用于制造構(gòu)件的方法和構(gòu)件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于制造構(gòu)件的方法，首先制造第一層復(fù)合體，其包括由導(dǎo)電材料制成的第一基底和至少一個(gè)構(gòu)造在第一基底中并且填充有絕緣材料的溝槽，第一基底的第一區(qū)域至少在第一基底的第一表面上通過溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。接著制造第二層復(fù)合體，其包括第一層復(fù)合體和結(jié)構(gòu)層。所述結(jié)構(gòu)層具有構(gòu)件的活動(dòng)結(jié)構(gòu)并且至少在第一區(qū)域中是導(dǎo)電的，結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域在第一基底的第一區(qū)域中鄰接第一基底的第一表面并且與之導(dǎo)電連接。然后，在第一基底的第二表面上——第二表面與第一表面相對(duì)置——在第一基底的第一區(qū)域中制出第一導(dǎo)電接觸面，第一基底的第一區(qū)域在第一基底的第二表面上通過溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。借助該方法實(shí)現(xiàn)這樣的構(gòu)件，在其中借助第一基底的第一區(qū)域和第一接觸面實(shí)現(xiàn)與結(jié)構(gòu)層第一區(qū)域的電連接。
【專利說明】
用于制造構(gòu)件的方法和構(gòu)件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種用于制造構(gòu)件、尤其是微機(jī)械、微機(jī)電(MEMS)或微光機(jī)電(MOEMS)構(gòu)件的方法以及這種構(gòu)件。
【背景技術(shù)】
[0002]為了盡可能減小環(huán)境因素、如濕氣和污物(如灰塵)對(duì)微機(jī)電構(gòu)件(MEMS)和微光機(jī)電構(gòu)件(MOEMS)的影響，通常密封地封裝這種構(gòu)件的活動(dòng)結(jié)構(gòu)?！盎顒?dòng)結(jié)構(gòu)”在此尤其是可理解為可動(dòng)結(jié)構(gòu)、光學(xué)結(jié)構(gòu)或同樣具有可動(dòng)和光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)(如可移動(dòng)鏡)。術(shù)語“活動(dòng)區(qū)”表示活動(dòng)結(jié)構(gòu)所在或移動(dòng)的構(gòu)件區(qū)域或體積。此外，密封封裝可用于調(diào)節(jié)活動(dòng)結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)的特定內(nèi)部壓力，這對(duì)于其作用方式取決于定義的內(nèi)部壓力的構(gòu)件、如加速度傳感器和陀螺儀(角速度傳感器)尤為有利。
[0003]為了實(shí)現(xiàn)盡可能低成本的生產(chǎn)，MEMS構(gòu)件或MOEMS構(gòu)件的制造通常在晶片級(jí)進(jìn)行。在此經(jīng)常實(shí)施的接合過程例如可基于直接接合過程以及陽極接合過程進(jìn)行。
[0004]從構(gòu)件密封區(qū)域引出電觸點(diǎn)以便電連接構(gòu)件特定區(qū)域(如電連接活動(dòng)結(jié)構(gòu))在制造技術(shù)上較難實(shí)現(xiàn)?？煽紤]幾種可能性:電觸點(diǎn)例如通過側(cè)向延伸的、借助植入或擴(kuò)散法制造的、具有低薄層電阻的半導(dǎo)體層來實(shí)現(xiàn)。此外可通過結(jié)構(gòu)化的、覆蓋有平坦化的鈍化層的導(dǎo)電層來實(shí)現(xiàn)。
[0005]或者電觸點(diǎn)可以以多個(gè)垂直延伸的通孔金屬化形式從構(gòu)件引出。在此連接可分別通過引線建立，該引線穿過構(gòu)件覆蓋物中的通口或孔并且與構(gòu)件待電連接的部分連接。然而在通口縱橫比較大、即在通口的深度與通口的橫向平面之比較大時(shí)，在實(shí)現(xiàn)和保持連接方面出現(xiàn)困難。根據(jù)另一種可能性，可在構(gòu)件覆蓋物中的通口或孔中通過沉積導(dǎo)電層或沉積填充通口的導(dǎo)電材料制出觸點(diǎn)。這尤其在通口縱橫比較大時(shí)例如由于填充物中的孔或未連續(xù)沉積的層導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)觸點(diǎn)方面的困難并且在填充材料或附加鈍化步驟方面需要高的材料花費(fèi)。
[0006]另一問題可在連接構(gòu)件覆蓋物與構(gòu)件其它層的過程中產(chǎn)生。如上述通口在接合過程之前就已存在并且未填充導(dǎo)電材料，則可供用于連接覆蓋物與其它層的接合面減小。如現(xiàn)有通口已被填充導(dǎo)電材料，則接合過程中的參數(shù)(如溫度和壓力)由此受到限制。在兩種情況下連接的質(zhì)量可下降并且不能確保制成構(gòu)件的密封封裝區(qū)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的任務(wù)在于提供一種用于制造構(gòu)件、尤其是微機(jī)械、微機(jī)電或微光機(jī)電構(gòu)件的方法以及這種構(gòu)件，借助該構(gòu)件可實(shí)現(xiàn)與構(gòu)件部分的電連接。
[0008]該任務(wù)通過獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)方案來解決。優(yōu)選實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求中給出。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的用于制造構(gòu)件的方法包括制造第一層復(fù)合體，其包括由導(dǎo)電材料制成的第一基底和至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽。所述至少一個(gè)溝槽從第一基底的第一表面起延伸并且這樣設(shè)置，使得第一基底的第一區(qū)域在第一表面上通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。此外用于制造構(gòu)件的方法還包括制造第二層復(fù)合體，其包括第一層復(fù)合體和結(jié)構(gòu)層。所述結(jié)構(gòu)層具有構(gòu)件的活動(dòng)結(jié)構(gòu)并且至少在第一區(qū)域中是導(dǎo)電的。結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域在第一基底的第一區(qū)域中鄰接第一基底的第一表面并且與第一基底的第一區(qū)域?qū)щ娺B接。此外，用于制造構(gòu)件的方法還包括在第一基底的第二表面上制出第一導(dǎo)電接觸面，第二表面與第一表面相對(duì)置并且第一接觸面設(shè)置在第一基底的第一區(qū)域中。第一基底的第一區(qū)域在第一基底的第二表面上通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。由此借助第一基底的第一區(qū)域?qū)崿F(xiàn)第一基底第二表面上的第一接觸面與結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域之間的電連接。
