專利名稱：用于電流測量的磁阻傳感器布置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對導(dǎo)體中的電流進(jìn)行測量的、包括至少一個(gè)磁阻傳感器的傳 感器單元，還涉及這樣的傳感器單元的用法，以及涉及使用這樣的傳感器單元測量電流的 方法。
背景技術(shù)：
對高電流峰值之上或之后的小電流信號進(jìn)行測量是有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)任務(wù)。通常使 用以下三種不同類型的測量技術(shù)來解決該問題1)第一測量原理是基于將附加電阻(所謂的分流電阻器)集成到電路中，以使得 待測量的電流(主電流)流經(jīng)該附加電阻。然后，從該附加電阻兩端的壓降直接獲得電流。然而，存在與該測量技術(shù)相關(guān)聯(lián)的難點(diǎn)。一方面，必須選擇不影響電路的電阻，因 此該電阻必須比所有的其他電阻小得多。此外，在峰值電流期間不允許該電阻變熱，這是因 為這通常會改變其特性。在該情況下，對于峰值之后的小電流，壓降變得非常小，并且測量 的精確度降低。緊接著大電流的小變化也因?yàn)橄嗤脑蚨荒芊直?，這是因?yàn)樗鼈冎灰?起壓降的小變化。2)第二測量技術(shù)依賴于對由電流的變化而產(chǎn)生的磁場的變化所進(jìn)行的檢測。為此 可以應(yīng)用不同的技術(shù)。最廣泛使用的技術(shù)基于圍繞載流線纜放置的線圈。磁場的變化在線 圈中感應(yīng)出可以直接測量的電壓。必須對該信號進(jìn)行積分以便獲得電流信號本身。積分累加了每次單獨(dú)測量的誤差，從而導(dǎo)致了電流信號的偏移。因此，歸因于信號 的偏移，在大電流峰值之后不能精確地測量小電流。緊接著大電流，可以采用這種技術(shù)來測 量小而快的變化。然而，不能精確地測量慢的變化，例如峰值電壓的漂移或變化。為了采用 該技術(shù)達(dá)到高的精確度，必須采用高帶寬來檢測磁場的非常小的變化。這可以僅通過使用 將帶寬限制到低值的線圈的大量繞組來實(shí)現(xiàn)，或者通過給線圈增加鐵磁芯以增強(qiáng)磁場從而 增強(qiáng)信號來實(shí)現(xiàn)。采用鐵磁芯的難點(diǎn)在于高磁場將使材料磁化，并將因而導(dǎo)致被測信號的 失真以及歸因于滯后效應(yīng)的額外偏移。3)非常好的方式是直接測量磁場而不是測量它的變化。在該情況下，避免了關(guān)于 積分偏移的問題。然而，由于小電流產(chǎn)生的磁場較小，因此通常通過使用磁性材料來增加靈 敏度。因此，歸因于這些材料的滯后效應(yīng)，仍將存在偏移。用于測量電流的另一種方法是通過使用具有高靈敏度的磁場傳感器，例如磁阻傳 感器元件。如例如在US 5708407中所公開的，可以使用基于磁阻材料的圓形電流傳感器， 其中待測量的電流的導(dǎo)體被引導(dǎo)通過該圓形電流傳感器。WO 2006/0似839公開了這樣的裝 置的改進(jìn)，其中，據(jù)說通過在實(shí)際測量處理之前在傳感器區(qū)域中施加脈沖附加磁場來克服 滯后或偏移問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于電流測量的傳感器單元，特別地，用于在存
4在待測量電流的大的最大峰值的情況下的小變化的高靈敏電流測量。本發(fā)明將適合于在這 種狀況下的AC電流以及DC電流的測量。本發(fā)明通過提供一種傳感器單元來解決以上問題，該傳感器單元用于對導(dǎo)體中的 電流進(jìn)行測量，其包括至少一個(gè)位于距該導(dǎo)體的外表面一定的徑向距離處的磁阻傳感器。 在該設(shè)置(set up)中，可以是傳感器單元的一部分、然而同樣也可以僅被傳感器單元圍繞 的導(dǎo)體具有圓形橫截面，該圓形橫截面提供待測量的旋轉(zhuǎn)對稱的磁場。該圓形橫截面應(yīng)該 盡可能精確地為圓形。半徑的變化應(yīng)小于5%，優(yōu)選地小于2%，最優(yōu)選地小于以及理 想地小于0.1%。該傳感器單元還包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生偏置磁場Hbias的輔助線圈。輔助 線圈被定位成使得以下述方式向磁阻傳感器施加該偏置磁場偏置磁場在傳感器位置處強(qiáng) 到足以引起磁阻傳感器中的磁飽和。所施加的偏置場在磁阻傳感器的傳感區(qū)域中應(yīng)該盡可 能地均勻，并且輔助線圈具有一定尺寸，并被設(shè)計(jì)成適合于不僅在測量處理之前以脈沖方 式施加該偏置磁場，而且在整個(gè)電流測量處理期間連續(xù)地施加該偏置磁場，因此通常在至 少30ms的時(shí)間跨度期間，優(yōu)選地在至少IOOms的時(shí)間跨度期間施加該偏置磁場，并且通常 只要裝置開啟就一直施加該偏置磁場，因此達(dá)到超過一分鐘或一個(gè)小時(shí)或幾個(gè)小時(shí)。根據(jù)本發(fā)明的傳感器單元的關(guān)鍵因素之一是如下事實(shí)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過施加相 應(yīng)的偏置場可以使磁阻傳感器連續(xù)地工作在飽和狀況，這基本上消除了與這樣的傳感器 的常規(guī)操作相關(guān)聯(lián)的偏移和滯后問題。此外非常有效的是，可以使用由待測量的電流的 場H。u 與偏置場Hbias的矢量和Hmsu1產(chǎn)生的、傳感器中的測量信號的角相關(guān)性(angular dependency) 0為此，通常地，輔助線圈所提供的偏置磁場Hbias的方向被定向?yàn)榕c由導(dǎo)體中 的電流產(chǎn)生的磁場H。