專利名稱：：物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及半導體制造
技術領域：
，特別涉及一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性;險測方法。
背景技術：
：當前，用于半導體制造業(yè)的傳統(tǒng)金屬化工藝均被歸并到物理氣相淀積(PVD)中，所述傳統(tǒng)金屬化工藝包括蒸發(fā)、濺射及電鍍等。為保持被淀積的膜層的純度，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度是PVD制程中的重要參數(shù)。空載時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度通常為10—T;運行時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度通常為10—2T;但是，通常在PVD沉積腔室開始運行時或運行一段時間后，如24小時后，需對所述PVD沉積腔室的運行情況進行檢測。PVD沉積腔室的氣密性檢測是檢測PVD沉積腔室運行是否正常的重要內(nèi)容。如果PVD沉積腔室的氣密性差，將導致PVD沉積腔室發(fā)生漏氣；空載時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度高，即使PVD沉積腔室發(fā)生漏氣，由于漏氣而進入所述PVD沉積腔室內(nèi)的雜質(zhì)也易^^皮排除所述PVD沉積腔室；而運行產(chǎn)品時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度較低，如果PVD沉積腔室發(fā)生漏氣，由于漏氣而進入所述PVD沉積腔室內(nèi)的雜質(zhì)則不易被排除，而易被粘附于淀積膜層內(nèi)?？紤]到，PVD沉積腔室通常用于沉積金屬膜層，由于漏氣而粘附于所述金屬膜層內(nèi)的雜質(zhì)易引起所述金屬膜層阻值的增加，進而，易在制成的器件內(nèi)引發(fā)其他問題。需說明的是,在PVD沉積腔室開始運行時進行的氣密性檢測尤其重要，如果在PVD沉積腔室開始運行時發(fā)生漏氣，而所述漏氣未被及時檢測出，所述PVD沉積腔室將在異常狀態(tài)下運行，并制造出相當數(shù)量的不符合產(chǎn)品要求的不合格產(chǎn)品，造成損失。如圖1所示，當前，檢測所述PVD沉積腔室氣密性的步驟包括步驟ll:運行一控片，對所述控片執(zhí)行PVD操作；步驟12:;險測所述控片的阻值；步驟13:所述控片的阻值符合檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性滿足產(chǎn)品要求；所述控片的阻值不符合檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。然而，實際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，在PVD沉積腔室開始運行控片時即發(fā)生漏氣時，應用上述方法無法檢測所述PVD沉積腔室是否漏氣，導致在發(fā)生漏氣后應被才企測到的漏氣狀況，沒有被檢測到，需再經(jīng)歷下一檢測過程方可被沖企測出，致使所述PVD沉積腔室需在異常狀態(tài)下運行一個檢測周期，如24小時，在此周期內(nèi)將制造出相當數(shù)量的不符合產(chǎn)品要求的不合格產(chǎn)品。如果能盡早地檢測出所述PVD沉積腔室運行異常，以及時排障，即可減少所述PVD沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，減少損失。1999年10月20日公開的公告號為"CN1232175A"的中國專利申請中提供了一種光電法真空檢漏技術，利用磁場束縳電子運動的方法，通過激發(fā)真空中的氣體放電，并用靈敏的光電器件來檢測其氣體放電的強度和顏色，光激發(fā)部分放大氣體放電的顏色和強度，光接受部分將這一顏色和強度的變化輸出不同的電信號，利用電子學電路產(chǎn)生報警信號。應用上述方法雖然可以及時檢測出所述PVD沉積腔室運行異常，但是，激發(fā)真空中的氣體放電后，易造成所述PVD沉積腔室內(nèi)環(huán)境的改變，即易造成生產(chǎn)條件的改變。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，可及時地檢測出所述物理氣相淀積沉積腔室開始運行后發(fā)生的異常，利于及時排障，以減少所述物理氣相淀積沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的凄t量，且不改變所述物理氣相淀積沉積腔室內(nèi)的環(huán)境。