專利名稱：一種重置多元素隧道磁阻的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種重置多元素隧道磁阻的方法及裝置，特別涉及一種能夠減少所需 重置脈沖磁場(chǎng)的重置多元素隧道磁阻的方法及裝置。
背景技術(shù)：
典型的磁性材料因?yàn)橐獪p少磁靜態(tài)能量會(huì)有彼此相鄰的多重磁疇結(jié)構(gòu)。多重磁疇 結(jié)構(gòu)在電流驅(qū)動(dòng)下的跳躍運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致巴克豪森(Bariihausen)跳躍和磁滯回線(hysterisis) 現(xiàn)象。因此由這些典型的軟磁材料做成的磁場(chǎng)傳感器在使用時(shí)信號(hào)往往出現(xiàn)巴克豪森跳躍 和磁滯回線行為，并由此限制了由通常軟磁性材料作為磁場(chǎng)傳感器的應(yīng)用范圍，盡管其對(duì) 磁場(chǎng)的敏感度要遠(yuǎn)高于霍爾傳感器。
要解決這個(gè)問題，根據(jù)專利文件1的技術(shù)方案，磁場(chǎng)傳感器由多元素隧道磁阻 (Magnetic Tunneling Junction,MTJ)組成，其中，通過選擇其磁自由層上每個(gè)磁感測(cè)元素 的尺寸，材料和方向，使其每個(gè)磁感測(cè)元素在設(shè)置的大于自由層磁感測(cè)元素的磁各向異性 場(chǎng)的脈沖磁場(chǎng)的作用下只有一個(gè)單磁疇。當(dāng)一個(gè)脈沖電流通過時(shí)，若由其產(chǎn)生的重置脈沖 磁場(chǎng)大于自由層磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)Hk時(shí)，隧道磁阻自由層的每個(gè)磁感測(cè)元素成為 單個(gè)磁疇。如圖1所示，每個(gè)磁感測(cè)元素的磁各向異性軸方向與設(shè)置脈沖電流平行，在重置 脈沖電流作用下，不論過去磁場(chǎng)的歷史如何，所有磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度都會(huì)沿設(shè)置脈沖 磁場(chǎng)的方向排列。當(dāng)脈沖電流去除時(shí)，磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度將逐漸倒向磁各向異性軸方 向。因瞬態(tài)磁化強(qiáng)度與磁各向異性軸成90度角，脈沖電流去除后的磁化強(qiáng)度會(huì)有一半沿脈 沖電流方向而另一半同等數(shù)目沿相反方向排列。該類多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器由多個(gè) 單磁疇元素組成，因此去除了產(chǎn)生巴克豪森跳轉(zhuǎn)的磁疇運(yùn)動(dòng)的根源，提供了一個(gè)沒有巴克 豪森跳躍和磁滯回線的磁場(chǎng)傳感器。
專利文件1 美國(guó)專利，專利號(hào)US7394248B1發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)有的技術(shù)方案要求每一個(gè)磁感測(cè)元素的磁各向異性軸的方向沿脈沖電流的方 向排列，重置脈沖電流創(chuàng)造出數(shù)額相同但方向相反的沿著其磁各向異性軸方向的若干單一 磁疇元素。這種技術(shù)方案需要滿足以下兩個(gè)要求
(1)磁疇元素?cái)?shù)量要足夠大，例如大于50，使每次重置后在統(tǒng)計(jì)意義上的重復(fù)性 足夠好；
(2)重置自由層的每個(gè)磁感測(cè)元素使其成為磁單疇所需要的重置脈沖磁場(chǎng)扎要大 于磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)Hk，即Hr > Hk。
本發(fā)明的目的在于提供一種重置多元素隧道磁阻的改進(jìn)方法及裝置，以消除磁場(chǎng) 傳感器在使用時(shí)的巴克豪森跳轉(zhuǎn)和磁滯回線，其無需規(guī)定磁感測(cè)元素的最少數(shù)量，使得磁 性傳感結(jié)構(gòu)可根據(jù)需求延伸縮??；且沿著磁各向異性軸方向重置每個(gè)磁感測(cè)元素到單磁籌 結(jié)構(gòu)所需要重置磁場(chǎng)扎只需大于磁各項(xiàng)異性場(chǎng)Hk的一半，即扎> Hk/2，其是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
一種可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其包括一個(gè)或一個(gè)以上的具 有多層堆疊結(jié)構(gòu)的磁感測(cè)元素，且每個(gè)磁感測(cè)元素有一個(gè)確定其首選磁化強(qiáng)度方向的磁各 向異性軸；一將每個(gè)磁感測(cè)元素的頂端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有頂端電極； 一將每個(gè)磁感測(cè)元素的底端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有底端電極；一施加脈沖 電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線，其提供的磁場(chǎng)強(qiáng)度值不小于磁感測(cè)元 素的磁各向異性場(chǎng)強(qiáng)度值的一半，該磁場(chǎng)方向不垂直于磁感測(cè)元素的磁各向異性軸。
其中，磁感測(cè)元素為具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的可產(chǎn)生磁致隧道磁阻 (MagnetoTunneling Junction, MTJ) ^giIPl (Magnetoresistance, GMR)雙@白勺^牛。