m的方向成超過45°的角度，優(yōu)選地成超過60°的角度，最優(yōu)選地成 在80°至100°范圍內(nèi)的角度，以提供測量信號的高的角靈敏度。磁阻傳感器具有兩個(gè)穩(wěn) 定的磁化。其中一個(gè)穩(wěn)定的磁化由偏置場處理(address)。然而，如果傾斜角在錯(cuò)誤的方向 上大于一些度數(shù)，則與峰值電流相對應(yīng)的磁場將翻轉(zhuǎn)材料的磁化，并因此反轉(zhuǎn)信號。當(dāng)在裝 置中使用兩個(gè)傳感器時(shí)，如果偏置場是傾斜的，則其中一個(gè)傳感器將自動地具有朝向錯(cuò)誤 的方向的傾斜，而另一個(gè)則不會。這導(dǎo)致了一個(gè)不再能被明白地解釋的信號。因此上述角 度優(yōu)選地在90° +/-2°的范圍內(nèi)。因此提出了基于磁阻傳感器的新的測量裝置，以便克服對緊接著大電流峰值或在 其之后的小電流信號進(jìn)行檢測的困難。新的方法直接測量由主電流產(chǎn)生的磁場。它允許對 高達(dá)IMHz的頻率進(jìn)行檢測，而在測量期間或測量之后不會表現(xiàn)出由于大電流而導(dǎo)致的信 號的任何明顯失真，并且尤其不會弓I起偏移。實(shí)現(xiàn)該裝置的目標(biāo)在于在相對小的范圍內(nèi)以高分辨率對電流所產(chǎn)生的磁場進(jìn)行 測量。利用標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，由于所應(yīng)用的磁介質(zhì)的飽和效應(yīng)而產(chǎn)生主要的測量困難。在飽和時(shí)， 對磁場量值的靈敏度大大降低，并由于滯后效應(yīng)而產(chǎn)生偏移。因此，一個(gè)創(chuàng)造性的想法為使用在整個(gè)測量處理期間被保持在飽和的磁性材料， 以及測量磁場的角度而不是測量磁場的量值。磁阻傳感器對關(guān)于通過磁阻傳感器傳送的探 測電流的外部磁場的角度是高靈敏的，因此理想地適合于上述任務(wù)。為了使材料保持在飽 和，產(chǎn)生附加偏置磁場并將該附加偏置磁場調(diào)節(jié)為優(yōu)選地基本上垂直于由主電流所產(chǎn)生的 主磁場。在該情況下，主磁場的量值的變化導(dǎo)致了整個(gè)磁場的角度的變化。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，輔助線圈被設(shè)置為位于至少一個(gè)磁場傳感器外的、圍繞導(dǎo)體的軸的一個(gè)多匝繞組。因此，輔助線圈與導(dǎo)體是同軸的，并且傳感器夾在導(dǎo)體和輔助線圈的繞 組之間。像這樣，輔助線圈可以提供強(qiáng)的、并在傳感器的位置處非常均勻的磁偏置場，該磁 偏置場垂直于待測量的磁場的方向，而待測量的磁場是環(huán)繞著導(dǎo)體的。此外，在這個(gè)設(shè)置 中，傳感器可以在待測量的磁場最強(qiáng)的地方被設(shè)置成盡可能地靠近導(dǎo)體，并且輔助線圈提 供與待測量的場一樣也具有旋轉(zhuǎn)對稱特性的偏置磁場。根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，圍繞導(dǎo)體的周面對稱地分布有至少一對磁阻傳感器(通 常設(shè)置成關(guān)于導(dǎo)體的主軸相對)，優(yōu)選地為至少兩對或三對磁阻傳感器。提供至少一對傳感 器允許相當(dāng)有效地對外部場的貢獻(xiàn)進(jìn)行補(bǔ)償。實(shí)際上，外部場的貢獻(xiàn)在傳感器的空間尺度 上通?；旧鲜蔷鶆虻模虼?，鑒于旋轉(zhuǎn)對稱的設(shè)置，特別是在輔助線圈與導(dǎo)體同軸的情形 下，當(dāng)對成對的傳感器的信號進(jìn)行總計(jì)時(shí)，這使得抵消了外部場貢獻(xiàn)。優(yōu)選地，傳感器在導(dǎo) 體的場是最強(qiáng)的地方被設(shè)置成盡可能地靠近導(dǎo)體，因此傳感器通常位于與導(dǎo)體的外表面相 距0至IOmm范圍內(nèi)的距離處，考慮到傳感器的傳感區(qū)域，優(yōu)選地位于相距0至5mm范圍內(nèi) 的距離處。最小距離由導(dǎo)體和傳感器之間所需的電介質(zhì)隔離給出，并且通常為至少2mm至 3mm ο根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，磁阻傳感器是要用探測電流(Iprate)進(jìn)行驅(qū)動的類型，該 探測電流(IpmJ相對于偏置磁場Hbias的方向基本上成45°角，且優(yōu)選地使用具有四元件 惠斯通(Wheatstone)布置的傳感器。例如，可能的是使用與從NXP半導(dǎo)體(瑞士)得到的、 名稱為磁阻傳感器KMZ的磁阻傳感器相似或等同的類型。更具體地，根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，這樣的傳感器單元可以包括隔離內(nèi)部支撐元 件(不導(dǎo)電的安裝件(mount))，該隔離內(nèi)部支撐元件優(yōu)選地基本為包圍(enclose)導(dǎo)體的 圓筒形狀。這樣的隔離內(nèi)部支撐元件在其外表面上或至少部分地嵌入其中(例如，在相應(yīng) 的腔內(nèi)或凹槽內(nèi))承載有至少一個(gè)磁阻傳感器。如果在這種情況下，優(yōu)選地如果到傳感器 的電連接在從傳感器出來時(shí)首先軸向地(例如，在至少5mm的距離的范圍內(nèi))并然后徑向 地被引導(dǎo)遠(yuǎn)離傳感器(例如，在隔離內(nèi)部支撐元件中的相應(yīng)地設(shè)置的通道或凹槽中)，則可 以實(shí)現(xiàn)到傳感器的連接的特別低的干擾。