專利名稱：熱電型檢測器、熱電型檢測裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱電型檢測器、熱電型檢測裝置以及電子設(shè)備等。
背景技術(shù)：
作為熱電型檢測裝置，已知熱電型或輻射熱測量計型紅外線檢測裝置。紅外線檢測裝置利用熱電體部件的自發(fā)極化量隨著所接收的紅外線的光量(溫度)而變化(熱電效應(yīng)或焦電子(pyroelectric)效應(yīng))的現(xiàn)象，使熱電體的兩端產(chǎn)生電動勢(極化產(chǎn)生的電荷)(熱電型)，或是根據(jù)溫度改變電阻值(輻射熱測量計型)，從而檢測紅外線。熱電型紅外線檢測裝置與輻射熱測量計型紅外線檢測裝置相比，雖然制造工藝復(fù)雜，但是具有檢測靈敏度高的優(yōu)點。熱電型紅外線檢測裝置的單元(cell)具有紅外線檢測元件，該紅外線檢測元件包括電容器，而該電容器由與上部電極和下部電極連接的熱電體形成，關(guān)于電極、熱電體的材料和電極配線結(jié)構(gòu)，已經(jīng)提出了各種方案(專利文獻(xiàn)1、2)。并且，包括與上部電極和下部電極連接的強(qiáng)電介質(zhì)的電容器正在用于強(qiáng)電介質(zhì)存儲器，而關(guān)于適合于強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的電極和強(qiáng)電介質(zhì)的材料，也已經(jīng)提出了各種方案 (專利文獻(xiàn)3、4)。專利文獻(xiàn)1是下部電極自身被繞回而兼用作下部電極配線，并且，上部電極自身被繞回而兼用作上部電極配線層。電容器的下部電極和上部電極從所要求的電學(xué)特性上來說使用電阻低的材料(例如Pt或Ir)，并且熱傳導(dǎo)率性也高(Pt為71. 6ff/mK, Ir為147W/ mK)。所以，在專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，紅外線檢測元件的熱就會經(jīng)由下部電極配線或上部電極配線而傳遞至外部。所以，作為熱電體材料的極化量根據(jù)溫度不同而不同的檢測原理的熱電型紅外線檢測器，不能擔(dān)保較高的特性。作為專利文獻(xiàn)1的技術(shù)變形，在下部電極的下面連接下部電極配線層并在上部電極的上面進(jìn)行上部電極配線的堆疊型已被用于強(qiáng)電介質(zhì)存儲器中。專利文獻(xiàn)2已經(jīng)公開了與專利文獻(xiàn)1不同的平面型電容器。專利文獻(xiàn)2是在形成于單結(jié)晶半導(dǎo)體基板(4)上的具有結(jié)晶性的Al2O3薄膜(6)上形成有作為下部金屬薄膜的下部鉬膜(8)，僅在下部金屬薄膜(8)的上面的一部分上層疊有強(qiáng)電介質(zhì)薄膜(10)，僅在強(qiáng)電介質(zhì)薄膜(10)的上面的一部分上層疊有作為上部金屬薄膜的上部鉬膜(1 (圖2、3以及權(quán)利要求1)。在下部金屬薄膜(8)和上部金屬薄膜(1 的上面，在未被絕緣膜(14)覆蓋的露出部上連接有由金屬薄膜形成的配線(16)。但是，專利文獻(xiàn)2只照顧到了下部金屬薄膜(8)、強(qiáng)電介質(zhì)薄膜(10)以及上部金屬薄膜(12)的結(jié)晶性，而對于熱從配線(16)散失并不關(guān)心?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利特開平10-104062號公報專利文獻(xiàn)2 日本專利特開2008-232896號公報
專利文獻(xiàn)3 日本專利特開2009-71242號公報專利文獻(xiàn)4 日本專利特開2009-U9972號公報

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的幾種方式，鑒于隨溫度不同熱電體材料的極化量變化的檢測原理， 能夠提供抑制熱量從熱電型檢測元件沿配線散失而可以實現(xiàn)較高的檢測特性的熱電型檢測器、熱電型檢測裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的一種方式的熱電型檢測器具有熱電型檢測元件；支撐部件，上述支撐部件包括第一面和與上述第一面相對的第二面，上述第二面面對空穴部配置，在上述第一面上搭載上述熱電型檢測元件；以及上述熱電型檢測元件包括電容器，上述電容器包括 搭載在上述支撐部件的上部并包括形成有熱電材料的第一區(qū)域和從上述第一區(qū)域延伸形成的第二區(qū)域的第一電極、形成在上述第一電極的第一區(qū)域的上部的上述熱電材料、以及形成在上述熱電材料的上部的第二電極；層間絕緣層，上述層間絕緣層覆蓋上述電容器的表面并具有通到上述第一電極的上述第二區(qū)域的第一接觸孔和通到上述第二電極的第二接觸孔；嵌入上述第一接觸孔的第一插頭；嵌入上述第二接觸孔的第二插頭；形成在上述層間絕緣層和上述支撐部件的上部并與上述第一插頭連接的第一電極配線層；以及形成在上述層間絕緣層和上述支撐部件上面并與上述第二插頭連接的第二電極配線層，形成上述第二電極配線層的材料的熱傳導(dǎo)率比形成與上述第二插頭連接的部分的上述第二電極的材料的熱傳導(dǎo)率低。依照本發(fā)明的一種方式，通過形成為平面型電容器結(jié)構(gòu)，從而能夠消除堆疊型電容器結(jié)構(gòu)的問題而使傳感器特性提高。并且，經(jīng)由熱電材料、第二插頭以及第二電極而連接的第二電極配線層對于電容器的驅(qū)動是不可欠缺的，但該第二電極配線同時也作為散熱路經(jīng)而起作用了。在本發(fā)明的一種方式中，通過使第二電極配線層的熱傳導(dǎo)率比第二電極降低，從而能夠抑制熱從熱電體散失，紅外線檢測元件的熱分離性提高。在本發(fā)明的一種方式中，能夠使形成上述第一電極配線層的材料的熱傳導(dǎo)率比形成與上述第一插頭連接的部分的上述第一電極的材料的熱傳導(dǎo)率低。并且，經(jīng)由熱電材料、第一插頭以及第一電極而連接的第一電極配線層對于電容器的驅(qū)動也是不可欠缺的，但該第一電極配線同時也作為散熱路經(jīng)而起作用了。在本發(fā)明的一種方式中，通過使第一電極配線層的熱傳導(dǎo)率比第一電極降低，從而能夠抑制熱從熱電體散失，紅外線檢測元件的熱分離性提高。在本發(fā)明的一種方式中，上述第一電極配線層和上述第二電極配線層中的至少一個能夠由氮化鈦或氮化鋁鈦形成。與優(yōu)選作為第一、第二電極材料的金屬例如鉬或銥相比，氮化鈦或氮化鋁鈦的熱傳導(dǎo)率充分小。在本發(fā)明的一種方式中，能夠使上述第二電極的熱傳導(dǎo)性形成得比上述第一電極的熱傳導(dǎo)性大。第一電極由于與支撐部件直接接觸而通過固體傳導(dǎo)進(jìn)行熱擴(kuò)散，因而第一電極的熱傳導(dǎo)性低是較好的。另一方面，第二電極未與支撐部件等直接接觸，因而可以使第二電極的熱傳導(dǎo)性比第一電極大。在這種情況下，如果預(yù)先降低第二電極配線層的熱傳導(dǎo)率，也能夠抑制熱從第二電極側(cè)散失。
在本發(fā)明的一種方式中，上述熱電型檢測元件還含有光吸收部件，其形成在沿光入射方向成為上述第二電極和上述第二電極配線層的上游側(cè)的區(qū)域上。這樣，如果在電容器的光入射方向的上游側(cè)配置光吸收部件，則光照射的熱量就可以從光吸收部件傳遞至熱電體。由于在該熱傳遞路經(jīng)上存在第二電極，因而抑制從與該第二電極連接的第二電極配線層進(jìn)行的散熱將有助于提高從光吸收部件向熱電材料傳熱的傳熱效率。所以，即使僅使第二電極配線層的熱傳導(dǎo)率比第二電極低，也能夠使紅外線檢測元件的熱分離性提高。在本發(fā)明的一種方式中，上述光吸收部件能夠以在從上述光入射方向來看的俯視圖中覆蓋上述第二電極的整個面的方式形成，上述第二電極能夠以覆蓋上述熱電材料與上述第一電極接觸的面的相反面的整個面而形成。這樣一來，能夠?qū)⒌诙姌O的整個面作為光反射面，通過將透過了光吸收部件的光返回至光吸收部件，從而可以改善光吸收效率。在本發(fā)明的一種方式中，上述光吸收部件能夠形成在在俯視圖中與上述第一電極的上述第一區(qū)域和上述第一電極的上述第二區(qū)域的至少一部分分別重疊的位置上。這樣一來，光吸收部件的體積增加而使光吸收量增大，除此之外，第一電極也能夠作為光反射面，通過使透過了光吸收部件的光返回至光吸收部件，從而可以進(jìn)一步改善光吸收效率。在本發(fā)明的一種方式中，上述第一電極配線層與上述第一插頭連接的第一連接部和從上述第一連接部引出且寬度比上述第一連接部小的第一引出配線部；上述第二電極配線層包括與上述第二插頭連接的第二連接部和從上述第二連接部引出且寬度比上述第二連接部小的第二引出配線部；上述第二引出配線部的寬度比上述第二接觸孔的橫截面的最大長度小。