顯示裝置和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。本發(fā)明提供簡(jiǎn)化制造工序且可靠性高的顯示裝置。顯示裝置具備：像素電極，其針對(duì)多個(gè)像素中的每一個(gè)設(shè)有；公共像素電極，其被多個(gè)像素中的每一個(gè)共用，并設(shè)于像素電極之上；有機(jī)層，其設(shè)于各像素電極與公共像素電極之間；第一絕緣層，其設(shè)于公共像素電極之上；公共電位線，其在第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層層疊起來區(qū)域，設(shè)于比有機(jī)層靠下層的位置；接觸電極，其設(shè)于在公共電位線之上，貫穿第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層的開孔部；第二絕緣層，其覆蓋第一絕緣層和接觸電極。
【專利說明】
顯示裝置和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件的有機(jī)層的圖案形成方法和使用該方法制作出來的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(以下稱為有機(jī)EL)顯示裝置在各像素設(shè)有發(fā)光元件，通過對(duì)發(fā)光元件分別控制發(fā)光來顯示圖像。發(fā)光元件所具有的構(gòu)造是，在一側(cè)為正電極、另一側(cè)為負(fù)電極區(qū)分開的一對(duì)電極間隔著含有有機(jī)EL材料的層(以下也稱為“有機(jī)層”)。有機(jī)EL顯示裝置中，針對(duì)每個(gè)像素將一側(cè)電極設(shè)為像素電極，將另一側(cè)電極設(shè)為跨多個(gè)像素施加公共電位的公共像素電極。有機(jī)EL顯示裝置通過針對(duì)每個(gè)像素施加像素電極的電位，控制在流向發(fā)光層的電流量，來控制像素的發(fā)光。
[0003]有機(jī)EL顯示裝置的制造工藝中，通常，使用金屬掩模來成膜有機(jī)層。即，通過金屬掩模來使有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成。例如專利文獻(xiàn)I中公開的方法是，在通過真空蒸鍍法形成有機(jī)膜時(shí)，使用針對(duì)每個(gè)像素具有開口部的金屬掩模來進(jìn)行成膜。
[0004]但是，由于使用金屬掩模，需要使用專用設(shè)備、定期做維護(hù)。
[0005]此外，在圖案形成工序中有時(shí)基板和金屬掩模接觸，有時(shí)因?yàn)樵摻佑|產(chǎn)生微粒。所存在問題點(diǎn)是，這樣的微粒與進(jìn)入顯示裝置的內(nèi)部的水分一起使發(fā)光元件的性能下降，進(jìn)而降低顯示裝置的壽命。
[0006]因此，通過確立了不使用掩模來使有機(jī)層進(jìn)行圖案形成的制造工藝(所謂無掩膜工藝)，可期待降低制造成本。
[0007]作為無掩膜工藝之一，正研究通過激光磨削術(shù)(laser abras1n)來對(duì)作為發(fā)光層的有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成的方法。在該方法中，通過利用激光光束來除去不要的有機(jī)膜來進(jìn)行圖案形成。但是，圖案形成后來成膜正極膜和封固膜，因而在由于激光磨削術(shù)而飛散出來的有機(jī)膜在后續(xù)工序中會(huì)成為微粒而成為導(dǎo)致黑點(diǎn)(dark spot)的主要原因。
[0008]此外，在使用有機(jī)EL層作為發(fā)光層的有機(jī)EL顯示裝置的情況下，有機(jī)EL層對(duì)水分的抗性極弱，當(dāng)有水分從外部進(jìn)入顯示裝置、到達(dá)有機(jī)EL層時(shí)，會(huì)產(chǎn)生黑點(diǎn)。在有機(jī)EL顯示裝置中，有機(jī)平坦化膜、堤岸(bank)使用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等有機(jī)物。該有機(jī)物成為輸送水分的路徑，會(huì)出現(xiàn)從外部侵入的水分到達(dá)直至有機(jī)EL元件而導(dǎo)致劣化。
[0009]專利文獻(xiàn)I:日本特開2004-165068

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明鑒于上述課題而提供一種制造工序簡(jiǎn)化、可靠性高的顯示裝置。
[0011]本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)技術(shù)方案是，具備:針對(duì)多個(gè)像素中的每一個(gè)設(shè)置的像素電極;針對(duì)多個(gè)像素中每一個(gè)共用設(shè)置的公共像素電極;設(shè)于像素電極和公共像素電極之間的有機(jī)層;設(shè)于公共像素電極之上的第一絕緣層;在第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層層疊起來的區(qū)域，比有機(jī)層靠下層地設(shè)置的公共電位線;在公共電位線之上，設(shè)于貫穿第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層的開孔部的接觸電極;覆蓋第一絕緣層和接觸電極的第二絕緣層。
