào)的輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接口，還包括: 晶體管，包括分別耦合于所述電容器的所述第一和第二端部的第一和第二電流端子，并且包括控制端子；以及 其中所述檢測(cè)電路包括鎖存器，所述鎖存器包括接收所述待發(fā)信號(hào)的時(shí)鐘輸入端，包括接收邏輯一信號(hào)的數(shù)據(jù)輸入端，并且包括給所述晶體管的所述控制端子提供交叉信號(hào)的輸出端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接口，還包括檢測(cè)比較器，所述檢測(cè)比較器包括用于接收所述可變磁阻傳感器信號(hào)的第一輸入端，包括接收所述參考信號(hào)的第二輸入端，并且包括給所述鎖存器的反相重置輸入端提供檢測(cè)信號(hào)的輸出端。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的接口，還包括:至少一個(gè)濾波器，用于對(duì)所述待發(fā)信號(hào)和所述檢測(cè)信號(hào)中的至少一個(gè)濾波。
12.一種處理由可變磁阻傳感器提供的可變磁阻傳感器信號(hào)的方法，包括: 積分所述可變磁阻傳感器信號(hào)并提供表示所述可變磁阻傳感器的總通量變化的相應(yīng)的積分信號(hào)； 將所述積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較，并且提供相應(yīng)的待發(fā)信號(hào)；以及 在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后清除所述積分信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述積分所述可變磁阻傳感器信號(hào)包括:積分所述可變磁阻傳感器信號(hào)的表示由所述可變磁阻傳感器生成的電磁力的脈沖。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述將所述積分信號(hào)與預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較包括:將所述積分信號(hào)與具有足以最小化錯(cuò)誤待發(fā)的值的預(yù)定的待發(fā)閾值進(jìn)行比較。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述積分所述可變磁阻傳感器信號(hào)包括:給電容器充電，并且其中所述清除所述積分信號(hào)包括:給所述電容器放電。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 將所述可變磁阻傳感器信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行比較，并且提供對(duì)其進(jìn)行表示的零檢測(cè)信號(hào)；以及 當(dāng)所述零檢測(cè)信號(hào)在所述待發(fā)信號(hào)被提供之后被提供時(shí)，提供交叉信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述清除所述積分信號(hào)包括:響應(yīng)于提供的所述交叉信號(hào)清除所述積分信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括:在待發(fā)信號(hào)被提供之后以及在所述可變磁阻傳感器信號(hào)的后續(xù)脈沖發(fā)起之前清除所述待發(fā)信號(hào)。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括:為所述待發(fā)信號(hào)濾波。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括:使用所述待發(fā)信號(hào)以啟用零交叉檢測(cè)。
【文檔編號(hào)】G01D5/12GK103575303SQ201310323638
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月1日
【發(fā)明者】J·M·皮古特, F·T·布拉切勒, W·E·愛(ài)德華茲, M·R·加拉爾德, R·C·加麗, J·M·哈爾 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司