這樣一來，不僅第二引出配線部的熱電阻增大從而熱電型檢測元件的熱分離特性提高，而且也能夠使第二引出配線部上的光反射量減少而使在第二電極上的光反射量增多，進(jìn)而使光吸收效率提高。在本發(fā)明的一種方式中，能夠使上述第一引出配線部的寬度比上述第一接觸孔的橫截面的最大長度小。這樣一來，不僅第一引出配線部的熱電阻增大從而熱電型檢測元件的熱分離特性提高，而且也能夠使第一引出配線部上的光反射量減少而使在第一電極上的光反射量增多，進(jìn)而使光吸收效率提高。在本發(fā)明的一種方式中，在上述層間絕緣層與上述電容器之間，能夠還具有還原氣體阻隔膜。電容器在制造時或者實際使用時，一旦發(fā)生由還原氣體引起的氧缺陷，則特性就將劣化，因而利用還原氣體阻隔層能夠保護(hù)電容器。本發(fā)明的又一方式所涉及的熱電型檢測裝置通過將上述的熱電型檢測器沿雙軸方向二維配置而構(gòu)成。該熱電型檢測裝置由于各單元的熱電型檢測器的檢測靈敏度得以提高，因而能夠提供清晰的光(溫度)分布圖像。本發(fā)明的又一方式所涉及的電子設(shè)備具有上述的熱電型檢測器或熱電型檢測裝置，并將一個單元(cell)或多個單元的熱電型檢測器用作傳感器，從而不僅最適合于輸出光(溫度)分布圖像的熱成像儀、車載用夜視或監(jiān)視相機(jī)，還最適合于進(jìn)行物體的物理信息分析(測量)的物體分析設(shè)備(測量設(shè)備)、檢測火或者發(fā)熱的安全設(shè)備、設(shè)置在工廠等中的FA(Fact0ry Automation(工廠自動化))設(shè)備等。并且，熱電型檢測器、熱電型檢測裝置或者具有這些檢測器、檢測裝置的電子設(shè)備也能夠適用于例如在所供給的熱量與流體吸收的熱量均衡的條件下檢測流體的流量的流量傳感器等中。能夠設(shè)置本發(fā)明的熱電型檢測器或者熱電型檢測裝置來代替設(shè)在該流量傳感器上的熱電偶等，能夠?qū)⒐庖酝獾膶ο笞鳛闄z測對象。


圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的平面型電容器的簡要截面圖。圖2是本發(fā)明的實施方式所涉及的熱電型紅外線檢測裝置的簡要俯視圖。圖3是本發(fā)明的實施方式所涉及的熱電型紅外線檢測裝置的一個單元的熱電型檢測器的簡要截面圖。圖4是示出形成在犧牲層上的支撐部件以及紅外線檢測元件的制造工序的簡要截面圖。圖5是示出配線插頭附近的還原氣體阻隔性被強(qiáng)化了的變型例的簡要截面圖。圖6是用于說明熱電型紅外線檢測器的電容器結(jié)構(gòu)的簡要截面圖。圖7是紅外線吸收膜的配置區(qū)域變更了的熱電型紅外線檢測器的簡要截面圖。圖8是包括熱電型檢測器或熱電型檢測裝置的電子設(shè)備的框圖。圖9(A)、圖9(B)是示出二維配置了熱電型檢測器的熱電型檢測裝置的構(gòu)成例的圖。圖10是示出作為比較例的堆疊型電容器的一個例子的截面圖。圖11是示出作為比較例的堆疊型電容器的另一個例子的截面圖。
具體實施例方式1.熱電型紅外線檢測裝置圖2示出了沿雙軸方向例如正交的雙軸方向排列了多個單元的熱電型紅外線檢測器200的熱電型紅外線檢測裝置(廣義上而言為熱電型檢測裝置)，其中，各單元的熱電型紅外線檢測器200分別具備圖1所示的支撐部件210以及搭載于其上的熱電型檢測元件 220。此外，也可以僅用一個單元的熱電型紅外線檢測器構(gòu)成熱電型紅外線檢測裝置。在圖 2中，從基部(也稱作固定部)100直立設(shè)置有多個支柱104，被例如兩個支柱(支撐部)104 支撐的每單元的熱電型紅外線檢測器200沿正交的雙軸方向排列。每單元的熱電型紅外線檢測器200所占的區(qū)域例如為30μπιΧ30μπι。如圖2所示，熱電型紅外線檢測器200包括與兩個支柱(支撐部)104連結(jié)的支撐部件(膜)210和紅外線檢測元件(廣義上而言為熱電型檢測元件)220。每單元的熱電型紅外線檢測元件220所占的區(qū)域例如為10 ymXIOy m。每單元的熱電型紅外線檢測器200除了與兩個支柱104連接之外為非接觸，在熱電型紅外線檢測器200的下方形成有空穴部102(參照圖2)，并在俯視圖中，與空穴部102 連通的開口部102A配置在熱電型紅外線檢測器200的周圍。據(jù)此，每單元的熱電型紅外線檢測器200就與基部100和其他單元的熱電型紅外線檢測器200進(jìn)行了熱分離。支撐部件210具有裝載并支撐紅外線檢測元件220的裝載部210A和與裝載部 210A連結(jié)的兩個臂210B，兩個臂210B的自由端部與支柱104連結(jié)。為了使紅外線檢測元件220熱分離，兩個臂210B狹長地延伸形成。圖2是省略了與上部電極連接的配線層上方的部件的俯視圖。在圖2中示出了與紅外線檢測元件220連接的第一電極(下部電極)配線層222和第二電極(上部電極)配線層224。第一、第二電極配線層222、2M分別沿臂210B延伸，并經(jīng)由支柱104而與基部 100內(nèi)的電路連接。為了使紅外線檢測元件220熱分離，第一、第二電極配線層222、224也狹長地延伸形成。2.平面型與堆疊型2. 1.平面型圖1示出了在本實施方式的熱電型紅外線檢測器中所采用的平面型電容器230。 作為比較例，在圖10和圖11中示出了堆疊型電容器。在圖1中，熱電型紅外線檢測器具有熱電型紅外線檢測元件220以及支撐部件 210，其中，支撐部件210包括第一面211A和與第一面211A相對的第二面211B，并在第一面 211A上搭載有熱電型紅外線檢測元件220。支撐部件210的第二面211B面對空穴部102 而配置，支撐部件210的一部分被圖2所示的支柱(支撐部)104所支撐。熱電型紅外線檢測元件220具有電容器230，其包括第一電極(下部電極)234、 第二電極(上部電極)236以及配置在第一電極234和第二電極236之間的熱電材料232， 并且根據(jù)溫度不同極化量變化。第一電極234包括層疊形成有熱電材料232的第一區(qū)域 233A和從第一區(qū)域233A延伸形成的第二區(qū)域23!3B。電容器230是通過將第一電極234搭載在支撐部件210上而被支撐的。覆蓋電容器230的表面而形成有層間絕緣層250。在層間絕緣層250上，形成有通到第一電極234的第二區(qū)域23 的第一接觸孔252和通到第二電極236的第二接觸孔 254。第一插頭2 嵌入第一接觸孔252而形成。在層間絕緣層250和支撐部件210上， 形成有與第一插頭2 連接的第一電極配線層222。同樣，第二插頭2 嵌入第二接觸孔 254而形成。在層間絕緣層250和支撐部件210上，形成有與第二插頭2 連接的第二電極配線層2M。2. 2堆疊型在圖10和圖11中示出了與本實施方式的平面型對比的堆疊型電容器。在圖10 和圖11所示的堆疊型電容器中，第一電極(下部電極)234的配線結(jié)構(gòu)與圖1所示的平面型電容器不同。在圖10中，形成有在支撐部件210的第一面2IlA開口的接觸孔600，第一電極配線層602形成在支撐部件210的層內(nèi)，由填充至接觸孔600中的插頭604使第一電極234 與第一電極配線層602連接。在這種情況下，在形成于支撐部件210的下面的蝕刻保護(hù)膜606(在圖1中省略了)上形成第一電極配線層602，然后再層疊支撐部件210。如后面將要詳細(xì)說明的那樣， 蝕刻保護(hù)膜606是在形成了層疊在犧牲層上的支撐部件210等之后對犧牲層進(jìn)行各向同性蝕刻而形成空穴部102時用于保護(hù)支撐部件210免受蝕刻的膜。在這里，在蝕刻保護(hù)膜606上形成了第一電極配線層602之后，為了制作配線圖案而對第一電極配線層602進(jìn)行蝕刻。此時，如圖10的B部放大圖所示，蝕刻保護(hù)膜606也與第一電極配線層602同時被蝕刻，進(jìn)而產(chǎn)生膜厚較薄的部分。蝕刻保護(hù)膜606 —旦變薄， 就會引起保護(hù)膜性能的下降。如果考慮到薄膜現(xiàn)象而預(yù)先將蝕刻保護(hù)膜606形成得較厚， 則來自紅外線檢測元件220的熱就易于經(jīng)由蝕刻保護(hù)膜606而擴(kuò)散，紅外線檢測元件220 的熱分離特性就會下降。另一方面，在如圖11所示的堆疊型電容器中，在支撐部件210的最上層形成有與第一電極234接觸的第一電極配線層608。此時，在支撐部件210的整個面上形成了第一電極配線層608之后，將第一電極配線層608圖案化。如果是這種狀態(tài)，則就會產(chǎn)生高低差， 因而在追加層疊了支撐部件210之后，以與第一電極配線層608在一個平面上的方式而使支撐部件210的表層平坦化。然后，在層疊了第一電極234、熱電體232以及第二電極236 之后，以成為電容器230的形狀的方式進(jìn)行圖案化。在進(jìn)行該電容器230的圖案化時，如圖 11的C部放大圖所示，第一電極234的正下方區(qū)域以外的區(qū)域的第一電極配線層608就會被蝕刻而薄膜化，或者會發(fā)生斷線。