[0012]本發(fā)明的顯示裝置的另一技術(shù)方案是，具備:針對(duì)多個(gè)像素中每一個(gè)設(shè)置的像素電極;設(shè)于所述像素電極之上的有機(jī)層;針對(duì)多個(gè)像素中每一個(gè)共用而設(shè)于所述有機(jī)層之上的公共像素電極;設(shè)于公共像素電極之上的第一絕緣層;在第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層層疊起來的區(qū)域中，比有機(jī)層靠下層地設(shè)置的無機(jī)絕緣層;在無機(jī)絕緣層之上，并在包圍多個(gè)像素的環(huán)狀的區(qū)域中，貫穿第一絕緣層、公共像素電極和有機(jī)層的開孔部;設(shè)于該開口部的接觸電極；以及覆蓋第一絕緣層和接觸電極的第二絕緣層。
[0013]本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的一個(gè)技術(shù)方案中，包含:在基板的第一面之上形成多個(gè)像素電極;在基板的第一面之上形成公共電位線;在基板的整個(gè)面上成膜有機(jī)層;在有機(jī)層之上形成公共像素電極;在公共像素電極之上成膜第一絕緣層;在公共電位線之上，從基板的第一面?zhèn)日丈浼す庑纬砷_孔部;在開孔部形成接觸電極；以覆蓋第一絕緣層和所述接觸電極的方式成膜第二絕緣層。
[0014]本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的另一技術(shù)方案中，包含在基板的第一面之上成膜絕緣層;比絕緣層靠上方地形成多個(gè)獨(dú)立的像素電極;在基板的整個(gè)面成膜有機(jī)層，有機(jī)層之上形成公共像素電極，公共像素電極之上成膜第一絕緣層;在絕緣層之上，在圍繞多個(gè)像素電極的環(huán)狀區(qū)域形成開孔部;在開孔部形成接觸電極；以覆蓋第一絕緣層和所述接觸電極的方式成膜第二絕緣層。
【附圖說明】
[0015]圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0016]圖2是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0017]圖3A是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0018]圖3B是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0019]圖3C是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0020]圖3D是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0021]圖3E是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0022]圖3F是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0023]圖3G是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0024]圖3H是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0025]圖4是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0026]圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0027]圖6A是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0028]圖6B是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0029]圖6C是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0030]圖6D是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0031]圖6E是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0032]圖6F是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0033]圖6G是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0034]圖6H是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法的剖視圖。
[0035]圖7是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0036]圖8是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0037]附圖標(biāo)記說明