另外優(yōu)選的是，設(shè)置有外部支撐元件。同樣地， 該外部支撐元件可以是基本上圓筒形狀，并徑向地包圍內(nèi)部元件和位于其上/其中的傳感 器(基本上將傳感器夾在內(nèi)部支撐元件和外部支撐元件之間)。如果在外部元件的外周面 上或至少部分地嵌入到其外周面中承載有輔助線圈，則這是優(yōu)選的，該輔助線圈優(yōu)選地為 在傳感器所位于的位置處圍繞導(dǎo)體的軸并與導(dǎo)體的軸同軸的多匝繞組。內(nèi)部支撐元件和/ 或外部支撐元件通常是由氟化材料制成的，例如選自PTFE(聚四氟乙烯)及其化學(xué)改性物 (modification)/化學(xué)混合物。因?yàn)樘貏e是在AC測量的情況下，傳感器單元上可能存在較 大的機(jī)械應(yīng)力，因此如果輔助線圈的繞組穩(wěn)固地固定到傳感器單元，則傳感器單元上可能 存在較大的機(jī)械應(yīng)力是優(yōu)選的，根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如果多匝繞組被樹脂澆鑄(resin cast)到外部支撐元件之上或之內(nèi)，則傳感器單元上可能存在較大的機(jī)械應(yīng)力是可以的。為 此，例如，外部支撐元件可以設(shè)置有相應(yīng)的外部周向凹槽，多匝繞組可以被放置在該外部周 向凹槽中，之后通過用樹脂或相應(yīng)的固定材料填充凹槽來固定該多匝繞組。為了測量緊接著大電流的電流的小變化，可以使用補(bǔ)償由大電流產(chǎn)生的磁場的一 個(gè)或若干個(gè)附加線圈。采用這種方式，磁阻傳感器看到的所得到的磁場接近零(在測量靈 敏度應(yīng)該很高的電流的任何絕對值處)，且傳感器是靈敏的。可以設(shè)置額外的恒定電流源來產(chǎn)生該補(bǔ)償磁場或減去磁場。還可以將補(bǔ)償場自動地調(diào)節(jié)至主電流的低頻分量。然后，從 所需的補(bǔ)償場獲得電流的總量值，而直接從傳感器獲得小的變化。因此，相應(yīng)地，根據(jù)依照本發(fā)明的傳感器單元的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，它包括用于針 對由導(dǎo)體中的電流所感應(yīng)的磁場(Η。_)而產(chǎn)生減去磁場的附加線圈。為此，一個(gè)或若干個(gè) 附加線圈通常被設(shè)置成使得在磁阻傳感器的傳感位置處產(chǎn)生的場在方向上基本上與由導(dǎo) 體中的電流所感應(yīng)的磁場相反。優(yōu)選的是，最終利用附加線圈對適合于對導(dǎo)體中的例如高達(dá)IOOkA的電流進(jìn)行 測量的傳感器進(jìn)行校正以用于補(bǔ)償，其中，測量范圍為以由導(dǎo)體中的電流所感應(yīng)的磁場 (Hcurr)的零值為中心的例如+/-300Α。為了提高靈敏度，可以實(shí)現(xiàn)另外的電子部件驅(qū)動通過傳感器的探測電流的電壓 源是有源穩(wěn)定(actively stabilized)的，以便保持該電壓源盡可能的恒定，并且產(chǎn)生偏置 磁場的電流也是有源穩(wěn)定的，以保持參考場恒定。因此，相應(yīng)地，如果輔助線圈被設(shè)計(jì)和定位成使得在至少一個(gè)傳感器的位置處產(chǎn) 生磁偏置場(Hbias),以便使傳感器保持在飽和而非飽和以下，則這是優(yōu)選的。如果場太小， 則不能夠保證傳感器的功能，并且對于非常高峰值的場，傳感器的功能將會失效。因此，場 應(yīng)該通常為至少3. 75mT。它可以具有任何更大的值，然而，傳感器的靈敏度直接與該場的 強(qiáng)度有關(guān)，并隨著場的增大而減小。因此，優(yōu)選地，應(yīng)該使用使傳感器保持在飽和而非飽和 以下的最小必要值。相應(yīng)地，場的強(qiáng)度優(yōu)選地被選擇為至少3. 5mT，最優(yōu)選地選擇為至少 3.75mT。場的強(qiáng)度優(yōu)選地適合于不大于4mT或5mT。另外，磁偏置場(Hbias)優(yōu)選地被控制 為在小于0. 1 %的范圍內(nèi)、優(yōu)選地在小于0. 01 %的范圍內(nèi)變化。根據(jù)依照本發(fā)明的傳感器單元的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，它還包括用于控制磁阻傳感 器、用于饋給至少一個(gè)輔助線圈以及用于放大和/或估計(jì)磁阻傳感器的信號的電子單元。 應(yīng)該指出的是，傳感器單元的可用靈敏度非常高，因此必須當(dāng)心引向傳感器或從傳感器引 出的線、和/或電子單元沒有產(chǎn)生“磁噪聲或干擾信號”。想要以首先軸向地然后徑向地將 線引向傳感器以及從傳感器引出的上述方式使干擾信號保持盡可能低。另一個(gè)額外的可能 性是要避免由用于對電子單元進(jìn)行供電的變壓器所引起的噪聲。為此，可以使用完全屏蔽 的或厚厚屏蔽的變壓器，或者如優(yōu)選地，可以使用通過使用至少一個(gè)電池單元(例如，可再 充電的)基本上專門為其供電的電子單元。此外，建議確保電子單元由具有低磁場和/或 低電場噪聲產(chǎn)生分量的部件構(gòu)成。此外，本發(fā)明涉及如上所述傳感器的特定用法。該用法的特征在于傳感器用于測 量導(dǎo)體中的電流，優(yōu)選地用于在存在高達(dá)50kA的范圍內(nèi)、優(yōu)選地高達(dá)IOOkA的范圍內(nèi)的高 峰值電流值的情況下、用+/-300A范圍內(nèi)的靈敏度對電流的小變化和/或衰減特性進(jìn)行測 量。另外優(yōu)選地是，使用具有附加線圈的傳感器單元，該附加線圈用于針對導(dǎo)體中的電流所 感應(yīng)的磁場(H。