即使考慮到這種現(xiàn)象而將第一電極配線層608形成得較厚，但由于蝕刻，第一電極配線層608的膜厚也會不均勻，熱分離特性也會不均勻，因而使傳感器特性劣化。2.3.熱分離了的熱電型檢測器的課題及其對策如以上所述，如果從熱分離了的紅外線檢測元件的傳感器特性上的觀點來說，平面型電容器比堆疊型電容器優(yōu)異。但是，作為平面型電容器和堆疊型電容器的共同的課題， 具有第一、第二電極配線層作為熱傳導(dǎo)路徑而起作用了的課題。也就是說，對于驅(qū)動熱電型電容器230來說，第一、第二電極配線層222、2M是不可欠缺的，但同時電容器230的熱會從第一、第二電極配線層222、2M散失。于是，在本實施方式中，使形成第一、第二電極配線層222、224的材料的熱傳導(dǎo)率比形成與第一、第二插頭2沈、2觀連接的部分的第一、第二電極234、236的材料(如果是單層，則為該單層電極材料；如果為多層，則為最上層的電極材料)的熱傳導(dǎo)率低。對于第一、第二電極234、236的材料的熱傳導(dǎo)率，例如鉬(Pt)為71. 6W/mk，銥 (Ir)為147W/mk。另一方面，作為一般的配線材料的鋁(Al)為237W/mk，銅(Cu)為403W/ mk，則熱傳導(dǎo)率通常會比第一、第二電極234、236高。在本實施方式中，就熱傳導(dǎo)率比優(yōu)選作為第一、第二電極234、236的電極材料的金屬材料例如鉬(Pt)或者銥(Ir)低的材料而言，由例如氮化鈦(TiN)或者氮化鋁鈦 (TiAlN)形成第一、第二電極配線層222、224。例如氮化鈦(TiN)的熱傳導(dǎo)率為^W/mK，氮化鋁鈦(TiAlN)的熱傳導(dǎo)率為5W/mK 10W/mK，與優(yōu)選作為第一、第二電極234、236的電極材料的金屬材料例如鉬(Pt)或者銥(Ir)相比，熱傳導(dǎo)率充分地低。這樣一來，能夠抑制熱電體232的熱經(jīng)由對電容器230的驅(qū)動不可欠缺的第一、第二電極配線層222、2M而散失，紅外線檢測元件220的熱分離性提高。此外，如后面所述，在電容器230的上方配置紅外線吸收體，紅外線照射的熱可以從紅外線吸收體傳遞至熱電體232。由于在該熱傳遞路經(jīng)上存在第二電極(上部電極)236， 因而抑制從與該第二電極236連接的第二電極配線層2M進(jìn)行的散熱將有助于提高從紅外
9線吸收體向熱電體232傳熱的傳熱效率。所以，即使僅使第二電極配線層224的熱傳導(dǎo)率比第二電極236低，也能夠使紅外線檢測元件220的熱分離性提高。尤其是，如后面所述，當(dāng)為了提高從紅外線吸收體向熱電體232傳熱的傳熱效率而使第二電極(上部電極)236的熱傳導(dǎo)性比第一電極(下部電極)234的熱傳導(dǎo)性大時， 即使僅使第二電極配線層224的熱傳導(dǎo)率比第二電極236低，也能夠有效地使紅外線檢測元件220的熱分離性提高。然而，通過同時使第一電極配線層222的熱傳導(dǎo)率比第一電極 234低，能夠進(jìn)一步抑制熱電體232的熱經(jīng)由第一電極234和第一電極配線層222散失，因此紅外線檢測元件220的熱分離性進(jìn)一步提高。在這里，如圖2和圖3所示，第一電極配線層222可以包括與第一插頭2 連接的第一連接部222k和從第一連接部222k引出、比第一連接部222k寬度窄的第一引出配線部 222B。同樣，第二電極配線層2M可以包括與第二插頭2 連接的第二連接部224A和從第二連接部224A引出、比第二連接部224A寬度窄的第二引出配線部224B。而且，在本實施方式中，如圖2所示，第二引出配線部224B的寬度W22比第二接觸孔2M的橫截面的最大長度W21小。所謂第二接觸孔2M的橫截面的最大長度W21，如果接觸孔的外形為矩形，則就是對角線長度，如果為圓形，則就是直徑。在本實施方式中，與專利文獻(xiàn)2不同，沒有必要在第二接觸孔254內(nèi)配置紅外線吸收膜，因而能夠在設(shè)計上將第二接觸孔254的大小設(shè)定為最小值。由于第二引出配線部224的寬度W22比第二接觸孔邪4在橫截面上的最大長度W21小，因而能夠使熱傳遞特性與截面積成正比例地下降。由此也能夠使紅外線檢測元件220的熱分離性提高。如圖2所示，在上述構(gòu)成之上，還可以使第一引出配線部224B的寬度W12比第一接觸孔252的橫截面的最大長度Wll小。這樣一來，第一引出配線部222B的熱傳遞特性也變差，因而能夠使紅外線檢測元件220的熱分離性進(jìn)一步提高。使第一、第二引出配線部222B、2MB的寬度W12、W22變窄的其它的技術(shù)意義在于使在紅外線吸收膜上的吸收效率提高這一點上，關(guān)于這一點，將在后面說明。3.熱電型紅外線檢測器的概況圖3是示出圖2所示的熱電型紅外線檢測器200的整體的截面圖。并且，圖4是制造工序過程中的熱電型紅外線檢測器200的部分截面圖。在圖4中，圖3的空穴部102 用犧牲層150嵌入。該犧牲層150從支撐部件210和熱電型紅外線檢測元件220的形成工藝前至形成工藝后一直存在，而在熱電型紅外線檢測元件220的形成工藝后通過各向同性蝕刻法除去。如圖3所示，基部100包括基板例如硅基板110和由硅基板110上的絕緣膜(例如SiO2)形成的隔層120。支柱(支撐部)104通過蝕刻隔層120而形成，由例如SiO2形成。 在支柱(支撐部)104中，可以配置與第一、第二電極配線層222、224中的一個連接的插頭 106。該插頭106與設(shè)在硅基板110上的行選擇電路(行驅(qū)動器)或者經(jīng)由列線讀取來自檢測器的數(shù)據(jù)的讀取電路連接?？昭ú?02通過對隔層120進(jìn)行蝕刻而與支柱104同時形成。圖2所示的開口部102A通過對支撐部件210進(jìn)行圖案化而形成。搭載在支撐部件210的第一面211A上的紅外線檢測元件220包括有電容器230。 電容器230包括熱電體232、連接至熱電體232的下面的第一電極(下部電極)234以及連接至熱電體232的上面的第二電極(上部電極)236。第一電極234可以包括提高與支撐部件210的第一層部件(例如SW2支撐層)212(參照圖4)的緊貼性的緊貼層234D。電容器230在電容器230的形成后的工序中被用于抑制還原氣體(氫、水蒸氣、OH 基、甲基等)侵入至電容器230的還原氣體阻隔層240所覆蓋。這是因為電容器230的熱電體(例如PZT等)232為氧化物，而氧化物一旦被還原，則就會產(chǎn)生氧缺陷，熱電效應(yīng)就會受到破失。如圖4所示，還原氣體阻隔層240包括第一阻隔層242和第二阻隔層M4。第一阻隔層242可以通過濺射法使例如氧化鋁Al2O3成膜而形成。由于在濺射法中不使用還原氣體，因而電容器230不會被還原。第二阻隔層244可以通過例如原子層化學(xué)氣相沉積 (ALCVD =Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)法使例如氧化鋁 Al2O3 成膜而形成。 雖然通常的CVD(Chemical Vapor D印osition)法使用還原氣體，但是由于第一層阻隔層 242,電容器230就與還原氣體隔離。在這里，還原氣體阻隔層240的總膜厚形成為50nm 70歷，例如60nm。此時，利用CVD法形成的第一阻隔層242的膜厚比采用原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法形成的第二阻隔層244厚，即使形成得薄也為35nm 65匪，例如為40nm。與此相反，采用原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法形成的第二阻隔層244的膜厚可以較薄，使例如氧化鋁Al2O3以5nm 30nm例如20nm成膜而形成。原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法與濺射法等相比較，由于具有優(yōu)異的填充特性，因而能夠滿足微細(xì)化，從而利用第一、第二阻隔層242、244能夠提高還原氣體阻隔性。并且，利用濺射法成膜的第一阻隔層242沒有第二阻隔層244致密，這種結(jié)構(gòu)發(fā)揮效果而成為使傳熱率下降的因素，因而能夠防止來自電容器230的熱量的散逸。在還原氣體阻隔層240上形成有層間絕緣層250。一般而言，層間絕緣層250的原料氣體(TE0Q進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時，會產(chǎn)生氫氣和水蒸氣等還原氣體。在電容器230的周圍設(shè)置的還原氣體阻隔層240正是保護(hù)電容器230不受在該層間絕緣層250的形成中所產(chǎn)生的還原氣體的侵入的保護(hù)層。在層間絕緣層250上，配置有也在圖1和圖2中示出了的第一電極(下部電極) 配線層222和第二電極(上部電極)配線層224。