[0038]顯示裝置:10，基板:11，顯示區(qū)域:12，周邊部:14，水分阻隔區(qū)域:16，無機(jī)絕緣層:17，晶體管:18，有機(jī)平坦化膜:20，像素電極:22，公共電位線:24，像素:25，堤岸:26，有機(jī)層:28，反射膜:30，公共像素電極:32，封裝膜:34，接觸電極:36，鈍化層:37，填充材料:38，彩色濾光片:40，黑矩陣:42，密封材料:44，對(duì)置基板:46。
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下，參照附圖等說明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明能以多個(gè)不同的方式實(shí)施，本發(fā)明并不限定解釋為以下示例的實(shí)施方式的記載內(nèi)容。此外，為了更明確地做說明，與實(shí)際方式相比，附圖中有時(shí)對(duì)各部分的寬度、厚度、形狀等做示意性表示，但是這些只是例子，并不能限定本本發(fā)明的解釋。此外，本說明書和各圖中，對(duì)于既已使用的圖中與之前說明的物件相同的要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，適宜省略詳細(xì)說明。
[0040]在本說明書中，將某部件或區(qū)域定義在其它部件或區(qū)域“之上(或之下)”的情況下，只要沒有特別的限定，這并不是指其它部件或區(qū)域正上方(或正下方)，包含位于其它部件或區(qū)域的上方(或下方)的情況，即，也包含在其它部件或區(qū)域的上方(或下方)并在該部件與其它部件之間還有其他結(jié)構(gòu)要素的情況。
[0041 ]〈第一實(shí)施方式〉
[0042]參照?qǐng)D1和圖2，說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)。圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實(shí)施方式的顯示裝置10在基板11之上設(shè)有形成顯示屏幕的顯示區(qū)域12。此外，在基板11之上的顯示區(qū)域12以外的周邊部14，設(shè)有將下文描述的公共像素電極32和公共電位線24連接起來的接觸電極36。此外，還可以在周邊部14，作為其它要素而附加向顯示區(qū)域12輸入信號(hào)的垂直掃描電路、水平電路、驅(qū)動(dòng)IC等。
[0043]在顯示區(qū)域12上以矩陣狀排列有多個(gè)像素。多個(gè)像素分別包含用于產(chǎn)生紅光的子像素、用于產(chǎn)生綠光的子像素、用于產(chǎn)生藍(lán)光的子像素以及用于產(chǎn)生白光的子像素。在圖1中代表性地示例了 2行2列的像素排列。在圖1中示例的布局是，各子像素的發(fā)光區(qū)域是L形的形狀，將分別發(fā)出不同顏色的光的4個(gè)像素作為I個(gè)單位，但是并不限于該形狀，也可是其它形狀。
[0044]圖2是沿著圖1所示的顯示裝置10的A-B線的剖視構(gòu)造。如圖2所示，顯示裝置10的多個(gè)像素中各自具有晶體管18和發(fā)光元件。當(dāng)發(fā)光元件是例如有機(jī)EL元件的情況下，發(fā)光元件具有例如利用形成于各像素中的每一個(gè)中的像素電極22和與之對(duì)置配置的對(duì)置電極32夾著由有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)層28的構(gòu)造。像素電極22在每個(gè)像素獨(dú)立，分別與晶體管18連接。對(duì)置電極相對(duì)于多個(gè)像素共用地形成(以下，稱為公共像素電極)。有機(jī)層28含有發(fā)光層，通過在公共像素電極32和像素電極22之間流過電流來發(fā)光。
[0045]相鄰的2個(gè)像素之間設(shè)有堤岸26。堤岸26以端部覆蓋像素電極22的周緣部的方式設(shè)置。另外，堤岸26優(yōu)選以絕緣材料形成。例如，在形成堤岸26時(shí)，優(yōu)選使用聚酰亞胺、丙烯酸等有機(jī)材料、或是氧化硅等無機(jī)材料。通過配置用絕緣材料形成的堤岸26，可以防止像素電極22的端部處的公共像素電極32和像素電極22間的短路，而且，可以切實(shí)地進(jìn)行相鄰的像素間的絕緣。
[0046]本實(shí)施方式所示的顯示裝置10具有使發(fā)光元件發(fā)出的光向公共像素電極32側(cè)出射的所謂頂部發(fā)光型的構(gòu)造。本實(shí)施方式雖然示例了頂部發(fā)光型，但是并不限于此，本實(shí)施方式也能應(yīng)用到向像素電極22側(cè)出射的所謂底部發(fā)光型。像素電極22將由有機(jī)層28發(fā)出的光向公共像素電極32側(cè)反射，因此，優(yōu)選是由反射率高的金屬膜形成?；蛘撸袼仉姌O22也可以采用金屬膜和透明導(dǎo)電膜的層疊構(gòu)造，含有光反射面。另一方面，公共像素電極32使有機(jī)層28發(fā)出的光透過，因此，優(yōu)選由具有透光性并具有導(dǎo)電性的ΙΤ0(添加有氧化錫的氧化銦)、ΙΖ0(氧化銦.氧化鋅)等透明導(dǎo)電膜形成?；蛘呤?，作為公共像素電極32，可以以出射光能夠透過程度的膜厚形成金屬層。另外，優(yōu)選公共像素電極32的上部預(yù)設(shè)有封固膜34。封固膜34只要是能阻隔水分侵入的絕緣膜即可，例如可以使用氮化硅膜等。
