1.一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，主要步驟為：
第一步：用稀釋的鹽酸清洗AAO模板；
第二步：基于第一步所清洗獲得的AAO模板，通過物理方法或化學(xué)方法獲得貴金屬納米粒子團(tuán)簇，使其填滿整個(gè)AAO模板的孔；
第三步：放置一塊PMMA，將第二步所獲得的AAO模板倒置放于PMMA上，貴金屬納米粒子團(tuán)簇向下落于PMMA表面，而后放入熱環(huán)境或者直接對(duì)PMMA加熱，使PMMA變軟，貴金屬納米粒子團(tuán)簇浸入PMMA中；
第四步：將第三步形成的整體放入稀釋的鹽酸洗滌，去除AAO模板后，放入真空干燥箱干燥，得到貴金屬納米粒子規(guī)則排布的SERS襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的貴金屬為金或銀或銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的貴金屬納米粒子可以通過控制生長時(shí)間來調(diào)節(jié)納米顆粒的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的物理方法為原子蒸鍍，磁控濺射或者脈沖激光沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的化學(xué)方法為金屬離子的自組裝生長或利用電化學(xué)沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的AAO模板為單通AAO模板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的PMMA厚度小于1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬納米粒子間距可控的SERS襯底制備方法，其特征在于，所述的稀釋的鹽酸濃度小于5％。