u )產(chǎn)生減去磁場，以在存在高絕對電流值的情況下以非常高的靈敏度對導(dǎo) 體中的基本上為直流的電流進(jìn)行測量。這樣的傳感器用法優(yōu)選地采用如下附加線圈來進(jìn)行該附加線圈用于產(chǎn)生用于對 由導(dǎo)體中的特定電流所感應(yīng)的磁場(Η。_)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?、與時(shí)間無關(guān)的減去磁場，以精確地 測量接近該特定電流的電流。該用法的應(yīng)用特別在于通過對預(yù)期的/平均的峰值進(jìn)行補(bǔ) 償，對DC電流的變化、50Hz信號的峰值電流的變化的測量；特定電流水平附近的精確測量，例如熔絲的激活電流。這樣的傳感器用法優(yōu)選地還采用以下附加線圈來進(jìn)行該附加線圈用于產(chǎn)生與時(shí) 間無關(guān)的減去磁場，該與時(shí)間無關(guān)的減去磁場旨在將所得到的場保持在傳感器的靈敏度范 圍內(nèi)，從而允許精確測量補(bǔ)償場和所得到的場之間的差異。例如可以通過使用反饋機(jī)構(gòu)、低 頻電流測量、或預(yù)定的波形產(chǎn)生補(bǔ)償場。該用法的應(yīng)用特別在于通過補(bǔ)償具有正確幅度 (可以通過反饋或低頻測量進(jìn)行調(diào)節(jié))的完美正弦信號對50Hz信號的小變化/諧波的檢 測；與任何預(yù)期電流波形的偏離的精確測量；通過補(bǔ)償以及可能使用反饋對任何電流的測 量，其中反饋信號是電流的量度(measure)。此外，本發(fā)明涉及一種優(yōu)選地采用如上所述的傳感器單元來測量導(dǎo)體中的電流的 方法，其中，在整個(gè)電流測量處理期間，為輔助線圈連續(xù)地饋給足以引起磁阻傳感器中的磁 飽和的電流，并且其中，偏置磁場被定向?yàn)榛旧洗怪庇诖郎y量的磁場。在從屬權(quán)利要求中概述了本發(fā)明的另外的實(shí)施例。


在附圖中，示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中圖1-4是在施加偏置磁場情況下的磁場矢量的示意表示，其中，在圖1中導(dǎo)體中沒 有電流流動，在圖2中導(dǎo)體中流動有小的電流，在圖3中導(dǎo)體中流動有中等的電流，而在圖 4中導(dǎo)體中流動有大的電流，并且該表示是在偏置磁場的方向上定標(biāo)的，以表示界限情況；圖5給出了由探測電流的方向和待測量的場的方向所圍成的角α的矢量表示；圖6給出了在磁阻傳感器中測得的、作為角α的函數(shù)的電阻；圖7和圖8分別與圖5和圖6相同，然而探測電流的方向傾斜45°，這導(dǎo)致了在 α=0附近的線性響應(yīng)；圖9是具有兩個(gè)傳感器和用于產(chǎn)生偏置磁場的線圈的測量設(shè)置上方的示意性透 視圖；圖10是與穿過根據(jù)圖9的傳感器以及作用于兩個(gè)傳感器的場的導(dǎo)體的軸垂直的 剖面；圖11示出了在從頂部或者等同地從底部旋轉(zhuǎn)180°沿圖10中的箭頭觀看的情況 下，根據(jù)圖9和圖10的磁場以及兩個(gè)傳感器中的探測電流的情況的矢量圖；圖12示出了與導(dǎo)體的主軸、等同于與傳感器單元的主軸相垂直的剖面；圖13示出了穿過傳感器單元的外部支撐元件的軸向剖面；圖14示出了傳感器單元的內(nèi)部支撐元件上方的視圖；圖15示出了沿圖12中的線A-A穿過內(nèi)部支撐元件的軸向剖面；以及圖16示出了沿圖12中的線B-B穿過內(nèi)部支撐元件的軸向剖面。
具體實(shí)施例方式用在磁阻傳感器中的磁阻元件是對于通過該元件傳送的小探測電流，作為該元件 的磁化方向的函數(shù)而改變其電阻的物體。電阻近似地取決于該探測電流和材料的磁化之間 的角度的余弦平方。如果電流和磁化指向同一方向，則電阻將最大。如果電流和磁化之間 的角度是90度，則電阻將最小。裝置被安裝成使得探測電流相對于待測量的主磁場傾斜45
8度，并且偏置磁場被進(jìn)一步傾斜另一個(gè)45度從而相對于主磁場傾斜90度。在該情況下，磁 阻元件的電阻對高達(dá)如下點(diǎn)的主磁場是靈敏的其中，主磁場的量值等于偏置磁場的量值。 因此，通過偏置磁場的強(qiáng)度來調(diào)節(jié)元件的靈敏度。此外，可以通過向主磁場添加相反方向的 附加磁場來調(diào)節(jié)零點(diǎn)。在該情況下，如果主磁場恰好與附加磁場相抵消，則傳感器表現(xiàn)出零信號。參照附圖，其中該附圖是出于示出本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的目的而不是出于限 制本發(fā)明的目的，圖1-4相應(yīng)地示出了磁阻傳感器暴露于使傳感器的磁化飽和的偏置磁場 Hbias的(一直為細(xì)實(shí)線箭頭)情況下的若干個(gè)矢量圖。如果如圖1中所示，沒有電流流過 導(dǎo)體，則不產(chǎn)生圍繞導(dǎo)體旋轉(zhuǎn)的相應(yīng)磁場H。u 。因此，在這種情況下，作用在傳感器上的全 部磁化Hresul是由Hbias給出的。如果有低的電流流過導(dǎo)體，則出現(xiàn)如圖2中所示的情況。作 用在傳感器上并相應(yīng)地確定傳感器信號的所得到的磁場Hmsu1是由H。m與Hbias的矢量和給 出的。對于甚至更強(qiáng)的電流，在圖3中示出了該情況。從圖2和圖3兩個(gè)圖的對比中可以 看出，對于小電流(小的意思是所得到的H。u 在Hbias的范圍內(nèi)，或者小于Hbias)，對傳感器上 所得到的磁場Hmsu1具有強(qiáng)的角相關(guān)性。在圖4中，示出了對于高電流流過導(dǎo)體的情況。在 這種情況下，Hbias和Hmsu1之間的角度(指定為α)接近90°。