專利名稱：測試裝置與測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測試裝置與測試方法。本發(fā)明特別是涉及一種被測試存儲器測試用的測試裝置與測試方法。對藉由文獻(xiàn)的參照而被認(rèn)為可并入的指定國，則由參照下述申請案所記載的內(nèi)容，并入本案作為本案的記載的一部份。
特愿2004-87924 申請日 2004年3月24日背景技術(shù)圖7顯示反及(NAND)型快閃存儲器的構(gòu)成。反及(NAND)型快閃存儲器的存儲單元陣列在構(gòu)造上分成3大區(qū)域。第1種是作為儲存數(shù)據(jù)用的數(shù)據(jù)儲存區(qū)域時所使用的主區(qū)，第2種是判別主區(qū)是否正常時儲存不良數(shù)據(jù)用的擴(kuò)張區(qū)，第3種是制造資訊，識別(ID)管理資訊，不良方塊的圖形(map)資訊等的不良資訊儲存用的特殊區(qū)。然后，反及型快閃存儲器具備多個方塊區(qū)，各方塊區(qū)分別具有多個頁(page)區(qū)，各頁區(qū)分別含有主區(qū)和擴(kuò)張區(qū)。
藉由采用上述方式所分割的構(gòu)造，若特定的方塊區(qū)內(nèi)存在著一部份不良的單元，則方塊區(qū)的擴(kuò)張區(qū)中記錄著顯示“該方塊區(qū)不良”所用的不良資訊的一例的不良碼，使用者可進(jìn)行控制以避開該方塊區(qū)的使用。又，方塊區(qū)的擴(kuò)張區(qū)中記錄著ECC補正用的錯誤訂正碼，可使用此種錯誤訂正碼來進(jìn)行處理而使存儲器成為良品。結(jié)果，有助于制造時成品率(product yield)的向上提升，且可使存儲器單價降低。然而，對存在著不良單元的反及型快閃存儲器作測試以進(jìn)行救濟(jì)時，復(fù)雜的測試項目是必要的，這樣會使測試時間增多。因此，為了效率良好地對反及型快閃存儲器作測試以進(jìn)行救濟(jì)，則須進(jìn)一步開發(fā)其它的測試裝置。
圖8是先前技術(shù)所屬的測試裝置800。測試裝置800具備圖樣產(chǎn)生器802，主波形整形器804，多個各別的測試單元806，接口808，CPU810以及測試總線812。多個各別的測試單元806分別具有通用(universal)緩沖存儲器822，內(nèi)部總線823，方塊失效存儲器824，不良方塊計數(shù)器826，次(sub)波形整形器832，邏輯比較器834，多任務(wù)器836，驅(qū)動器838以及位準(zhǔn)比較器840。各別的測試單元806分別對應(yīng)于多個被測試存儲器(以下稱為“DUT”)850而設(shè)置著。
圖樣產(chǎn)生器802產(chǎn)生一種供給至多個DUT850中的位址信號和數(shù)據(jù)信號，這些信號亦供給至主波形整形器804中。又，圖樣產(chǎn)生器802使已產(chǎn)生的位址信號供給至多個方塊失效存儲器824中。又，DUT850對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而產(chǎn)生應(yīng)輸出的期待值信號，圖樣產(chǎn)生器802將該期待值信號供給至邏輯比較器834。主波形整形器804使圖樣產(chǎn)生器802所產(chǎn)生的位址信號和數(shù)據(jù)信號整形而成DUT850測試時所必要的格式(format)的波形，以經(jīng)由多任務(wù)器836和驅(qū)動器838而供給至DUT850中。
邏輯比較器834對已在位準(zhǔn)比較器840中變換成2值的DUT850的輸出信號和由圖樣產(chǎn)生器802所供給的期待值信號進(jìn)行比較，若該輸出信號和期待值信號不一致時，則產(chǎn)生一種失效數(shù)據(jù)以供給至方塊失效存儲器824中。方塊失效存儲器824使邏輯比較器834所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)于圖樣產(chǎn)生器802所供給的位址信號所示的位址而儲存著。不良方塊計數(shù)器826藉由對該邏輯比較器834所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)進(jìn)行計數(shù)，以算出DUT850所具有的不良方塊區(qū)的數(shù)目。
CPU810經(jīng)由接口808來參考該方塊失效存儲器824，以讀出方塊失效存儲器824中所儲存的失效數(shù)據(jù)，依據(jù)已讀出的失效數(shù)據(jù)來產(chǎn)生不良位址資訊，以顯示DUT850所具有的不良方塊區(qū)的方塊位址。然后，CPU810經(jīng)由接口808將不良位址資訊供給至通用緩沖存儲器822中。
該通用緩沖存儲器822儲存著CPU810所產(chǎn)生的不良位址資訊。然后，通用緩沖存儲器822將顯示各方塊位址用的不良位址資訊依序供給至次(sub)波形整形器832中。次波形整形器832依據(jù)由通用緩沖存儲器822所供給的不良位址資訊所示的方塊位址以產(chǎn)生一種供應(yīng)至DUT850中的位址信號，且經(jīng)由多任務(wù)器836和驅(qū)動器838以供給至DUT850中，則可使不良資訊寫入至通用緩沖存儲器822所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中。
現(xiàn)在由于對先前技術(shù)文獻(xiàn)的存在尚不清楚，與先前技術(shù)文獻(xiàn)有關(guān)的記載因此省略。
圖9是先前技術(shù)所屬的測試裝置800中數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送處理的概要圖。CPU810經(jīng)由接口808以進(jìn)行該通用緩沖存儲器822和方塊失效存儲器824的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送。又，此種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送由于是經(jīng)由測試總線812來進(jìn)行，則在DUT850測試時不可進(jìn)行，DUT850測試終了之后應(yīng)使上述的二種數(shù)據(jù)傳送同時進(jìn)行。又，CPU810藉由依序進(jìn)行處理以產(chǎn)生多個通用緩沖存儲器822所儲存的失效數(shù)據(jù)所分別對應(yīng)的不良位址資訊。因此，多個DUT850同時進(jìn)行測試時，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送的一般管理(overhead)亦會發(fā)生，轉(zhuǎn)送時間會增多。又，由于CPU810所造成的不良位址資訊的產(chǎn)生時會發(fā)生一種等待時間，則測試時的效能(through-put)無法提升。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種可解決上述問題的測試裝置。該目的藉由權(quán)利要求獨立項中所記載的特征的組合來達(dá)成。又，各附屬項規(guī)定了本發(fā)明更有利的具體例。