[0010]根據(jù)用于制造構(gòu)件的方法的一種實(shí)施方式，可在制造第一層復(fù)合體時(shí)在第一基底的第一表面中制出第一凹部，第一凹部的深度小于第一基底的厚度。第一基底的第一區(qū)域設(shè)置在第一凹部之外。在第一凹部之內(nèi)可設(shè)置第一基底的第二區(qū)域，第二區(qū)域在第一基底的第一表面上通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。在制造第二層復(fù)合體時(shí)至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)在第一凹部內(nèi)與第一基底間隔開地設(shè)置。此外，在第一基底的第二表面上制出第二導(dǎo)電接觸面，第二接觸面設(shè)置在第一基底的第二區(qū)域中并且第一基底的第二區(qū)域在第一基底的第二表面上通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。
[0011 ]根據(jù)一種實(shí)施方式，第一層復(fù)合體包括至少兩個(gè)填充有絕緣材料的溝槽，并且在第一凹部內(nèi)設(shè)置第一基底的至少兩個(gè)第二區(qū)域。在第一基底的第二表面上制出至少兩個(gè)第二接觸面，每個(gè)第二接觸面設(shè)置在第一基底的一個(gè)第二區(qū)域中。
[0012]根據(jù)一種實(shí)施方式，第一層復(fù)合體可僅包括第一基底和所述至少一個(gè)溝槽，所述至少一個(gè)溝槽在第一基底中在制造第二層復(fù)合體之前延伸至第一基底的第二表面。
[0013]根據(jù)另一種實(shí)施方式，所述至少一個(gè)溝槽在第一層復(fù)合體中在制造第二層復(fù)合體之前首先延伸至小于第一層復(fù)合體厚度的深度。在制造第二層復(fù)合體之后并且在制出第一接觸面之前將第一層復(fù)合體的厚度從第一層復(fù)合體的第一表面起減少至所述至少一個(gè)溝槽的深度。第一層復(fù)合體的第一表面在此是第一層復(fù)合體的與第一基底第一表面相對(duì)置的表面。
[0014]根據(jù)另一種實(shí)施方式，第二層復(fù)合體還可包括第三層復(fù)合體，該第三層復(fù)合體在與第一層復(fù)合體相對(duì)置的一側(cè)上鄰接基底層并且包括第二基底。
[0015]如第二層復(fù)合體還包括第三層復(fù)合體，則根據(jù)第一種實(shí)施方式的第二層復(fù)合體可以下述方式制出:首先在第一基底的第一表面上施加結(jié)構(gòu)層并且隨后連接施加在第一層復(fù)合體上的結(jié)構(gòu)層與第三層復(fù)合體。根據(jù)另一種實(shí)施方式，可通過下述方式制出第二層復(fù)合體:首先在第三層復(fù)合體上施加結(jié)構(gòu)層并且接著連接施加在第三層復(fù)合體上的結(jié)構(gòu)層與第一層復(fù)合體。
[0016]根據(jù)一種實(shí)施方式，第三層復(fù)合體可包括一個(gè)至少在區(qū)域中導(dǎo)電的覆蓋層，該覆蓋層設(shè)置在第二基底的第一表面上。第二基底的第一表面是第二基底朝向結(jié)構(gòu)層的表面。在覆蓋層的第一表面中可制出第二凹部，覆蓋層的第一表面是覆蓋層朝向結(jié)構(gòu)層的表面。第二凹部的深度小于覆蓋層的厚度。在制造第二層復(fù)合體時(shí)，覆蓋層的導(dǎo)電區(qū)域鄰接結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域和結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域地設(shè)置。在此結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)之外，而結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)之內(nèi)并且是導(dǎo)電的。第二凹部和至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)這樣設(shè)置，使得第二凹部的側(cè)向位置相應(yīng)于所述至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)的側(cè)向位置。由此覆蓋層構(gòu)成印制導(dǎo)線橋，其連接結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域與結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域。
[0017]根據(jù)一種實(shí)施方式，結(jié)構(gòu)層和第三層復(fù)合體朝向結(jié)構(gòu)層的層可由同一種材料制成。
[0018]根據(jù)另一種實(shí)施方式，第一基底和結(jié)構(gòu)層可由同一種材料制成。
[0019]當(dāng)在制造第二層復(fù)合體時(shí)待彼此連接的層、即第一基底和結(jié)構(gòu)層和必要時(shí)第三層復(fù)合體朝向結(jié)構(gòu)層的層由同一種材料制成時(shí)，可使用特別適合的方法來連接這些層、如接合方法。例如所述層可由半導(dǎo)體材料、尤其是硅制成。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)件包括第一層復(fù)合體，其包括由導(dǎo)電材料制成的第一基底和至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽。所述至少一個(gè)溝槽從第一基底的第一表面起延伸至第一基底的第二表面，第一基底的第二表面與第一基底的第一表面相對(duì)置。這樣設(shè)置所述至少一個(gè)溝槽，使得第一基底的第一區(qū)域通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。構(gòu)件還包括結(jié)構(gòu)層，其包括構(gòu)件的活動(dòng)結(jié)構(gòu)并且至少在第一區(qū)域中是導(dǎo)電的。結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域在第一基底的第一區(qū)域中鄰接第一基底的第一表面，結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域與第一基底的第一區(qū)域?qū)щ娺B接。構(gòu)件還包括第一基底第二表面上的第一導(dǎo)電接觸面，所述第一接觸面設(shè)置在第一基底的第一區(qū)域中。
[0021]根據(jù)一種實(shí)施方式，在第一基底的第一表面中構(gòu)造有第一凹部，第一凹部的深度小于第一基底的厚度。第一基底的第一區(qū)域在此設(shè)置在第一凹部之外，而第一基底的第二區(qū)域可設(shè)置在第一凹部之內(nèi)，第一基底的第二區(qū)域通過所述至少一個(gè)溝槽側(cè)向與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)在第一凹部之內(nèi)與第一基底間隔開地設(shè)置。構(gòu)件還包括第一基底第二表面上的第二導(dǎo)電接觸面，所述第二接觸面設(shè)置在第一基底的第二區(qū)域中。
[0022]根據(jù)一種實(shí)施方式，第一層復(fù)合體包括至少兩個(gè)填充有絕緣材料的溝槽。第一基底的至少兩個(gè)第二區(qū)域設(shè)置在第一凹部內(nèi)并且至少兩個(gè)第二接觸面設(shè)置在第一基底的第二表面上，每個(gè)第二接觸面設(shè)置在第一基底的一個(gè)第二區(qū)域中。
[0023]根據(jù)一種實(shí)施方式，構(gòu)件還可包括第三層復(fù)合體，該第三層復(fù)合體在與第一層復(fù)合體相對(duì)置的一側(cè)上鄰接結(jié)構(gòu)層并且包括第二基底。第一層復(fù)合體、結(jié)構(gòu)層和第三層復(fù)合體可這樣連接，使得結(jié)構(gòu)層的活動(dòng)結(jié)構(gòu)被密封地封閉。