因此，通常對于在45°以上 的值，傳感器靈敏度如果不是基本上為零就是很低。另外，角α的傳感器信號與對應(yīng)于角 90° -α的較小電流的信號相同。因此，這種特定的設(shè)置尤其適合于例如要對在出現(xiàn)高電 流峰值之后的低安培衰減特性進(jìn)行分析的情況。所提出的設(shè)置允許進(jìn)行測量而沒有延遲或 滯后效應(yīng)。因此，這種特定設(shè)置尤其適合于例如如下情況電路中需要不受高峰值電流(例 如，高達(dá)IOOkA的短路電流)的影響的電流傳感器，并且該電流傳感器在緊挨干擾之后保持 其校準(zhǔn)(calibration)而沒有任何明顯信號失真。所提出的設(shè)置允許精確地測量電流而沒 有延遲或滯后效應(yīng)。對于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)水平的傳感器單元，其通常具有電流峰值(以上示 例中將在幾百A的范圍內(nèi))的若干個(gè)百分點(diǎn)的最大靈敏度，并且需要花費(fèi)很長時(shí)間以從干 擾中恢復(fù)。然而，因?yàn)樾碌膫鞲衅鞑皇軠蠛脱舆t效應(yīng)的影響、與電流峰值有多高無關(guān)，所 以這樣的新的傳感器總是達(dá)到低于0. IA的相同分辨率，并且在以上情況下可以進(jìn)行精確 地測量。探測的電阻取決于傳感器中的探測電流與傳感器材料的磁化之間的角度，傳感器 材料的磁化又是通過外部場的方向給出的。圖5中示出了探測電流1。_和待測量的場Hmsu1 以及所圍成的角度的該相關(guān)布置。圖6中示出了在傳感器中測得的、作為該角α的函數(shù)的 電阻之間的函數(shù)關(guān)系3。這種情況下的函數(shù)關(guān)系如下R = Rc^R1 (cos (α ))2。探測電流和待測量的磁場的這種幾何布置中的問題為以下事實(shí)在最關(guān)心的區(qū)域 周圍，即在零范圍內(nèi)的角度值的周圍，對角度的靈敏度較低，且存在非線性關(guān)系。此外，不能 夠區(qū)別角度的正值和負(fù)值。因此，相應(yīng)地提出將傳感器中的探測電流Iprabe傾斜45度，如圖7中所示，這樣就 將上述函數(shù)基本上移動了 η/4，并且輸出信號對于小角度的角變成線性的，并達(dá)到較高的 靈敏度R = R^R1 (cos ( α - ji /4))2 = ^+^/2+^/28111 (2 α )圖8中示出了這種情況，并且用虛線4示出了線性近似。實(shí)際上，在這種操作模式下，可以用全函數(shù)關(guān)系來測量在+/-45°范圍內(nèi)的α的值，而用線性近似來測量在+/-45° 的二分之一或三分之一范圍內(nèi)的α的值。該測量窗實(shí)際上是多大當(dāng)然取決于偏置磁場 的幅度，然而，因?yàn)槠么艌霰仨氈辽購?qiáng)到足以使得傳感器飽和，所以這導(dǎo)致了等于以上 +/-300Α的+/-45°的最小靈敏度范圍。對于線性狀況，相應(yīng)的窗近似為+/-100Α。這些值 適用于根據(jù)目前的技術(shù)水平而設(shè)置的傳感器，其中，在目前的技術(shù)水平中，四個(gè)傳感器形成 一個(gè)單獨(dú)的傳感器，且這四個(gè)傳感器被連接作為惠斯通橋。這種類型的傳感器為例如從類 型名稱為KMZ的NXP半導(dǎo)體得到的傳感器。因此，由于電阻R是可以測量的，所以可以計(jì)算角α。可以通過三角學(xué)根據(jù)偏置磁 場Hbias的已知值來計(jì)算磁場H。u 的值。另外，由于磁場H。u 直接和導(dǎo)體1承載的電流成比 例，所以可以根據(jù)已知的磁場1^ 來計(jì)算該電流。為了得到精確的測量，應(yīng)該對如下所述的 傳感器單元進(jìn)行校準(zhǔn)。在圖9中用示意性透視圖示出了特定的傳感器設(shè)置。在這種特定情況下，具有高 精度圓形橫截面的單個(gè)導(dǎo)體1承載有箭頭2所指示的電流。在用于實(shí)驗(yàn)測試的設(shè)置中，導(dǎo) 體具有20mm的直徑，且被指定用于高達(dá)IOOkA的電流。如果存在一個(gè)或若干個(gè)附加線圈用 于補(bǔ)償由DC電流所產(chǎn)生的場，則這種電流可以是AC或DC。電流如果在由箭頭2所指示的 方向上流動，則其感應(yīng)出由粗實(shí)線箭頭所示出的旋轉(zhuǎn)對稱的環(huán)形磁場H。m。傳感器單元包 括上磁阻傳感器5和下磁阻傳感器6。這些傳感器中的每一個(gè)可以是例如上述的類型KMZ。 因此，每一個(gè)磁阻傳感器5、6是由組成惠斯通橋的四個(gè)磁阻元件構(gòu)成的，以使從元件獲得 的信號最大化。傳感器5、6被設(shè)置成盡可能精確地關(guān)于導(dǎo)體相對且關(guān)于導(dǎo)體對稱，且以旋轉(zhuǎn)等效 的方式對其進(jìn)行連接和驅(qū)動。傳感器5、6被設(shè)置成盡可能地接近導(dǎo)體的外表面，傳感器5、 6的傳感區(qū)域和導(dǎo)體的外表面之間的距離通常在4mm至5mm的范圍內(nèi)。在導(dǎo)體1的周圍并且還包圍著兩個(gè)傳感器5、6設(shè)置有輔助線圈7。該多匝繞組如 果被饋以相應(yīng)的電流，則在傳感器5、6的位置處感應(yīng)出基本垂直于待測量的場H。m的偏置 磁場Hbias。在此處采用的設(shè)置中，從導(dǎo)體的外表面到輔助線圈7的最內(nèi)繞組的距離大約為 12mm至15mm。通常可以說，該輔助線圈7必須能夠在傳感器5、6的位置處產(chǎn)生的最小場是 足以使傳感器飽和的場。這通常意味著必須在傳感器位置處產(chǎn)生至少為3. 5mT、優(yōu)選地至少 為3.75mT的磁場(還取決于所使用的傳感器以及內(nèi)部的磁性材料)。