在層間絕緣層250上形成電極配線之前， 預(yù)先形成第一接觸孔252和第二接觸孔254。此時，在還原氣體阻隔層240上也同樣地形成有接觸孔。由嵌入至第一接觸孔252中的第一插頭2 使第一電極(下部電極)234與第一電極配線層222導(dǎo)通。由同樣地嵌入至第二接觸孔254中的第二插頭2 使第二電極 (上部電極)236與第二電極配線層224導(dǎo)通。在這里，如果不存在層間絕緣層250，則在對第一電極(下部電極)配線層222和第二電極(上部電極)配線層2M進(jìn)行圖案蝕刻時，它們下層的還原氣體阻隔層MO的第二阻隔層244就會被蝕刻，進(jìn)而就會使阻隔性下降。層間絕緣層250在保證還原氣體阻隔層MO的阻隔性上是必要的。在這里，層間絕緣層250優(yōu)選氫含有率低。于是，層間絕緣層250通過退火進(jìn)行脫氣處理。從而使層間絕緣層250的氫含有率比覆蓋第一、第二電極配線層222、224的鈍化膜％0低。此外，由于在層間絕緣層250形成時，電容器230的頂面上的還原氣體阻隔層240 沒有接觸孔而是封閉的，因而在層間絕緣層250形成中的還原氣體不會侵入至電容器230 中。但是，在還原氣體阻隔層240上形成了接觸孔之后，阻隔性將下降。作為防止阻隔性下降的一個示例，例如，如圖4所示那樣，將第一、第二插頭226、2觀形成為多層228A、 228B(在圖4中，僅圖示第二插頭228)，并在其第一層228A上采用了阻隔金屬層。由第一層228A的阻隔金屬來保證還原氣體阻隔性。第一層228A的阻隔金屬不優(yōu)選使用像鈦Ti 這樣擴(kuò)散性高的金屬，而可以采用擴(kuò)散性小且還原氣體阻隔性高的氮化鋁鈦TiAIN。此外， 作為阻斷來自接觸孔的還原氣體侵入的方法，可以如圖5那樣，以包圍至少第二插頭2 的方式增設(shè)還原氣體阻隔層四0。該還原氣體阻隔層四0既可以并用第二插頭228的阻隔金屬2^A，也可以不使用阻隔金屬228A。此外，還原氣體阻隔層290可以覆蓋第一插頭226。覆蓋第一、第二電極配線層而設(shè)置有SiO2或者SiN鈍化膜沈0。在至少電容器230 的上方，在鈍化膜260上設(shè)有紅外線吸收體(廣義上而言為光吸收部件)270。鈍化膜沈0 也由SiO2或者SiN形成，而由于紅外線吸收體270的圖案蝕刻的需要，優(yōu)選采用與下層的鈍化膜260蝕刻選擇比大的不同種材料。紅外線從圖3的箭頭方向射入該紅外線吸收體270， 紅外線吸收體270根據(jù)所吸收的紅外線量而發(fā)熱。通過將該熱傳遞給熱電體232，從而電容器230的自發(fā)極化量由于吸收熱量而變化，進(jìn)而通過檢測自發(fā)極化電荷便能夠檢測紅外線。即使在鈍化膜260或者紅外線吸收體270的CVD形成時產(chǎn)生還原氣體，電容器230 也可以由還原氣體阻隔層240和第一、第二插頭226、228中的阻隔金屬來保護(hù)。覆蓋含有該紅外線吸收體270的紅外線檢測器200的外表面而設(shè)有還原氣體阻隔層觀0。為了提高入射至紅外線吸收體270的紅外線(波長范圍8μπι 14μπι)的透過率，該還原氣體阻隔層280需要形成為例如比還原氣體阻隔層240薄的薄壁。因此，采用能夠在原子大小的水平上調(diào)整膜厚的原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法。這是因為如果采用通常的CVD法，則膜過于厚而使紅外線透過率下降。在本實施方式中，例如使氧化鋁Al2O3以 IOnm 50nm例如20nm的厚度成膜而形成。如上所述，原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法與濺射法等相比較，由于具有優(yōu)異的填充特性，因而能夠滿足微細(xì)化而在原子水平上形成致密的膜，從而即使較薄也能夠提高還原氣體阻隔性。并且，在基部100側(cè)，在限定空穴部102的壁部，也就是說限定空穴部102的底壁 IlOA和側(cè)壁104A上，形成有對在制造熱電型紅外線檢測器200的過程中填充至空穴部102 的犧牲層150(參照圖4)進(jìn)行各向同性蝕刻時的蝕刻終止膜130。同樣，在支撐部件210的下面(犧牲層150的上面)也形成有蝕刻終止膜140。在本實施方式中，利用與蝕刻終止膜 130、140相同的材料形成有還原氣體阻隔層觀0。也就是說，蝕刻終止膜130、140也具有還原氣體阻隔性。該蝕刻終止膜130、140也通過原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)法而使氧化鋁 Al2O3以20nm 50nm的膜厚成膜而形成。通過使蝕刻終止膜130具有還原氣體阻隔性，從而能夠抑制在利用氫氟酸在還原氣氛中對犧牲層150進(jìn)行了各向同性蝕刻時，還原氣體透過支撐部件210而侵入至電容器 230中。并且，通過使覆蓋基部100的蝕刻終止膜140具有還原氣體阻隔性，從而能夠抑制配置在基部100內(nèi)的電路的晶體管或者配線由于被還原而劣化。4.支撐部件的結(jié)構(gòu)如圖3所示，沿從下層向上層的第一方向D1，在基部100上層疊有支撐部104、支撐部件210以及熱電型紅外檢測元件220。支撐部件210在第一面211A側(cè)經(jīng)由緊貼層234D 搭載有熱電型紅外檢測元件220，第二面211B側(cè)面向空穴部102。緊貼層234D是熱電型紅外檢測元件220的一部分(最下層)。如圖5所示，支撐部件210將至少與緊貼層234D接觸的第一面?zhèn)鹊牡谝粚硬考?212作為絕緣層例如S^2支撐層。在將圖3所示的第一方向Dl相反的方向作為第二方向 D2時，該SW2支撐層(第一層部件)212與比SW2支撐層(第一層部件)212更位于第二方向D2的其它的SW2層例如支柱(支撐部)104相比，氫含有率小。這可通過在CVD膜成膜時使O2流量比通常的層間絕緣層CVD時增多而使氫或者水分在膜中含量減少來獲得。因而，SiO2支撐層(第一層部件)212是氫含有率比其它的SiO2層例如支柱(支撐部)104低的低水分膜。如果使與緊貼層234D接觸的支撐部件210的最上層的SW2支撐層(第一層部件)212的含水量較少，則即使在熱電體232形成后由于熱處理而暴露于高溫下，也能夠抑制從SiO2支撐層(第一層部件)212自身產(chǎn)生還原氣體(氫、水蒸氣)。因而，能夠抑制從電容器230的正下方(支撐部件210側(cè))侵入電容器230中的熱電體232的還原物質(zhì)，進(jìn)而能夠抑制熱電體232氧缺損。比SiA支撐層(第一層部件)212更位于第二方向D2的其它的SiO2層例如支柱 (支撐部)104的水分雖然也可能成為還原物質(zhì)，但是由于與電容器230分離了，因而比SW2 支撐層(第一層部件)212影響度更小。但是，由于支柱(支撐部)104的水分也可能成為還原物質(zhì)，因而優(yōu)選在比SW2支撐層(第一層部件)212更位于第二方向D2上的支撐部件 210中，預(yù)先形成具有還原氣體阻隔性的膜。包括這一點在內(nèi)，將在以下說明支撐部件210 的更具體的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，支撐部件210沿圖3所示的第二方向D2，能夠通過層疊上述的SW2支撐層(第一層部件)212、中間層(第二層部件)214以及其它的5丨02層(第三層部件)216 而形成。也就是說，在本實施方式中，是通過層疊多個不同種類的材料來形成如果是單一材料就會發(fā)生翹曲的支撐部件210的。具體而言，能夠?qū)⒌谝?、第三層部?12、216形成為氧化膜(SiO2),能夠用氮化膜(例如Si3N4)形成作為中間層的第二層部件214。使例如在第一層部件212和第三層部件216上所產(chǎn)生的例如壓縮殘留應(yīng)力與在第二層部件214上所產(chǎn)生的拉伸殘留應(yīng)力沿相互抵消的方向作用。由此便能夠使支撐部件 210整體的殘留應(yīng)力進(jìn)一步減小或者消失。尤其是，以通過作為上下兩層的氧化膜的第一、 第三層部件212、216的相反方向的殘留應(yīng)力抵消的方式使第二層部件214的氮化膜所具有的較強(qiáng)的殘留應(yīng)力作用，從而能夠減小使支撐部件210產(chǎn)生翹曲的應(yīng)力。即使用與緊貼層 234D接觸的氧化膜(SiO2)和氮化膜(例如Si3N4)這兩層形成支撐部件210，也具有抑制翹曲的效果。此外，如果采用例如日本專利申請2010-109035號公開的方法來形成支撐部件 210，則由于能夠防止翹曲的發(fā)生，因而支撐部件210不一定是多層結(jié)構(gòu)也可以，而可以由 SiO2層的單層來形成。在這里，形成第二層部件214的氮化膜(例如Si3N4)具有還原氣體阻隔性。由此便能夠使支撐部件210自身具有阻隔從支撐部件210側(cè)侵入至電容器230的熱電體232的還原性抑制因素的功能。