依據(jù)本發(fā)明的第1形式，在多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試裝置中具備圖樣產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于該位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；多個邏輯比較器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；多個失效存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；多個存儲器控制器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生被測試存儲器的不良位址顯示用的不良位址資訊；多個通用緩沖存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊；以及多個不良資訊寫入部，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將第1不良資訊同時寫入至多個被測試裝置的多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良位址資訊所示的不良位址中。
該測試裝置另外亦可具備多條第1總線，其分別用來連接多個失效存儲器和多個存儲器控制器；以及多條第2總線，其分別用來連接多個存儲器控制器和多個通用緩沖存儲器。
存儲器控制器亦可產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的不良位址資訊，以供給至通用緩沖存儲器中。
存儲器控制器應(yīng)產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的不良位址資訊，亦可對應(yīng)于被測試存儲器的種類而依據(jù)已載入的程式來動作。
被測試存儲器具備多個方塊區(qū)，各方塊區(qū)分別具有多個頁(page)區(qū)，各頁區(qū)分別含有數(shù)據(jù)儲存用的主區(qū)和第1不良資訊儲存用的擴(kuò)張區(qū)。失效存儲器儲存著被測試存儲器每個方塊區(qū)中的失效數(shù)據(jù)。存儲器控制器參考各失效存儲器以產(chǎn)生不良位址資訊，其顯示被測試存儲器所具有的不良方塊區(qū)的方塊位址。通用緩沖存儲器儲存著存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊。不良資訊寫入部亦可使第1不良資訊寫入至通用緩沖存儲器所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中。
圖樣產(chǎn)生器產(chǎn)生頁區(qū)顯示用的頁位址信號，以供給至多個不良資訊寫入部中，多個不良資訊寫入部亦可將第1不良資訊寫入至各別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中，此擴(kuò)張區(qū)亦是圖樣產(chǎn)生器所產(chǎn)生的頁位址信號所示的頁區(qū)的擴(kuò)張區(qū)。
存儲器控制器亦可具有數(shù)據(jù)讀出部，其將失效存儲器所定的位址中所儲存的數(shù)據(jù)讀出；失效判斷部，其用來判斷數(shù)據(jù)讀出部已讀出的數(shù)據(jù)中是否含有失效數(shù)據(jù)；不良位址資訊產(chǎn)生部，若失效判斷部判斷數(shù)據(jù)讀出部已讀出的數(shù)據(jù)中含有失效數(shù)據(jù)，則產(chǎn)生不良位址資訊。
多個存儲器控制器依據(jù)多個失效存儲器中所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的第2不良資訊，多個通用緩沖存儲器儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的第2不良資訊，多個不良資訊寫入部亦可將多個通用緩沖存儲器中所儲存的第2不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
存儲器控制器應(yīng)產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的第2不良資訊，亦可對應(yīng)于被測試存儲器的種類而依據(jù)已載入的程式來動作。
該測試裝置更可具備多個第1失效資訊存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置著且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的第2不良資訊；多個第2失效資訊存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置著且儲存著由多個被測試存儲器所讀出的第2不良資訊；以及良否判定部，其藉由對第1失效資訊存儲器所儲存的第2不良資訊和第2失效資訊存儲器所儲存的第2不良資訊進(jìn)行比較，以判定多個被測試存儲器的良否。
該測試裝置另外亦可具備多條第1總線，其分別用來連接多個失效存儲器和多個第1失效資訊存儲器以及多個存儲器控制器；以及多條第2總線，其分別用來連接多個存儲器控制器和多個通用緩沖存儲器。
被測試存儲器具備數(shù)據(jù)儲存用的多個主區(qū)和第2不良資訊儲存用的特殊區(qū)。不良資訊寫入部亦可將第2不良資訊寫入至被測試存儲器所具備的特殊區(qū)中。
依據(jù)本發(fā)明的第2形式，在多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試裝置中具備圖樣產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；多個邏輯比較器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；多個失效存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；多個存儲器控制器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器中固有的格式的不良資訊；多個通用緩沖存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良資訊；以及多個不良資訊寫入部，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
依據(jù)本發(fā)明的第3形式，在多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試方法中包含以下各步驟一產(chǎn)生步驟，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；另一產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個邏輯比較器來對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；一儲存步驟，其對應(yīng)于位址信號所示的位址而使失效數(shù)據(jù)儲存于分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個失效存儲器中；一不良位址資訊產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個存儲器控制器，且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器的不良位址顯示用的不良位址資訊；另一儲存步驟，其使多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊儲存在分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器中；以及一寫入步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個不良資訊寫入部，將第1不良資訊同時寫入至多個被測試存儲器的多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良位址資訊所示的不良位址中。