[0024]根據(jù)一種實(shí)施方式，第三層復(fù)合體可包括一個(gè)至少在區(qū)域中導(dǎo)電的覆蓋層。該覆蓋層設(shè)置在第二基底的第一表面上，第二基底的第一表面是第二基底朝向結(jié)構(gòu)層的表面。此外，在覆蓋層的第一表面中可構(gòu)造有第二凹部，覆蓋層的第一表面是覆蓋層朝向結(jié)構(gòu)層的表面并且第二凹部的深度小于覆蓋層的厚度。覆蓋層的導(dǎo)電區(qū)域鄰接結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域和結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域，結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)之外并且結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)之內(nèi)并且是導(dǎo)電的。第二凹部和至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)這樣設(shè)置，使得第二凹部的側(cè)向位置相應(yīng)于所述至少部分活動(dòng)結(jié)構(gòu)的側(cè)向位置。覆蓋層因此構(gòu)成印制導(dǎo)線橋，其連接結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域與結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域。
[0025]根據(jù)一種實(shí)施方式，結(jié)構(gòu)層和第三層復(fù)合體朝向結(jié)構(gòu)層的層可由同一種材料制成。
[0026]根據(jù)另一種實(shí)施方式，第一基底和結(jié)構(gòu)層可由同一種材料制成。
【附圖說明】
[0027]下面參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，在此相同元件設(shè)有同一附圖標(biāo)記。附圖如下:
[0028]圖1A以沿圖1B的Ι-Γ的橫截面圖示出根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的構(gòu)件示意圖；
[0029]圖1B以俯視圖示出根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的構(gòu)件兩個(gè)層的示意圖；
[0030]圖2以沿Ι-Γ的橫截面圖示出根據(jù)本發(fā)明另一種實(shí)施方式的構(gòu)件示意圖；
[0031]圖3A至3C以橫截面圖示出本發(fā)明方法第一種實(shí)施方式的步驟；
[0032]圖4A至4D以橫截面圖示出本發(fā)明方法第二種實(shí)施方式的步驟；
[0033]圖5A至5C以橫截面圖示出本發(fā)明方法第三種實(shí)施方式的步驟；
[0034]圖6A至6D以橫截面圖示出本發(fā)明方法第四種實(shí)施方式的步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0035]圖1A示出根據(jù)第一種實(shí)施方式的本發(fā)明構(gòu)件沿線Ι-Γ的橫截面圖，而圖1B示出該構(gòu)件兩個(gè)層的俯視圖。圖1A所示的構(gòu)件I包括第一層復(fù)合體10、結(jié)構(gòu)層25、第三層復(fù)合體30以及第一接觸面17a至17c和第二接觸面18。第一層復(fù)合體10、結(jié)構(gòu)層25和第三層復(fù)合體30共同構(gòu)成第二層復(fù)合體20。
[0036]第一層復(fù)合體10包括具有第一表面111和第二表面112的第一基底11，第二表面112與第一基底11的第一表面111相對(duì)置。術(shù)語“基底”在此描述這樣的構(gòu)成物，其僅由一種材料、如硅晶片制成，但其也可以是包括多個(gè)層和材料的復(fù)合體，只要第一基底11是導(dǎo)電的。
[0037]第一基底11具有至少一個(gè)第一區(qū)域113，該第一區(qū)域與第一基底11的其它區(qū)域通過溝槽15電絕緣。在圖1A中示出三個(gè)第一區(qū)域113a、113b和113c。在用于電絕緣不同第一區(qū)域113的特定溝槽15之間可設(shè)置第一基底11的其它區(qū)域。這在圖1A中對(duì)于第一區(qū)域113a和113b示出。但同一溝槽15也可鄰接兩個(gè)第一區(qū)域，如在圖1A中對(duì)于第一區(qū)域113b和113c示出。溝槽15填充有絕緣材料并且從第一基底11的第一表面111延伸至第一基底11的第二表面112。這樣設(shè)置溝槽15，使得每個(gè)溝槽15分別使一個(gè)第一區(qū)域113完全與第一基底11的其它區(qū)域絕緣。在俯視圖中溝槽15可任意設(shè)置，只要每個(gè)特定溝槽15使一個(gè)特定第一區(qū)域113完全絕緣。通過特定溝槽15絕緣的特定第一區(qū)域113可在俯視圖中具有任意形狀。絕緣的第一區(qū)域113例如可在俯視圖中具有圓形、矩形、六邊形形狀或任何其它形狀。溝槽15可在橫截面中從第一表面111任意延伸向第二表面112。也就是說，溝槽15可垂直于表面111和112或與之呈定義角度直線或彎曲地延伸，只要它們連續(xù)地延伸。
[0038]在第一基底11中可構(gòu)造第一凹部115，第一凹部從第一表面111起延伸，第一凹部115的深度小于第一基底11的厚度。在第一凹部115內(nèi)構(gòu)造第一基底11的第二區(qū)域114，第二區(qū)域114通過至少一個(gè)溝槽15側(cè)向與第一基底11的其它區(qū)域電絕緣。在此第一基底11的第二區(qū)域114也可側(cè)向突出于第一凹部115。也就是說，第二區(qū)域114可在第一凹部115之外與第一基底11的區(qū)域物理及電連接。在圖1A和IB所示的情況下，第二區(qū)域114與第一區(qū)域113a至113c電絕緣。
[0039]結(jié)構(gòu)層25包括第一區(qū)域251a至251c、活動(dòng)結(jié)構(gòu)252、第二區(qū)域253和第三區(qū)域254。第一區(qū)域251a至251c設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)252之外，而第二區(qū)域253設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)252之內(nèi)。應(yīng)借助圖1B詳細(xì)說明結(jié)構(gòu)層25的設(shè)計(jì)。
[0040]圖1B以一種示例性實(shí)施方式示出微機(jī)械構(gòu)件I的結(jié)構(gòu)層25，該結(jié)構(gòu)層包括活動(dòng)結(jié)構(gòu)252?；顒?dòng)結(jié)構(gòu)252借助彈簧255與結(jié)構(gòu)層的第三區(qū)域254連接并且可在彈簧255的可動(dòng)范圍內(nèi)在所有方向上運(yùn)動(dòng)。結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a至251c以及第二區(qū)域253和第三區(qū)域254與構(gòu)件I的其它層固定連接并且不可運(yùn)動(dòng)。活動(dòng)結(jié)構(gòu)252構(gòu)成封閉的框架，在其中設(shè)有結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域253。通過設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)252和第二區(qū)域253上的電極256可檢測(cè)活動(dòng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)。結(jié)構(gòu)層25可由導(dǎo)電材料、如摻雜娃或其它半導(dǎo)體材料制成。在此情況下結(jié)構(gòu)層25的各個(gè)區(qū)域彼此物理分開。但結(jié)構(gòu)層25也可由僅在特定區(qū)域中導(dǎo)電的材料制成。這些區(qū)域例如可以是摻雜半導(dǎo)體區(qū)域，它們通過未摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域或絕緣區(qū)域彼此電絕緣。因此結(jié)構(gòu)層25的各個(gè)區(qū)域也可相互物理連接。