[0047]由例如有機(jī)EL層形成的有機(jī)層28，使用低分子系或高分子系有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子系有機(jī)材料的情況下，有機(jī)層28的結(jié)構(gòu)是，在含有發(fā)光性有機(jī)材料的發(fā)光層的基礎(chǔ)上，以夾著該發(fā)光層的方式含有空穴注入層、電子注入層以及空穴傳輸層、電子傳輸層等。有機(jī)層28可以是發(fā)光紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)各色光，也可以是所謂的呈現(xiàn)白色發(fā)光。
[0048]在本實(shí)施方式的顯示裝置10中，在基板11的周邊部14設(shè)有接觸電極36。上述本實(shí)施方式顯示裝置的層構(gòu)造中，公共像素電極32隔著有機(jī)層28配置于公共電位線24的上層。接觸電極36設(shè)于貫穿封固膜34、公共像素電極32、有機(jī)EL層28的開孔部，使公共像素電極32和公共電位線24的一端導(dǎo)通。公共電位線的另一端連接于包含晶體管18等的電路層。利用這樣的接觸電極36的構(gòu)造，可以在公共像素電極32上介由公共電位線24供給共用的電位。
[0049]接觸電極36可以以填充開孔部的方式設(shè)置，也可以以附著于開孔部的側(cè)壁和底面的方式設(shè)置。
[0050]此外，接觸電極36可以配置于多個(gè)位置，也可以以具有一定長(zhǎng)度的線狀形狀配置。
[0051]通過采用這種構(gòu)造，接觸電極可以使公共像素電極32和公共電位導(dǎo)通，形成低電阻的接合部。雖然會(huì)產(chǎn)生若配線自身的電阻、配線間的接觸電阻增大，則不能流有充分的電流，根據(jù)顯示區(qū)域的位置不同，發(fā)光元件的發(fā)光量不同的問題(所謂著色)，但采用本發(fā)明的接觸電極構(gòu)造可以抑制這種問題。
[0052]接觸電極36和封固膜34可以由下文說明的鈍化層37覆蓋。鈍化層37可以使用無機(jī)絕緣層、有機(jī)絕緣層。例如，在使用無機(jī)材料作為絕緣層的情況下，可以使用Si0x、SiNx、S1xNy、SiNx0y、A10x、AlNx、A10xNy、AlNx0y、TE0S膜等(x、y是任意值)。此外，也可以使用層疊這些材料所得到的構(gòu)造。此外，在使用有機(jī)材料作為絕緣性材料的情況下，可以使用聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂，氟樹脂、硅氧烷樹脂等。此外，也可使用層疊這些材料而得到的構(gòu)造。此外，也可以使用層疊上述無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層而得到的構(gòu)造。
[0053]在基板11上利用密封材料44以與基板11之間保持間隔的方式覆蓋透明的對(duì)置基板46。利用該對(duì)置基板46、密封材料44和封固膜34圍成的空間中填充由透明的環(huán)氧樹脂形成的填充材料38。
[0054]〈變形例1>
[0055]接觸電極36可以配置于顯示區(qū)域12內(nèi)。作為本實(shí)施方式的變形例，可以如圖7所示，將接觸電極36配置于在顯示區(qū)域12內(nèi)配置的多個(gè)像素之間。此外，可以組合本實(shí)施方式和本變形例，在基板11的周邊部14和配置于顯示區(qū)域12內(nèi)的多個(gè)像素之間配置多個(gè)接觸電極。由此，能使多個(gè)像素的公共電極中各公共電極和公共電位線之間的距離縮短，抑制像素和公共電位線之間的電壓下降。由此，上述著色問題得到抑制。特別是，顯示區(qū)域越是變得大面積化則效果越顯著。
[0056]〈變形例2>
[0057]作為本實(shí)施方式的其它的變形例，如圖8所示，可以將接觸電極36配置于在顯示區(qū)域配置的多個(gè)像素的內(nèi)部。在該情況下，可以針對(duì)所有的像素，在其內(nèi)部配置接觸電極36，也可以只在一部分像素配置接觸電極36。在像素內(nèi)形成接觸電極36的情況下，避開像素電極22和晶體管18間的連接部形成接觸電極36。此外，在本實(shí)施方式中，可以任意組合變形例I和本變形例。由此，能使多個(gè)像素的公共電極中各公共電極和公共電位線間的距離更短，更能抑制像素和公共電位線之間的電壓下降。由此，更能抑制上述著色問題。
[0058]〈制造方法〉
[0059]圖3A到圖3H是對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法做說明的剖視圖。表示的是圖2所示的區(qū)間C-D和區(qū)間E-F。參照?qǐng)D3A到圖3H，對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法做說明。另外，在本實(shí)施方式中，省略從形成包含晶體管18的周邊電路后到有機(jī)平坦化膜20形成之前的說明。
[0060]圖3A表示在有機(jī)平坦化膜20之上形成像素電極22和公共電位線24之后。像素電極22和公共電位線24利用光刻工序形成，兩者可使用不同的金屬材料，形成的順序不受限定。此外，可以使用相同的金屬層同時(shí)做圖案形成處理來形成。