依據(jù)本發(fā)明的第4形式，在多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試方法中包含以下各步驟一產(chǎn)生步驟，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；另一產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個邏輯比較器來對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；一儲存步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個失效存儲器，使多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；一不良資訊產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個存儲器控制器，且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的不良資訊；另一儲存步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器來儲存多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良資訊；以及一寫入步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個不良資訊寫入部，將多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
又，上述發(fā)明的概要并未列舉本發(fā)明的必要的特征的全部，這些特征群的下位組合(sub-combination)亦屬本發(fā)明。
依據(jù)本發(fā)明所屬的測試裝置和測試方法，即使多個被測試存儲器同時測試時，測試的效能(through-put)仍可向上提升。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1是測試裝置100的構(gòu)成的一例。
圖2是測試裝置100的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送處理的概要圖。
圖3是存儲器控制器120的機(jī)能構(gòu)成的一例。
圖4(a)是供給至DUT150中的位址信號的數(shù)據(jù)構(gòu)成的一例。圖4(b)是次(sub)波形整形器132的輸入信號的數(shù)據(jù)構(gòu)成。
圖5是由測試裝置100來進(jìn)行的測試方法的流程的一例。
圖6是由測試裝置100來進(jìn)行的測試方法的流程的一例。
圖7是反及(NAND)型快閃存儲器的構(gòu)成。
圖8是先前技術(shù)所屬的測試裝置800的構(gòu)成。
圖9是先前技術(shù)所屬的測試裝置800的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送處理的概要圖。
100測試裝置102圖樣產(chǎn)生器104主波形整形器106個別測試單元108接口110CPU112測試總線120存儲器控制器121外部總線122通用緩沖存儲器123內(nèi)部總線124方塊失效存儲器126不良方塊計數(shù)器 128，130失效資訊存儲器132次波形整形器134邏輯比較器136多任務(wù)器138驅(qū)動器140位準(zhǔn)比較器 150被測試裝置(DUT)300數(shù)據(jù)讀出部 302失效判斷部304方塊位址取得部 306不良位址資訊產(chǎn)生部308位址指標(biāo)控制部 800測試裝置802圖樣產(chǎn)生器 804主波形整形器806個別測試單元808接口810CPU 812測試總線822通用緩沖存儲器 823內(nèi)部總線824方塊失效存儲器 826不良方塊計數(shù)器832次波形整形器834邏輯比較器836多任務(wù)器838驅(qū)動器840位準(zhǔn)比較器 850被測試裝置(DUT)
具體實施例方式
以下將依據(jù)本發(fā)明的實施形式來說明本發(fā)明，但以下的實施形式不是用來限定各申請專利范圍所屬的發(fā)明。又，實施形式中所說明的特征的組合的全部不限于發(fā)明解決手段中所必須者。
圖1是本發(fā)明的一實施形式中所屬的測試裝置100的構(gòu)成的一例。測試裝置100具備圖樣產(chǎn)生器102，主波形整形器104，多個各別的測試單元106，接口108，CPU110以及測試總線112。多個各別的測試單元106分別具有存儲器控制器120，外部總線121，通用緩沖存儲器122，內(nèi)部總線123，方塊失效存儲器124，不良方塊計數(shù)器126，失效資訊存儲器128，失效資訊存儲器130，次(sub)波形整形器132，邏輯比較器134，多任務(wù)器136，驅(qū)動器138以及位準(zhǔn)比較器140。測試裝置100分別對應(yīng)于多個被測試存儲器DUT150而設(shè)置著。DUT150例如是反及(NAND)型快閃存儲器。
測試裝置100分別藉由多個各別的測試單元106來同時對多個DUT150各別地進(jìn)行測試，依據(jù)多個DUT150的各別的測試結(jié)果，使不良資訊各別地同時寫入至多個DUT150中。具體而言，對DUT150的反及(NAND)型快閃存儲器所具有的每一方塊區(qū)中”是否存在不良單元”進(jìn)行測試，作成不良位址資訊以顯示不良單元所存在的方塊區(qū)，使不良資訊寫入至該不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中，或使不良位址資訊寫入至DUT150所具有的特殊區(qū)中。在測試裝置100中，對應(yīng)于多個DUT150而設(shè)的存儲器控制器120藉由同時作成多個DUT150中每個的不良位址資訊，此時由于可使不良資訊或不良位址資訊的產(chǎn)生所需要的時間降低，則可使測試的效能(through-put)向上提升。以下將就測試裝置100所具備的各構(gòu)成元件的動作來作說明。
測試總線112連接著圖樣產(chǎn)生器102，接口108以及CPU110以使通信繼續(xù)。CPU110經(jīng)由測試總線112以控制圖樣產(chǎn)生器102和接口108。又，依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102和接口108而來的要求以進(jìn)行各種處理。接口108連接著存儲器控制器120和測試總線112，以控制存儲器控制器120和CPU110之間的通信。