其中，磁感測(cè)元素特征平面長(zhǎng)寬比不小于1. 2。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有頂端電 極。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有底端電 極。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有頂 端電極上方，且與共有頂端電極間有一絕緣層。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有底 端電極下方，且與共有底端電極間有一絕緣層。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線所提供的磁場(chǎng) 方向平行于磁感測(cè)元素的磁各向異性軸。
一種重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其包括以下步驟
制造一個(gè)或一個(gè)以上的具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的磁感測(cè)元素，每個(gè)所述的磁感測(cè)元素 有一個(gè)確定其首選磁化強(qiáng)度方向的磁各向異性軸；
設(shè)置一將每個(gè)磁感測(cè)元素的頂端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有頂端電 極；
設(shè)置一將每個(gè)磁感測(cè)元素的底端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有底端電 極；
設(shè)置一施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線，其提供的磁 場(chǎng)強(qiáng)度值不小于磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)強(qiáng)度值的一半，該磁場(chǎng)方向不垂直于磁感測(cè)元 素的磁各向異性軸；
施加脈沖電流，在重置脈沖磁場(chǎng)作用下，絕大部份磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁 各向異性軸的一個(gè)方向排列，該方向與重置脈沖磁場(chǎng)所成的角度小于90度。
其中，磁感測(cè)元素為具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的可產(chǎn)生磁致隧道磁阻 (MagnetoTunneling Junction, MTJ) ^giIPl (Magnetoresistance, GMR)雙@白勺^牛。
其中，磁感測(cè)元素特征平面長(zhǎng)寬比不小于1. 2。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有頂端電 極。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有底端電 極。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有頂 端電極上方，且與共有頂端電極間有一絕緣層。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有底 端電極下方，且與共有底端電極間有一絕緣層。
其中，施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線所提供的磁場(chǎng) 方向平行于磁感測(cè)元素的磁各向異性軸。
本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于
(1)無需規(guī)定磁感測(cè)元素的最少數(shù)量，使得無磁滯回線的磁性傳感結(jié)構(gòu)可根據(jù)需 求延伸縮?。?br> (2)沿著磁各向異性軸方向重置每個(gè)磁感測(cè)元素到單磁疇結(jié)構(gòu)所需要重置磁場(chǎng)扎 只需大于磁各項(xiàng)異性場(chǎng)Hk的一半，即Hr > Hk/2 ；
(3)較小的重置脈沖磁場(chǎng)使控制提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線與磁感測(cè)元素間的距離 的成本降低，提高了制造過程利潤(rùn)率；
(4)較小的重置磁場(chǎng)只需較小規(guī)模的脈沖電流幅值，從而減小了電源消耗，因此當(dāng) 用于移動(dòng)設(shè)備時(shí)可改善傳感器的可靠性和壽命，因此也改善了系統(tǒng)的可靠性和壽命。


圖1為現(xiàn)有重置多元素隧道磁阻的方法原理圖2為實(shí)施例1的重置多元素隧道磁阻的方法原理圖3為圖2的沿A-A方向的截面圖4為實(shí)施例2的重置多元素隧道磁阻的方法原理圖5為圖4的沿B-B方向的截面圖6為實(shí)施例3的重置多元素隧道磁阻的方法原理圖；
圖7為圖6的沿C-C方向的截面圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
在實(shí)施例中的每個(gè)磁感測(cè)元素有一個(gè)確定其首選磁化強(qiáng)度方向的磁各向異性軸， 其特征平面長(zhǎng)寬比不小于1.2，且其為具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的可產(chǎn)生磁致隧道磁阻(Magneto Tunneling Junction, MTJ)或巨磁阻(Magnetoresistance，GMR)效應(yīng)的器件。
實(shí)施例1
