專利名稱：用于基板處理噴灑頭的可重置多區(qū)氣體輸送設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及例如利用在半導(dǎo)體過程腔室中的氣體分配噴灑頭組件。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體基板的處理過程中，半導(dǎo)體制造過程使用提供至過程腔室的廣泛種類的氣體。大多數(shù)的過程腔室使用“噴灑頭(showerhead) ”型的氣體分配組件，以將過程氣體提供至半導(dǎo)體過程腔室中(例如蝕刻腔室或是沉積腔室)。噴灑頭可具有多種配置，例如提供氣體至過程腔室的一個區(qū)或是多個區(qū)。此種配置通常是固定的，且配置用以采一種方式(例如，一個區(qū))提供氣體的噴灑頭可能無法用于采另一方式(例如，二個區(qū))提供氣體。本發(fā)明提供一種可配置的(configurable)噴灑頭，其如期望地提供氣體至過程腔室的一個區(qū)或是多個區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及用于在基板處理(例如在電子組件的制造中)的過程腔室中的可重置(reconfigurable)噴灑頭?？芍刂玫膰姙㈩^有利地提供在單一、可重置噴灑頭中的多個獨立區(qū)的配置，其用于提供過程氣體至過程腔室。可重置的噴灑頭因而提供可自定的(customizable)氣體分配設(shè)備，其可有利地用于取代多個傳統(tǒng)的非可自定的噴灑頭。無論區(qū)的配置，可重置的噴灑頭可進(jìn)一步有利地在噴灑頭中提供跨越各區(qū)的均氣體分配。在一些實施例中，該可重置的噴灑頭包括主體，具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部(plenum);以及一或多個插入件(insert),配置而設(shè)置在該一或多個充氣部內(nèi)。在一些實施例中，插入件將該充氣部區(qū)分為多個區(qū)。在一些實施例中，插入件提供各區(qū)內(nèi)氣體的均一分配。在一些實施例中，一種可重置的噴灑頭可包括主體，具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部；以及一或多個插入件，配置而設(shè)置在該一或多個充氣部內(nèi)，其中該一或多個插入件將該可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。在一些實施例中，一種基板處理系統(tǒng)可包括過程腔室，具有連接至氣體供應(yīng)器的可重置的噴灑頭，用以提供一或多種過程氣體至該過程腔室，該可重置的噴灑頭包括主體，該主體具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部以及配置以設(shè)置在該一或多個充氣部中的一或多個插入件，其中該一或多個插入件將該可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。在一些實施例中，一種配置可重置的噴灑頭的方法可包括提供主體，該主體具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部、配置以允許將來自氣體供應(yīng)器的氣體流至該一或多個充氣部的多個通道、以及將該一或多個充氣部連接至該可重置的噴灑頭的面向基板表面的多個導(dǎo)管；以及將一或多個插入件插入該一或多個充氣部中，以將該可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。


所以，上述簡介的本發(fā)明特征可參考對本發(fā)明更具體描述的實施例進(jìn)一步理解和敘述，一些實施例示出于附圖中。然而要指出的是，附圖僅說明本發(fā)明的典型實施例，因此不應(yīng)被視為其范圍的限制，本發(fā)明也適用于其它具有同等功效的實施例。圖I示出過程腔室，其具有根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭的概要部分剖面視圖。圖3示出插入件用于根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭的概要側(cè)視圖。圖4A-D示出根據(jù) 本發(fā)明的實施例而由各插入件所提供的回歸(recursive)流動路徑的各種實施例。圖5A-D示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的可重置噴灑頭的各種配置。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭的剖面、部分立體視圖。