本發(fā)明提供的一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，包括運行第一控片，所述第一控片的運行時間大于或等于檢測反應時間；對第二控片執(zhí)行物理氣相淀積操作；沖企測所述第二控片的阻值；-所述第二控片的阻值符合檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述第二控片的阻值大于檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求?？蛇x地，所述物理氣相淀積沉積腔室專用于金屬化制程；可選地，所述金屬化制程包含形成減小器件的接觸電阻的接觸層的操作；可選地，所述接觸層包含TiSix、CoSix或NiSix;可選地，運行第一控片時，所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零。本發(fā)明提供的一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，包括對包含首、末控片及用以維持所述沉積腔室運行的至少一片中間控片執(zhí)行物理氣相淀積操作，對所述首、末控片執(zhí)行物理氣相淀積操作的間隔時間大于4企測反應時間；檢測所述首、末控片的阻值；所述首、末控片的阻值之差符合^r測標準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述首、末控片的阻值之差大于檢測標準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求?？蛇x地，所述物理氣相淀積沉積腔室專用于金屬化制程；可選地，所述金屬化制程包含形成減小器件的接觸電阻的接觸層的操作；可選地，所述接觸層包含TiSix、CoSix或NiSix;可選地，在所述時間間隔內(nèi)，所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零。與現(xiàn)有技術相比，上述技術方案具有以下優(yōu)點上述技術方案提供的物理氣相淀積沉積腔室氣密性;險測方法，通過在所述物理氣相淀積沉積腔室進入運行狀態(tài)后運行兩片控片，并使第一控片的運行時間大于使所述物理氣相淀積沉積腔室運行狀態(tài)穩(wěn)定所需的枱r測反應時間，繼而，運行第二控片，并檢測所述第二控片的阻值，以根據(jù)所述阻值的變化判定所述物理氣相淀積沉積腔室是否運行異常，可在產(chǎn)品運行前,.及時地;險測出所述物理氣相淀積沉積腔室開始運行后發(fā)生的異常，利于及時排障，以減少所述物理氣相淀積沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，且不改變所述物理氣相淀積沉積腔室內(nèi)的環(huán)境；上述技術方案提供的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法的可選方式，通過在運行第一控片的過程中，設置所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零，可使所述第一控片僅用以維持所述物理氣相淀積沉積腔室的運行，而不對所述第一控片執(zhí)行物理氣相淀積梯:作，可在及時檢測出所述物理氣相淀積沉積腔室運行異常時減少生產(chǎn)材料的耗費；上述技術方案提供的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，通過在所述物理氣相淀積沉積腔室進入運行狀態(tài)后運行至少三片控片，并對首、末控片進行阻值檢測，且使兩次阻值檢測操作的時間間隔大于使所述物理氣相淀積沉積腔室運行狀態(tài)穩(wěn)定所需的檢測反應時間，可根據(jù)所述兩次阻值之差判定所述物理氣相淀積沉積腔室是否運行異常，以及時地檢測出開始運行控片時所述物理氣相淀積沉積腔室運行異常，利于及時排障，以減少所述物理氣相淀積沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，且不造成物理氣相淀積沉積腔室內(nèi)環(huán)境的改變；上述技術方案提供的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法的可選方式，通過在運行首、末控片的時間間隔內(nèi)，設置所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零，可使位于所述首、末控片間的控片僅用以維持所述物理氣相淀積沉積腔室的運行，而不對其執(zhí)行PVD操作，可在及時檢測出所述物理氣相淀積沉積腔室運行異常時減少生產(chǎn)材料的耗費。