如圖2，圖3所示，圖中，1、2、3、4為多個(gè)磁感測(cè)元素磁場(chǎng)傳感器的其中四個(gè)元素， Hkl、Hk2、Hk3、Hk4分別為它們的磁各向異性軸，Ir為脈沖電流，Hr為重置脈沖磁場(chǎng)。圖3為圖 2中沿A-A方向的截面圖，5為共有頂端電極，6為共有底端電極。在共有頂端電極5中施加 脈沖電流U其對(duì)磁感測(cè)元素所產(chǎn)生的重置脈沖磁場(chǎng)扎大于其磁各向異性場(chǎng)Hk —半，即Hf > Hk/2。在重置脈沖磁場(chǎng)^作用下，所有的磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁各向異性軸Hk的 一個(gè)方向排列。在該實(shí)施例中，磁感測(cè)元素的磁各向異性軸Hk平行于重置脈沖磁場(chǎng)民，圖2 中扎的方向?yàn)樽韵孪蛏?，因此在每次施加脈沖電流L后，所有的磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度都 是沿其磁各向異性軸Hk自下向上的方向排列的，且其為單磁疇結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了傳感器的多元素隧道磁阻的重置，消除了磁場(chǎng)傳感器在使用時(shí)的巴克豪森跳轉(zhuǎn)和磁滯回線。
實(shí)施例2
如圖4、圖5所示，圖中，1、2、3、4為磁場(chǎng)傳感器的磁感測(cè)元素，Hkl、Hk2、Hk3、Hk4分別 為它們的磁各向異性軸，Ir為脈沖電流，扎為重置脈沖磁場(chǎng)。圖5為圖4中沿B-B方向的截 面圖，5為共有頂端電極，6為共有底端電極。在共有頂端電極5中施加脈沖電流Iy其對(duì)磁 感測(cè)元素所產(chǎn)生的重置脈沖磁場(chǎng)^大于其磁各向異性場(chǎng)Hk—半的重置脈沖磁場(chǎng)民，即扎> Hk/2。磁各向異性場(chǎng)Hk與重置脈沖磁場(chǎng)成小于90度的夾角。在重置脈沖磁場(chǎng)^作用下， 每個(gè)磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁各向異性軸Hk的一個(gè)方向排列。在該實(shí)施例中，民在圖 4中的方向?yàn)樽陨舷蛳拢虼嗽诿看问┘用}沖電流L后，所有的磁感測(cè)元素都是沿其磁各向 異性軸Hk偏向下的方向排列的，且其為單磁疇結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了傳感器的多元素隧道磁阻的重 置，消除了磁場(chǎng)傳感器在使用時(shí)的巴克豪森跳轉(zhuǎn)和磁滯回線。
實(shí)施例3
在本發(fā)明中，磁感測(cè)元素的磁各向異性軸可以是平行的，也可以是不平行的。如 6、圖7所示，圖中，1、2、3、4為磁場(chǎng)傳感器的磁感測(cè)元素，Hkl、Hk2、Hk3、Hk4分別為它們的磁各 向異性軸，L為脈沖電流，Hr為重置脈沖磁場(chǎng)。圖7為圖6中沿C-C方向的截面圖，5為共 有頂端電極，6為共有底端電極，7為絕緣層，8為施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重 置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線。在施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線8中施 加脈沖電流U其對(duì)磁感測(cè)元素產(chǎn)生一強(qiáng)度值大于其磁各向異性場(chǎng)Hk—半的重置脈沖磁場(chǎng) Hr,即扎> Hk/2。在重置脈沖磁場(chǎng)扎作用后，每個(gè)磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁各向異性軸 Hk的一個(gè)方向排列。在每次施加脈沖電流^后，絕大部分的磁感測(cè)元素都是沿其磁各向異 性軸Hk偏向上的方向排列的，且其為單磁疇結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了傳感器的多元素隧道磁阻的重置， 消除了磁場(chǎng)傳感器在使用時(shí)的巴克豪森跳轉(zhuǎn)和磁滯回線。
以上實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于此。在不背離本發(fā)明的原理和 權(quán)利要求的情況下，本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行一定的組合變換，如施加脈 沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線可以設(shè)置于共有底端電極下方，磁感 測(cè)元素的特征平面可以為橢圓或其它形狀，或者將磁感測(cè)元素的個(gè)數(shù)進(jìn)行增加或者減少 等。因此，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式做本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明的揭 露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其包括，一個(gè)或一個(gè)以上的具有 多層堆疊結(jié)構(gòu)的磁感測(cè)元素，且每個(gè)磁感測(cè)元素有一個(gè)確定其首選磁化強(qiáng)度方向的磁各向 異性軸；一將每個(gè)磁感測(cè)元素的頂端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有頂端電極；一 將每個(gè)磁感測(cè)元素的底端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有底端電極；其特征在于，其 還包括一施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線，其提供的磁場(chǎng)強(qiáng) 度值不小于磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)強(qiáng)度值的一半，該磁場(chǎng)方向不垂直于磁感測(cè)元素的 磁各向異性軸。