圖7概要示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的噴灑頭的面板的部分立體視圖，其顯示多種氣體分配孔洞的配置。圖8概要示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的噴灑頭的主體的面向基板側(cè)的部分立體視圖，其顯示凹部及導(dǎo)管的配置。為了便于理解，已經(jīng)在可能的情況下，使用相同的附圖標(biāo)記表示各圖中相同的組件。附圖沒有依比例繪制且為了清晰起見而簡化。意即，在一個實施例中所揭示的組件也可有利地用于其它實施例而無需特別指明。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例涉及用于在基板處理(例如在電子組件的制造中)的過程腔室中的可重置(reconfigurable)噴灑頭?？芍刂玫膰姙㈩^有利地提供多個獨立區(qū)的配置,其用于提供過程氣體至具有單一、可重置噴灑頭的過程腔室?？芍刂玫膰姙㈩^因而提供可自定的(customizable)氣體分配設(shè)備，其可有利地用于取代多個傳統(tǒng)的非可自定的噴灑頭。無論區(qū)的配置，可重置的噴灑頭可進(jìn)一步有利地在噴灑頭中提供跨越各區(qū)的均氣體分配。圖I示出示例性設(shè)備101，其包括過程腔室102，而該過程腔室102具有根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭100。適于使用本發(fā)明的可重置噴灑頭的示例性過程腔室可包括購自加州圣大克勞拉市的應(yīng)用材料股份有限公司的DPS 、ENABLER 、ADVANTEDGE 、或是其他過程腔室。可預(yù)期的是，使用噴灑頭或是類似氣體分配設(shè)備的其他過程腔室可受益于此處所揭露的本發(fā)明的方法。過程腔室102具有內(nèi)部容積105，該內(nèi)部容積105包括過程容積104。過程容積104可例如界定于在過程中用于支撐基板110的基板支撐件108以及一或多種氣體入口(例如噴灑頭100及/或提供在期望位置的噴嘴)之間。在一些實施例中，基板支撐件108可包括將基板110保持或支撐在基板支撐件108表面上的構(gòu)件，例如靜電吸座、真空吸座、基板保持夾鉗件或類似者(圖中未示)。在一些實施例中，基板支撐件108可包括用于控制基板溫度的構(gòu)件(例如加熱及/或冷卻裝置，圖中未示)及/或用于控制接近基板表面的物種流(species flux)及/或離子能量的構(gòu)件。在一些實施例中，基板支撐件108可包括RF偏壓電極140，該RF偏壓電極140通過一或多個各自的匹配網(wǎng)絡(luò)(如圖所示的匹配網(wǎng)絡(luò)136)而連接至一或多個偏壓功率源(如圖所示的一個偏壓功率源138)。一或多個偏壓功率源在頻率約2MHz、或約13. 56MHz或約60MHz下而能夠產(chǎn)生高達(dá)3000W。在一些實施例中，兩個偏壓功率源可以在頻率約2MHz及約13. 56MHz下提供。至少一個偏壓功率源可提供連續(xù)或是脈沖功率。在一些實施例中，偏壓功率源可以是DC或脈沖DC來源。過程腔室102的壁中提供開口 112，以利于基板110的進(jìn)出。開口 112可通過狹縫閥118或是其他構(gòu)件而選擇性地密封，以選擇性地提供通過開口 112進(jìn)入腔室內(nèi)部的入口?；逯渭?08可連接至升舉構(gòu)件134，該升舉構(gòu)件134可控制基板支撐件108在適于通過開口 112傳送基板進(jìn)出腔室的下方位置(如圖所示)以及適于進(jìn)行過程的可選擇的上方位置之間的位置。過程位置可經(jīng)選擇以針對特定過程而使過程均一性最大化。當(dāng)在升高的過程位置的至少其中的一者時，基板支撐件108可以設(shè)置在開口 112上方以提供對稱的過程區(qū)域。噴灑頭100可以連接至氣體供應(yīng)器116，以提供一或多種過程氣體進(jìn)入過程腔室102的過程容積104內(nèi)。可以在過程腔室102的頂壁或是側(cè)壁中，或是適于如期望地提供氣體至過程腔室102的其他位置處(例如過程腔室的基部、基板支撐底座的周圍或類似者) 提供額外的氣體入口(例如噴嘴或是入口)。在一些實施例中，該設(shè)備可利用電容連接RF功率，而將其提供至接近過程腔室102的上方部分的上方電極。舉例來說，該上方電極可以為至少部分通過頂壁142、噴灑頭100或類似者的一或多者所形成，并由適合的傳導(dǎo)性物質(zhì)所制成的導(dǎo)體。一或多個RF功率源(圖I所示的一個RF功率源148)可以通過一或多個各自的匹配網(wǎng)絡(luò)(圖I所示的匹配網(wǎng)絡(luò)146)而通過導(dǎo)體144連接至上方電極。