圖樣產(chǎn)生器102產(chǎn)生一種供給至多個DUT150中的位址信號和數(shù)據(jù)信號，以供給至主波形整形器104中。又，圖樣產(chǎn)生器102使已產(chǎn)生的位址信號供給至多個方塊失效存儲器124中。又，圖樣產(chǎn)生器102產(chǎn)生一種DUT150對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號時應(yīng)輸出的期待值信號，以供給至邏輯比較器134。又，圖樣產(chǎn)生器102藉由供給一種控制信號(以下稱為“FCM信號”)，以控制多個通用緩沖存儲器122，多個次波形整形器132以及多個多任務(wù)器136的動作。又，圖樣產(chǎn)生器102在對DUT150寫入不良資訊時，會產(chǎn)生一種顯示DUT150的頁區(qū)所用的頁位址信號，其與不良資訊同時供給至多個次波形整形器132中。主波形整形器104使圖樣產(chǎn)生器102所產(chǎn)生的位址信號和數(shù)據(jù)信號整形成DUT150測試時所需要的格式的波形，以供給至多個各別的測試單元106所各別具有的多任務(wù)器136中。
多任務(wù)器136依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號來選取主波形整形器104所供給的位址信號和數(shù)據(jù)信號。然后，驅(qū)動器138將多任務(wù)器136所選取的位址信號和數(shù)據(jù)信號施加至DUT150。
位準(zhǔn)比較器140藉由對DUT150對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號來和一種預(yù)定的門限(threshold)值電壓進(jìn)行比較，將該輸出信號變換成2值的輸出信號以供給至邏輯比較器134。邏輯比較器134對由位準(zhǔn)比較器140所供給的輸出信號和圖樣產(chǎn)生器102所供給的期待值信號進(jìn)行比較，在輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生一種失效數(shù)據(jù)，以供給至方塊失效存儲器124中。該方塊失效存儲器124將邏輯比較器134所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在圖樣產(chǎn)生器102所供給的位址信號所示的位址中。本實施形式中，圖樣產(chǎn)生器102產(chǎn)生一種位址信號，其顯示DUT150的方塊區(qū)的位址所在的方塊位址。該方塊失效存儲器124使失效數(shù)據(jù)儲存在DUT150所具有的每一方塊區(qū)中。又，不良方塊計數(shù)器126藉由對邏輯比較器134所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)進(jìn)行計數(shù)，以對DUT150所具有的不良的方塊區(qū)的數(shù)目進(jìn)行計數(shù)。藉由不良方塊計數(shù)器126所計算的失效數(shù)據(jù)數(shù)例如可用在軟體所進(jìn)行的DUT150的不良解析中或用在良否判定等。
外部總線121連接著通用緩沖存儲器122和存儲器控制器120以使通信繼續(xù)。又，內(nèi)部總線123使方塊失效存儲器124，不良方塊計數(shù)器126，失效資訊存儲器128以及失效資訊存儲器130都和存儲器控制器120相連接，以使通信繼續(xù)。
存儲器控制器120經(jīng)由內(nèi)部總線123來參考該方塊失效存儲器124，以讀出方塊失效存儲器124中所儲存的失效數(shù)據(jù)。依據(jù)已讀出的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生不良位址資訊，其顯示DUT150所具有的不良的方塊區(qū)的方塊位址。然后，存儲器控制器120經(jīng)由外部總線121使不良位址資訊供給至通用緩沖存儲器122中。存儲器控制器120產(chǎn)生DUT150中固有的格式的不良位址資訊，以供給至通用緩沖存儲器122中。又，存儲器控制器120應(yīng)產(chǎn)生DUT150中固有的格式的不良位址資訊，且依據(jù)對應(yīng)于DUT150的種類所載入的程式來動作。
通用緩沖存儲器122儲存著存儲器控制器120所產(chǎn)生的不良位址資訊。然后，通用緩沖存儲器122使不良資訊依序供給至次波形整形器132中。次波形整形器132依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號，通用緩沖存儲器122所供給的不良資訊以及圖樣產(chǎn)生器102所供給的特殊區(qū)的位址顯示用的位址信號，以產(chǎn)生DUT150中固有的格式的位址信號和數(shù)據(jù)信號。多任務(wù)器136依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號來選取次波形整形器132所供給的位址信號和數(shù)據(jù)信號。然后，驅(qū)動器138藉由將該多任務(wù)器136所選擇的位址信號和數(shù)據(jù)信號施加至DUT150，使不良資訊寫入至通用緩沖存儲器122所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的頁區(qū)的擴(kuò)張區(qū)中，該頁區(qū)的擴(kuò)張區(qū)由圖樣產(chǎn)生器102所供給的頁位址信號所顯示。次波形整形器132和驅(qū)動器138是本發(fā)明的不良資訊寫入部的一例，其以DUT150的種類所對應(yīng)的格式的寫入方式而使不良資訊寫入至DUT150的擴(kuò)張區(qū)中。
又，存儲器控制器120經(jīng)由內(nèi)部總線123以讀出方塊失效存儲器124中所儲存的失效數(shù)據(jù)，依據(jù)已讀出的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生DUT150中固有的格式的不良資訊。不良資訊含有多種不良位址資訊，其顯示DUT150所具有的不良方塊區(qū)的方塊位址。然后，存儲器控制器120經(jīng)由外部總線121使不良資訊供給至通用緩沖存儲器122中。又，存儲器控制器120經(jīng)由內(nèi)部總線123使不良資訊供給至失效資訊存儲器130中。又，存儲器控制器120應(yīng)產(chǎn)生DUT150中固有的格式的不良資訊，且依據(jù)對應(yīng)于DUT150的種類所載入的程式來動作。