[0041 ]圖1B還示出覆蓋層35，該層將在后面詳細(xì)說明。
[0042]如圖1A可見，結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a至251c鄰接第一基底11在第一基底11第一區(qū)域113中的第一表面111。結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a至251c因此與第一基底11的第一區(qū)域113導(dǎo)電連接。活動(dòng)結(jié)構(gòu)252在第一基底11的第一凹部115內(nèi)與第一基底11間隔開地設(shè)置。活動(dòng)結(jié)構(gòu)因此可沿垂直于第一基底11第一表面111的方向、即沿z方向自由運(yùn)動(dòng)。
[0043]構(gòu)件I還包括第三層復(fù)合體30。該第三層復(fù)合體30可具有第二基底31。在此術(shù)語“基底”也描述這樣的構(gòu)成物，其僅由一種材料、如硅晶片或玻璃片制成，但其也可以是包括多個(gè)層和材料的復(fù)合體。在圖1A中示出包括第一層313和第二層314的第二基底31。在此所述層可在材料及其導(dǎo)電性中有所區(qū)別。例如第一層313可由至少部分導(dǎo)電材料、如硅制成，而第二層314例如可以是由絕緣材料、如氧化硅制成的層。但第一層313例如也可由絕緣材料制成，并且第二層314可以是僅在特定區(qū)域中導(dǎo)電的層，或第二層314也可完全不存在。第二基底31也可僅由一種或多種電絕緣材料制成。
[0044]第三層復(fù)合體30還可包括覆蓋層35，該覆蓋層設(shè)置在第二基底31的第一表面311上。第二基底31的第一表面311是第二基底31朝向結(jié)構(gòu)層25的表面。覆蓋層35可由至少在區(qū)域中導(dǎo)電的材料制成并且可用于結(jié)構(gòu)層25不同區(qū)域之間的電連接。覆蓋層35因此可以是由導(dǎo)電材料制成的結(jié)構(gòu)化層，在此覆蓋層35的各個(gè)區(qū)域彼此物理分開。但也可在覆蓋層35中構(gòu)造單個(gè)導(dǎo)電區(qū)域，它們并非必須彼此物理分開。覆蓋層35例如可由半導(dǎo)體材料、尤其是硅制成。覆蓋層35的第一表面351至少在特定區(qū)域中鄰接結(jié)構(gòu)層25。例如覆蓋層35的第一表面351鄰接結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a至251c和第二區(qū)域253。覆蓋層35可具有第二凹部352，該第二凹部352從覆蓋層35的第一表面351起延伸并且具有小于覆蓋層35厚度的深度。因此借助在第二凹部352中被削薄的覆蓋層35可實(shí)現(xiàn)印制導(dǎo)線橋353，其例如將結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a與結(jié)構(gòu)層25的第二區(qū)域253導(dǎo)電連接，且跨接結(jié)構(gòu)層25的活動(dòng)結(jié)構(gòu)252。
[0045]第一層復(fù)合體10、結(jié)構(gòu)層25和第三層復(fù)合體30共同構(gòu)成第二層復(fù)合體20，第三層復(fù)合體30的單個(gè)部分或整個(gè)第三層復(fù)合體30是可選的。如存在第三層復(fù)合體30，則活動(dòng)結(jié)構(gòu)252可通過第一層復(fù)合體10、結(jié)構(gòu)層25和第三層復(fù)合體30的連接密封地封裝。
[0046]構(gòu)件I還包括第一接觸面17a至17c以及一個(gè)第二接觸面18。接觸面17a至17c和18由導(dǎo)電材料、如金屬制成并且設(shè)置在第一基底11的第二表面112上。在此每個(gè)第一接觸面17a至17c設(shè)置在第一基底的一個(gè)第一區(qū)域113a至113c中，而第二接觸面18設(shè)置在第一基底11的第二區(qū)域114中。第一接觸面17a至17c用于電連接結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251a至251c，在此電連接經(jīng)由第一基底11的第一區(qū)域113a至113c實(shí)現(xiàn)。第二接觸面18用作構(gòu)件I活動(dòng)區(qū)相對(duì)于外部電場(chǎng)的屏蔽并且可用于在活動(dòng)結(jié)構(gòu)252上方提供定義的電位。在在此所示的實(shí)施方式中，結(jié)構(gòu)層25鄰接第一區(qū)域113c和第二區(qū)域114的區(qū)域彼此物理連接，如圖1B可見。當(dāng)結(jié)構(gòu)層25的相應(yīng)區(qū)域也彼此導(dǎo)電連接時(shí)，也可省卻第一接觸面17c。
[0047]圖2示出根據(jù)另一種實(shí)施方式的構(gòu)件I示意圖，該實(shí)施方式與圖1A所示的實(shí)施方式的區(qū)別在于，在第一基底11的第一凹部115內(nèi)構(gòu)造多個(gè)第二區(qū)域114a至114d。第二區(qū)域114a至114d與第一基底11的相鄰區(qū)域分別通過填充有絕緣材料的溝槽15電絕緣。該溝槽15相應(yīng)于圖1A中所描述的、用于電絕緣不同第一區(qū)域113a至113c與第一基底11的其它區(qū)域的溝槽15并且在形狀和絕緣材料方面可與之相同或不同地構(gòu)造。
[0048]在每個(gè)第二區(qū)域114a至114d中在第一基底11的第二表面112上設(shè)置相配的第二接觸面18a至18d。由此可為第一基底11的設(shè)置在活動(dòng)區(qū)上方的不同區(qū)域114a至114c配置不同的電位。例如可在位于活動(dòng)結(jié)構(gòu)252上方的第二區(qū)域114a和114c中施加這樣的電位，其限定活動(dòng)結(jié)構(gòu)252沿z方向的運(yùn)動(dòng)并且由此防止活動(dòng)結(jié)構(gòu)252碰撞到第一基底11上。與此相反，第二區(qū)域114b和114d可保持在其它電位上，該電位僅應(yīng)用于相對(duì)于外部電場(chǎng)屏蔽結(jié)構(gòu)層25。
[0049]借助圖3A至3C以橫截面圖說明用于制造構(gòu)件的本發(fā)明方法的第一種實(shí)施方式。
[0050]如圖3A作為結(jié)果所示，首先制造第一層復(fù)合體10，其包括第一基底11和至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽15。溝槽15可借助蝕刻法、如干式蝕刻法(DRIE)或高度各向異性的濕式蝕刻法在掩模的輔助下或借助其它方法以及接下來的以絕緣材料填充所產(chǎn)生的溝槽的填充過程來制造。溝槽15從第一基底11的第一表面111起制造并且可延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12。如圖3A所示，當(dāng)?shù)谝粚訌?fù)合體10僅包括第一基底11時(shí)，則第一基底11的第二表面112是第一層復(fù)合體10的第一表面12。在此情況下，溝槽15也可從第一基底11的第一表面111和第二表面112起制造，這在第一基底11特別厚時(shí)尤為有利。填充溝槽15的絕緣材料例如可借助化學(xué)或物理沉積法(CVD或PVD)填充到溝槽15中。在以絕緣材料充滿溝槽15后，再次去除位于第一基底11的第一表面111上和必要時(shí)第二表面112上的多余絕緣材料。這可借助化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)或借助蝕刻過程來進(jìn)行。
[0051 ]在圖3A中示出這種情況，即溝槽15從第一基底11的第一表面111連續(xù)延伸至第二表面112。因此溝槽15使第一基底11的第一區(qū)域113a至113c與第一基底的其它區(qū)域電絕緣。