圖1為說明應用現(xiàn)有技術檢測PVD沉積腔室氣密性的流程示意圖；圖2為說明本發(fā)明第一實施例的檢測PVD沉積腔室氣密性的流程示意7圖3為說明本發(fā)明第二實施例的檢測PVD沉積腔室氣密性的流程示意圖4為說明本發(fā)明第二實施例的檢測結果示意圖。具體實施例方式盡管下面將參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應當理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列的描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛教導，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說明和權利要求書本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。實踐中，在PVD沉積腔室開始運行時或運行一段時間后，如24小時后，需對所述PVD沉積腔室的運行情況進行檢測，以判定所述PVD沉積腔室運行是否正常，氣密性檢測是檢測PVD沉積腔室運行是否正常的重要內(nèi)容。如果PVD沉積腔室的氣密性差，將導致PVD沉積腔室發(fā)生漏氣；空載時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度高，即使PVD沉積腔室發(fā)生漏氣，由于漏氣而進入所述PVD沉積腔室內(nèi)的雜質(zhì)也易被排除所述PVD沉積腔室；而運行產(chǎn)品時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度較低，如果PVD沉積腔室發(fā)生漏氣，由于漏氣而進入所述PVD沉積腔室內(nèi)的雜質(zhì)則不易被排除，而易被粘附于淀積膜8層內(nèi)?？紤]到，PVD沉積腔室通常用于沉積金屬膜層，由于漏氣而粘附于所述金屬膜層內(nèi)的雜質(zhì)易引起所述金屬膜層阻值的增加，進而，易在制成的器件內(nèi)引發(fā)其他問題。在PVD沉積腔室開始運行時(即，PVD沉積腔室由空載狀態(tài)轉(zhuǎn)換為運行狀態(tài)后)進行的氣密性檢測尤其重要，如果在PVD沉積腔室開始運行時即發(fā)生漏氣，而所述漏氣未被及時檢測出，所述PVD沉積腔室將在異常狀態(tài)下運行，并制造出相當數(shù)量的不符合產(chǎn)品要求的不合格產(chǎn)品，造成損失?？蛰d時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度通常為1(TT;運行時，PVD沉積腔室內(nèi)的真空度通常為10，；通常，將PVD沉積腔室由空載狀態(tài)轉(zhuǎn)換為運行狀態(tài)所需的時間小于l秒。由于所述PVD沉積腔室通常用于金屬化制程中，由于漏氣而引入的雜質(zhì)易粘附于經(jīng)歷PVD操作后形成的金屬膜層內(nèi)，致使所述雜質(zhì)的引入易引起所述金屬膜層阻值的增加；由此，通常通過檢測所述金屬膜層的阻值的變化，判定所述PVD沉積腔室中是否已引入雜質(zhì)。所述檢測基準即為一標準阻值范圍，測得的阻值符合所述檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性滿足產(chǎn)品要求；測得的阻值不符合所述檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。本發(fā)明的發(fā)明人分析后認為，實際生產(chǎn)中，即使在PVD沉積腔室開始運行時(即，PVD沉積腔室由空載狀態(tài)轉(zhuǎn)換為運行狀態(tài)后)就發(fā)生漏氣，由于漏氣而引入所述PVD沉積腔室的雜質(zhì)也不會瞬間改變所述PVD沉積腔室內(nèi)的條件，且粘附于經(jīng)歷PVD操作后形成的金屬膜層內(nèi)的雜質(zhì)也不會多到立即改變所述金屬膜層的阻值的程度；即，通常需要在PVD沉積腔室開始運行后延遲一段時間，方可通過4企測所述金屬膜層的阻值而判定所述金屬膜層中存在由于漏氣而引入的雜質(zhì)。所述檢測反應時間即為上述延遲時間，在PVD沉積腔室開始運行后，經(jīng)歷所述檢測反應時間，可使所述PVD沉積腔室的運行狀態(tài)穩(wěn)定，即，即使發(fā)生漏氣，經(jīng)歷所述檢測反應時間，由于漏氣而引入的雜質(zhì)也會在所述PVD沉積腔室保持動態(tài)穩(wěn)定，且所述雜質(zhì)對PVD沉積腔室內(nèi)條件的改變可以穩(wěn)定地改變沉積的金屬膜層的性質(zhì)，如使所述金屬膜層的阻值發(fā)生變化。