一或多個等離子體源能夠在頻率約60MHz及/或約162MHz下產(chǎn)生例如高達(dá)5000W。在一些實施例中，兩個RF功率源可以通過各自的匹配網(wǎng)絡(luò)而連接至上方電極，用以在頻率約60MHz及約162MHz下產(chǎn)生RF功率。在一些實施例中，兩個RF功率源可以通過各自的匹配網(wǎng)絡(luò)連接至上方電極，以在頻率約40MHz及約IOOMHz下產(chǎn)生RF功率。在下方更詳細(xì)地描述噴灑頭100的實施例。舉例來說，圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的噴灑頭100的概要部分剖面視圖。如圖2所示，在一些實施例中，噴灑頭100可包括主體201，該主體201具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部208(圖6概要地示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的可重置噴灑頭100的部分剖面立體視圖)。充氣部208連接至氣體供應(yīng)器116，該氣體供應(yīng)器116可提供一或多種氣體或氣體混合物至噴灑頭100。提供多個導(dǎo)管210以連接充氣部208至主體201的面向基板側(cè)205。面板206可設(shè)置而鄰近主體201的面向基板側(cè)205，并可包括相應(yīng)于多個導(dǎo)管210的多個孔洞212 (圖7概要示出面板206的部分立體視圖，其顯示根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的多個孔洞212的概要配置)。在一些實施例中，可在主體201的面向基板側(cè)205中(或是在面板206中，或是部分地在主體與面板二者中)提供凹部214，以將多個孔洞212連接至單獨的一個導(dǎo)管210 (圖8概要示出主體201的面向基板側(cè)205的部分立體視圖，其顯示根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的凹部214及導(dǎo)管210的概要配置)。在一些實施例中，面板206可結(jié)合至主體201的面向基板側(cè)。在一些實施例中，主體201可包括第一板202及第二板204，其可通過適合的緊固件(例如螺栓、夾鉗件或其類似者)而可移除地連接在一起。充氣部208可以通過形成在第一板202或第二板204或是兩者中的凹部而形成。在圖2所示的實施例中，所示的充氣部208形成在第二板204中。密封件216 (例如O型環(huán)、墊圈或其類似者)可以提供在第一板202與第二板204之間而鄰近充氣部208，或是在期望的別處以限制或預(yù)防過程氣體泄漏。此雙板設(shè)計有利地促進(jìn)噴灑頭100的維護(hù)、重置及清潔的容易性。如上所提出，充氣部208連接至氣體供應(yīng)器116，而氣體供應(yīng)器116可提供一或多種氣體或氣體混合物至噴灑頭100。舉例來說，多個通道218可提供在主體201中(或是在第一板202中，如圖2所示)，以將氣體 供應(yīng)器116連接至充氣部208。氣體供應(yīng)器116可以通過通道218而獨立地提供一或多種氣體或氣體混合物至各個充氣部。因此，過程氣體可以采獨立的流動速率及組成而提供至各個充氣部208。如圖2所示，各個充氣部208可通過多個通道218而連接至氣體源。由此，各個充氣部208能夠獨立地接收一或多種氣體或氣體混合物。可在各個充氣部208中提供插入件(insert) 220。在一些實施例中，插入件220可以有利地將充氣部208區(qū)分為二或多個充氣部。舉例來說，圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的插入件220的概要側(cè)視圖。插入件220包括密封件302(例如O型環(huán)或類似者)以隔離連接至氣體源116的各個通道218。如圖3所示，在充氣部208中提供兩個通道218，且各個通道218由密封件302所隔離。通過隔離通道218，則氣體源116可有利地提供獨立的氣體組成或流動速率至共同的充氣部208，而不會在共同的充氣部208內(nèi)混合。在一些實施例中，可在插入件220與充氣部208的壁之間提供一或多個密封件304，以將充氣部208區(qū)分為二或多個區(qū)。雖然圖中示出在插入件220的下方表面上(在圖的參照框中)設(shè)置有一個密封件304，亦可如期望地在插入件的上方表面上提供額外的密封件304。在一些實施例中，可以通過插入件220提供獨立流動路徑306 (如圖3所示的306A及306B)，以維持氣體組成或流動速率的獨立性。獨立的流動路徑一般設(shè)置在各自的通道218，以及密封件304與插入件220所產(chǎn)生的充氣部208的特定區(qū)之間。