[0052]根據(jù)一種實(shí)施方式可在第一基底11的第一表面111中構(gòu)造第一凹部115，第一凹部的深度小于第一基底11的厚度。也就是說，第一凹部115不延伸至第一基底11的第二表面112。如圖3A所示，也可在第一凹部115內(nèi)構(gòu)造填充有絕緣材料的溝槽15，該溝槽使第一基底11的第二區(qū)域114a至114d與第一基底11的其它區(qū)域電絕緣。第一凹部115內(nèi)的溝槽15可與第一凹部115外的溝槽15同時(shí)制出或在分開的過程步驟中制出。溝槽15可在制造第一凹部115之前或之后制出。
[0053]第一層復(fù)合體10首先可包括第一基底11和另一鄰接第一基底11第二表面112的層、即輔助層。第一基底11由導(dǎo)電材料、如半導(dǎo)體材料并且尤其是由硅制成。所述輔助層可由絕緣材料、如氧化硅制成，但輔助層在構(gòu)造和填充溝槽15之后再次被去除，因而作為用于制造第一層復(fù)合體10的第一步驟的結(jié)果溝槽15從第一基底11的第一表面111延伸至第一基底11的第二表面112并且第一層復(fù)合體10僅包括第一基底11并且不具有其它設(shè)置在第一基底上的層，如圖3A所示。
[0054]此外，所述輔助層也可以是第一基底11的一部分。這意味著，溝槽15最初并非連續(xù)延伸至第一基底11的第二表面112，而是具有小于第一基底11厚度的深度。但根據(jù)圖3A所示的方法實(shí)施方式，第一基底11從第一基底11的第二表面112起被削薄至溝槽15的深度，使得溝槽15鄰接第一基底11的第二表面112。因此在制造第二層復(fù)合體20之前形成圖3A中所示的第一層復(fù)合體10的實(shí)施方式。
[0055]在圖3B所示的第二步驟中制造第二層復(fù)合體20，其包括第一層復(fù)合體10以及結(jié)構(gòu)層25，在結(jié)構(gòu)層中構(gòu)造有活動(dòng)結(jié)構(gòu)252以及第一區(qū)域251。結(jié)構(gòu)層25至少在第一區(qū)域251中是導(dǎo)電的。第二層復(fù)合體20可通過將結(jié)構(gòu)層25施加到第一層復(fù)合體10上或通過連接結(jié)構(gòu)層25與第一層復(fù)合體10制出。在此結(jié)構(gòu)層25首先可作為非結(jié)構(gòu)化層被施加到第一基底11的第一表面111上或與之連接并且在此后結(jié)構(gòu)化，以便制出活動(dòng)結(jié)構(gòu)252。這例如可通過蝕刻過程實(shí)現(xiàn)，在該蝕刻過程中也可制出第一區(qū)域251。但第一區(qū)域251也可構(gòu)造為結(jié)構(gòu)層25內(nèi)彼此電絕緣的導(dǎo)電區(qū)域，例如通過半導(dǎo)體層中的摻雜過程，在此各個(gè)第一區(qū)域251并非必須相互物理分離。
[0056]結(jié)構(gòu)層25可借助沉積法施加到第一基底11的第一表面111上，例如通過使用輔助層，該輔助層首先填充第一凹部115并且在沉積和結(jié)構(gòu)化結(jié)構(gòu)層25后選擇性地被再次去除。但結(jié)構(gòu)層25作為非結(jié)構(gòu)化層或已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層也可借助接合方法、如硅直接接合(SDB)JH極接合或其它方法與第一基底11的第一表面111連接。這在應(yīng)如開頭所提密封封裝活動(dòng)區(qū)時(shí)是特別適合的。對(duì)于接合方法特別有利的是，待連接的層、在此情況下即第一基底11和結(jié)構(gòu)層25由同一種材料制成。
[0057]在本發(fā)明方法第一種實(shí)施方式的下一步驟中，可在第一基底11的第一區(qū)域113a至113c中在第一基底11的第二表面112上制出第一接觸面17a至17c。此外，可在第一基底11的第二區(qū)域114a至114d中在第一基底11的第二表面112上制出第二接觸面18a至18d。第一接觸面17a至17c和第二接觸面18a至18d可由同一種或不同種導(dǎo)電材料制成并且可在一個(gè)或不同過程步驟中制出。例如可在第一基底11的第二表面112上施加金屬層并且接著借助蝕刻法或剝離過程將之結(jié)構(gòu)化，從而形成第一接觸面17a至17c和第二接觸面18a至18d。
[0058]圖4A至4D示出用于制造構(gòu)件的本發(fā)明方法的第二種實(shí)施方式的不同過程步驟。
[0059]首先，在第一過程步驟中制出第一層復(fù)合體10，其包括第一基底11和至少一個(gè)構(gòu)造在第一基底11中并且填充有絕緣材料的溝槽15，所述至少一個(gè)溝槽15從第一基底11的第一表面111起延伸。然而如圖4A所示溝槽15并非延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12，該第一表面12與第一基底11的第一表面111相對(duì)置。也就是說，溝槽15的深度dl 5小于第一層復(fù)合體10的厚度dlO。如已經(jīng)參考圖3A所描述的，第一層復(fù)合體10除了第一基底11外還可包括輔助層13，該輔助層13鄰接第一基底11的第二表面112并且在其中不構(gòu)造有溝槽15。作為替代方案，第一層復(fù)合體10可僅包括第一基底11，但溝槽15不延伸至第一基底11的第二表面112。換言之，圖4A所示的輔助層13可以是第一基底11的一部分。但與參考圖3A所描述的本方法第一種實(shí)施方式不同，首先保留輔助層13，即在制造第二層復(fù)合體20之前不去除該輔助層13。
[0060]如圖4A所示，可在第一基底11的第一表面111中構(gòu)造第一凹部115，在第一凹部內(nèi)設(shè)置第一基底的一個(gè)第二區(qū)域114。此外，如圖3A所示，溝槽15也可構(gòu)造在第一基底11鄰接第一凹部115的區(qū)域中，從而如圖3A所示形成多個(gè)第二區(qū)域114。作為本方法第二種實(shí)施方式的第一過程步驟的結(jié)果形成圖4A中所示的第一層復(fù)合體10。
[0061 ]隨后，在下一過程步驟中制造第二層復(fù)合體20，其方式是，將結(jié)構(gòu)層25施加在第一基底11的第一表面111上或與第一基底11的第一表面111連接。結(jié)果在圖4B中示出。這相應(yīng)于參考圖3B所描述的過程步驟，但在此溝槽15在制造第二層復(fù)合體20之前不延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12。本方法的該實(shí)施方式相對(duì)于本方法的第一種實(shí)施方式具有如下優(yōu)點(diǎn):第一層復(fù)合體10在制造第二層復(fù)合體20期間具有更高的穩(wěn)定性，因?yàn)榈谝粚訌?fù)合體10的各個(gè)側(cè)向區(qū)域、如第一區(qū)域113a至113c尚且通過輔助層13彼此連接。因此尤其是在用于連接結(jié)構(gòu)層25與第一基底11的第一表面111的接合過程中可使用這樣的過程參數(shù)，其能實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)層25和第一基底11之間更穩(wěn)定且密封的連接、例如在接合方法中更高的壓力。
[0062]在下一過程步驟中一一其結(jié)果在圖4C中示出，去除輔助層13。這可借助CMP過程或蝕刻過程來實(shí)現(xiàn)。在此去除輔助層13直至到達(dá)溝槽15。作為結(jié)果溝槽15鄰接第一基底11的第二表面112并且因此使第一基底11的第一區(qū)域113a至113c與第一基底11的其它區(qū)域電絕緣。
[0063]在如圖4D所示的下一過程步驟中，在第一基底11的第二表面112上制造多個(gè)第一接觸面17a至17c和一個(gè)第二接觸面18。該過程相應(yīng)于圖3C所示的過程步驟。作為結(jié)果區(qū)域251通過第一基底11的相應(yīng)第一區(qū)域113a至113c與相配的第一接觸面17a至17c電連接，而第二接觸面18用作屏蔽電極，其相對(duì)于外部電場(chǎng)屏蔽構(gòu)件I的活動(dòng)區(qū)。作為替代方案也可構(gòu)造多個(gè)接觸面18，以便如圖3C所示電連接第一基底11的必要時(shí)構(gòu)造成多個(gè)的第二區(qū)域114。