2.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述磁感測(cè)元素為具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的可產(chǎn)生磁致隧道磁阻(MagnetoTurmeling Junction, MTJ)或巨磁阻(Magnetoresistance，GMR)效應(yīng)的器件。
3.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述磁感測(cè)元素特征平面長(zhǎng)寬比不小于1. 2。
4.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有頂端電極。
5.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有底端電極。
6.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有頂端電極上方， 且與共有頂端電極間有一絕緣層。
7.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有底端電極下方， 且與共有底端電極間有一絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線所提供的磁場(chǎng)方向平行于 磁感測(cè)元素的磁各向異性軸。
9.一種重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其包括以下步驟制造一個(gè)或一個(gè)以上的具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的磁感測(cè)元素，每個(gè)所述的磁感測(cè)元素有一 個(gè)確定其首選磁化強(qiáng)度方向的磁各向異性軸；設(shè)置一將每個(gè)磁感測(cè)元素的頂端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有頂端電極；設(shè)置一將每個(gè)磁感測(cè)元素的底端電極連接在一起的導(dǎo)線，該導(dǎo)線為共有底端電極；其特征在于，其還包括以下步驟；設(shè)置一施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線，其提供的磁場(chǎng)強(qiáng) 度值不小于磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)強(qiáng)度值的一半，該磁場(chǎng)方向不垂直于磁感測(cè)元素的 磁各向異性軸；施加脈沖電流，在重置脈沖磁場(chǎng)作用下，絕大部分的磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁各 向異性軸的一個(gè)方向排列，該方向與重置脈沖磁場(chǎng)所成的角度小于90度。
10.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所 述磁感測(cè)元素為具有多層堆疊結(jié)構(gòu)的可產(chǎn)生磁致隧道磁阻(MagnetoTurmeling Junction, MTJ)或巨磁阻(Magnetoresistance，GMR)效應(yīng)的器件。
11.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所述 磁感測(cè)元素特征平面長(zhǎng)寬比不小于1. 2。
12.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所述 施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有頂端電極。
13.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所述 施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線為共有底端電極。
14.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所述 施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有頂端電極上方，且 與共有頂端電極間有一絕緣層。
15.如權(quán)利要求9所述的重置磁場(chǎng)傳感器的多元素隧道磁阻的方法，其特征在于，所述 施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線設(shè)置于共有底端電極下方，且 與共有底端電極間有一絕緣層。
16.如權(quán)利要求9所述的可以重置多元素隧道磁阻的磁場(chǎng)傳感器裝置，其特征在于，所 述施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線所提供的磁場(chǎng)方向平行于 磁感測(cè)元素的磁各向異性軸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種重置多元素隧道磁阻的方法及裝置，通過一施加脈沖電流時(shí)可以對(duì)磁感測(cè)元素提供重置脈沖磁場(chǎng)的導(dǎo)線，對(duì)磁感測(cè)元素施加脈沖電流，其提供的磁場(chǎng)強(qiáng)度值不小于每一個(gè)磁感測(cè)元素的磁各向異性場(chǎng)強(qiáng)度值的一半，該磁場(chǎng)方向不垂直于磁感測(cè)元素的磁各向異性軸，在重置脈沖磁場(chǎng)作用下，絕大部分磁感測(cè)元素的磁化強(qiáng)度沿其磁各向異性軸的一個(gè)方向排列，該方向與重置脈沖磁場(chǎng)所成的角度小于90度。該重置多元素隧道磁阻的方法及裝置，實(shí)現(xiàn)了傳感器的多元素隧道磁阻的重置，消除了磁場(chǎng)傳感器在使用時(shí)的磁滯回線。
文檔編號(hào)G01R33/09GK102033213SQ20091019662
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者嚴(yán)曉 申請(qǐng)人:余維