[0061]特別是在顯示區(qū)域12中，以覆蓋像素電極22的周緣部的方式形成堤岸26(圖3B)。堤岸26由絕緣材料形成。作為絕緣材料可以使用有機(jī)材料或無機(jī)材料。作為有機(jī)材料優(yōu)選使用聚酰亞胺、丙烯酸等形成，作為無機(jī)材料優(yōu)選使用氧化硅等形成。
[0062]有機(jī)層28成膜于基板11的整個(gè)面(圖3C)。另外，在本實(shí)施方式中，示出了只是形成了發(fā)光層的例子，但是在有機(jī)EL元件的情況下，可以利用使用了相同的蒸鍍用掩模的蒸鍍法來形成電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層、空穴傳輸層這些功能層。
[0063]構(gòu)成公共像素電極的透明電極層成膜于基板11的整個(gè)面(圖3D)。公共像素電極32優(yōu)選用具有透光性的ΙΤ0、ΙΖ0等透明導(dǎo)電膜形成?；蛘呤?，以能透過出射光的程度的膜厚形成金屬層。
[0064]封固膜34成膜于基板11整個(gè)面(圖3Ε)。封固膜34只要是能阻隔水分侵入的絕緣膜即可，可以使用例如氮化硅膜等。
[0065]在做了上述有機(jī)層28、公共像素電極32、封固膜34的成膜后，形成貫穿這些膜而使下層的公共電位線24暴露的開孔部(圖3F)。為了形成該開孔部，可以使用激光磨削術(shù)法、光刻工序。在不使用掩模這點(diǎn)上，優(yōu)選使用激光磨削術(shù)法。
[0066]在使用激光磨削術(shù)法除去比公共電位線24靠上層的部分的方法中，將激光照射于形成了接觸電極36的區(qū)域，使被激光照射的部分瞬間升華。例如，作為所使用的激光，可以列舉出KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng):248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng):193nm)等。另外，本發(fā)明并不限于使用這樣的激光。
[0067]在開孔部形成接觸電極36(圖3G)。形成接觸電極36的過程可合適地使用例如激光CVD法、噴墨法。如果使用激光CVD法，則容易形成在開孔部的側(cè)壁和底面部堆積金屬材料的構(gòu)造，如果使用噴墨法，則容易形成在開孔部填充金屬材料這樣的構(gòu)造。
[0068]成膜鈍化層37(圖3H)。接觸電極36和封固膜34被鈍化層37覆蓋。鈍化層37可以使用無機(jī)絕緣層、有機(jī)絕緣層。例如，使用無機(jī)材料作為絕緣層的情況下，可以使用S1x、SiNx、S1xNy、SiNxOy、A10x、AlNx、AlOxNy、AlNxOy、TEOS膜等(x，y是任意值)。此外，也可以使用層疊這些材料所得到的構(gòu)造。此外，在使用有機(jī)材料作為絕緣性材料的情況下，可以使用聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂、硅氧烷樹脂等。此外，也可以使用層疊這些材料所得到的構(gòu)造。此外，也可以使用層疊上述無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層而得到的構(gòu)造。
[0069]通過使鈍化層37為層疊構(gòu)造，能期待進(jìn)一步防止水分侵入。例如，作為三層構(gòu)造，在第一層成膜第一無機(jī)絕緣膜。此時(shí)，由于顯示區(qū)域12內(nèi)的發(fā)光元件、接觸電極36形成凹凸，因而用第一絕緣膜不能充分覆蓋，有出現(xiàn)產(chǎn)生水分輸送路徑的情況。因此，作為第二層，成膜用于確保高平坦性的第二絕緣層。作為第二絕緣層，可以使用丙烯酸等有機(jī)絕緣層、TEOS等無機(jī)絕緣層。在平坦化了的第二絕緣層之上，成膜第三絕緣層。由于存在用第二絕緣層得到的平坦化，第三絕緣層具有高覆蓋性，能抑制水分輸送路徑的產(chǎn)生。作為第三絕緣層，優(yōu)選是水分阻隔性高的膜，可以使用例如氮化硅膜等。
[00"70]貼合對(duì)置基板46而完成本實(shí)施方式的顯不裝置10(未圖不)。在圖2中，對(duì)置基板46是玻璃基板。在對(duì)置基板46上，配置有與紅色像素對(duì)應(yīng)的紅色用彩色濾光片、與綠色像素對(duì)應(yīng)的綠色用彩色濾光片、與藍(lán)色像素對(duì)應(yīng)的藍(lán)色用彩色濾光片以及設(shè)置于各彩色濾光片40之間的黑矩陣42。
[0071]然后，對(duì)上述對(duì)置基板46配置由樹脂構(gòu)成的填充材料38，完成圖2所示的顯示裝置
10。另外，作為填充材料38，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸等透明樹脂。只要是在基板11和對(duì)置基板46之間填充填充材料38，然后照射光使之固化即可。此外，可以使密封材料44具有粘合功能。
[0072]根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法，由于不使用掩模來形成有機(jī)層28的圖案，因而可以避免由基板11和掩模的接觸所導(dǎo)致的微粒產(chǎn)生的問題。此外，在成膜有機(jī)層28后，在其上層成膜公共像素電極32和封固膜34，一起形成這些層的圖案，因而容易除去所產(chǎn)生的加工肩。此外，可以減少圖案形成的次數(shù)。從這些來看，可期待提高成品率、提高生產(chǎn)率。
[0073]〈第二實(shí)施方式〉