所述檢測反應時間根據(jù)生產(chǎn)條件及產(chǎn)品要求確定，對于不同的PVD沉積腔室及應用所述PVD沉積腔室沉積不同的金屬膜層時，所述斥企測反應時間可不同。作為示例，應用美國應用材料^^司提供的PVD沉積腔室沉積用以減小器件的接觸電阻的TiSix、CoSix或NiSix時，所述4企測反應時間至少為10分鐘。如圖2所示，作為本發(fā)明的第一實施例，應用本發(fā)明提供的方法檢測PVD沉積腔室氣密性的具體步驟包括步驟21:運行第一控片，所述第一控片的運行時間大于或等于檢測反應時間。實踐中，通常在PVD沉積腔室開始運行時或運行一段時間后，如24小時后，對所述PVD沉積腔室的運行情況進行4企測。所述^r測利用所述PVD沉積腔室以運行產(chǎn)品時相同的條件運行控片的方式進行。所述控片俗稱棵片，通常在去除表面沾污后用以檢測機臺運行狀況，經(jīng)歷回收操作后，所述控片可重復使用。運行所述第一控片，用以使所述PVD沉積腔室進入運行狀態(tài)；控制所述運行時間大于或等于所述檢測反應時間，用以使所述PVD沉積腔室運行狀態(tài)穩(wěn)定；運行狀態(tài)穩(wěn)定的PVD沉積腔室，方可用以運行產(chǎn)品。作為示例，應用美國應用材料^^司提供的PVD沉積腔室沉積用以減小器件的接觸電阻的TiSix、CoSix或NiSix時，所述第一控片的運行時間至少為10分鐘。沉積腔室的反應功率為零，可使所述PVD沉積腔室對其內(nèi)運行的所述第一控片不執(zhí)行沉積膜層的操作，即此時，所述第一控片僅用以使所述PVD沉積腔室維持運行狀態(tài)。即，通過在運行第一控片的過程中，設置所述PVD沉積腔室的反應功率為零，可使所述第一控片僅用以維持所述PVD沉積腔室的運行，而不對所述第一控片執(zhí)行PVD操作，可在及時檢測出所述PVD沉積腔室運行異常時減少生產(chǎn)材料的耗費。步驟22:對第二控片執(zhí)行PVD操作。運行第一控片后，判定所述PVD沉積腔室的運行狀態(tài)已穩(wěn)定，此時，運行所述第二控片，并對所述第二控片執(zhí)行PVD操作；如果所述PVD沉積腔室在進入運行狀態(tài)時發(fā)生漏氣，引入的雜質(zhì)經(jīng)歷所述第一控片運行時間后，也已在所述PVD沉積腔室內(nèi)形成動態(tài)穩(wěn)定分布，其對PVD沉積腔室內(nèi)條件的影響可穩(wěn)定地反應在應用所述PVD沉積腔室形成的膜層中。所述PVD操作包含金屬化制程，如，形成接觸層的操作，所述接觸層用以減小器件的接觸電阻；具體地，所述接觸層可包含TiSix、CoSix或NiSix。步驟23:檢測所述第二控片的阻值。可采用美國應用材料公司提供的Agilent4700檢測所述阻值(Rs)。步驟24:所述第二控片的阻值符合檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述第二控片的阻值大于檢測基準時，所述PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。所述檢測基準根據(jù)工藝條件和產(chǎn)品要求確定；應用確定工藝條件時，若產(chǎn)品要求利用PVD沉積的金屬膜層的阻值小于30歐，則所述檢測基準為30歐，所述第二控片的阻值小于30歐時，PVD沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述第二控片的阻值大于30歐時，PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。本方案提供的PVD沉積腔室氣密性;險測方法，通過在所述PVD沉積腔室進入運行狀態(tài)后運行兩片控片，并使第一控片的運行時間大于使所述PVD沉積腔室運行狀態(tài)穩(wěn)定所需的檢測反應時間，繼而，運行第二控片，并檢測所述第二控片的阻值，以根據(jù)所述阻值的變化判定所述PVD沉積腔室是否運行異常，可在產(chǎn)品運行前，及時地檢測出所述PVD沉積腔室開始運行后發(fā)生的異常，利于及時排障，以減少所述PVD沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，且不改變所述PVD沉積腔室內(nèi)的環(huán)境?；谙嗤臉嬎?