此外，線圈的尺寸必 須被形成為不只是用于產(chǎn)生脈沖短時(shí)間場，也用于產(chǎn)生在該強(qiáng)度范圍內(nèi)的基本連續(xù)的場。 該場要在實(shí)際測量處理期間施加，因此由于上述處理發(fā)生在幾十ms的范圍內(nèi)，所以具有上 述強(qiáng)度的場必須被提供達(dá)至少30ms，優(yōu)選地為至少50ms，并且通常上只要傳感器頭被操作 就提供該強(qiáng)度的場，因此為數(shù)小時(shí)或甚至更長。在圖10中用軸向剖面示出了根據(jù)圖9的大體情況，該軸向剖面是在與圖9中的箭 頭相反的方向上觀看到的。在此看到，實(shí)際上待測量的場H。m(也用傳感器內(nèi)的小箭頭表 示)垂直于偏置場Hbias。此外，在圖10中，示意性地示出了用標(biāo)記22表示的大致外部磁場 貢獻(xiàn)。通常指出，在傳感器單元的尺寸框架內(nèi)，這樣的外部磁場貢獻(xiàn)就幅度和方向而言基本 上是均勻的。相應(yīng)地，如可以通過給出的相應(yīng)的符號+和-看到的，由于兩個(gè)傳感器5、6的 旋轉(zhuǎn)對稱布置，所以當(dāng)取兩個(gè)傳感器的測量信號的和時(shí)，抵消了該外部磁場22的貢獻(xiàn)。由 于各個(gè)傳感器的一般靈敏度仍可能存在差異以及幾何差異，所以該和優(yōu)選地為可調(diào)節(jié)的加
10權(quán)和，其加權(quán)可以在標(biāo)準(zhǔn)情況下進(jìn)行調(diào)整。為了進(jìn)一步闡明所提出的設(shè)置中的各種矢量的相對定向，圖11中示出了根據(jù)圖 10中的箭頭的、另一個(gè)傳感器視圖中的情況?？梢哉J(rèn)識到，實(shí)際上由電流感應(yīng)的場氏_垂 直于偏置場Hbias，且探測電流與這兩個(gè)方向基本上成45°。要指出的是，如果圍繞導(dǎo)體的主 軸旋轉(zhuǎn)如圖10中給出的設(shè)置，并沿著箭頭觀測現(xiàn)在處于上方位置的下傳感器6，則可得到 相同的矢量情況。圖12-16中示出了這樣的傳感器單元的可能實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。參照圖12，該設(shè)置包括 通常為PTFE的內(nèi)部支撐元件或內(nèi)部圓筒9，該內(nèi)部支撐元件或內(nèi)部圓筒9包括中心軸向孔 12，導(dǎo)體1可以插入到該中心軸向孔12中。在要使用四個(gè)傳感器的情況下，該內(nèi)部圓筒9 在其外表面上包括均勻分布的四個(gè)凹槽11，傳感器可以放置在這四個(gè)凹槽11中且最終可 以固定在其中。此外，該單元包括位于內(nèi)部圓筒之外并包圍該內(nèi)部圓筒的外部支撐元件或 外部圓筒10。一旦傳感器位于凹槽11內(nèi)，外部圓筒10就可以移動越過內(nèi)部圓筒9，并且隨 后傳感器被夾在內(nèi)部圓筒和外部圓筒之間，并牢固地保持在設(shè)置中。然后，可以通過使用徑 向螺釘來緊固地連接內(nèi)部圓筒9和外部圓筒10，該徑向螺釘穿過在圖13中可見的孔并且與 在圖12或圖16中可見的、內(nèi)部圓筒9中的相應(yīng)的孔13相接合。在圖13中只給出了外部圓筒10的軸向剖面。外部圓筒10在左側(cè)部分中包括導(dǎo) 體從其中穿過的中心孔。在該區(qū)域中還設(shè)置有終端凸緣18。在終端凸緣18的右側(cè)，在外表 面中設(shè)置有凹槽14，輔助線圈7的多匝繞組放置在該凹槽中并且通過例如填充樹脂并對其 進(jìn)行交聯(lián)/聚合從而被牢固地固定在該凹槽中。在該右側(cè)部分中，中心孔的內(nèi)直徑較大，且 在兩個(gè)內(nèi)直徑之間的過渡區(qū)域中設(shè)置有抵接表面(abutment surface) 160實(shí)際上，如果如 圖15中以軸向剖面所示出的內(nèi)部圓筒9裝備有傳感器，則外部圓筒10被繼續(xù)移向內(nèi)部圓 筒，直至內(nèi)部圓筒的表面17與外部圓筒的表面16相抵接。在最終設(shè)置中，相應(yīng)地，傳感器 單元的左側(cè)由凸緣18形成，接著其右側(cè)的是位于凹槽14中的輔助繞組的外部，之后接著是 外部圓筒10的薄的附加凸緣23以及凹槽，其中，上述螺釘可以被放置在該凹槽中，從而穿 過孔15并且與如圖16中所示的內(nèi)部圓筒9的盲孔13相接合。至于右側(cè)，傳感器單元?jiǎng)t以 內(nèi)部圓筒的終端凸緣19作為邊界(見圖14和圖16)。因此得到了非常緊湊且明確限定的 傳感器單元。在圖14中給出了內(nèi)部圓筒的側(cè)視圖。在這個(gè)圖示中，可以看出傳感器5/6位于凹 槽11中。進(jìn)出傳感器的連接首先通過軸向通道20被軸向地引導(dǎo)離開，并然后通過通道21 被徑向地引導(dǎo)到傳感器頭之外?？赡艿氖强梢允沟眠@些線纜對于磁阻傳感器的干擾影響最 小化?？偟膩碚f，傳感器頭包括導(dǎo)電桿1、不導(dǎo)電的安裝件9、10、兩個(gè)或偶數(shù)個(gè)磁阻傳感 器5、6、輔助線圈7以及視需要而定的一個(gè)或若干個(gè)附加線圈(未在圖中示出)。導(dǎo)電圓柱 桿1需要傳送通過傳感器頭的主電流。不導(dǎo)電的安裝件9、10使磁阻傳感器5、6與桿分隔開，并從而將它們與主電路隔離 開。此外，不導(dǎo)電安裝件9、10相對于磁阻傳感器5、6來固定輔助線圈7，并允許精確地調(diào)節(jié) 傳感器頭。磁阻傳感器5、6位于距離桿1明確限定的距離處，并且所有的成對的傳感器在電 流載體1的相對的側(cè)上相互面對。這使得任何均勻的外部場從測量結(jié)果中被去除，并且每一個(gè)附加傳感器對都使得總靈敏度和信噪比增大。