因此，比第二層部件214更位于圖3的第二方向D2上的第三層部件216即使為含水量比SW2支撐層(第一層部件)212多的其它的S^2層，也能夠通過具有還原氣體阻隔性的第二層部件214來抑制第三層部件216中的還原物質(zhì)(氫、水蒸氣)侵入至熱電體232。5.電容器的構(gòu)造5. 1.導(dǎo)熱性圖6是用于說明本實施方式的主要部分的簡要截面圖。如上所述，電容器230在第一電極(下部電極)234與第二電極(上部電極)236之間包括熱電體232。該電容器230 能夠利用隨所射入的紅外線的光量(溫度)的不同，熱電體232的自發(fā)極化量變化(熱電效應(yīng)或者焦電子效應(yīng))而檢測紅外線。在本實施方式中，所射入的紅外線被紅外線吸收體 270所吸收，進(jìn)而使紅外線吸收體270發(fā)熱，經(jīng)由位于紅外線吸收體270與熱電體232之間的固體熱傳導(dǎo)通路來傳遞紅外線吸收體270發(fā)出的熱量。在本實施方式的電容器230中，使與支撐部件210接觸的第一電極(下部電極)234的導(dǎo)熱性Gl比第二電極(下部電極)236的導(dǎo)熱性G2小。這樣一來，電容器230 就易于使起因于紅外線的熱經(jīng)由第二電極(上部電極)236傳遞給熱電體232，而且，熱電體 232的熱難以經(jīng)由第一電極(下部電極)234逃逸至支撐部件210，紅外線檢測元件220的信號靈敏度提高。而且，與第二電極236電連接的第二電極配線層224的熱傳導(dǎo)率也如上述那樣地低，因而熱電型紅外線檢測元件200的熱分離特性提高。參照圖6來更詳細(xì)地說明具有上述特性的電容器230的結(jié)構(gòu)。首先，第一電極(下部電極)234的厚度Tl比第二電極(上部電極)236厚(Tl > T2)。如果設(shè)第一電極(下部電極)234的熱傳導(dǎo)率為λ 1，則第一電極(下部電極)234的導(dǎo)熱性Gl就為Gl = λ 1/T1。 如果設(shè)第二電極(上部電極)236的熱傳導(dǎo)率為λ 2，則第二電極(上部電極)236的導(dǎo)熱性 G2 就為 G2 = λ 2/Τ2。為了使導(dǎo)熱性的關(guān)系變?yōu)镚l < G2，則如果使例如第一、第二電極234、236的材料例如都為鉬Pt或者銥Ir等相同的單一材料，則Al=入2，由于根據(jù)圖611>12，因而能夠滿足Gl < G2。于是，首先考察用相同的材料分別形成第一、第二電極234、236的每個。為了使熱電體232的結(jié)晶方向一致，電容器230需要與形成有熱電體232的下層的第一電極234之間界面的晶格等級匹配。也就是說，第一電極234具有作為結(jié)晶的籽晶層的功能，而由于鉬 Pt的自我取向性強(qiáng)，因而優(yōu)選作為第一電極234。銥Ir也優(yōu)選作為籽晶層材料。并且，第二電極(上部電極)236優(yōu)選不損壞熱電體232的結(jié)晶性而使從第一電極 234、熱電體232至第二電極236結(jié)晶取向連續(xù)相關(guān)。因此，第二電極236優(yōu)選使用與第一電極234相同的材料形成。這樣，如果用與第一電極234相同的材料例如Pt或者Ir等金屬來形成第二電極 236，則就能夠?qū)⒌诙姌O236的上面作為反射面。在這種情況下，如圖6所示，從紅外線吸收體270的頂面至第二電極236的頂面的距離L最好設(shè)置為λ/4(λ為紅外線的檢測波長)。這樣一來，由于在紅外線吸收體270的頂面與第二電極236的頂面之間，檢測波長入的紅外線被多重反射，因而能夠由紅外線吸收體270高效地吸收檢測波長λ的紅外線。5.2.電極多層結(jié)構(gòu)接下來，將說明圖6所示的本實施方式的電容器230的結(jié)構(gòu)。在如圖6所示的電容器230中，熱電體232、第一電極234以及第二電極236的結(jié)晶取向的擇優(yōu)取向方位都沿例如(111)面方位。通過擇優(yōu)取向為(111)面方位，從而在其它面方位上(111)取向的取
14向率可以被控制在例如90%以上。為了增大熱電系數(shù)，雖然與其采用(111)取向，不如更優(yōu)選(100)取向等，但是為了相對施加電場的方向易于控制極化而采用了(111)取向。但是， 擇優(yōu)取向方位并不限于此。第一電極234從支撐部件210開始可以依次包括以沿例如(111)面擇優(yōu)取向的方式對第一電極234進(jìn)行取向控制的取向控制層(例如Ir)234A、第一還原氣體阻隔層(例如IrOx) 234B以及擇優(yōu)取向的籽晶層(例如Pt)234C。第二電極236從熱電體232側(cè)開始可以依次包括與熱電體232進(jìn)行結(jié)晶取向匹配的取向匹配層(例如Pt) 236、第二還原氣體阻隔層(例如IrOx) 236B以及使與連接至第二電極236的第二插頭228的接合面低電阻化的低電阻化層(例如Ir)236C。在本實施方式中，將電容器230的第一、第二電極234、236形成為多層結(jié)構(gòu)的理由在于紅外線檢測元件220的熱容量小，同時不降低性能而以低損傷進(jìn)行加工以便使界面上的晶格等級匹配，而且，即使電容器230的周圍在制造時或者使用時成為還原氣氛，也使熱電體(氧化物)232與還原氣體隔離。熱電體232是使例如PZT (Pb9 (Zr,Ti) O3的總稱鋯鈦酸鉛)或者PZTN (向PZT中添加了 Nb的材料的總稱)沿例如(111)方位擇優(yōu)取向而使其結(jié)晶成長的。如果使用PZTN， 則即使是薄膜也難以被還原，在能夠抑制氧化缺陷這方面上優(yōu)選。為了使熱電體232取向結(jié)晶化，從熱電體232的下層的第一電極234的形成階段使其取向結(jié)晶化。因此，在下部電極234上利用濺射法形成作為取向控制層而起作用的Ir層234A。 此外，如圖6所示，最好在取向控制層234A的下面形成例如氮化鋁鈦(TiAlN)層或者氮化鈦層(TiN)層作為緊貼層234D。這是因為能夠確保與作為支撐部件210的最上層的SW2 支撐層(第一層部件)212中的SW2的緊貼性。作為該種緊貼層234D，鈦(Ti)雖然也能夠適用，但是不優(yōu)選像鈦(Ti)這樣擴(kuò)散性高的材料，而優(yōu)選擴(kuò)散性小且還原氣體阻隔性高的氮化鋁鈦(TiAlN)或者氮化鈦(TiN)。并且，在用SW2形成位于緊貼層234D的下層的支撐部件210的第一層部件212 時，該SW2層的與所述第一電極接觸的緊貼層側(cè)的表面粗糙度Ra優(yōu)選不到30nm。之所以這樣，是因為能夠確保支撐部件210搭載電容器230的表面的平坦性。如果形成取向控制層234A的面為粗糙面，則在結(jié)晶成長中就會反映粗糙面的凹凸，因而不優(yōu)選。該緊貼層234D可以具有還原氣體阻隔性。氮化鋁鈦(TiAlN)或者氮化鈦(TiN) 具有還原氣體阻隔性。所以，即使還原氣體從支撐部件的SiO2支撐層漏出，利用還原氣體阻隔性的緊貼層234D，也能夠阻止還原性氣體侵入到電容器230中。緊貼層234D的熱傳導(dǎo)率可以比形成第一電極234的金屬材料的熱傳導(dǎo)率小。這樣一來，電容器230的熱就難以經(jīng)由緊貼層234D而逃逸至支撐部件210側(cè)，能夠提高基于熱電體232中的溫度變化的信號精度。如上所述，與SiO2支撐層212的緊貼性良好的緊貼層234D可以采用鈦(Ti)類，鈦(Ti)的熱傳導(dǎo)率為21.9 (W/mk)，與對于第一電極234優(yōu)選的金屬例如鉬(Pt)的熱傳導(dǎo)率71. 6 (W/mk)或者銥(Ir)的熱傳導(dǎo)率147 (W/mk)相比格外地小，作為鈦的氮化物的氮化鋁鈦(TiAlN)或者氮化鈦(TiN)的熱傳導(dǎo)率隨氮/鈦的混合率的不同將會更低。緊貼層234D的水解催化活性優(yōu)選比第一電極234的其它的材料的水解催化活性低。如果緊貼層234D與水分反應(yīng)而產(chǎn)生氫的水解催化活性低，則可以抑制由于與下層的層間絕緣層中或者表面上的OH基或者吸附水反應(yīng)而產(chǎn)生還原氣體。為了使熱電體232與從電容器230的下方侵入的還原性抑制因素隔離，在第一電極234中作為還原氣體阻隔層而起作用的IrOx層234B與呈現(xiàn)還原氣體阻隔性的支撐部件 210的第二層部件(例如Si3N4)以及支撐部件210的蝕刻終止膜(Al2O3) 140同時使用。例如，來自在熱電體(陶瓷)232的燒結(jié)時或者其它的退火工藝中的基部100的脫氣、在犧牲層150的各向同性蝕刻工藝中所使用的還原氣體就會成為還原性抑制因素。此外，在熱電體232的燒結(jié)工藝中等高溫處理時往往會在電容器230的內(nèi)部生成蒸發(fā)氣體，而該蒸發(fā)氣體的逃逸通道由支撐部件210的第一層部件212確保。也就是說，為了使在電容器230內(nèi)部產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體逃逸，最好是第一層部件212不具有氣體阻隔性，而第二層部件214具有氣體阻隔性。