混合集成的構(gòu)件和用于其制造的方法與流程

技術(shù)特征：
1.一種混合集成的構(gòu)件(100)，至少包括一載體(20)、一MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)和一蓋(30)，·其中，該MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)通過(guò)托腳結(jié)構(gòu)(21)裝配在該載體(20)上和·其中，該蓋(30)布置在該MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)上方；其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)以層結(jié)構(gòu)的形式實(shí)現(xiàn)并且所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)延伸經(jīng)過(guò)該層結(jié)構(gòu)的至少兩個(gè)功能層(3，5)，所述至少兩個(gè)功能層通過(guò)至少一個(gè)中間層(4)相互分開，其中，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)能夠偏轉(zhuǎn)的震動(dòng)質(zhì)量(11)，所述震動(dòng)質(zhì)量通過(guò)所述托腳結(jié)構(gòu)(21)的唯一的支撐位置(23)與所述載體(20)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)包括至少一個(gè)延伸經(jīng)過(guò)所述兩個(gè)功能層(3，5)的區(qū)段和至少一個(gè)僅延伸經(jīng)過(guò)所述兩個(gè)功能層(3，5)中的一個(gè)的區(qū)段。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的兩個(gè)功能層(3，5)涉及單晶的硅層。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合集成的構(gòu)件，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件的一個(gè)功能層通過(guò)一SOI晶片的功能層構(gòu)成并且該MEMS結(jié)構(gòu)元件的另一個(gè)功能層通過(guò)SOI載體襯底構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的兩個(gè)功能層(3，5)通過(guò)雙層的SOI晶片的兩個(gè)功能層(3，5)構(gòu)成。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其中，所述MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)置有用于感測(cè)該震動(dòng)質(zhì)量(11)的偏轉(zhuǎn)的電路器件，并且所述震動(dòng)質(zhì)量布置在所述蓋(30)和具有用于傳感器信號(hào)的分析電路的ASIC結(jié)構(gòu)元件(20)之間的封閉的空腔(22)中。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，所述震動(dòng)質(zhì)量(11)包括至少一個(gè)延伸經(jīng)過(guò)兩個(gè)功能層(3，5)的區(qū)段和至少一個(gè)僅延伸經(jīng)過(guò)兩個(gè)功能層(3，5)中的一個(gè)的區(qū)段，從而該震動(dòng)質(zhì)量(11)的質(zhì)量分布相對(duì)于該震動(dòng)質(zhì)量的懸掛裝置或者支承裝置(23)非對(duì)稱。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，在所述震動(dòng)質(zhì)量(11)中構(gòu)造有一通風(fēng)口(7)，該通風(fēng)口延伸經(jīng)過(guò)該震動(dòng)質(zhì)量(11)的整個(gè)厚度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合集成的構(gòu)件(100)，其特征在于，所述載體是呈ASIC結(jié)構(gòu)元件(20)形式的載體。10.用于制造混合集成的構(gòu)件的方法，該混合集成的構(gòu)件具有至少一個(gè)載體、至少一個(gè)MEMS結(jié)構(gòu)元件和一用于該MEMS結(jié)構(gòu)元件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)的蓋，·其中，在該載體上產(chǎn)生一托腳結(jié)構(gòu)，·其中，將作為MEMS襯底起作用的SOI晶片的功能層結(jié)構(gòu)化并且·其中，該MEMS襯底面朝下地與該結(jié)構(gòu)化的功能層一起裝配在該載體的托腳結(jié)構(gòu)上，其特征在于，·所述SOI晶片的SOI襯底作為所述MEMS襯底的第二功能層起作用并且在該MEMS襯底裝配在所述載體上之后被結(jié)構(gòu)化，從而形成一微機(jī)械結(jié)構(gòu)，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)延伸經(jīng)過(guò)所述功能層和所述SOI襯底，并且·在所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)上裝配一蓋晶片。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述SOI襯底在它被作為所述MEMS襯底的第二功能層結(jié)構(gòu)化之前，回薄到一預(yù)先給定的厚度。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述載體是呈ASIC結(jié)構(gòu)元件(20)形式的載體。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的混合集成的構(gòu)件。14.用于制造混合集成的構(gòu)件(100)的方法，該混合集成的構(gòu)件具有至少一個(gè)載體(20)、至少一個(gè)MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)和一用于該MEMS結(jié)構(gòu)元件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)的蓋(30)，·其中，在該載體(20)上產(chǎn)生一托腳結(jié)構(gòu)(21)，·其中，使作為MEMS襯底(10)起作用的SOI晶片的最上面的第一功能層(5)結(jié)構(gòu)化并且·其中，該MEMS襯底(10)面朝下地、與該結(jié)構(gòu)化的功能層(5)一起裝配在該載體(20)的托腳結(jié)構(gòu)(21)上，其特征在于，·將一具有兩個(gè)功能層(3，5)的雙層SOI晶片在一SOI襯底(1)上作為MEMS襯底(10)使用，其中，所述兩個(gè)功能層(3，5)通過(guò)絕緣層(4)相互分開并且與所述SOI襯底(1)分開，·所述SOI晶片的第二功能層(3)作為所述MEMS襯底(10)的第二功能層起作用并且在該MEMS襯底(10)裝配在所述載體(20)上并且所述SOI襯底(1)被去除之后被結(jié)構(gòu)化，從而形成一微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)延伸經(jīng)過(guò)所述SOI晶片的兩個(gè)功能層(3，5)，并且·在所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)上裝配一蓋晶片(30)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述載體是呈ASIC結(jié)構(gòu)元件(20)形式的載體。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)的混合集成的構(gòu)件。