由此，插入件220可產(chǎn)生多個區(qū)，并有利于提供獨立的氣體組成或流動速率至這些區(qū)，即使這些區(qū)設(shè)置在相同的充氣部內(nèi)。在一些實施例中，插入件220可包括主體308及覆蓋件(cap)310。部分的獨立流動路徑306可以配置在主體308中，而獨立流動路徑306的其他部分配置穿過覆蓋件310。舉例來說，如圖3所示，流動路徑312A、312B配置在主體308中，而流動路徑314A、314B則配置在覆蓋件310中。在一些實施例中，插入件220可有利地通過導(dǎo)管210提供離開充氣部208的更均一的過程氣體分配。舉例來說，圖4A-D示出回歸(recursive)流動路徑的各種實施例,而該流動路徑通過根據(jù)本發(fā)明的實施例的插入件所提供。如圖4A所示，各個流動路徑306A、306B可以由單一入口(例如入口 402A、402B)擴(kuò)展至充氣部208中的多個出口(例如出口 404A、404B)。在一些實施例中，流動路徑306A、306B可以回歸地通過多個通道而擴(kuò)展至多個出口。在一些實施例中，多個通道可具有實質(zhì)相同的傳導(dǎo)性(conductance)。在此所使用的詞“實質(zhì)相等”或是“實質(zhì)相同”意指彼此在約10%的范圍內(nèi)。如上所界定的詞“實質(zhì)相等”或是“實質(zhì)相同”可用于描述本發(fā)明的其他方面，例如導(dǎo)管(或通道)長度、流動長度、剖面面積或類似者。
在一些實施例中，多個通道可具有實質(zhì)相同的流動長度。在一些實施例中，多個通道可沿著等同的方位而具有實質(zhì)相同的剖面面積(例如沿著各個信道的長度會改變剖面面積，但各個信道會以實質(zhì)相同方式改變)。在一些實施例中，多個通道可以沿著插入件而對稱地配置。圖4B示出具有單一流動路徑306的插入件220，該流動路徑306回歸地由單一入口擴(kuò)展至多個出口。圖4C-D概要地示出在不同尺寸充氣部208中使用的不同尺寸的插入件。舉例來說，噴灑頭配置有內(nèi)部充氣部與外部充氣部，這些充氣部具有不同的徑向?qū)挾?，可提供適當(dāng)尺寸的插入件以供各個充氣部使用。在一些實施例中，插入件220可提供更均一的氣體分配和充氣部區(qū)分。舉例來說，參見圖2及圖6所示的充氣部208?？芍刂玫膰姙㈩^100可以視特定過程所期望而利用不同配置的插入件來組合。因此，可重置的噴灑頭100可用于廣泛的過程，否則針對各個過程會需要不同的噴灑頭。由于每一個噴灑頭皆相當(dāng)?shù)陌嘿F，因此可重置的噴灑頭100有利地節(jié)省花費，并使客戶擁有更廣泛的過程選擇，否則客戶將無法負(fù)擔(dān)或是寧愿不要支付配置用于不同過程的一系列噴灑頭。 舉例來說，圖5A-D示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的可重置噴灑頭的多種配置。如圖5A-D所示，提供有兩個充氣部的可重置噴灑頭100可以概要配置為二區(qū)、三區(qū)或四區(qū)噴灑頭。舉例來說，圖5A示出通過插入件220A、220B而將各個充氣部208區(qū)分為二區(qū)。圖5B示出內(nèi)部充氣部208 (在圖5A-D的右方)通過插入件220B而區(qū)分為二區(qū)，而插入件220A并未區(qū)分外部充氣部208(在圖5A-D的左方)。在此實施例中，提供密封件(如圖所示)以隔離任何未使用的通道218。二者擇一或者是組合二者，可以提供其他方式以終止氣體流經(jīng)未使用的通道218，例如罩蓋、閥、將流量控制器設(shè)定至零(或關(guān)閉)或其類似者。圖5C示出圖5B的相反例，其中外部充氣部208通過插入件220A而區(qū)分為二區(qū)，但插入件220B并未區(qū)分內(nèi)部充氣部208。圖示出所有的充氣部并未被插入件所區(qū)分的配置。因此，操作各個充氣部208與插入件220，并組合連接至氣體供應(yīng)器116的通道數(shù)目，以及導(dǎo)引至主體201的面向基板側(cè)的導(dǎo)管210數(shù)目，以選擇性且可反轉(zhuǎn)地將噴灑頭100配置為期望的區(qū)數(shù)。插入件可以進(jìn)一步提供氣體在各區(qū)內(nèi)更均一的分配，如上所討論者。此種配置選擇有利地使得能夠針對特定過程而如期望地使用不同的區(qū)配置，而不需付出購買多個噴灑頭的代價。舉例來說，在部分過程中，基板邊緣臨界尺寸(CD)的非均一性無法利用基板支撐件上的過程套件來修正。通過重新配置噴灑頭以提供鄰近基板邊緣的額外區(qū)，則可提供獨立的氣體至基板的邊緣，以利于控制接近基板邊緣的CD均一性。