并且，IrO層234B其自身的結(jié)晶性較小，但是，由于與Ir層234A是金屬-金屬氧化物的關(guān)系而相容性好，因而可以具有與Ir層234A相同的擇優(yōu)取向方位。在第一電極234中作為籽晶層而起作用的Pt層234C成為熱電體232的擇優(yōu)取向的籽晶層，并且沿(111)取向。在本實施方式中，Pt層234C形成為雙層結(jié)構(gòu)。在第一層的 Pt層形成(111)取向的基礎(chǔ)，在第二層的Pt層中，在表面上形成微觀粗糙度，以便使其作為熱電體232的擇優(yōu)取向的籽晶層而起作用。熱電體232仿照籽晶層234C而沿(111)取向。在第二電極236中，如果采用濺射法進(jìn)行成膜，則在物理上可能會界面粗糙，產(chǎn)生阱位(trap site)而使特性劣化，因而為了使第一電極234、熱電體232、第二電極236的結(jié)晶取向連續(xù)相關(guān)，進(jìn)行了結(jié)晶水平晶格匹配的再構(gòu)建。第二電極236中的Pt層236A通過濺射法形成，而在剛剛濺射之后界面的結(jié)晶方向不連續(xù)。于是，其后進(jìn)行退火處理而使Pt層236A再結(jié)晶化。也就是說，Pt層236A作為與熱電體232進(jìn)行結(jié)晶取向匹配的取向匹配層而起作用。第二電極236中的IrOx層236B作為來自電容器230的上方的還原性劣化因素的阻隔層而起作用。并且，由于IrOx層236B的電阻值較大，因而第二電極236中的Ir層 236C用于使與第二插頭2 之間的電阻值低電阻化。Ir層236C由于與IrOx層236B是金屬氧化物-金屬的關(guān)系而相容性較好，從而可以具有與IrOx層236B相同的擇優(yōu)取向方位。這樣，在本實施方式中，第一、第二電極234、236從熱電體232側(cè)開始依次為Pt、 IrOx, Ir這樣地配置為多層，以熱電體232為中心，對稱地配置了形成材料。但是，形成第一、第二電極234、236的多層結(jié)構(gòu)的各層厚度以熱電體232為中心而非對稱。首先，第一電極234的總厚度Tl與第二電極236的總厚度T2與上述相比滿足了關(guān)系(Tl > T2)。在這里，設(shè)第一電極234的Ir層234A、IrOx層234B、Pt層234C的各熱傳導(dǎo)率為λ 1、λ 2、λ 3，各厚度為T11、T12、T13。第二電極的Ir層236C、IrOx層236Β、Pt 層236A的各熱傳導(dǎo)率與第一電極234相同而為λ 1、λ 2、λ 3，各厚度分別設(shè)為Τ21、Τ22、 Τ23。并且，如果設(shè)第一電極234的Ir層234Α、IrOx層234B、Pt層234C的各熱傳導(dǎo)性為 G11、G12、G13，則 Gll = λ 1/T1UG12 = λ 2/T12、G13 = λ 3/G13。如果設(shè)第二電極 236 的 Ir 層 236C、IrOx 層 236B.Pt 層 236Α 的各熱傳導(dǎo)性為 G21、G22、G23，則 G21 = λ 1/Τ21、 G22 = λ 2/T22.G23 = λ 3/T23。第一電極234的總熱傳導(dǎo)性Gl由于用1/G1 = (1/G11) + (1/G12) + (1/G13)表示，因而Gl= (G11XG12XG13)/(G11+G12+G13)... (1)同樣，第二電極236的總熱傳導(dǎo)性G2由于用1/G2 = (1/G21) + (1/G22) + (1/G23) 表示，因而G2 = (G21XG22XG23)/(G21+G22+G23)... (2)。然后，形成第一、第二電極234、236的多層結(jié)構(gòu)的各層厚度在滿足T11+T12+T13 = Tl > T2 = T21+T22+T23的條件下大致為如下關(guān)系Ir 層 234A、236CTllT21=1 0. 7
IrIrOx 層 234B、236BT12T22=0. 3 1
Pt 層 234C、236AT13T23=3:1采用這種膜厚關(guān)系的理由為如下所述首先說明Ir層234A、236C，第一電極234 中的Ir層234A由于作為取向控制層而起作用，因而為了具有取向性而必須具有規(guī)定的膜厚，與此相反，第二電極236C的Ir層的目的在于低電阻化，越使其較薄，就越可以實現(xiàn)低電阻化。接著，說明IrOx層234B、236B，從電容器230的下方和上方侵入的還原性抑制因素的阻隔性同時使用了其它的阻隔膜(第二層部件214、還原氣體阻隔層M0、蝕刻終止膜兼還原性氣體阻隔層140J80)，第一電極234的IrOx層234B形成得較薄，而第二電極236 的IrOx層236B為了補(bǔ)償?shù)诙孱^2 上的低阻隔性而形成得較厚。最后，說明Pt層234C、236A，第一電極234中的Pt層234C作為決定熱電體232的擇優(yōu)取向的籽晶層而起作用，因而必須是規(guī)定的膜厚。與此相反，由于第二電極236的Pt 層236A的目的是作為與熱電體232的取向匹配的取向匹配層而起作用，因而可以形成得比第一電極234中的Pt層234C薄。并且，第一電極234的Ir層234A、IrOx層234B、Pt層234C的厚度比設(shè)為例如 Tll T12 T13 = 10 3 15，第二電極 236 的 Ir 層 236C、Ir0x 層 236B、Pt 層 236A 的厚度比設(shè)為例如T21 T22 T23 = 7 10 5。在這里，Pt的熱傳導(dǎo)率入3 = 71.6(ff/m'k),Ir的熱傳導(dǎo)率λ 1 = 147(ff/m*k), Ir的熱傳導(dǎo)率λ 1為Pt的熱傳導(dǎo)率λ 3的大致2倍。IrOx的熱傳導(dǎo)率λ 2隨熱度或者氧 /金屬比(0/Μ)的不同而變化，但是決不會超過Ir的熱傳導(dǎo)率λ 。如果將上述的膜厚的關(guān)系與熱傳導(dǎo)率的關(guān)系代入到式(1)、(2)而求出G1、G2的大小關(guān)系，則可知G1<G2成立。 這樣，即使像本實施方式那樣將第一、第二電極234、236形成為多層結(jié)構(gòu)，也可以根據(jù)熱傳導(dǎo)率和膜厚的關(guān)系來滿足Gl < G2。并且，如上所述，在第一電極234與支撐部件210的接合面上具有緊貼層234D情況下，由于第一電極234的熱傳導(dǎo)性Gl更小，因而就易于滿足Gl < G2的關(guān)系。此外，電容器230的蝕刻掩膜隨著蝕刻的進(jìn)行會劣化，因而越形成為多層結(jié)構(gòu)，電容器230的側(cè)壁就越會成為如圖6那樣越往上側(cè)越狹窄而越往下側(cè)越寬的錐形狀。但是， 由于相對于水平面的錐角為80度左右，因而如果考慮電容器230的整個高度為納米級，則第一電極234相對于第二電極236的面積擴(kuò)大小。所以，根據(jù)第一、第二電極234、236的導(dǎo)熱性的關(guān)系，可以使在第一電極234中的熱傳遞量比在第二電極236中的熱傳遞量小。5.3.電容器結(jié)構(gòu)的變形例
正如以上所述，分別對電容器230的第一、第二電極234、236說明了單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)，但是可以考慮維持電容器230的功能，同時使導(dǎo)熱性的關(guān)系為Gl < G2的其它的各種組合。首先，可以去除第二電極236的Ir層236C。這是因為，在這種情況下，只要使用例如Ir作為第二插頭2 的材料，則同樣地可以達(dá)到低電阻化的目的。這樣一來，由于第二電極236的導(dǎo)熱性G2比圖6的情況大，因而易于使其滿足Gl < G2的關(guān)系。并且，在這種情況下，第二電極236的Pt層236A被如圖6所示的限定L = λ /4的反射面所代替，但是同樣地可以確保多重反射面。其次，可以將圖6的第二電極236中的IrOx層236Β的厚度形成為與第一電極234 中的IrOx層234Β相同的厚度以下。這是因為，如上所述，從電容器230的下方和上方侵入的還原性抑制因素的阻隔性同時使用了其它的阻隔膜(第二層部件214、還原性氣體阻隔層Μ0、蝕刻終止膜兼還原氣體阻隔層140J80)，如果在第二插頭2 處的還原氣體阻隔性按照例如圖5那樣地得以提高，則就沒有必要使第二電極236中的IrOx層236B的厚度形成得比第一電極234中的IrOx層234B厚。這樣一來，第二電極236的導(dǎo)熱性G2就變得更大，從而就更易于使Gl < G2的關(guān)系成立。接著，可以去除圖6的第一電極234中的IrOx層234B。即使去除IrOx層234B，也不妨礙Ir層234A與Pt層234C的結(jié)晶連續(xù)性，因而在結(jié)晶取向上也不會有任何問題。