，本發(fā)明還提供了一種PVD沉積腔室氣密性檢測方法，作為本發(fā)明的第二實施例，如圖3所示，應用所述方法檢測PVD沉積腔室氣密性的具體步驟包括步驟31:對包含首、末控片及用以維持所述沉積腔室運行的至少一片中間控片執(zhí)行物理氣相淀積操作，對所述首、末控片執(zhí)行PVD操作的間隔時間大于4全測反應時間；步驟32:檢測所述首、末控片的阻值；步驟33:述首、末控片的阻值之差符合檢測標準時，所述PVD沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述首、末控片的阻值之差大于檢測標準時，所述PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。需說明的是，本實施例中，為4全測所述PVD沉積腔室氣密性是否不符合產(chǎn)品要求，在所述PVD沉積腔室由空載狀態(tài)轉(zhuǎn)換為運行狀態(tài)后，需運行至少三片控片；其中，運行首控片時，所述PVD沉積腔室尚未達到運行狀態(tài)的穩(wěn)定，即，如果所述PVD沉積腔室在進入運行狀態(tài)的過程中發(fā)生漏氣，由于所述漏氣引入的雜質(zhì)還無法影響到沉積于所述首控片上的膜層的阻值；而由于對所述首、末控片執(zhí)行PVD搡作的間隔時間大于所述檢測反應時間，即，運行末控片時，所述PVD沉積腔室已達到運行狀態(tài)的穩(wěn)定，即，如果所述PVD沉積腔室在進入運行狀態(tài)的過程中發(fā)生漏氣，由于所述漏氣引入的雜質(zhì)已可影響到沉積于所述末控片上的膜層的阻值；換言之，由于漏氣引入的雜質(zhì)對所述PVD沉積腔室內(nèi)條件的影響，可以體現(xiàn)在經(jīng)歷PVD操作后所述首、末控片的阻值之差中。所述首控片為檢測PVD沉積腔室運行是否正常時運行的第一片控片；所述末控片為^r測PVD沉積腔室運行是否正常時運行的最后一片控片。此外，由于只對經(jīng)歷PVD操作后的所述首、末控片進行阻值檢測，即，位于所述首、末控片之間的控片僅用以維持所述PVD沉積腔室的運行，減少此中間控片的數(shù)量，如，在所述首、末控片之間只存在一片控片以維持所述PVD沉積腔室的運行，可減少控片的投入，進而減少生產(chǎn)成本；以及，運行上述中間控片時，設置所述PVD沉積腔室的反應功率為零，可使所述PVD沉積腔室對其內(nèi)運行的所述中間控片不執(zhí)行沉積膜層的操作，即此時，所述中間控片僅用以使所述PVD沉積腔室維持運行狀態(tài)。即，通過在運行中間控片的過程中，設置所述PVD沉積腔室的反應功率為零，可使所述中間控片僅用以維持所述PVD沉積腔室的運行，而不對所述中間控片執(zhí)行PVD操作，可在及時檢測出所述PVD沉積腔室運行異常時減少生產(chǎn)材料的耗費。作為示例，應用美國應用材料^^司提供的PVD沉積腔室沉積用以減小器件的接觸電阻的TiSix、CoSix或NiSix時，所述檢測標準為4歐姆，即，經(jīng)歷PVD操作后，所述首、末控片的阻值之差小于4歐姆時，所述PVD沉積腔室的氣密性滿足產(chǎn)品要求；所述首、末控片的阻值之差大于4歐姆時，所述PVD沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。表1是對1組控片的選取不同檢測點的阻值檢測結果，此組控片包含三片控片；表l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表1及圖4所示，所述首、末控片的阻值之差均大于4歐姆時，判定所述PVD沉積腔室氣密性不符合產(chǎn)品要求。需說明的是，圖4中，橫坐標為取值點，即，第1取值點，……，第10取值點；縱坐標為在各取值點測得的阻值。本技術方案提供的PVD沉積腔室氣密性檢測方法，通過在所述PVD沉積腔室進入運行狀態(tài)后運行至少三片控片，并對首、末控片進行阻值檢測，且使兩次阻值檢測操作的時間間隔大于使所述PVD沉積腔室運行狀態(tài)穩(wěn)定所需的4企測反應時間，可才艮據(jù)所述兩次阻值之差判定所述PVD沉積腔室是否運行異常，以及時地檢測出開始運行控片時所述PVD沉積腔室運行異常，利于及時排障，以減少所述PVD沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，且不造成PVD沉積腔室內(nèi)環(huán)境的改變。需強調(diào)的是，未加說明的步驟均可采用傳統(tǒng)的方法獲得，且具體的工藝參數(shù)根據(jù)產(chǎn)品要求及.工藝條件確定；本文件內(nèi)涉及的PVD沉積腔室為PVD系統(tǒng)內(nèi)的任一沉積腔室。盡管通過在此的實施例描述說明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細地描述了實施例，申請人不希望以任何方式將權利要求書的范圍限制在這種細節(jié)上。