在另一實例中，在部分過程中，接近基板中央的蝕刻率非均一性可以通過重新配置噴灑頭而改善，其提供接近基板中央的額外區(qū)，以提供獨立氣體至基板中央，而利于控制接近基板中央的蝕刻率均一性。往回參照圖I,排氣系統(tǒng)120—般包括抽氣空間(pumping plenum) 124,以及多個導(dǎo)管，這些導(dǎo)管將抽氣空間124連接至過程腔室102的內(nèi)部容積105 (且一般連接至過程容積104)。各個導(dǎo)管具有連接至內(nèi)部容積105的入口 122 (或在一些實施例中為排氣容積106)，以及流體連接至抽氣空間124的出口(圖中未示)。舉例來說，各個導(dǎo)管具有設(shè)置在過程腔室102的側(cè)壁或地板的下方區(qū)域中的入口 122。在一些實施例中，入口彼此為實質(zhì)等間距設(shè)置。
真空泵128可通過抽氣口 126而連接至抽氣空間124，用以將過程腔室102的廢氣抽吸出。真空泵128可流體連接至排氣出口 132，用以視需要而將廢氣按規(guī)定路線運送至適當(dāng)?shù)膹U氣處理設(shè)備。閥130(例如閘閥或類似者)可設(shè)置在抽氣空間124中，以結(jié)合真空泵128的操作而有利于控制廢氣的流動速率。雖然圖中示出z方向運動閘閥(z-motion gatevalve)，但可使用任何適合且與過程兼容而用于控制廢氣流動的閥在一些實施例中，排氣系統(tǒng)120可有利于使來自過程腔室102的內(nèi)部容積105的廢氣的均一流動。舉例來說，排氣系統(tǒng)120可以提供至少一種關(guān)于基板支撐件108而為方位角地(azimuthally)(或是對稱地)的減少的流動阻抗(flow resistance)變異(例如，實質(zhì)相同的流動阻抗)，或是廢氣流動至泵的實質(zhì)相同的滯留時間。因此，在一些實施例中，多個導(dǎo)管可具有實質(zhì)相同的傳導(dǎo)性。在一些實施例中，多個導(dǎo)管具有高傳導(dǎo)性，或是相較于抽氣速度而具有高傳導(dǎo)性。在一些實施例中，多個導(dǎo)管可具有實質(zhì)相同的流動長度。在一些實施例中，多個導(dǎo)管可沿著相同的方位而具有實質(zhì)相同的剖面面積(例如沿著各個導(dǎo)管的長度會改變剖面面積，但各個導(dǎo)管會以實質(zhì)相同方式改變)。在一些實施例中，多個導(dǎo)管可以沿著過程腔室而對稱地配置。在一些實施例中，多個導(dǎo)管可以沿著通過抽氣口 126以及過程腔室102的基板支撐件108的垂直平面而對稱地配置。可提供有控制器150以利于控制過程腔室102。控制器150可以為通用計算機(jī)處理器的任何形式的一者，其可用于工業(yè)設(shè)定而控制各種腔室及次處理器。CPU 152的內(nèi)存(或是計算機(jī)可讀取媒體)156可以為容易取得的內(nèi)存的一或多者，例如隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤或任何其他形式的數(shù)字儲存器，無論本地或是遠(yuǎn)程的。支持電路154可以連接至CPU 152，而采傳統(tǒng)方式支持處理器。這些電路包括高速緩存(cache)、電源供應(yīng)、時鐘電路、輸入/輸出電路系統(tǒng)以及子系統(tǒng)，及其類似者。因此，本發(fā)明提供用于過程腔室中而進(jìn)行基板過程(例如電子組件的制造)的可重置噴灑頭。可重置噴灑頭有利地提供在單一、可重置噴灑頭中的多個獨立區(qū)的配置，其用于提供過程氣體至過程腔室?？芍刂玫膰姙㈩^因而提供可自定的氣體分配設(shè)備，其可有利地用于取代多個傳統(tǒng)的非可自定的噴灑頭。無論區(qū)的配置，可重置的噴灑頭可進(jìn)一步有利地在噴灑頭中提供跨越各區(qū)的均一氣體分配。雖然前文針對本發(fā)明的實施例，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計本發(fā)明的其它及另外實施例。
權(quán)利要求
1.一種可重置的噴灑頭，包括 主體，其具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部；以及 一或多個插入件，其配置而設(shè)置在所述一或多個充氣部內(nèi)，其中，所述一或多個插入件將所述可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可重置的噴灑頭，其中，所述主體包括第一板，所述第一板可移除地連接至第二板，且其中，所述第一板與所述第二板的至少一者包括形成于其中的一或多個凹部，用以形成所述一或多個充氣部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可重置的噴灑頭，其中，所述主體還包括形成于其中的多個信道，其中，這些信道配置以允許來自氣體供應(yīng)器的氣體流至所述一或多個充氣部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的可重置的噴灑頭，其中，所述主體還包括多個導(dǎo)管，這些導(dǎo)管將所述一或多個充氣部連接至所述可重置的噴灑頭的面向基板表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可重置的噴灑頭，還包括 