[0074]在顯示裝置10中，在有機(jī)平坦化膜20、堤岸26使用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等有機(jī)物。這些有機(jī)物變成輸送水分的路徑，因而特別是在有機(jī)EL顯示裝置中，這是導(dǎo)致從外部侵入的水分到達(dá)發(fā)光元件而使之劣化的原因。為了防止這些，可以設(shè)置用于使顯示區(qū)域12的有機(jī)平坦化膜20、堤岸26這些有機(jī)膜與其它區(qū)域的有機(jī)膜分離的水分阻隔區(qū)域，形成切斷水分從外部到顯示區(qū)域12的輸送路徑的結(jié)構(gòu)。
[0075]第一實(shí)施方式中使用激光磨削術(shù)進(jìn)行接觸電極36的圖案形成，但是使用該激光磨削術(shù)的圖案形成方法可以同時(shí)進(jìn)行水分阻隔區(qū)域16的圖案形成。參照?qǐng)D4和圖5，說明本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)。圖4是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)平面圖。圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置10的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。與第一實(shí)施方式相比，本實(shí)施方式的顯示裝置10在還具有以圍繞顯示區(qū)域12的方式配置的水分阻隔區(qū)域16這點(diǎn)上有差異。
[0076]圖5是沿著圖4所示的顯示裝置10的A-B線的剖視構(gòu)造。如圖7所示，顯示裝置10的多個(gè)像素中的各像素具有包含晶體管18的晶體管元件和包含有機(jī)層28的發(fā)光元件。發(fā)光元件具有用像素電極22和與像素電極22對(duì)置配置的公共像素電極32夾持有機(jī)層28的構(gòu)造。像素電極22針對(duì)每個(gè)像素都是獨(dú)立的，與各晶體管18分別連接。
[0077]本實(shí)施方式的顯示裝置10中以圍繞基板11的顯示部的方式設(shè)置水分阻隔區(qū)域16。如圖5所示，在本實(shí)施方式中，采用的也是沒有使用掩模的工序，因而，有機(jī)層28在基板11的整個(gè)面成膜。因此，令人擔(dān)心的是，有機(jī)層28會(huì)構(gòu)成水分的輸送路徑。相對(duì)于第一實(shí)施方式的顯示裝置10而言，本實(shí)施方式的顯示裝置10還設(shè)有圍繞顯示部的水分阻隔區(qū)域16，具有將該區(qū)域中的有機(jī)層28、公共像素電極32和封固膜34的層疊構(gòu)造貫穿的接觸電極36。由此，顯示區(qū)域12內(nèi)的有機(jī)層28和該顯示區(qū)域12以外的區(qū)域的有機(jī)層28分離，可以抑制水分從顯示裝置10外部向顯示區(qū)域12輸送。
[0078]接觸電極36可以以填充開孔部的方式設(shè)置，也可以以附著于開孔部的側(cè)壁和底面的方式設(shè)置。
[0079]顯示區(qū)域12中公共像素電極32的電位由接觸電極36確保為公共電位線24的電位。而且，在水分阻隔區(qū)域16中也因存在接觸電極36，能夠使顯示區(qū)域12內(nèi)的從公共像素電極32到公共電位線24這段路徑低電阻化。通過在水分阻隔區(qū)域16形成接觸電極36向公共像素電極32供給公共電位，能使顯示區(qū)域的公共電極為均勻的電壓，抑制著色。
[0080]〈制造方法〉
[0081]圖6A到圖6H是對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法做說明的剖視圖。表示的是圖5所示的區(qū)間C-D和區(qū)間G-Η。參照?qǐng)D6A到圖6H，對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法做說明。另外，對(duì)于與第一實(shí)施方式共有的工序，省略其說明。此外，本實(shí)施方式中，省略了形成包含晶體管18的周邊電路之后到形成有機(jī)平坦化膜20之前的說明。
[0082]圖6A表示在顯示區(qū)域12中在有機(jī)平坦化膜20之上分開形成像素電極22之后。各像素電極22由光刻工序形成。
[0083]特別是在顯示區(qū)域12中，以覆蓋各像素電極22的周緣部的方式形成堤岸26(圖6B)。堤岸26由絕緣材料形成。作為絕緣材料，可以使用有機(jī)材料或無機(jī)材料。作為有機(jī)材料，優(yōu)選以聚酰亞胺、丙烯酸等形成，作為無機(jī)材料，可以使用氧化硅等形成。
[0084]將有機(jī)層28成膜于基板11的整個(gè)面(圖6C)。另外，在本實(shí)施方式中，示出了僅形成發(fā)光層的例子，但在有機(jī)EL元件的情況下，通過使用了相同的蒸鍍用掩模的蒸鍍法形成電子注入層、電子傳輸層、空孔注入層、空孔傳輸層這些功能層。
[0085]構(gòu)成公共像素電極32的透明電極層成膜于基板11的整個(gè)面(圖6D)。公共像素電極32優(yōu)選用具有透光性的ΙΤ0、ΙΖ0等透明導(dǎo)電膜形成?；蛘?，以能讓出射光透過的程度的膜厚形成金屬層。
[0086]將封固膜34成膜于基板11的整個(gè)面(圖6Ε)。封固膜34只要是能阻隔水分侵入的絕緣膜即可，可以使用例如氮化硅膜等。