對于本領域技術人員來說另外的優(yōu)勢和改進是顯而易見的。因此，在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細節(jié)、表達的系統(tǒng)和方法和說明性例子。因此，可以偏離這些細節(jié)而不脫離申請人總的發(fā)明概念的精神和范圍。權利要求1.一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于，包括運行第一控片，所述第一控片的運行時間大于或等于檢測反應時間；對第二控片執(zhí)行物理氣相淀積操作；檢測所述第二控片的阻值；所述第二控片的阻值符合檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述第二控片的阻值大于檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。2.根據(jù)權利要求1所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述物理氣相淀積沉積腔室專用于金屬化制程。3.根據(jù)權利要求2所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述金屬化制程包含形成減小器件的接觸電阻的接觸層的操作。4.根據(jù)權利要求3所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述接觸層包含TiSix、CoSix或NiSix。5.根據(jù)權利要求1所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于運行第一控片時，所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零。6.—種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于，包括對包含首、末控片及用以維持所述沉積腔室運行的至少一片中間控片執(zhí)行物理氣相淀積操作，對所述首、末控片執(zhí)行物理氣相淀積4喿作的間隔時間大于才全測反應時間；檢測所述首、末控片的阻值；所述首、末控片的阻值之差符合檢測標準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述首、末控片的阻值之差大于檢測標準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求。7.根據(jù)權利要求6所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述物理氣相淀積沉積腔室專用于金屬化制程。8.根據(jù)權利要求7所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述金屬化制程包含形成減小器件的接觸電阻的接觸層的操作。9.根據(jù)權利要求8所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于所述^妄觸層包含TiSix、CoSix或NiSix。10.根據(jù)權利要求6所述的物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，其特征在于在所述時間間隔內(nèi)，所述物理氣相淀積沉積腔室的反應功率為零。全文摘要一種物理氣相淀積沉積腔室氣密性檢測方法，包括運行第一控片，所述第一控片的運行時間大于或等于檢測反應時間；對第二控片執(zhí)行物理氣相淀積操作；檢測所述第二控片的阻值；所述第二控片的阻值符合檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性符合產(chǎn)品要求；所述第二控片的阻值大于檢測基準時，所述物理氣相淀積沉積腔室的氣密性不符合產(chǎn)品要求?？杉皶r地檢測出所述物理氣相淀積沉積腔室開始運行后發(fā)生的異常，利于及時排障，以減少所述物理氣相淀積沉積腔室處于異常狀態(tài)時生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量，且不改變所述物理氣相淀積沉積腔室內(nèi)的環(huán)境。文檔編號G01M3/40GK101458150SQ20071009449公開日2009年6月17日申請日期2007年12月13日優(yōu)先權日2007年12月13日發(fā)明者聶佳相,胡宇慧,娜蘇申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司