[0064]借助圖5A至5C說明用于制造構(gòu)件I的本發(fā)明方法的第三種實(shí)施方式。
[0065]首先如圖5A所示第一層復(fù)合體10—一其包括第一基底11和所述至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽15—一與結(jié)構(gòu)層25連接，如已參考圖3A和3B所說明的。但第一層復(fù)合體10也可相應(yīng)于圖4A和4B或4A至4C所示的過程步驟來制造。也就是說，第一層復(fù)合體10除了第一區(qū)域113外也可僅具有一個(gè)第二區(qū)域114。此外可這樣構(gòu)造第一層復(fù)合體10，使得溝槽15在連接第一層復(fù)合體10與結(jié)構(gòu)層25后延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12，如圖3B或4C所示。但溝槽15也可尚未延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12，這相應(yīng)于圖4B所示的實(shí)施方式。
[0066]在另一過程步驟中，其結(jié)果在圖5B中示出，制造第三層復(fù)合體30。第三層復(fù)合體30的制造可獨(dú)立于圖5A所示的過程步驟進(jìn)行，如在時(shí)間上在圖5A所示過程步驟之前或之后。根據(jù)一種實(shí)施方式第三層復(fù)合體30包括第三基底31，其具有第一層313和第二層314以及覆蓋層35。覆蓋層35被結(jié)構(gòu)化并且構(gòu)成印制導(dǎo)線，這些印制導(dǎo)線連接覆蓋層35的不同區(qū)域。在此也可制出第二凹部352，其從覆蓋層35的第一表面351起延伸。術(shù)語“結(jié)構(gòu)化”在此不僅可包括例如通過摻雜半導(dǎo)體層制造彼此電絕緣、但物理上不相互分開的導(dǎo)電區(qū)域，也可包括導(dǎo)電區(qū)域的物理分離。
[0067]在下一過程步驟中一一其結(jié)果在圖5C中示出，制造第二層復(fù)合體20，其方式是，連接結(jié)構(gòu)層25和與之連接的第一層復(fù)合體10與第三層復(fù)合體30。這可通過如上所述的接合方法實(shí)現(xiàn)。對(duì)此特別有利的是，結(jié)構(gòu)層25和第三層復(fù)合體30朝向結(jié)構(gòu)層25的層、在此情況下即覆蓋層35由同一種材料制成。該材料例如可以是硅。作為結(jié)果結(jié)構(gòu)層25的第一區(qū)域251鄰接覆蓋層35的表面351。由此在覆蓋層35內(nèi)在結(jié)構(gòu)層25的于結(jié)構(gòu)層25內(nèi)彼此電絕緣的導(dǎo)電區(qū)域之間建立導(dǎo)電連接。例如覆蓋層35鄰接第二凹部352的區(qū)域可構(gòu)成印制導(dǎo)線橋353，其連接結(jié)構(gòu)層25的一個(gè)第一區(qū)域251與結(jié)構(gòu)層25的第二區(qū)域253并且在此跨接活動(dòng)結(jié)構(gòu)252。
[0068]當(dāng)在制造第二層復(fù)合體20之前溝槽15未延伸至第一層復(fù)合體10的第一表面12時(shí)，則在連接結(jié)構(gòu)層25和第一層復(fù)合體10與第三層復(fù)合體30之后將第一層復(fù)合體10從第一表面12起這樣削薄，使得溝槽15鄰接第一層復(fù)合體10的第一表面12。換言之，作為結(jié)果第一基底11的第二表面112相應(yīng)于第一層復(fù)合體10的第一表面12。
[0069]在下一過程步驟中，在第一基底11的第一表面12上制出第一接觸面17a至17c以及必要時(shí)一個(gè)第二接觸面18或多個(gè)第二接觸面18a至18d，以致作為結(jié)果形成圖1A或圖2中所示的構(gòu)件I。
[0070]圖6A至6D示出用于制造構(gòu)件的本發(fā)明方法的第四種實(shí)施方式的過程步驟。
[0071]根據(jù)該實(shí)施方式，首先制造第三層復(fù)合體30，其包括第三基底31和一個(gè)至少在區(qū)域中導(dǎo)電的覆蓋層35。因此圖6A所示的第三層復(fù)合體30相應(yīng)于圖5B所示的第三層復(fù)合體30 ο
[0072]在下一過程步驟中，在覆蓋層35的第一表面351上制造結(jié)構(gòu)層25，結(jié)構(gòu)層25可作為層被施加到覆蓋層35的第一表面351上或通過接合方法與覆蓋層35的第一表面351連接。在此結(jié)構(gòu)層25首先可作為未結(jié)構(gòu)化的層存在，其隨后被結(jié)構(gòu)化，以便形成各個(gè)第一區(qū)域251a至251c、活動(dòng)結(jié)構(gòu)252和必要時(shí)其它區(qū)域、如第二區(qū)域253。作為替代方案結(jié)構(gòu)層25可作為已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層被施加到覆蓋層35的第一表面351上或與之連接。該過程的結(jié)果在圖6B中示出。
[0073]在下一過程步驟中一一其在圖6C中示出，制造第一層復(fù)合體10，其包括第一基底U、至少一個(gè)填充有絕緣溝槽15以及輔助層13。溝槽15從第一基底11的第一表面111起延伸并且使第一基底11的第一區(qū)域113a至113c在第一表面111上側(cè)向與第一基底11的其它區(qū)域絕緣。還可在第一基底11中構(gòu)造一個(gè)或多個(gè)第一凹部115，在第一凹部內(nèi)設(shè)有一個(gè)第二區(qū)域114。因此該第一層復(fù)合體10相應(yīng)于圖4A所示的第一層復(fù)合體10，關(guān)于制造該第一層復(fù)合體10的說明也同樣適用。
[0074]用于制造第一層復(fù)合體10的過程步驟可在時(shí)間上在圖6A和6B所示的過程步驟之前或之后進(jìn)行。
[0075]在下一過程步驟中一一其結(jié)果在圖6D中示出，制造第二層復(fù)合體20，在其中第一層復(fù)合體10與結(jié)構(gòu)層25和第三層復(fù)合體30連接。作為結(jié)果，第一基底11的第一表面111至少在特定區(qū)域中鄰接結(jié)構(gòu)層25。第二層復(fù)合體20的制造尤其是可通過接合過程進(jìn)行。在此情況下，輔助層13的存在在接合過程期間是有利的，因?yàn)橛纱丝墒褂锰貏e適合的接合參數(shù)、如高的壓力，其可實(shí)現(xiàn)第一層復(fù)合體10和結(jié)構(gòu)層25之間良好且密封的連接。在連接第一層復(fù)合體10與結(jié)構(gòu)層25后去除輔助層13，如參考圖4C所描述的，從而作為結(jié)果可自由接近第一基底11的第二表面112。在此溝槽15延伸至第二表面112并且因此使各個(gè)第一區(qū)域113a至113c與第一基底11的其它區(qū)域電絕緣。
[0076]作為替代方案輔助層13也可在連接第一層復(fù)合體10與結(jié)構(gòu)層25之前就已被去除。
[0077]在下一過程步驟中在第一基底11的表面112上制出第一接觸面17a至17c以及一個(gè)或多個(gè)第二接觸面18，如已參考圖3C和4D所描述的。作為結(jié)果形成如圖1A或圖2所示的構(gòu)件1
[0078]除了圖3A至6D所示的實(shí)施方式外，第一層復(fù)合體10、結(jié)構(gòu)層25、第三層復(fù)合體30和第二層復(fù)合體20的其它實(shí)施方式以及這些實(shí)施方式的各種不同組合也是可能的。例如可在第一基底11中構(gòu)造或不構(gòu)造第二區(qū)域114a至114d。第一基底11的第一凹部115也是如此。覆蓋層35也并非必須存在并且以在此所示的形式結(jié)構(gòu)化。第一基底11第一區(qū)域113和第一基底11第二區(qū)域114以及結(jié)構(gòu)層25第一區(qū)域251以及第一接觸面17和第二接觸面18的數(shù)量可自由選擇。