通用緩沖存儲器122儲存著存儲器控制器120所產(chǎn)生的不良資訊。然后，通用緩沖存儲器122將不良資訊依次供給至次波形整形器132中。次波形整形器132依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號，依據(jù)通用緩沖存儲器122所供給的不良資訊以及圖樣產(chǎn)生器102所供給的特殊區(qū)的位址顯示用的位址信號以產(chǎn)生DUT150中固有的格式的位址信號和數(shù)據(jù)信號。多任務(wù)器136依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號來選取次波形整形器132所供給的位址信號和數(shù)據(jù)信號。然后，驅(qū)動器138藉由多任務(wù)器136所選取的位址信號和數(shù)據(jù)信號施加至DUT150中，使通用緩沖存儲器122中所儲存的不良資訊寫入至圖樣產(chǎn)生器102所供給的位址信號所示的DUT150的特殊區(qū)中。次波形整形器132和驅(qū)動器138是本發(fā)明的不良資訊寫入部的一例，以DUT150的種類所對應(yīng)的格式的寫入方式使不良資訊寫入至DUT150的特殊區(qū)中。
失效資訊存儲器128藉由位準(zhǔn)比較器140以儲存由DUT150的特殊區(qū)所讀出的不良資訊。又，失效資訊存儲器130藉由內(nèi)部總線123以儲存著存儲器控制器120所產(chǎn)生的不良資訊。然后，藉由CPU110中操作用的軟體來對失效資訊存儲器128中所儲存的不良資訊和失效資訊存儲器130中所儲存的不良資訊進(jìn)行比較，以判定DUT150的良否。CPU110中操作用的軟體是本發(fā)明的良否判定部的一例。
依據(jù)本實施形式中的測試裝置100，對應(yīng)于多個DUT150的每一個而分別設(shè)有存儲器控制器120。藉由同時產(chǎn)生多個DUT150中每一個的不良位址資訊或不良資訊，則不良位址資訊或不良資訊產(chǎn)生時所需的等待時間即不會發(fā)生。因此，由測試終了到對DUT150的不良位址資訊或不良資訊的寫入開始為止的時間即可減少。因此，多個DUT150并列測試時的測試時間可減少，測試的效能即可向上提升。又，存儲器控制器120由于可對應(yīng)于DUT150的種類而構(gòu)成，則藉由測試裝置100的銷售者(vender)可構(gòu)成該存儲器控制器120，以產(chǎn)生一種對應(yīng)于DUT150的種類的不良位址資訊和不良資訊。
圖2是本實施形式的測試裝置100的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送處理的概要圖。多個各別的測試單元106所各別具有的多個存儲器控制器120分別依據(jù)經(jīng)由測試總線112和接口108之由CPU110而來的命令，以并列地進(jìn)行該通用緩沖存儲器122，方塊失效存儲器124或失效資訊存儲器130的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送。又，多個存儲器控制器120依照預(yù)先已載入的程式且以通用緩沖存儲器122所儲存的失效數(shù)據(jù)為基準(zhǔn)以并列地產(chǎn)生不良位址資訊或不良資訊。
多個存儲器控制器120采用微程式的方式且在構(gòu)造上可靈活地對應(yīng)于一連串的數(shù)據(jù)處理而形成。又，多個存儲器控制器120采用一種總線構(gòu)造以分別藉由外部總線121而各別地連接至相對應(yīng)而設(shè)置的通用緩沖存儲器122中，且藉由內(nèi)部總線123而各別地連接至相對應(yīng)而設(shè)置的方塊失效存儲器124和失效資訊存儲器130中。
因此，多個存儲器控制器120分別藉由一種與通用緩沖存儲器122或方塊失效存儲器124和失效資訊存儲器130不同的總線而連接著，由于可并列地進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送，則通用緩沖存儲器122和存儲器控制器120之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送，以及存儲器控制器120和方塊失效存儲器124或失效資訊存儲器130之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送都可高速地處理。
圖3是本實施形式的存儲器控制器120的機(jī)能構(gòu)成的一例。該存儲器控制器120具備數(shù)據(jù)讀出部300，失效判斷部302，方塊位址取得部304，不良位址資訊產(chǎn)生部306以及位址指標(biāo)控制部308。
數(shù)據(jù)讀出部300藉由存儲器控制器120對方塊失效存儲器124所供給的固定的位址，以讀出方塊失效存儲器124的固定位址中所儲存的數(shù)據(jù)。該方塊失效存儲器124儲存著DUT150的每一方塊區(qū)域中1位元的數(shù)據(jù)。具體而言，方塊區(qū)域不良時，對應(yīng)于該方塊區(qū)域以儲存著邏輯值1的失效數(shù)據(jù)，方塊區(qū)域并非不良時，對應(yīng)于該方塊區(qū)域以儲存著邏輯值0的數(shù)據(jù)。然后，數(shù)據(jù)讀出部300同時讀出該方塊失效存儲器124所定的位址中所儲存的多個位元的數(shù)據(jù)(即，多個方塊區(qū)域中的數(shù)據(jù))。然后，失效判斷部302判斷數(shù)據(jù)讀出部300所讀出的多個位元的數(shù)據(jù)中是否含有邏輯值1的失效數(shù)據(jù)。
方塊位址取得部304取得由方塊失效存儲器124所讀出的多個位元的數(shù)據(jù)所對應(yīng)的方塊區(qū)的方塊位址。然后，在失效判斷部302判斷數(shù)據(jù)讀出部300所讀出的數(shù)據(jù)中含有失效數(shù)據(jù)時，則不良位址資訊產(chǎn)生部306依據(jù)方塊位址取得部304所取得的方塊位址中的失效數(shù)據(jù)所對應(yīng)的方塊區(qū)的方塊位址以產(chǎn)生不良位址資訊。然后，不良位址資訊產(chǎn)生部306使所產(chǎn)生的不良位址資訊供給至通用緩沖存儲器122中且儲存著。
又，不良位址資訊產(chǎn)生部306依據(jù)多個方塊位址以產(chǎn)生一種不良資訊，其含有已生成的多個不良位址資訊。然后，不良位址資訊產(chǎn)生部306將已生成的不良資訊供給至通用緩沖存儲器122和失效資訊存儲器130中。又，位址指標(biāo)控制部308一方面將位址指標(biāo)增加，且另一方面將位址供給至通用緩沖存儲器122，方塊失效存儲器124或失效資訊存儲器130中。
依據(jù)本實施形式的測試裝置100，由于對應(yīng)于多個DUT150而具備一種包含上述功能的存儲器控制器120，則可并列地產(chǎn)生一種與DUT150有關(guān)的不良位址資訊和不良資訊。因此，由于作成不良位址資訊和不良資訊所需的等待時間不會發(fā)生，則測試的效能可向上提升。
圖4(a)是本實施形式的測試裝置100中供給至DUT150中的位址信號的數(shù)據(jù)構(gòu)成的一例。圖4(b)是本實施形式中次(sub)波形整形器132的輸入信號的數(shù)據(jù)構(gòu)成。
例如，數(shù)據(jù)寫入至DUT150中時，如圖4(a)所示，由第1周期(cycle)和第2周期的數(shù)據(jù)中的行位址、第3周期，第4周期以及第5周期的數(shù)據(jù)中的列位址所保持的位址信號來進(jìn)行存取(access)是必要的。然后，頁位址顯示用的6位元數(shù)據(jù)(A12、A13、A14、A15、A16、A17)包含在第3周期的數(shù)據(jù)中，方塊位址顯示用的11位元數(shù)據(jù)(A18、A19、A20、A21、A22、A23、A24、A25、A26、A27、A28)包含在第3周期，第4周期以及第5周期的數(shù)據(jù)中。因此，次波形整形器132藉由將該圖樣產(chǎn)生器102所供給的頁位址和通用緩沖存儲器122所供給的不良位址資訊所示的方塊位址進(jìn)行組合，以產(chǎn)生如圖4(a)所示的DUT150中固有的位址信號。