[0087]在成膜上述有機(jī)層28、公共像素電極32、封固膜34之后，形成貫穿這些膜而使下層的絕緣層暴露的開孔部(圖6F)。為了形成該開孔部，可以使用激光磨削術(shù)法、光刻工序。本發(fā)明中不使用掩模這點(diǎn)上，優(yōu)選使用激光磨削術(shù)法。
[0088]使用激光磨削術(shù)法除去比公共電位線24靠上層的部分的方法中，對(duì)形成接觸電極36的區(qū)域照射激光，被照射激光的部分瞬間升華。例如，作為所使用的激光，可以列舉KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng):248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng):193nm)等。另外，本發(fā)明并不限于使用這些激光。
[0089]在開孔部形成接觸電極36(圖6G)。形成接觸電極36的過程中，可以合適地使用例如激光CVD法、噴墨法。如果使用激光CVD法，則容易形成在開孔部的側(cè)壁和底面部堆積金屬材料的構(gòu)造，如果使用噴墨法，則容易形成在開孔部填充金屬材料這樣的構(gòu)造。
[0090]成膜鈍化層37(圖6H)。接觸電極36和封固膜34被鈍化層37覆蓋。鈍化層37可以使用無機(jī)絕緣層、有機(jī)絕緣層。例如，在使用無機(jī)材料作為絕緣層的情況下，可以使用S1x、SiNx、S1xNy、SiNxOy、A10x、AlNx、AlOxNy、AlNxOy、TEOS膜等(x、y是任意值)。此外，也可以使用層疊這些材料所得到的構(gòu)造。此外，在使用有機(jī)材料作為絕緣性材料的情況下，可以使用聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂、硅氧烷樹脂等。此外，也可以使用層疊這些材料而得到的構(gòu)造。再者，也可以使用層疊上述無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層而得到的構(gòu)造。
[0091 ]通過使鈍化層37為層疊構(gòu)造，可期待進(jìn)一步防止水分侵入。例如，作為三層構(gòu)造，第一層成膜第一無機(jī)絕緣膜。此時(shí)，由于有顯示區(qū)域12內(nèi)的發(fā)光元件、接觸電極36形成的凹凸，第一絕緣膜不能充分覆蓋，存在會(huì)產(chǎn)生水分輸送路徑的情況。因此，作為第二層，成膜用于確保高平坦性的第二絕緣層。作為第二絕緣層，可以使用丙烯酸等有機(jī)絕緣層、TEOS等無機(jī)絕緣層。在平坦化了的第二絕緣層之上，成膜第三絕緣層。由于由第二絕緣層形成了平坦化，第三絕緣層具有高被覆性，能抑制產(chǎn)生水分輸送路徑。作為第三絕緣層優(yōu)選是水分阻隔性高的膜，可以使用例如氮化硅膜等。
[0092]最后，貼合對(duì)置基板46而完成本實(shí)施方式的顯示裝置10(未圖示)。在圖5中，對(duì)置基板46是玻璃基板。在對(duì)置基板46上配置有與紅色像素對(duì)應(yīng)的紅色用彩色濾光片、與綠色像素對(duì)應(yīng)的綠色用彩色濾光片、與藍(lán)色像素對(duì)應(yīng)的藍(lán)色用彩色濾光片以及設(shè)于各彩色濾光片之間的黑矩陣42。
[0093]然后，使用由樹脂構(gòu)成的填充材料38來對(duì)基板11和上述對(duì)置基板46進(jìn)行粘合，完成圖5所示的顯示裝置10。另外，作為填充材料38，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸等透明樹脂，只要在填充到基板11和對(duì)置基板46之間后，利用光照射使填充材料固化即可。
[0094]采用本實(shí)施方式的顯示裝置10的制造方法，可以不使用掩模就進(jìn)行有機(jī)層28的圖案形成，因而，能夠避免因基板11和掩模的接觸所導(dǎo)致的微粒發(fā)生這樣的問題。此外，在成膜有機(jī)層28后，在其上層成膜公共像素電極32和封固膜34，一起進(jìn)行這些層的圖案形成，因此容易除去所產(chǎn)生的加工肩。
[0095]通過使用這樣的工序來形成圍繞顯示區(qū)域12的水分阻隔區(qū)域16，連同密封材料44，能夠形成以雙層來切斷水分向顯示區(qū)域12傳輸?shù)穆窂降慕Y(jié)構(gòu)。此外，可以減少圖案形成的次數(shù)。從這些方面來看，可以期待成品率提尚、生廣率提尚。
[0096]以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的顯示裝置10及其制造方法做了說明。但是，這些不過是示例，并不限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。實(shí)際上，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員，都應(yīng)該能在不脫離權(quán)利要求書記載的本發(fā)明的要旨的前提下，做各種改變。