面板，其設(shè)置而鄰近所述主體的面向基板側(cè)，其中，所述面板包括多個孔洞，這些孔洞與這些導(dǎo)管對應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可重置的噴灑頭，還包括 凹部，其形成在所述面板或是所述面向基板側(cè)的主體的至少其中的一者中，其中，所述凹部連接于這些導(dǎo)管的一個導(dǎo)管與這些孔洞的至少一個之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的可重置的噴灑頭，其中，所述一或多個插入件包括形成于其中的一或多個流動路徑，以允許氣體流經(jīng)其中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可重置的噴灑頭，其中，所述一或多個插入件還包括主體部及覆蓋件，其中，所述一或多個流動路徑的第一部分形成于所述主體部中，且所述一或多個流動路徑的第二部分形成于所述覆蓋件中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可重置的噴灑頭，還包括 一或多個密封件，設(shè)置在所述一或多個插入件與所述一或多個充氣部的壁之間，以將所述一或多個充氣部分割為二或多個區(qū)，其中，所述二或多個區(qū)的各者包括至少一個所述一或多個流動路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可重置的噴灑頭，其中所述一或多個流動路徑的各者在所述一或多個充氣部中，通過多個通道而從入口回歸地擴(kuò)展至多個出口。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可重置的噴灑頭，其中這些通道各個具有實質(zhì)相同的流導(dǎo)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可重置的噴灑頭，其中這些通道各個具有實質(zhì)相同的流動長度。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可重置的噴灑頭，其中這些通道各個沿著相等的位置而具有實質(zhì)相同的剖面面積。
14.一種基板處理系統(tǒng),包括 過程腔室，其具有連接至氣體供應(yīng)器的可重置的噴灑頭，用以提供一或多種過程氣體至所述過程腔室，所述可重置的噴灑頭如權(quán)利要求I至腔13中任一項所述。
15.一種配置可重置的噴灑頭的方法，包括 提供主體，所述主體具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部、配置以允許將來自氣體供應(yīng)器的氣體流至所述一或多個充氣部的多個通道、以及將所述一 或多個充氣部連接至所述可重置的噴灑頭的面向基板表面的多個導(dǎo)管；以及將一或多個插入件插入所述一或多個充氣部中，以將所述可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供在過程腔室中使用的可重置的噴灑頭。在一些實施例中，一種可重置的噴灑頭可包括主體，具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部；以及一或多個插入件，配置而設(shè)置在一或多個充氣部內(nèi)，其中一或多個插入件將可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。在一些實施例中，一種基板處理系統(tǒng)可包括過程腔室，具有連接至氣體供應(yīng)器的可重置的噴灑頭，用以提供一或多種過程氣體至過程腔室，可重置的噴灑頭包括主體，該主體具有設(shè)置在其中的一或多個充氣部以及配置以設(shè)置在一或多個充氣部中的一或多個插入件，其中該一或多個插入件將可重置的噴灑頭區(qū)分為多個區(qū)。
文檔編號H01L21/205GK102640262SQ201080055127
公開日2012年8月15日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者漢密第·諾巴卡施, 詹姆斯·D·卡達(dá)希 申請人:應(yīng)用材料公司