[0079]用于制造構(gòu)件I的本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)在于，第一基底11的表面112在制出第一接觸面17和必要時(shí)第二接觸面18之前是完全或大致平面的，即沒有或沒有較大的高度差。這對(duì)于構(gòu)造第一接觸面17和第二接觸面18以及對(duì)于后期過程步驟、如分離構(gòu)件1、構(gòu)件I在載體上的安裝以及接觸面17和18和系統(tǒng)其它構(gòu)件的連接尤為有利。當(dāng)為了電連接接觸面17和18與系統(tǒng)其它構(gòu)件使用引線接合過程時(shí)，該接合過程通過下述方式得以簡化，即待電連接的接觸面17或18不位于構(gòu)件覆蓋物的狹窄通口中。此外，也可使用其它連接過程、如倒裝芯片接合(Flip-Chip-Bonden)或球柵接合(Bal 1-Grid-Bonden)來連接接觸面17和18與系統(tǒng)其它構(gòu)件。此外，與在構(gòu)件覆蓋物深的通口中實(shí)現(xiàn)的弓I線接合連接相比，接觸面17和18的面積需求可減少至百分之一。此外，第一接觸面17相對(duì)于用作屏蔽電極的第二接觸面18的寄生電容在相同的介電常數(shù)下縮小大約四十倍。
[0080]此外，可確保構(gòu)件I活動(dòng)區(qū)的密封封裝。尤其是可在用于連接結(jié)構(gòu)層25與第一層復(fù)合體10或連接已經(jīng)施加到第一層復(fù)合體10上的結(jié)構(gòu)層25與第三層復(fù)合體30的接合過程中選擇適合的接合參數(shù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.用于制造構(gòu)件(I)的方法，包括: 制造第一層復(fù)合體(10)，其包括由導(dǎo)電材料制成的第一基底(11)和至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽(15)，所述至少一個(gè)溝槽從第一基底(11)的第一表面(111)起延伸，第一基底(11)的第一區(qū)域(113)在第一表面(111)處通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣， 制造第二層復(fù)合體(20)，其包括第一層復(fù)合體(10)和結(jié)構(gòu)層(25)，所述結(jié)構(gòu)層具有構(gòu)件的活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)并且至少在第一區(qū)域(251)中是導(dǎo)電的，結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)在第一基底(I I)的第一區(qū)域(113)中鄰接第一基底(I I)的第一表面(111)并且與該第一基底導(dǎo)電連接，并且 在第一基底(11)的第二表面(112)上制出第一導(dǎo)電接觸面(17)，第二表面(112)與第一表面(111)相對(duì)置并且第一接觸面(17)設(shè)置在第一基底(11)的第一區(qū)域(113)中，第一基底(11)的第一區(qū)域(113)在第二表面(112)處通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，在制造第一層復(fù)合體(10)時(shí)在第一基底(11)的第一表面(111)中制出第一凹部(115)，第一凹部(115)的深度小于第一基底(11)的厚度并且第一基底(11)的第一區(qū)域(113)設(shè)置在第一凹部(115)之外并且第一基底(11)的第二區(qū)域(114)設(shè)置在第一凹部(115)之內(nèi)，第一基底(11)的第二區(qū)域(114)在第一基底(11)的第一表面(111)處通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣， 在制造第二層復(fù)合體(20)時(shí)，活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的至少一部分與第一基底(11)間隔開地設(shè)置在第一凹部(115)內(nèi)，并且 在第一基底(11)的第二表面(112)上制出第二導(dǎo)電接觸面(18)，第二接觸面設(shè)置在第一基底(11)的第二區(qū)域(114)中并且第一基底(11)的第二區(qū)域(114)在第二表面(112)處通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述第一層復(fù)合體(10)包括至少兩個(gè)填充有絕緣材料的溝槽(15)，在第一凹部(115)內(nèi)設(shè)置第一基底(11)的至少兩個(gè)第二區(qū)域(114)，并且在第一基底(11)的第二表面(112)上制出至少兩個(gè)第二接觸面(18)，并且每個(gè)第二接觸面(18)設(shè)置在第一基底(11)的一個(gè)第二區(qū)域(114)中。4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述第一層復(fù)合體(10)僅包括第一基底(11)和所述至少一個(gè)溝槽(15)并且所述至少一個(gè)溝槽(15)在第一基底(11)中在制造第二層復(fù)合體(20)之前延伸至第一基底(11)的第二表面(112)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)溝槽(15)在第一層復(fù)合體(10)中在制造第二層復(fù)合體(20)之前延伸至小于第一層復(fù)合體(10)厚度的深度，并且在制出第一接觸面(17)之前將第一層復(fù)合體(10)的厚度從第一層復(fù)合體(10)的第一表面(12)起減少至所述至少一個(gè)溝槽(15)的深度，第一層復(fù)合體(10)的第一表面(12)是第一層復(fù)合體(10)的與第一基底(11)第一表面(111)相對(duì)置的表面。6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述第二層復(fù)合體(20)還包括第三層復(fù)合體(30)，該第三層復(fù)合體在與第一層復(fù)合體(10)相對(duì)置的一側(cè)上鄰接結(jié)構(gòu)層(25)并且包括第二基底(31)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，第二層復(fù)合體(20)的制造包括在第一基底(11)的第一表面(I 11)上制出結(jié)構(gòu)層(25)并且連接施加在第一層復(fù)合體(10)上的結(jié)構(gòu)層(25)與第三層復(fù)合體(30)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，第二層復(fù)合體(20)的制造包括在第三層復(fù)合體(30)上制出結(jié)構(gòu)層(25)并且連接施加在第三層復(fù)合體(30)上的結(jié)構(gòu)層(25)與第一層復(fù)合體(10)。9.