如圖4(b)所示，圖樣產(chǎn)生器102輸出FCM信號且供給至次波形整形器132中，以顯示由該圖樣產(chǎn)生器102所供給的頁位址顯示用的位址信號和由通用緩沖存儲器122所供給的方塊位址顯示用的不良位址信號中的任一個是否被選取。又，圖樣產(chǎn)生器102輸出一種含有命令數(shù)據(jù)(CMD)、A0～A7的數(shù)據(jù)(1)，一種含有A8～A11的數(shù)據(jù)(2)以及一種含有A12～A17的數(shù)據(jù)(3)且供給至次波形整形器132中。又，通用緩沖存儲器122輸出由位址指標(biāo)(AP1、AP2、AP3)各別指定的包含A18至A19的數(shù)據(jù)(4)，包含A20～A27的數(shù)據(jù)(5)以及包含A28的數(shù)據(jù)(6)且供給至次波形整形器132中。
次波形整形器132依據(jù)圖樣產(chǎn)生器102所供給的FCM信號，圖樣產(chǎn)生器102所供給的數(shù)據(jù)(1)、(2)、(3)以及通用緩沖存儲器122所供給的數(shù)據(jù)(4)、(5)、(6)，以產(chǎn)生圖4(a)所示構(gòu)成的位址信號。即，次波形整形器132供給該圖樣產(chǎn)生器102所供給的命令數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)(1)、數(shù)據(jù)(2)以分別作為第1周期、第2周期、第3周期的數(shù)據(jù)，供給一種包含A12至A17(其包含在圖樣產(chǎn)生器102所供給的數(shù)據(jù)(3)中)和A18至A19(其包含在通用緩沖存儲器122所供給的數(shù)據(jù)(4)中)的數(shù)據(jù)以作為第4周期的數(shù)據(jù)，供給該通用緩沖存儲器122所供給的數(shù)據(jù)(5)、(6)以分別作為第5周期、第6周期的數(shù)據(jù)，且與寫入致能信號同時供給至DUT150中。
如上所述，由通用緩沖存儲器122取得一種相當(dāng)于方塊位址的位址數(shù)據(jù)，由圖樣產(chǎn)生器102取得一種相當(dāng)于頁位址的位址數(shù)據(jù)，將這些位址數(shù)據(jù)合成以產(chǎn)生一種供給至DUT150中的位址信號。因此，分別對應(yīng)于多個DUT150而設(shè)置的多個次波形整形器132藉由對該圖樣產(chǎn)生器102所供給的共通的頁位址和每個DUT150都不相同的方塊位址即時(real time)地進(jìn)行切換，則對多個DUT150而言可并行地將不良資訊寫入至不同方塊區(qū)的共通的頁區(qū)域中。又，通用緩沖存儲器122不需儲存頁位址，由于可以只儲存每個DUT150的方塊位址，則可大大地節(jié)省存儲時之容量。
圖5是本實施形式中由測試裝置100來進(jìn)行的測試方法的流程的一例。圖5中，特別是就讀出驗證測試的測試結(jié)果寫入至DUT150的擴(kuò)張區(qū)中時的流程來說明。
開始本測試(S500)，首先，圖樣產(chǎn)生器102施加圖樣至DUT150中，以進(jìn)行DUT150的環(huán)境設(shè)定(S502)。又，清除該通用緩沖存儲器122和方塊失效存儲器124所儲存的數(shù)據(jù)(S504)。然后，邏輯比較器134藉由對一種對應(yīng)于圖樣產(chǎn)生器102所產(chǎn)生的位址信號和數(shù)據(jù)信號時DUT150所輸出的輸出數(shù)據(jù)和該圖樣產(chǎn)生器102所產(chǎn)生的期待值信號進(jìn)行比較，以進(jìn)行讀出驗證測試(S506)。然后，邏輯比較器134在讀出驗證測試時若輸出信號和期待值信號一致則前進(jìn)至S512(S508-N)。另一方面，若輸出信號和期待值信號不一致，則輸出一種失效數(shù)據(jù)以供給至方塊失效存儲器124中(S508-Y)。方塊失效存儲器124在邏輯比較器134輸出失效數(shù)據(jù)時即時地將失效數(shù)據(jù)寫入至測試對象所在的每個方塊區(qū)中(S510)。然后，DUT150的全部的方塊區(qū)域中的測試終了時(S512-Y)前進(jìn)至S514中。另一方面，DUT150的全部的方塊區(qū)域中的測試未終了時(S512-N)，則回到S506。直至DUT150的全部的方塊區(qū)域中的測試終了為止，重復(fù)進(jìn)行S506至S512為止的處理。
其次，藉由對多個存儲器控制器120的每個進(jìn)行并列處理，則多個DUT150的每一個之中都進(jìn)行由方塊失效存儲器124至通用緩沖存儲器122的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送(S514)。具體而言，存儲器控制器120產(chǎn)生該方塊失效存儲器124中所儲存的失效數(shù)據(jù)所對應(yīng)的方塊區(qū)的方塊位址顯示用的不良位址資訊，以供給至通用緩沖存儲器122中。
其次，通用緩沖存儲器122用的位址指標(biāo)初期化后(S516)，一方面讀出通用緩沖存儲器122中所儲存的不良位址資訊，且將不良資訊寫入至已讀出的不良位址資訊所示的方塊區(qū)的擴(kuò)張區(qū)或特殊區(qū)中(S518)。位址指標(biāo)控制部308使通用緩沖存儲器122用的位址指標(biāo)增加(S520)。然后，位址指標(biāo)較預(yù)定的最大值還大時(S522-Y)，則本測試終了，轉(zhuǎn)移至下次的測試(S524)。另一方面，位址指標(biāo)較預(yù)定的最大值還小時(S522-N)，則返回至S518。直至位址指標(biāo)較預(yù)定的最大值還大時為止，重復(fù)進(jìn)行S518至S522為止的處理。
圖6是由本實施形式的測試裝置100來進(jìn)行的測試方法的流程的一例。圖6中特別是對”特殊區(qū)中是否可適當(dāng)?shù)貙懭氩涣假Y訊”作測試時的測試項目的流程來說明。
開始本測試項目(S600)，首先，圖樣產(chǎn)生器102施加圖樣至DUT150中，以進(jìn)行DUT150的環(huán)境設(shè)定(S602)。然后，前次的測試中藉由存儲器控制器120以讀出DUT150的特殊區(qū)中已寫入的不良資訊，且儲存至失效資訊存儲器128中(S606)。然后，與前次測試中藉由存儲器控制器120而已寫入至DUT150的特殊區(qū)中的不良資訊相同的不良資訊已被寫入的失效資訊存儲器130所儲存的不良資訊須與由DUT150所讀出的不良資訊儲存用的失效資訊存儲器128所儲存的不良資訊進(jìn)行比較，將該比較結(jié)果設(shè)定至狀態(tài)暫存器中(S608)。在S608中，分別對應(yīng)于多個DUT150而設(shè)置的多個存儲器控制器120對每個DUT150進(jìn)行并列處理。
其次，讀出上述狀態(tài)暫存器中已設(shè)定的比較結(jié)果(S610)，以判定2個不良資訊是否一致，即，判定該比較結(jié)果是否失效(S612)。然后，比較結(jié)果失效時(S612-Y)，該測試對象的DUT150被判定成不良而被拒絕(S614)。另一方面，比較結(jié)果未失效時(S612-N)，轉(zhuǎn)移至下一個測試項目(S616)。