輔助線圈7需要產(chǎn)生均勻的磁偏置場，并且用它來限定傳感器的靈敏度的范圍。一個(gè)或若干個(gè)附加線圈允許設(shè)置傳感器的零信號(參考信號)。這樣的附加線 圈例如可以位于根據(jù)圖11的示意圖示中，作為圍繞傳感器5的多匝繞組，其中該附加線圈 的主軸與表示Heim的箭頭共線。從而，該附加線圈的附加補(bǔ)償場或減去場(subtracting field)與待測量的場H。u 的方向同向，并且可以有效地用于其補(bǔ)償，特別是在DC電流測量 的情況下。電流傳感器包括兩部分，電子單元和如上所述的傳感器頭，傳感器頭對磁場進(jìn)行 檢測，電子單元為輔助場和/或減去場提供電流，并對該信號進(jìn)行放大(通常放大大約10 倍，在所述的具有4個(gè)傳感器的設(shè)置中，放大倍數(shù)實(shí)際上大約為10倍，或者每個(gè)傳感器2. 5 倍)和處理。電子單元包括兩部分，信號處理單元和一個(gè)或兩個(gè)電流源。電流源負(fù)責(zé)通過輔助 線圈和/或附加線圈的恒定電流，因而產(chǎn)生作為磁阻傳感器的參考的穩(wěn)定磁場，并限定傳 感器的零信號。信號處理單元需要產(chǎn)生傳感器的供電電壓，以及放大來自各個(gè)磁阻傳感器 的信號，并將這些信號與和電流成比例的信號相加。由于各個(gè)傳感器的靈敏度略微不同，所 以每個(gè)信號相應(yīng)地被加權(quán)。附圖標(biāo)記清單1傳導(dǎo)待測量的電流的導(dǎo)體/桿2 1中的電流的方向3在磁阻傳感器中測得的、作為α的函數(shù)的電阻4在零點(diǎn)周圍的線性狀況的表示5第一磁阻傳感器6第二磁阻傳感器7用于產(chǎn)生偏置磁場的輔助線圈8觀看方向9傳感器單元的內(nèi)部支撐元件，內(nèi)部圓筒10傳感器單元的外部支撐元件，外部圓筒11用于磁阻傳感器的凹槽12 9中的用于1的孔13 9中的用于固定螺釘?shù)目?4用于輔助線圈7的凹槽15 10中的用于固定螺釘?shù)耐?6外部圓筒上的用于內(nèi)部圓筒的抵接表面17內(nèi)部圓筒上的抵接表面18外部圓筒的終端凸緣19內(nèi)部圓筒的終端凸緣20 9中的用于連接到5/6的軸向凹槽21 9的19中的用于連接到5/6的徑向凹槽22外部磁場貢獻(xiàn)
23 凸緣Hcurr 1中的待測量的電流所產(chǎn)生的磁場Hbias偏置磁場Hresul 從 Hcurr 和 Hbias 所得到的場Iprobe磁阻傳感器中的探測電流R磁阻傳感器中的電阻R0作為角α的函數(shù)的、磁阻傳感器中的R的最小值α探測電流和Hmsu1之間的角
權(quán)利要求
1.一種用于測量導(dǎo)體(1)中的電流的傳感器單元，其包括至少一個(gè)磁阻傳感器(5、6)， 其中所述至少一個(gè)磁阻傳感器(5、6)位于距所述導(dǎo)體(1)的外表面一定的徑向距離處，其 中，所述導(dǎo)體(1)具有圓形橫截面，并且其中，其包括至少一個(gè)輔助線圈(7)，所述至少一個(gè) 輔助線圈(7)用于對所述磁阻傳感器(5、6)產(chǎn)生偏置磁場(Hbias),該偏置磁場(Hbias)強(qiáng)到 足以在整個(gè)電流測量處理期間連續(xù)地引起所述磁阻傳感器(5、6)中的磁飽和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器單元，其中，由所述輔助線圈(7)提供的所述偏置磁場 (Hbias)的方向被定向?yàn)榕c由所述導(dǎo)體⑴中的電流產(chǎn)生的磁場(Η。_)的方向成大于60° 的角，優(yōu)選地成在80°至100°范圍內(nèi)的角，最優(yōu)選地成在88°至92°范圍內(nèi)的角，并且其 中，優(yōu)選地，所述輔助線圈(7)被設(shè)置作為位于所述至少一個(gè)磁阻傳感器(5、6)之外的、圍 繞所述導(dǎo)體(1)的軸的一個(gè)多匝繞組。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，其中，圍繞所述導(dǎo)體(1)的周面對 稱地分布有至少一對磁阻傳感器(5、6)、優(yōu)選地有至少兩對或三對磁阻傳感器(5、6)，其中 優(yōu)選地，所述傳感器(5、6)位于與所述導(dǎo)體(1)的外表面相距0至IOmm范圍內(nèi)的距離處， 考慮到傳感器(5、6)的傳感區(qū)域，優(yōu)選地在相距0至5mm范圍內(nèi)的距離處。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，其中，所述磁阻傳感器(5、6)是由 與所述偏置磁場(Hbias)的方向基本上成45°角的探測電流(IpmJ來驅(qū)動的，其中優(yōu)選地， 使用具有四元件惠斯通布置的傳感器。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，其中，設(shè)置有優(yōu)選地為基本上圓筒 形狀的隔離內(nèi)部支撐元件(9)，所述隔離內(nèi)部支撐元件(9)包圍所述導(dǎo)體(1)，且在其外表 面上或至少部分嵌入在其中承載有至少一個(gè)磁阻傳感器(5、6)，其中優(yōu)選的是，到所述傳 感器的電連接首先軸向地然后徑向地被引導(dǎo)遠(yuǎn)離所述傳感器，并且，其中還優(yōu)選的是，設(shè)置 了優(yōu)選地為基本上圓筒形狀的外部支撐元件(10)，所述外部支撐元件(10)徑向地包圍所 述內(nèi)部元件和位于其上/其中的所述傳感器(5、6)，并且在其外周面上或至少部分地嵌入 到其外周面中承載有作為多匝繞組的所述輔助線圈(7)，其中所述多匝繞組在所述傳感器 (5,6)所位于的位置處圍繞所述導(dǎo)體(1)的軸，其中還優(yōu)選的是，所述內(nèi)部支撐元件(9)和 /或所述外部支撐元件(10)是由氟化材料制成的，該氟化材料優(yōu)選地選自PTFE及其化學(xué)改 性物/化學(xué)混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器單元，其中，所述多匝繞組被樹脂澆鑄到所述外部支 撐元件(10)之上或之中。