根據(jù)權(quán)利要求6至8之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述第三層復(fù)合體(30)包括一個(gè)至少在一區(qū)域中導(dǎo)電的覆蓋層(35)，該覆蓋層(35)設(shè)置在第二基底(31)的第一表面(311)上，第二基底(31)的第一表面(311)是第二基底(31)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的表面， 在覆蓋層(35)的第一表面(351)中制出第二凹部(352)，覆蓋層(35)的第一表面(351)是覆蓋層(35)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的表面并且第二凹部(352)的深度小于覆蓋層(35)的厚度，并且 在制造第二層復(fù)合體(20)時(shí)，覆蓋層(35)的導(dǎo)電區(qū)域鄰接結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)和結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)地設(shè)置，結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)之外并且結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)之內(nèi)并且是導(dǎo)電的，并且第二凹部(352)和活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的至少一部分這樣設(shè)置，使得第二凹部(352)的側(cè)向位置相應(yīng)于活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的所述至少一部分的側(cè)向位置，覆蓋層(35)構(gòu)成印制導(dǎo)線橋(353)，其連接結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)與結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)。10.根據(jù)權(quán)利要求6至9之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層(25)和第三層復(fù)合體(30)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的層由同一種材料制成。11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的用于制造構(gòu)件(I)的方法，其特征在于，所述第一基底(11)和結(jié)構(gòu)層(25)由同一種材料制成。12.構(gòu)件(1)，包括: 第一層復(fù)合體(10)，其包括由導(dǎo)電材料制成的第一基底(11)和至少一個(gè)填充有絕緣材料的溝槽(15)，所述至少一個(gè)溝槽從第一基底(11)的第一表面(111)起延伸至第一基底(11)的第二表面(112)，第二表面(112)與第一表面(111)相對(duì)置并且第一基底(11)的第一區(qū)域(113)通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣； 結(jié)構(gòu)層(25)，其包括構(gòu)件(I)的活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)并且至少在第一區(qū)域(251)中是導(dǎo)電的，結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)在第一基底(11)的第一區(qū)域(113)中鄰接第一基底(11)的第一表面(111)并且與第一基底(11)的第一區(qū)域(113)導(dǎo)電連接;以及 第一基底(11)第二表面(112)上的第一導(dǎo)電接觸面(17)，所述第一接觸面(17)設(shè)置在第一基底(11)的第一區(qū)域(113)中。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的構(gòu)件，其特征在于， 在第一基底(11)的第一表面(111)中構(gòu)造有第一凹部(115)，第一凹部(115)的深度小于第一基底(11)的厚度并且第一基底(11)的第一區(qū)域(113)設(shè)置在第一凹部(115)之外并且第一基底(11)的第二區(qū)域(114)設(shè)置在第一凹部(115)之內(nèi)，第一基底(11)的第二區(qū)域(114)通過所述至少一個(gè)溝槽(15)側(cè)向與第一基底(11)的其它區(qū)域電絕緣， 活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的至少一部分在第一凹部(115)之內(nèi)與第一基底(11)間隔開地設(shè)置，并 且 在第一基底(11)的第二表面(112)上設(shè)有第二導(dǎo)電接觸面(18)，所述第二接觸面設(shè)置在第一基底(11)的第二區(qū)域(114)中。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)件，其特征在于，所述第一層復(fù)合體(10)包括至少兩個(gè)填充有絕緣材料的溝槽(15 )，第一基底(11)的至少兩個(gè)第二區(qū)域(I 14)設(shè)置在第一凹部(I 15)內(nèi)，并且至少兩個(gè)第二接觸面(18)設(shè)置在第一基底(11)的第二表面(112)上，其中每個(gè)第二接觸面(18)設(shè)置在第一基底(11)的一個(gè)第二區(qū)域(114)中。15.根據(jù)權(quán)利要求12至14之一所述的構(gòu)件，其特征在于，所述構(gòu)件(I)還包括第三層復(fù)合體(30)，該第三層復(fù)合體在與第一層復(fù)合體(10)相對(duì)置的一側(cè)上鄰接結(jié)構(gòu)層(25)并且包括第二基底(31)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的構(gòu)件，其特征在于，所述第三層復(fù)合體(30)包括一個(gè)至少在一區(qū)域中導(dǎo)電的覆蓋層(35)，該覆蓋層(35)設(shè)置在第二基底(31)的第一表面(311)上，第二基底(31)的第一表面(311)是第二基底(31)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的表面， 在覆蓋層(35)的第一表面(351)中構(gòu)造有第二凹部(352)，覆蓋層(35)的第一表面(351)是覆蓋層(35)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的表面并且第二凹部(352)的深度小于覆蓋層(35)的厚度，并且 覆蓋層(35)的導(dǎo)電區(qū)域鄰接結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)和結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)，結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)之外并且結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)設(shè)置在活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)之內(nèi)并且是導(dǎo)電的，并且第二凹部(352)和活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的至少一部分這樣設(shè)置，使得第二凹部(352)的側(cè)向位置相應(yīng)于活動(dòng)結(jié)構(gòu)(252)的所述至少一部分的側(cè)向位置，覆蓋層(35)構(gòu)成印制導(dǎo)線橋(353)，其連接結(jié)構(gòu)層(25)的第二區(qū)域(253)與結(jié)構(gòu)層(25)的第一區(qū)域(251)。17.根據(jù)權(quán)利要求15或16之一所述的構(gòu)件(I)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層(25)和第三層復(fù)合體(30)朝向結(jié)構(gòu)層(25)的層由同一種材料制成。18.根據(jù)權(quán)利要求12至17之一所述的構(gòu)件(I)，其特征在于，所述第一基底(11)和結(jié)構(gòu)層(25)由同一種材料制成。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK105980293SQ201580006575
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年2月11日
【發(fā)明人】沃爾弗拉姆·蓋格
【申請(qǐng)人】諾思羅普·格魯曼·利特夫有限責(zé)任公司