依據(jù)本實施形式的測試裝置100，方塊失效存儲器124和通用緩沖存儲器122之間，以及通用緩沖存儲器122和失效資訊存儲器130之間進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送和數(shù)據(jù)變換所用的存儲器控制器120由于是對應(yīng)于多個DUT150的每個而設(shè)置，則數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送和數(shù)據(jù)變換時的處理時間可大幅地下降。結(jié)果，多個DUT150同時進(jìn)行測試時，可使測試的效能向上提升，進(jìn)而使制造上的成品率向上提升，存儲器的單價因此會下降。
以上雖然使用各實施形式來說明本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于以上的實施形式所記載的范圍。上述實施形式中亦可施加多種變更或改良。施加此種變更或改良后的形式亦包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中，這由請求范圍的記載即可明白。
依據(jù)本發(fā)明，即使多個被測試存儲器同時測試時，測試的效能亦可向上提升。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，包括圖樣產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于該位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；多個邏輯比較器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；多個失效存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；多個存儲器控制器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器的不良位址顯示用的不良位址資訊；多個通用緩沖存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊；以及多個不良資訊寫入部，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將第1不良資訊同時寫入至多個被測試裝置的多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良位址資訊所示的不良位址中。
2.如權(quán)利要求1所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中另外亦可具備多條第1總線，其分別用來連接多個失效存儲器和多個存儲器控制器；以及多條第2總線，其分別用來連接多個存儲器控制器和多個通用緩沖存儲器。
3.如權(quán)利要求1所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中存儲器控制器亦可產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的不良位址資訊，以供給至通用緩沖存儲器中。
4.如權(quán)利要求3所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中存儲器控制器應(yīng)產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的不良位址資訊，且對應(yīng)于被測試存儲器的種類而依據(jù)已載入的程式來動作。
5.如權(quán)利要求1所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中被測試存儲器具備多個方塊區(qū)，各方塊區(qū)分別具有多個頁區(qū)，各頁區(qū)分別含有數(shù)據(jù)儲存用的主區(qū)和第1不良資訊儲存用的擴(kuò)張區(qū)，失效存儲器儲存著被測試存儲器每個方塊區(qū)中的失效數(shù)據(jù)，存儲器控制器參考各失效存儲器以產(chǎn)生不良位址資訊，其顯示被測試存儲器所具有的不良的方塊區(qū)的方塊位址，通用緩沖存儲器儲存著存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊，以及不良資訊寫入部亦可使第1不良資訊寫入至通用緩沖存儲器所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中。
6.如權(quán)利要求5所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中圖樣產(chǎn)生器產(chǎn)生頁區(qū)顯示用的頁位址信號，以供給至多個不良資訊寫入部中，以及多個不良資訊寫入部將第1不良資訊寫入至各別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器所儲存的不良位址資訊所示的方塊區(qū)所具有的擴(kuò)張區(qū)中，此擴(kuò)張區(qū)亦是圖樣產(chǎn)生器所產(chǎn)生的頁位址信號所示的頁區(qū)的擴(kuò)張區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中存儲器控制器亦可具有數(shù)據(jù)讀出部，其將失效存儲器所定的位址中所儲存的數(shù)據(jù)讀出；失效判斷部，其用來判斷數(shù)據(jù)讀出部已讀出的數(shù)據(jù)中是否含有失效數(shù)據(jù)；以及不良位址資訊產(chǎn)生部，若失效判斷部判斷數(shù)據(jù)讀出部已讀出的數(shù)據(jù)中含有失效數(shù)據(jù)，則產(chǎn)生不良位址資訊。
8.如權(quán)利要求1所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中多個存儲器控制器依據(jù)多個失效存儲器中所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的第2不良資訊，多個通用緩沖存儲器儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的第2不良資訊，以及多個不良資訊寫入部亦可將多個通用緩沖存儲器中所儲存的第2不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
9.如權(quán)利要求8所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中存儲器控制器應(yīng)產(chǎn)生被測試存儲器中固有的格式的第2不良資訊，且對應(yīng)于被測試存儲器的種類而依據(jù)已載入的程式來動作。