由于去除IrOx層234B，則電容器230就會不具有針對從其下方侵入的還原性抑制因素的阻隔膜。但是，在支撐電容器230的支撐部件210中和在支撐部件210的下面分別存在有第二層部件214和蝕刻終止膜140，如果用具有還原氣體阻隔性的膜來形成第二層部件214和蝕刻終止膜140，則電容器230就可以確保對從其下方侵入的還原性抑制因素的阻隔性。在這里，如果去除第一電極234中的IrOx層234B，則第一電極234的導(dǎo)熱性Gl就會變大。所以，為了使Gl < G2的關(guān)系成立，就可能必須也使第二電極236的導(dǎo)熱性G2變大。在這種情況下，可以考慮去除例如第二電極236中的IrOx層236B。如果可以去除IrOx 層236B，則Ir層236C也就不需要了。這是因為Pt層236A代替Ir層236C作為低電阻層而起作用。對從電容器230的上方侵入的還原性抑制因素的阻隔性可以由上述的還原性氣體阻隔膜對0、圖4所示的阻隔金屬228A或者圖5的還原性氣體阻隔層290來確保。圖6的第二電極236在如上述那樣僅由Pt層236A形成了時，第一電極234可以采用Pt層234C的單層、Ir層234A和Pt層234C的雙層或者如圖6那樣Ir層234A、IrOx 層234B和Pt層234C的三層。在上述的任意一種情況下，例如只要使第一電極234的Pt 層234C的厚度T13比第二電極236的Pt層236A的厚度T23厚(T13 > T23)，則就可以使 Gl < G2的關(guān)系容易成立。如上所述，在本實施方式中，作為形成與第一、第二插頭226、2觀連接的部分的第一、第二電極234、236的材料(如果是單層，則為該單層電極材料；如果為多層，則為最上層的電極材料)，采用了鉬(Pt)或者銥(Ir)。在任何一種情況下，通過使用氮化鈦(TiN)或者氮化鋁鈦(TiAlN)作為第一、第二電極配線層222、224，可以使第一、第二電極配線層222、 224的熱傳導(dǎo)率比第一、第二電極234、236的熱傳導(dǎo)率低，進(jìn)而可以改善熱電型紅外線檢測器200的熱分離特性。6.由在電極面上的反射帶來的紅外線吸收效率的提高
圖7是將圖3的紅外線吸收膜270的配置區(qū)域放大后的變形例的截面圖。將使用圖7來說明在圖3和圖7的各實施方式中由在電極面上的反射帶來的紅外線吸收效率的提
尚ο從圖7的箭頭方向射入的紅外線的一部分被紅外線吸收膜270吸收而轉(zhuǎn)換為熱， 另一部分透過。此時，在圖3和圖7的各實施方式中，透過的紅外線在第二電極(上部電極)236的面上被反射而被返回到紅外線吸收膜270的中心側(cè)(圖7的Rl)。因而，透過的紅外線由于反射再次被賦予被紅外線吸收膜270所吸收的機(jī)會，因而紅外線吸收效率提高。在這里，紅外線的反射不僅在第二電極(上部電極)236上發(fā)生，而且在第二電極配線層2M上也發(fā)生(圖7的R1’)。然而，在第二電極(上部)電極236上被反射過來的紅外線與在第二電極配線層2M上被反射過來的紅外線在紅外線吸收膜270的層內(nèi)成為最大吸收的高度點不同。因此，紅外線吸收效率下降。如果不存在第二電極配線層224，則在第二電極(上部)236上被反射過來的紅外線吸收最大的高度點就為一定，但第二電極配線層2 是必須的。于是，通過如上述那樣將第二電極配線層2 的寬度W22變窄，可以抑制紅外線吸收效率的下降。在圖7的實施方式中，在與第一電極(下部電極)234被擴(kuò)大了的第二區(qū)域23 相對的位置上也配置有紅外線吸收膜270。這樣一來，不僅由于紅外線吸收膜270的體積增大而使被吸收的熱量增多，而且在第一電極(下部電極)234上也可以反射紅外線(圖7的 R2)，因而在紅外線吸收膜270上的吸收熱量被進(jìn)一步增大。此外，與紅外線在第一電極(下部電極)234上被反射同時，在第一電極配線層 222(在圖7中省略)上也被反射，雖然產(chǎn)生與第二電極同樣的問題，但通過如上述那樣將第一電極配線層222的寬度W12變窄，可以抑制紅外線吸收效率的下降。7.電子設(shè)備圖8示出了包括本實施方式的熱電型檢測器或熱電型檢測裝置的電子設(shè)備的構(gòu)成實例。該電子設(shè)備包括光學(xué)系統(tǒng)400、傳感器設(shè)備(熱電型檢測裝置)410、圖像處理部 420、處理部430、存儲部440、操作部450以及顯示部460。此外，本實施方式的電子設(shè)備不限于圖8的構(gòu)成，可以實施省略其構(gòu)成要素的一部分(例如光學(xué)系統(tǒng)、操作部、顯示部等) 或者追加其它的構(gòu)成要素等各種變形。光學(xué)系統(tǒng)400包括例如一個或者多個透鏡、驅(qū)動這些透鏡的驅(qū)動部等。進(jìn)而進(jìn)行向傳感器410的物體像的成像等。并且，如有必要，也進(jìn)行焦點調(diào)整等。傳感器設(shè)備410通過使上述的本實施方式的熱電型檢測器200 二維排列而構(gòu)成， 并設(shè)有多條行線(字線、掃描線)和多條列線(數(shù)據(jù)線)。傳感器設(shè)備410除了包括被二維排列的檢測器之外，還可以包括行選擇電路(行驅(qū)動器)、經(jīng)由列線讀取從檢測器發(fā)出的數(shù)據(jù)的讀取電路以及A/D轉(zhuǎn)換部等。通過依次讀取從二維排列的各檢測器發(fā)出的數(shù)據(jù)，可以進(jìn)行物體像的攝像處理。圖像處理部420根據(jù)從傳感器設(shè)備410發(fā)出的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)(像素數(shù)據(jù))，進(jìn)行圖像修正處理等各種圖像處理。處理部430進(jìn)行電子設(shè)備的整體控制或者進(jìn)行電子設(shè)備內(nèi)的各塊的控制。該處理部430由例如CPU等來實現(xiàn)。存儲部440是存儲各種信息的，作為例如處理部430或者圖像處理部420的工作區(qū)而起作用。操作部450是用于用戶操作電子設(shè)備的界面，由例如各種按鈕或者⑶I (Graphical User hterface (圖形用戶界面))畫面等來實現(xiàn)。顯示部460 顯示例如由傳感器設(shè)備410獲得的圖像或者GUI畫面等，可以由液晶顯示器或者有機(jī)EL顯示器等各種顯示器來實現(xiàn)。這樣，將每單元的熱電型檢測器用作紅外線傳感器等傳感器，除此之外，再通過將每單元的熱電型檢測器沿雙軸方向例如正交雙軸方向二維配置便可以構(gòu)成傳感器設(shè)備 410，從而就可以提供熱(光)分布圖像。使用該傳感器設(shè)備410便可以構(gòu)成熱像儀、車載用夜視或者監(jiān)視相機(jī)等電子設(shè)備。當(dāng)然，通過將每單元或者多單元的熱電型檢測器用作傳感器也可以構(gòu)成進(jìn)行物體的物理信息分析(測量)的分析設(shè)備(測量設(shè)備)、檢測火或者發(fā)熱的安全設(shè)備、設(shè)置在工廠等中的FA(Factory Automation(工廠自動化))設(shè)備等各種電子設(shè)備。圖9(A)示出了圖8的傳感器設(shè)備410的構(gòu)成示例。該傳感器設(shè)備包括傳感器陣列500、行選擇電路(行驅(qū)動器)510以及讀取電路520。并且可以包括A/D轉(zhuǎn)換部530、控制電路550。通過使用該傳感器設(shè)備，從而便可以實現(xiàn)用于諸如夜視設(shè)備等的紅外線照相機(jī)寸。在傳感器陣列500中，例如如圖2所示那樣沿雙軸方向排列(配置)多個傳感器單元。并且，可以設(shè)有多條行線(字線、掃描線)和多條列線(數(shù)據(jù)線)。此外，行線和列線中的其中之一的條數(shù)可以為一條。例如，在行線為一條時，在圖9(A)中，在沿行線的方向 (橫向)上排列多個傳感器單元。另一方面，在列線為一條時，在沿列線的方向(縱向)上排列多個傳感器單元。如圖9(B)所示，傳感器陣列500的各傳感器單元被配置(形成)在對應(yīng)于各行線與各列線的交叉位置的地方。例如圖9(B)的傳感器單元被配置在對應(yīng)于行線WLl與列線 DLl的交叉位置的地方。其它的傳感器單元也是同樣的。行選擇電路510與一條或者多條行線連接。進(jìn)而進(jìn)行各行線的選擇操作。如果采用例如圖9(B)這樣的QVGA(320X240像素) 的傳感器陣列500(焦點面陣列)為例，則就進(jìn)行依次選擇(掃描)行線Wi)、ffLl、ffL2…… WL239的操作。即，將選擇這些行線的信號(字選擇信號)輸出至傳感器陣列500。讀出電路520與一條或者多條列線連接。進(jìn)而進(jìn)行各列線的讀取操作。如果以 QVGA的傳感器陣列500為例，則進(jìn)行讀取從列線DLO、DL1、DL2、……DL319發(fā)出的檢測信號(檢測電流、檢測電荷)的操作。