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，包括附加線圈，所述附加線圈用于 針對由所述導(dǎo)體(1)中的電流所感應(yīng)的所述磁場(H。u )產(chǎn)生減去磁場。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，用于對所述導(dǎo)體(1)中的高達(dá) 100kA、或甚至高達(dá)200kA或500kA的電流進(jìn)行測量，其中測量范圍優(yōu)選地為以由所述導(dǎo)體 (1)中的電流所感應(yīng)的所述磁場(Η。_)的零值為中心的+/-300Α，最終采用附加線圈對該傳 感器單元進(jìn)行校正以用于補(bǔ)償。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，其中，所述輔助線圈(7)被設(shè)計(jì)和 定位成使得在所述至少一個(gè)傳感器(5、6)的位置處產(chǎn)生至少3. 5mT、優(yōu)選地為至少3. 75mT 的磁偏置場(Hbias),并且，其中還優(yōu)選的是，所述磁偏置場(Hbias)被控制成隨著時(shí)間在小于 0. 1 %的范圍內(nèi)、優(yōu)選地在小于0. 01 %的范圍內(nèi)變化。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元，包括用于控制所述磁阻傳感器 (5、6)、用于饋給所述至少一個(gè)輔助線圈(7)以及用于放大和/或估計(jì)所述磁阻傳感器(5、 6)的信號的電子單元，其中，優(yōu)選地通過使用至少一個(gè)電池單元來專門為所述電子單元供 電，和/或其中，所述電子單元是由低磁場噪聲部件和/或低電場噪聲部件構(gòu)成的。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的傳感器單元的一種用法，用于對導(dǎo)體(1)中的 電流、優(yōu)選地對在存在高峰值電流值的情況下的電流的小變化和/或衰減特性進(jìn)行測量， 其中，所述高峰值電流值在高達(dá)50kA的范圍內(nèi)，優(yōu)選地在高達(dá)IOOkA的范圍內(nèi)，或在高達(dá) 200kA或500kA的范圍內(nèi)，所述傳感器單元在優(yōu)選地為+/-300A的范圍內(nèi)是靈敏的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的傳感器單元的、利用附加線圈的一種用法，所 述附加線圈用于針對所述導(dǎo)體(1)中的電流所感應(yīng)的磁場(Η。_)產(chǎn)生減去磁場，以對導(dǎo)體 (1)中的基本上是直流的電流進(jìn)行測量。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的傳感器單元的、利用附加線圈的一種用法，所 述附加線圈用于產(chǎn)生與時(shí)間無關(guān)的減去磁場，所述減去磁場用于對所述導(dǎo)體(1)中的特定 電流所感應(yīng)的磁場(H。u )進(jìn)行補(bǔ)償，以精確測量接近于該特定電流的電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的傳感器單元的、利用附加線圈的一種用法，所 述附加線圈用于產(chǎn)生與時(shí)間無關(guān)的減去磁場，所述減去磁場旨在將所得到的場保持在所述 傳感器的靈敏度范圍內(nèi)，以允許精確測量補(bǔ)償場和所述所得到的場之間的差異，其中，優(yōu)選 地通過使用反饋機(jī)構(gòu)、低頻電流測量或預(yù)定的波形來產(chǎn)生所述補(bǔ)償場。
15.一種用于采用根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的傳感器單元對導(dǎo)體(1)中的電流 進(jìn)行測量的方法，其中，所述輔助線圈(7)在整個(gè)電流測量處理期間被連續(xù)地饋以電流，所 述電流足以引起所述磁阻傳感器(5、6)中的磁飽和，并且其中，所述偏置磁場被定向?yàn)榛?本垂直于待測量的所述磁場。
全文摘要
公開了一種用于對導(dǎo)體(1)中的電流進(jìn)行測量的傳感器單元，該傳感器單元包括至少一個(gè)磁阻傳感器(5、6)，其中磁阻傳感器(5、6)位于距導(dǎo)體(1)的外表面一定的徑向距離處，其中，導(dǎo)體(1)具有圓形橫截面，并且其中，該傳感器單元包括至少一個(gè)輔助線圈(7)，輔助線圈(7)用于對磁阻傳感器(5、6)產(chǎn)生偏置磁場(Hbias)，該偏置磁場(Hbias)強(qiáng)到足以在整個(gè)電流測量處理期間連續(xù)地引起磁阻傳感器(5、6)中的磁飽和。此外，公開了這樣的傳感器的用法和用于使用這樣的傳感器單元對導(dǎo)體中的電流進(jìn)行測量的方法。
文檔編號G01R15/20GK102099695SQ200880130456
公開日2011年6月15日 申請日期2008年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月22日
發(fā)明者馬庫斯·阿普拉納爾普, 魯?shù)婪颉ぜ拥?申請人:Abb研究有限公司