10.如權(quán)利要求8所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中該測試裝置更可具備多個第1失效資訊存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置著且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的第2不良資訊；多個第2失效資訊存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置著且儲存著多個被測試存儲器所讀出的第2不良資訊；以及良否判定部，其藉由對第1失效資訊存儲器所儲存的第2不良資訊和第2失效資訊存儲器所儲存的第2不良資訊進(jìn)行比較，以判定多個被測試存儲器的良否。
11.如權(quán)利要求10所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中該測試裝置另外具備多條第1總線，其分別用來連接多個失效存儲器和多個第1失效資訊存儲器以及多個存儲器控制器；以及多條第2總線，其分別用來連接多個存儲器控制器和多個通用緩沖存儲器。
12.如權(quán)利要求11所述的多個被測試存儲器同時測試用的測試裝置，其中被測試存儲器具備數(shù)據(jù)儲存用的多個主區(qū)和第2不良資訊儲存用的特殊區(qū)，以及不良資訊寫入部將第2不良資訊寫入至被測試存儲器所具備的特殊區(qū)中。
13.一種多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試裝置，其具備圖樣產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；多個邏輯比較器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；多個失效存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；多個存儲器控制器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器中固有的格式的不良資訊；多個通用緩沖存儲器，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良資訊；以及多個不良資訊寫入部，其分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置且將多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
14.一種多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試方法，其包含以下各步驟一產(chǎn)生步驟，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于該位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；另一產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個邏輯比較器來對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；一儲存步驟，其對應(yīng)于位址信號所示的位址而使失效數(shù)據(jù)儲存于分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個失效存儲器中；一不良位址資訊產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個存儲器控制器，且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器的不良位址顯示用的不良位址資訊；另一儲存步驟，其使多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊儲存在分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器中；以及一寫入步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個不良資訊寫入部，將第1不良資訊同時寫入至多個被測試存儲器的多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良位址資訊所示的不良位址中。
15.一種多個被測試存儲器同時進(jìn)行測試用的測試方法，其包含以下各步驟一產(chǎn)生步驟，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種被測試存儲器對應(yīng)于該位址信號和數(shù)據(jù)信號而應(yīng)輸出的期待值信號；另一產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個邏輯比較器來對多個被測試存儲器對應(yīng)于位址信號和數(shù)據(jù)信號而輸出的輸出信號和該期待值信號進(jìn)行比較，在該輸出信號和期待值信號不一致時產(chǎn)生失效數(shù)據(jù)；一儲存步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個失效存儲器，使多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)對應(yīng)地儲存在位址信號所示的位址中；一不良資訊產(chǎn)生步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個存儲器控制器，且依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生該被測試存儲器中固有的格式的不良資訊；另一儲存步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個通用緩沖存儲器來儲存多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良資訊；以及一寫入步驟，其藉由分別對應(yīng)于多個被測試存儲器而設(shè)置的多個不良資訊寫入部，將多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良資訊寫入至多個被測試存儲器中。
全文摘要
本發(fā)明所屬的測試裝置具備圖樣產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一種供給至多個被測試存儲器中的位址信號和數(shù)據(jù)信號以及產(chǎn)生一種期待值信號；多個邏輯比較器，其在多個被測試存儲器所輸出的輸出信號和該期待值信號不一致時產(chǎn)生一種失效數(shù)據(jù)；多個失效存儲器，其儲存著多個邏輯比較器所產(chǎn)生的失效數(shù)據(jù)；多個存儲器控制器，其依據(jù)多個失效存儲器所儲存的失效數(shù)據(jù)以產(chǎn)生被測試存儲器的不良位址顯示用的不良位址資訊；多個通用緩沖存儲器，其儲存著多個存儲器控制器所產(chǎn)生的不良位址資訊；以及多個不良資訊寫入部，其將不良資訊同時寫入至多個被測試裝置的多個通用緩沖存儲器中所儲存的不良位址資訊所示的不良位址中。
文檔編號G01R31/28GK1934654SQ20058000919
公開日2007年3月21日 申請日期2005年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月24日
發(fā)明者山田益弘, 佐藤和彥, 大澤俊美 申請人:愛德萬測試株式會社