A/D轉(zhuǎn)換部530進(jìn)行將在讀取電路520中獲得的檢測電壓(測定電壓、到達(dá)電壓) A/D轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的處理。然后，輸出A/D轉(zhuǎn)換后的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)D0UT。具體而言，在A/D轉(zhuǎn)換部530中，與多條列線中的各列線相對應(yīng)地設(shè)置有各A/D轉(zhuǎn)換器。然后，各A/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行在所對應(yīng)的列線中通過讀取電路520取得的檢測電壓的A/D轉(zhuǎn)換處理。此外，也可以與多條列線對應(yīng)地設(shè)置一個A/D轉(zhuǎn)換器，使用該一個A/D轉(zhuǎn)換器來將多條列線的檢測電壓A/ D轉(zhuǎn)換為時分制?？刂齐娐?50 (定時生成電路)生成各種控制信號，再將其輸出至行選擇電路510、 讀取電路520、A/D轉(zhuǎn)換部530。生成并輸出例如充電或者放電(復(fù)位)的控制信號?；蛘?， 生成并輸出控制各電路的定時的信號。以上，雖然對幾種實施方式進(jìn)行了說明，但是，在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新事項和效果的前提下可以進(jìn)行多種變形，這一點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，是可以容易理解的。所以，這些變形例應(yīng)當(dāng)全部被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在說明書或者附圖中， 至少一次與更加廣義或者同義的不同術(shù)語一起記載的術(shù)語在說明書或者附圖中的任何地方都可以替換成該不同的術(shù)語。本發(fā)明可以廣泛地應(yīng)用于各種熱電型檢測器(例如熱電偶型元件(熱電堆)、熱電型元件、輻射熱測量計等)。不論所要檢測的光的波長如何。并且，熱電型檢測器、熱電型檢測裝置或者具有這些檢測器、檢測裝置的電子設(shè)備也可以適用于例如在所供給的熱量與流體所吸收的熱量均衡的條件下檢測流體的流量的流量傳感器等?？梢栽O(shè)置本發(fā)明的熱電型檢測器或者熱電型檢測裝置來代替設(shè)在該流量傳感器上的熱電偶?？梢栽O(shè)置本發(fā)明的熱電型檢測器或者熱電型檢測裝置來代替設(shè)在該流量傳感器上的熱電偶等，可以將光以外的對象作為檢測對象。符號說明100基部(固定部)102空穴部104支撐部(支柱)130、140還原氣體阻隔層(蝕刻終止膜)200熱電型檢測器210支撐部件211A 第一面211B 第二面212第一層部件214第二層部件216第三層部件220紅外線檢測元件(熱電型檢測元件)222、2M第一、第二電極配線層222A、224A 第一、第二連接部222B、224B第一、第二引出配線部2洸、2沘第一、第二插頭228A阻隔金屬230電容器232熱電體2；34第一電極234A取向控制層234B第一還原氣體阻隔層234C籽晶層234D緊貼層236第二電極236A取向匹配層236B第二還原氣體阻隔層236C低電阻化層240還原氣體阻隔層 250層間絕緣層260鈍化膜270光吸收部件(紅外線吸收體)280還原氣體阻隔層(蝕刻終止膜)290還原氣體阻隔層Dl第一方向D2第二方向
權(quán)利要求
1.一種熱電型檢測器，具有 熱電型檢測元件；支撐部件，所述支撐部件包括第一面和與所述第一面相對的第二面，所述第二面面對空穴部配置，在所述第一面上搭載所述熱電型檢測元件；以及所述熱電型檢測元件包括電容器，所述電容器包括搭載在所述支撐部件的上部并包括形成有熱電材料的第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸形成的第二區(qū)域的第一電極、形成在所述第一電極的第一區(qū)域的上部的所述熱電材料、以及形成在所述熱電材料的上部的第二電極；層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述電容器的表面并具有通到所述第一電極的所述第二區(qū)域的第一接觸孔和通到所述第二電極的第二接觸孔； 嵌入所述第一接觸孔的第一插頭； 嵌入所述第二接觸孔的第二插頭；形成在所述層間絕緣層和所述支撐部件的上部并與所述第一插頭連接的第一電極配線層；以及形成在所述層間絕緣層和所述支撐部件上面并與所述第二插頭連接的第二電極配線層，形成所述第二電極配線層的材料的熱傳導(dǎo)率比形成與所述第二插頭連接的部分的所述第二電極的材料的熱傳導(dǎo)率低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電型檢測器，其特征在于，形成所述第一電極配線層的材料的熱傳導(dǎo)率比形成與所述第一插頭連接的部分的所述第一電極的材料的熱傳導(dǎo)率低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述第一電極配線層和所述第二電極配線層中的至少之一含有氮化鈦或氮化鋁鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述第二電極的熱傳導(dǎo)性比所述第一電極的熱傳導(dǎo)性大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述熱電型檢測元件還包括光吸收部件，所述光吸收部件形成在光入射方向上所述第二電極和所述第二電極配線層的上游側(cè)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述光吸收部件形成為在從所述光入射方向看的俯視圖中覆蓋所述第二電極的整個所述第二電極形成為覆蓋所述熱電材料與所述第一電極接觸的面的相反面的整個面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述光吸收部件形成在在俯視圖中與所述第一電極的所述第一區(qū)域和所述第一電極的所述第二區(qū)域的至少一部分分別重疊的位置上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述第一電極配線層包括與所述第一插頭連接的第一連接部和從所述第一連接部引出且寬度比所述第一連接部小的第一引出配線部，所述第二電極配線層包括與所述第二插頭連接的第二連接部和從所述第二連接部引出且寬度比所述第二連接部小的第二引出配線部，所述第二引出配線部的寬度比所述第二接觸孔的橫截面的最大長度小。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱電型檢測器，其特征在于，所述第一引出配線部的寬度比所述第一接觸孔的橫截面的最大長度小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的熱電型檢測器，其特征在于，在所述層間絕緣層與所述電容器之間還具有還原氣體阻隔膜。
11.一種熱電型檢測裝置，其特征在于，沿雙軸方向二維配置權(quán)利要求1至10中任一項所述的熱電型檢測器而成。
12.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求1至10中任一項所述的熱電型檢測器。
13.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求11所述的熱電型檢測裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供了熱電型檢測器、熱電型檢測裝置和電子設(shè)備。搭載在面對空穴部而配置的支撐部件上部的熱電型檢測元件具有電容器以及層間絕緣層，電容器包括在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一電極的第一區(qū)域上部形成的熱電材料、以及形成在熱電材料上部的第二電極；層間絕緣層覆蓋電容器的表面并具有通到第一電極的第二區(qū)域的第一接觸孔以及通到第二電極的第二接觸孔。并且，在與嵌入到第一接觸孔的第一插頭連接的第一電極配線層和與嵌入到第二接觸孔的第二插頭連接的第二電極配線層中，第二電極配線層的熱傳導(dǎo)率比第二插頭部分的第二電極的熱傳導(dǎo)率低。
文檔編號G01J5/08GK102313602SQ20111017443
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月25日
發(fā)明者野田貴史 申請人:精工愛普生株式會社