所以，這些改變當(dāng)然也應(yīng)理解為屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯不裝置，具備: 像素電極，其針對(duì)多個(gè)像素中每一個(gè)設(shè)置； 公共像素電極，其針對(duì)所述多個(gè)像素中每一個(gè)共用設(shè)置； 有機(jī)層，其設(shè)于所述像素電極和所述公共像素電極之間； 第一絕緣層，其設(shè)于所述公共像素電極之上； 公共電位線，其在所述第一絕緣層、所述公共像素電極和所述有機(jī)層層疊起來的區(qū)域中設(shè)于比所述有機(jī)層靠下側(cè)的位置； 第一接觸電極，其在所述公共電位線之上，設(shè)于貫穿所述第一絕緣層、所述公共像素電極和所述有機(jī)層的開孔部； 第二絕緣層，其覆蓋所述第一絕緣層和所述第一接觸電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一接觸電極配置于基板的周邊部。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一接觸電極配置于基板的顯示區(qū)域內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一接觸電極配置于所述基板的所述顯示區(qū)域內(nèi)的所述像素內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一接觸電極以填充所述開孔部的方式設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一接觸電極設(shè)于所述開孔部的側(cè)壁和底面。7.一種顯不裝置，具備: 像素電極，其針對(duì)多個(gè)像素中每一個(gè)設(shè)置； 有機(jī)層，其設(shè)于所述像素電極； 公共像素電極，其由所述多個(gè)像素中每一個(gè)所共用并設(shè)于所述有機(jī)層之上； 第一絕緣層，其設(shè)于所述公共像素電極之上； 無機(jī)絕緣層，其在所述第一絕緣層、所述公共像素電極和所述有機(jī)層層疊起來的區(qū)域，設(shè)于比所述有機(jī)層靠下層的位置； 開孔部，其在所述無機(jī)絕緣層之上，并且在圍繞所述多個(gè)像素的環(huán)狀區(qū)域，貫穿所述第一絕緣層、所述公共像素電極和所述有機(jī)層； 第二接觸電極，其設(shè)于所述開口部； 第二絕緣層，其覆蓋所述第一絕緣層和所述第二接觸電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第二接觸電極以填充所述開孔部的方式設(shè)置。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第二接觸電極設(shè)于所述開孔部的側(cè)壁和底面。10.根據(jù)權(quán)利要求1?9中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中， 還具備:第三絕緣層，其覆蓋所述第二絕緣層； 第四絕緣層，其覆蓋所述第三絕緣層。11.一種顯示裝置的制造方法，包含: 在基板的第一面之上形成多個(gè)像素電極； 在所述基板的第一面之上形成公共電位線； 在所述基板的整個(gè)面成膜有機(jī)層； 在所述有機(jī)層之上形成公共像素電極； 在所述公共像素電極之上成膜第一絕緣層； 在所述公共電位線之上形成開孔部； 在所述開孔部形成第一接觸電極； 以覆蓋所述第一絕緣層和所述第一接觸電極的方式成膜第二絕緣層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 形成所述開孔部是通過從所述基板的所述第一面照射激光來形成的。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述開孔部形成第一接觸電極是通過在所述開孔部填充金屬來進(jìn)行的。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述開孔部形成第一接觸電極是通過在所述開孔部的側(cè)壁和底面附著金屬來進(jìn)行的。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述開孔部形成第一接觸電極是通過激光CVD法來形成的。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述開孔部形成第一接觸電極是通過噴墨法來形成的。17.根據(jù)權(quán)利要求11?16中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，還包括: 以覆蓋所述第二絕緣層的方式成膜第三絕緣層； 以覆蓋所述第三絕緣層的方式成膜第四絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK106057849SQ201610207664
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日 公開號(hào)201610207664.4, CN 106057849 A, CN 106057849A, CN 201610207664, CN-A-106057849, CN106057849 A, CN106057849A, CN201610207664, CN201610207664.4
【發(fā)明人】三村壽文, 佐藤敏浩
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日本顯示器